发明创造名称：阵列基板及其制作方法、显示面板、触控面板
外观设计名称：
决定号：190861
决定日：2019-09-23
委内编号：1F267211
优先权日：
申请（专利）号：201610101464.0
申请日：2016-02-24
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：胡婉约
合议组组长：崔双魁
参审员：代云丽
国际分类号：G02F1/1335，G02F1/1362，G02F1/1333
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而其中部分区别技术特征被另一对比文件公开，部分区别技术特征为本领域公知常识，且本领域技术人员有动机将其他对比文件以及该公知常识应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610101464.0、名称为“阵列基板及其制作方法、显示面板、触控面板”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2016年02月24日，公开日为2016年05月11日，申请人为京东方科技集团股份有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月23日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-16不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。在驳回决定中引用了如下4篇对比文件：
对比文件1：CN103885240A，公开日期为2014年06月25日；
对比文件2：CN102789021A，公开日期为2012年11月21日；
对比文件3：WO2012/162880A1，公开日期为2012年12月06日；
对比文件4：CN104716144A，公开日期为2015年06月17日。
驳回决定所依据的文本为：申请日2016年02月24日提交的说明书第1-111段、说明书附图图1-10、说明书摘要及摘要附图；2018年04月23日提交的权利要求第1-16项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的像素区域设置有多个周期性排列的金属图形，所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光，其中，每个像素区域包含多个亚像素区域，不同颜色的亚像素区域对应的金属图形的排列周期不同；
所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的所有金属图形均与对应的薄膜晶体管的漏极连接。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图形为长方形，所述金属图形的排列周期为相邻两金属图形之间的间距与金属图形的宽度之和。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上形成有红色亚像素区域、绿色亚像素区域和蓝色亚像素区域，
所述红色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为490-510nm，排列周期范围为530-550nm；所述绿色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为440-460nm，排列周期范围为475-495nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为290-305nm，排列周期范围为315-330nm。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述红色亚像素区域对应的金属图形的宽度为500nm，排列周期为540nm；所述绿色亚像素区域对应的金属图形的宽度为450nm，排列周期为485nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度为300nm，排列周期为320nm。
5. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上形成有黄色亚像素区域、品红色亚像素区域和青色亚像素区域，
所述黄色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为50-70nm，排列周期范围为190-210nm；所述品红色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为66-86nm，排列周期范围为190-210nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为82-102nm，排列周期范围为190-210nm。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述黄色亚像素区域对应的金属图形的宽度为60nm，排列周期为200nm；所述品红色亚像素对应区域的金属图形的宽度为76nm，排列周期为200nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度为92nm，排列周期为200nm。
7. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图形为圆形，所述金属图形的排列周期为相邻两金属图形之间的最小间距与金属图形的直径之和。
8. 根据权利要求1-7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图形的高度为100～220nm。
9. 根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图形的高度为120nm。
10. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还形成触控电极，所述金属图形与所述触控电极同层同材料设置。
11. 根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，所述触控电极位于所述薄膜晶体管上方，且所述薄膜晶体管在阵列基板上的正投影落入所述触控电极在阵列基板上的正投影中。
12. 一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。
13. 一种触控面板，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。
14. 一种如权利要求1-11中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在阵列基板的像素区域形成多个周期性排列的金属图形，所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光，其中，不同颜色的亚像素区域对应的金属图形的排列周期不同。
15. 根据权利要求14所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，在阵列基板的像素区域形成金属图形的步骤还包括：
在每一亚像素区域内形成均与对应薄膜晶体管的漏极连接的所述金属图 形。
16. 根据权利要求14所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板上还形成有触控电极，在阵列基板的像素区域形成金属图形的步骤还包括：
通过一次构图工艺同时形成所述触控电极和所述金属图形。”
驳回决定认为：（1）独立权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征是：1）所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光；2）所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的所有金属图形均与对应的薄膜晶体管的漏极连接。而上述区别技术特征1）的部分被对比文件2公开、部分属于本领域的常用技术手段；上述区别技术特征2）的部分被对比文件4公开，部分属于本领域的常规技术手段，因此独立权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2-11的附加技术特征或者被对比文件1-4公开，或者属于本领域的常规技术手段，因此这些从属权利要求也不具备创造性。（3）关于独立权利要求12，对比文件1公开了包括阵列基板的显示面板，因此当其引用的权利要求1-11不具备创造性时，权利要求12也不具备创造性。（4）关于独立权利要求13，对比文件4公开了包含阵列基板的触控面板，因此当其引用的权利要求1-11不具备创造性时，权利要求13也不具备创造性。（5）独立权利要求14请求保护一种阵列基板的制作方法，其涉及制作方法的特征是本领域的常规技术手段，因此当其引用的权利要求1-11不具备创造性时，权利要求14也不具备创造性。（6）从属权利要求15-16的附加技术特征在对比文件4的基础上是容易想到的，因此这两个从属权利要求也不具备创造性。
申请人京东方科技集团股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月27日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：（1）对比文件1的技术方案中，滤色器层设置在彩膜基板上，对比文件1的方案是对彩膜基板的结构进行设计和改进；而本申请权利要求1所要求保护的技术方案中，是对反射式的阵列基板的结构进行改进。（2）对比文件1公开的是一种透射式的显示面板，而对比文件2公开的是一种反射式的彩色滤光片，进行显示的原理不同，本领域技术人员没有动机基于对比文件2对对比文件1的技术方案进行改进，并且即使将对比文件1与对比文件2相结合，也只会涉及对彩膜基板的结构进行改进，得不到本申请权利要求1所要保护的技术方案。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理，合议组于2019年06月11日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-16不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定，具体理由如下：（1）独立权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征是：1）所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光；2）所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的所有金属图形均与对应的薄膜晶体管的漏极连接。关于区别技术特征1），其在对比文件2的基础上是容易想到的。而区别技术特征2）是本领域的常规技术手段。因此独立权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2-11的附加技术特征或者被对比文件1、2、4公开，或者属于本领域的常规选择，因此这些从属权利要求也不具备创造性。（3）关于独立权利要求12，对比文件1公开了一种显示面板，因此当其引用的权利要求1-11不具备创造性时，权利要求12也不具备创造性。（4）关于独立权利要求13，在对比文件4的启示下，将对比文件1公开的显示面板构建为触控面板是容易想到的。因此当其引用的权利要求1-11不具备创造性时，权利要求13也不具备创造性。（5）独立权利要求14与对比文件1相比，同样存在上述区别技术特征1）和区别技术特征2）。因此当其引用的权利要求1-11不具备创造性时，权利要求14也不具备创造性。（6）从属权利要求15-16的附加技术特征或者对比文件4公开，或者是容易想到的，或者属于本领域的常规选择，因此这两个权利要求也不具备创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件1公开了滤色器层160形成于下基板120上或上基板110上（参见说明书第0059段），并且如前所述，下基板120或上基板110其中一个必然是阵列基板。因此对比文件1公开的技术方案与本申请一样，均是对阵列基板的结构进行改进。（2）在液晶显示领域，当光源位于前方或者直接利用来自前方的外界环境光作为光源，选择采用反射式液晶显示装置，进而选用反射式彩色滤光片是本领域的常规选择。因此将对比文件2公开的反射式彩色滤光片应用到对比文件1中，代替其中的透射式滤色器层160，对本领域的技术人员来说是容易想到的。因此，复审请求人的意见不能被接受。
