发明创造名称：切断元件和切断元件电路
外观设计名称：
决定号：190808
决定日：2019-09-23
委内编号：1F269791
优先权日：2013-08-28
申请（专利）号：201480047053.7
申请日：2014-08-27
复审请求人：迪睿合株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李婧
合议组组长：李莉
参审员：高明月
国际分类号：H01H37/76
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比，存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被其他对比文件公开，部分区别技术特征是本领域的公知常识，其余区别技术特征是本领域技术人员容易想到的，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著地进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480047053.7，名称为“切断元件和切断元件电路”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为迪睿合株式会社。本申请的申请日为2014年08月27日，优先权日为2013年08月28日，公开日为2016年04月13日，进入中国国家阶段日为2016年02月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月27日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-18、20不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由为：1、权利要求1请求保护一种切断元件，对比文件4（CN102290301A，公开日为2011年12月21日）为最接近的现有技术，其公开了一种大电流熔断器，权利要求1与对比文件4的区别技术特征在于：一种切断元件具备绝缘基板；第一和第二电极、第三～第五电极，形成在绝缘基板上；第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置；第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际要解决的技术问题是：如何集成切断电路，如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体熔断性能。上述区别技术特征部分被对比文件2（JP特开2004-185960A，公开日为：2004年07月02日）公开，部分被对比文件3（JP特开平9-115418A，公开日为：1997年05月02日）公开，其余区别技术特征属于本领域公知常识。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件2、3以及公知常识，得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著地进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求2、3、6-9、11、13、16、17的附加技术特征是公知常识；权利要求4的附加技术特征被对比文件4公开了；权利要求5、10、14、15的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分是公知常识；权利要求12的附加技术特征被对比文件3公开了；权利要求18的附加技术特征被对比文件2公开了，因此，在上述权利要求引用的权利要求均不具备创造性时，权利要求2-18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求20请求保护一种切断元件电路，对比文件4为最接近的现有技术，其公开了一种大电流熔断器，权利要求20与对比文件4的区别技术特征在于：第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置；第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造；发热体和第二可熔导体连接于电源和开关元件，通过使开关元件驱动而使电流通过。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际要解决的技术问题是：如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体熔断性能。上述区别技术特征部分被对比文件3公开，其余区别技术特征属于本领域公知常识。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件3以及公知常识，得到权利要求20请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求20不具备突出的实质性特点和显著地进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定的其他说明部分还指出了权利要求19不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由为：权利要求19请求保护一种切断元件电路，对比文件4为最接近的现有技术，其公开了一种大电流熔断器，权利要求19与对比文件4的区别技术特征在于：第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置；第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际要解决的技术问题是：如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体熔断性能。上述区别技术特征部分被对比文件3公开，其余区别技术特征属于本领域公知常识。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