复审请求人于2019年07年09日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。其中，在独立权利要求1中并入了原权利要求2、3的附加技术特征，并增加了特征“所述金属图形为像素电极”，删除了权利要求7，同时对权利要求重新进行编号，并适应性修改了权利要求的引用关系。新修改的权利要求书如下：
“1. 一种反射式阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的像素区域设置有多个周期性排列的金属图形，所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光，其中，每个像素区域包含多个亚像素区域，不同颜色的亚像素区域对应的金属图形的排列周期不同；
所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的金属图形与对应的薄膜晶体管的漏极连接，所述金属图形为像素电极；
所述金属图形为长方形，所述金属图形的排列周期为相邻两金属图形之间的间距与金属图形的宽度之和；
所述阵列基板上形成有红色亚像素区域、绿色亚像素区域和蓝色亚像素区域，
所述红色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为490-510nm，排列周期范围为530-550nm；所述绿色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为440-460nm，排列周期范围为475-495nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为290-305nm，排列周期范围为315-330nm。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述红色亚像素区域对应的金属图形的宽度为500nm，排列周期为540nm；所述绿色亚像素区域对应的金属图形的宽度为450nm，排列周期为485nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度为300nm，排列周期为320nm。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上形成有黄色亚像素区域、品红色亚像素区域和青色亚像素区域，
所述黄色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为50-70nm，排列周期范围为190-210nm；所述品红色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为66-86nm，排列周期范围为190-210nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为82-102nm，排列周期范围为190-210nm。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述黄色亚像素区域对应的金属图形的宽度为60nm，排列周期为200nm； 所述品红色亚像素对应区域的金属图形的宽度为76nm，排列周期为200nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度为92nm，排列周期为200nm。
5. 根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图形的高度为100～220nm。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图形的高度为120nm。
7. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还形成触控电极，所述金属图形与所述触控电极同层同材料设置。
8. 根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，所述触控电极位于所述薄膜晶体管上方，且所述薄膜晶体管在阵列基板上的正投影落入所述触控电极在阵列基板上的正投影中。
9. 一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
10. 一种触控面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
11. 一种如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在阵列基板的像素区域形成多个周期性排列的金属图形，所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光，其中，不同颜色的亚像素区域对应的金属图形的排列周期不同。
12. 根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，在阵列基板的像素区域形成金属图形的步骤还包括：
在每一亚像素区域内形成均与对应薄膜晶体管的漏极连接的所述金属图形。
13. 根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板上还形成有触控电极，在阵列基板的像素区域形成金属图形的步骤还包括：
通过一次构图工艺同时形成所述触控电极和所述金属图形。”
复审请求人认为：（1）对比文件1的方案是对彩膜基板的结构进行设计和改进，且未公开滤色器层160的线型图案的尺寸。（2）对比文件2的技术方案是对反射式彩色滤光片的结构进行设计和改进，而不是对阵列基板的结构进行改进。此外，对比文件1公开的是一种透射式的显示面板，而对比文件2公开的是一种反射式的彩色滤光片，进行显示的原理不同，在对比文件1所保护的透射式的显示面板能够解决其技术问题的情况下，本领域技术人员没有需求和动机基于其并不存在的技术问题去将对比文件1的透射式的显示面板改为反射式的显示面板，并将对比文件2的反射式彩色滤光片应用到对比文件1中，并且即使将对比文件1与对比文件2相结合，也得不到本申请权利要求1所要保护的技术方案。（3）权利要求1的技术方案是一个整体，各个技术特征之间具有相关联的关系，对于功能上彼此相互支持、存在相互作用关系的技术特征，应整体上考虑所述技术特征和它们之间的关系在要求保护的发明中所达到的技术效果。本申请权利要求1的“在阵列基板的像素区域设置多个周期性排列的金属图形”并不能单独起作用，必须和本申请权利要求1中的其他特征共同起作用。（4）“在液晶显示领域，反射式显示面板的反射层通常由金属层形成，由于金属具有导电特性，因此将设在像素区域的反射层同时作为像素电极使用”不是本领域的常规技术手段。综上所述，本申请的权利要求1-13具有创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年07月09日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以申请日2016年02月24日提交的说明书第1-111段、说明书附图图1-10、说明书摘要及摘要附图；2019年07月09日提交的权利要求第1-13项为基础作出。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而其中部分区别技术特征被另一对比文件公开，部分区别技术特征为本领域公知常识，且本领域技术人员有动机将其他对比文件以及该公知常识应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案，合议组认为：
1.权利要求1不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1请求保护一种阵列基板。对比文件1公开了一种显示面板（参见说明书第0030-0104段、附图1-2、6-11），其包括：上基板110；下基板120，设置为面对上基板110；液晶层130，设置在上基板110和下基板120之间（参见说明书第0048段）；滤色器层160，形成于下基板120上或上基板110的既没有形成下偏振层140也没有形成上偏振层150的表面上（参见说明书第0059段）；滤色器层160将进入显示面板100的辐射光转换为预设颜色的光，例如RGB颜色，并且按照预设颜色发射转换的光；液晶层130的像素包括与RGB颜色相对应的子像素，子像素的滤色器透射预设颜色（参见说明书第0060段）；滤色器层160具有与上偏振层150和下偏振层140的线型图案类似的线型图案的结构，而不是使用染色的传统染色方法（参见说明书第0061段）；液晶层130中每一个像素210包括分别与RGB颜色相对应的三个子像素211、213和215，即红色子像素211、绿色子像素213以及蓝色子像素215（参见说明书第0082-0083段）；滤色器层160的线型图案具有与相应的子像素211、213和215相对应的不同间距（参见说明书第0084段）；滤色器层160包括在红色子像素211的区域中形成的红色条161R、在绿色子像素213的区域中形成绿色条161G以及在蓝色子像素的区域中形成的蓝色条161B；每一种颜色的条161R、161G和161B之间的间距P1、P2和P3设置为具有与每一种颜色相对应的间隔（参见说明书第0086-0087段）；从附图7中，可以看出间距P1、P2和P3均为相邻两个条状结构之间的间距与条状结构宽度之和；滤色器层160包括在上基板110的光出射表面上直立形成的线型图案161，线型图案161包括在上基板110上顺序堆叠的第一金属层161a、绝缘层161b和第二金属层161c，第一金属层161a和第二金属层161c由金属例如Al和Ag构成（参见说明书第0099-0103段）；栅极驱动IC41集成地形成于显示面板30的基板上，以像素为单位驱动液晶层（参见说明书第0036-0037段）。
将对比文件1公开的内容与权利要求1进行比较可以得知：对比文件1中并没有直接公开下基板120或上基板110为阵列基板，然而其公开了栅极驱动IC41集成地形成于显示面板30的基板上，虽然未明确该基板是上基板还是下基板，但下基板120或上基板110中其中一个必然是驱动基板；由于需要以像素为单位驱动液晶层，因此栅极驱动IC41显然需要呈阵列排布形成在该基板上，对本领域的技术人员来说是可以直接毫无疑义确定的，因此对比文件1中的下基板120或上基板110对应本申请中的阵列基板；对比文件1中的红色子像素211、绿色子像素213以及蓝色子像素215对应本申请中的不同颜色的亚像素区域；对比文件1中的间距对应本申请中的排列周期；对比文件1中滤色器层160的线型图案的结构具有与相应的子像素211、213和215相对应的不同间距，滤色器层160包括第一金属层161a和第二金属层161c，对应于本申请中的多个周期排列的金属图形，不同颜色的亚像素区域对应的金属图形的排列周期不同。
权利要求1的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，区别技术特征是：1）所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光；2）所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的所有金属图形均与对应的薄膜晶体管的漏极连接，所述金属图形为像素电极；3）所述红色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为490-510nm，排列周期范围为530-550nm；所述绿色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为440-460nm，排列周期范围为475-495nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为290-305nm，排列周期范围为315-330nm。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：提供一种反射式滤光单元；金属图形还可以充当像素电极，能够省去制作像素电极的构图工艺，进一步简化阵列基板的制作工艺，降低阵列基板的成本。
关于区别技术特征1），对比文件2公开了一种反射式彩色滤光片（参见说明书第0035-0058段，附图1-6），其包括三种颜色的像素阵列10，每个像素结构包括二维的周期性排列的金属光栅层140；该反射式彩色滤光片依据减色原理，通过金属层与金属光栅层之间的等离子作用，使该像素结构能够吸收与其表面等离子体共振频率相耦合的光波，即该像素结构的表面等离子体共振频率为该像素颜色的补色光频率，反射其他波段的光波，从而实现不同颜色的滤光效果。其中，二维的周期性排列的金属光栅层140对应本申请中的周期性排列的金属图形。由此可见，对比文件2公开了一种排列成像素结构的金属图形，其可以对入射光线进行反射滤光，由此提供了一种反射式彩色滤光片。在液晶显示领域，根据对光的利用方式，液晶显示通常分为透射式和反射式两种，根据光源所在位置的不同而选择使用。对比文件1中的滤色器层呈透射式，因此其公开的是透射式液晶显示装置。而当光源位于前方或者直接利用来自前方的外界环境光作为光源，选择采用反射式液晶显示装置，进而选用反射式彩色滤光片是本领域的常规选择。因此将对比文件2公开的反射式彩色滤光片应用到对比文件1中，代替其中的透射式滤色器层160，对本领域的技术人员来说是容易想到的。
关于区别技术特征2），在液晶显示领域，反射式显示面板的反射层通常由金属层形成，由于金属具有导电特性，因此将设在像素区域的反射层同时作为像素电极使用是本领域的常规技术手段，由此可以简化制作工艺，降低成本。此外，阵列基板上形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极连接，是液晶领域中的常规设置方式。而对比文件2中的反射式彩色滤光片由金属图形构成，其基本功能之一就是起反射作用，作为反射层使用。因此在将对比文件2公开的反射式彩色滤光片应用到对比文件1中时，将该反射式彩色滤光片同时作为像素电极使用，使其与薄膜晶体管的漏极连接，对本领域的技术人员来说是容易想到的，由此可以省去制作像素电极的构图工艺，进一步简化阵列基板的制作工艺，降低阵列基板的成本。
关于区别技术特征3），对比文件2公开了对应不同像素颜色设置反射式滤光片的设计方案：该反射式滤光片包含三种颜色的像素阵列10，该三种颜色的像素分别为品红色像素11、黄色像素12以及青色像素13（参见说明书第0036、0044段）；依据减色原理，利用金属层、介质层、金属光栅层的特殊结构，通过金属层与金属光栅层之间的等离子作用，使该像素结构能够吸收与其表面等离子体共振频率相耦合的光波，即该像素结构的表面等离子体共振频率为该像素颜色的补色光频率，反射其他波段的光波，从而实现不同颜色的滤光效果；在上述结构的反射式彩色滤光片中，金属表面等离子体共振频率可以由介质层的厚度、介质光栅层和金属光栅层的周期、占空比、厚度以及材质这几个参数决定（参见说明书第0043-0044段）；只要在滤光片的像素上设计不同占宽比、周期的金属光栅结构，就能实现彩色滤光片的制作（参见说明书第0055、0058段）。根据本领域公知的光栅占宽比公式，即占宽比=光栅宽度/光栅周期，可以得出对比文件2公开了只要在滤光片的像素上设计不同光栅宽度、周期的金属光栅结构，就能实现彩色滤光片的制作。在对比文件2的基础上，根据反射波段的不同，如当彩色滤光片的三种基础色是红色、黄色和蓝色时，设计金属图形的宽度范围和排列周期范围，是本领域的常规技术手段。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得出权利要求1的技术方案请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件1公开了滤色器层160形成于下基板120上或上基板110上（参见说明书第0059段），并且如前所述，下基板120或上基板110其中一个必然是阵列基板。因此对比文件1公开的技术方案与本申请一样，均是对阵列基板的结构进行改进。（2）在液晶显示领域，当光源位于前方或者直接利用来自前方的外界环境光作为光源，选择采用反射式液晶显示装置，进而选用反射式彩色滤光片是本领域的常规选择。因此将对比文件2公开的反射式彩色滤光片应用到对比文件1中，代替其中的透射式滤色器层160，对本领域的技术人员来说是容易想到的。（3）前述对于本申请创造性的评述并没有将单个技术特征脱离于技术方案整体进行评价，而是对于每个具体的区别技术特征，客观地分析该区别技术特征在整个技术方案中所起的作用以及所能达到的技术效果，根据该技术效果确定权利要求实际解决的技术问题，然后从最接近的现有技术和权利要求实际解决的技术问题出发，判断现有技术中是否给出将区别特征应用到最接近现有技术以解决其存在的技术问题的启示。此外，如前对比文件1与权利要求1的特征对比分析，权利要求1的特征“在阵列基板的像素区域设置多个周期性排列的金属图形”已经被对比文件1公开，不构成权利要求1与对比文件1的区别技术特征。（4）如前所述，在液晶显示领域，反射式显示面板的反射层通常由金属层形成，由于金属具有导电特性，因此将设在像素区域的反射层同时作为像素电极使用是本领域的常规技术手段（具体可以参见专利文献CN101976002A、CN103176307A、CN1655029A、CN104977750A），由此可以简化制作工艺，降低成本。综上所述，申请人的意见不能被接受。
2.权利要求2不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2是权利要求1的从属权利要求，如前所述，对比文件2公开了对应不同像素颜色设置反射式滤光片的设计方案（参见同上），在对比文件2的基础上，根据反射波段的不同，如当彩色滤光片的三种基础色是红色、黄色和蓝色时，设计金属图形的宽度范围和排列周期范围，是本领域的常规技术手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求3-4不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求3是权利要求1的从属权利要求，权利要求4是权利要求3的从属权利要求。对比文件2公开了彩色滤光片包含三种颜色的像素阵列10，该三种颜色的像素分别为品红色像素11、黄色像素12以及青色像素13（参见说明书第0036、0044段），滤光结构上的金属光栅层140周期p为相邻两个金属块的间距与金属块宽度之和（参见附图2）。对应黄色、品红色和青色三种滤光结构，金属光栅层140的周期p=190nm，占宽比F分别取0.33、0.44、0.55（参见说明书第0054段）。根据本领域公知的光栅占宽比公式，即占宽比=光栅宽度/光栅周期，可以换算出金属块宽度分别为62.7nm、83.6nm、104.5nm。将对比文件2与权利要求3进行比较可知，对比文件2公开的金属光栅层140的周期p=190nm在权利要求3所要求保护的190-210nm范围内；金属块宽度为62.7nm在权利要求3所要求保护的50-70nm范围内；金属块宽度为83.6nm在权利要求3所要求保护的66-86nm范围内；金属块宽度为104.5nm虽然与权利要求3所要求保护的82-102nm范围略有不同，然而，在光学领域，青色波段并没有严格的限定范围，在485-500nm范围左右波动是本领域的公知常识，因此对应设计的青色像素区域的金属块宽度设定为82-102nm是本领域技术人员的常规选择。在此基础上，进一步对具体反射波段进行优化，选择对应黄色、品红色、青色亚像素区域的金属图形的宽度分别为60nm、76nm和92nm，排列周期均为200nm是本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，这两个权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4.权利要求5不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求5是权利要求1-4任一项的从属权利要求。对比文件1公开了线性图案161包括第一金属层161a和第二金属层161c，它们由金属构成为100nm或以下的厚度（参见说是第0100-0101段、附图9）；备选地，线性图案161包括金属层161e，其构成为100nm或以下的厚度（参见说是第0102段、附图10）。对比文件1中100nm或以下的厚度与权利要求5要求保护的金属图形高度的100-220nm范围存在端点重合。因此，当其引用不具有创造性的权利要求1-4时，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5.权利要求6不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求6是权利要求5的从属权利要求。对比文件2公开了在反射式彩色滤光片中，金属表面等离子体共振频率可以由介质层的厚度、介质光栅层和金属光栅层的周期、占空比、厚度以及材质这几个参数决定（参见说明书第0044段）。因此综合考虑反射式彩色滤光片所对应反射波段的不同和金属图形的其他参数，将金属图形的高度设计为120nm是本领域的常规选择。当其引用的权利要求5不具有创造性时，权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6.权利要求7不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求7是权利要求1的从属权利要求。对比文件4还公开了一种阵列基板（参见说明书第0035-0049、0131-0141段，附图5）：在阵列基板中形成触控电极1720；触控电极1720和公共电极171采用相同的材料制作且位于同一层，触控电极引线1900的第二桥接部1904与像素电极150同层设置且材料相同；通过利用制作阵列基板中原有的导电结构的掩膜工艺制作触控电极引线的至少一部分，减少了掩膜板的数量。可见，对比文件4给出了为了简化阵列基板的制作工艺，将具有相同导电特性的部件同层同材料设置的启示。在此基础上，本领域技术人员容易想到将起滤光作用的金属图形与触控电极同层同材料设置，这属于本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7.权利要求8不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求8是权利要求7的从属权利要求。对比文件4进一步公开了以下内容：在阵列基板中，阵列结构包括多个薄膜晶体管120（参见说明书第0054、0084段）；阵列基板包括衬底基板110和薄膜晶体管120，该薄膜晶体管作为一个子像素的开关元件（参见说明书第0096段）；触控电极1720位于所述薄膜晶体管120的上方，且薄膜晶体管120在衬底基板110上的正投影落入所述触控电极1720在衬底基板110上的正投影中（参见附图5）。因此，当其引用的权利要求7不具备创造性时，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8.权利要求9不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求9请求保护一种显示面板，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。对比文件1公开了一种显示面板（参见说明书第0030-0104段、附图1-2、6-11）。参照前面对权利要求1-8的评述，当权利要求1-8不具备创造性时，权利要求9不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9.权利要求10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求10请求保护一种触控面板，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。对比文件1公开了一种显示面板（参见说明书第0030-0104段、附图1-2、6-11）。而对比文件4公开了一种显示装置，其可以为液晶面板，其包含上述任一实施例所述的阵列基板（参见说明书第82段）；阵列基板包括触控电极1720（参见说明书第0132段、附图5）。由于对比文件4公开的液晶面板包括触控电极1720，因此实质上为一种触控面板。在对比文件4的启示下，本领域的技术人员容易想到将对比文件1公开的显示面板也构建为触控面板。
因此，参照前面对权利要求1-8的评述，当权利要求1-8不具备创造性时，权利要求10不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10.权利要求11不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求11请求保护一种如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板的制作方法，对比文件1公开了一种如前所述的显示面板（参见说明书第0030-0104段、附图1-2、6-11），同时公开了该显示面板的制作方法：滤色器层160形成于下基板120上或上基板110上（参见说明书第0059段）。
权利要求11的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，区别技术特征是： 1）所述金属图形能够对来自外界环境光或前置光源的光线进行反射滤光；2）所述阵列基板上还形成有多个薄膜晶体管，每一亚像素区域内的所有金属图形均与对应的薄膜晶体管的漏极连接；3）所述红色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为490-510nm，排列周期范围为530-550nm；所述绿色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为440-460nm，排列周期范围为475-495nm；所述蓝色亚像素区域对应的金属图形的宽度范围为290-305nm，排列周期范围为315-330nm。基于上述区别技术特征，权利要求11实际解决的技术问题是：提供一种反射式滤光单元；金属图形还可以充当像素电极，能够省去制作像素电极的构图工艺，进一步简化阵列基板的制作工艺，降低阵列基板的成本。
其中区别技术特征1）-3）与权利要求1与对比文件1相比的区别技术特征1）-3）相同，如前所述，区别技术特征1）已经被对比文件2公开，区别技术特征2）属于本领域的公知常识，而区别技术特征3）在对比文件2的基础上是本领域的常规技术手段。
综上所述，当权利要求1-8不具备创造性时，权利要求11的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求11不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11.权利要求12不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求12是权利要求11的从属权利要求。如前所述，阵列基板上形成有多个薄膜晶体管已经被对比文件4公开（参见说明书第0054、0084段）；而在像素区域形成金属图形时，将该金属图形既作为该反射式彩色滤光片使用，同时作为像素电极使用，使其与薄膜晶体管的漏极连接，对本领域的技术人员来说是容易想到的。因此，当其引用的权利要求11不具备创造性时，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12.权利要求13不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求13是权利要求11的从属权利要求。对比文件4还公开了以下内容：在阵列基板中形成触控电极1720（参见说明书第0035-0049段）；触控电极1720和公共电极171可以在同一次掩膜工艺中形成，采用相同的材料制作且位于同一层；触控电极引线1900的第二桥接部1904与像素电极150在同一次掩膜工艺中形成，同层设置且材料相同；本发明实施例通过利用制作阵列基板中原有的导电结构的掩膜工艺制作触控电极引线的至少一部分，减少了掩膜板的数量（参见说明书第0129-0143段、附图5）。可见，对比文件4给出了为了简化阵列基板的制作工艺，将具有相同导电特性的部件同层同材料设置，进而可以通过一次构图工艺同时形成的启示。在此基础上，本领域技术人员容易想到将起滤光作用的金属图形与触控电极通过一次构图工艺同时形成，这属于本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求11不具备创造性时，权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本申请权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月23日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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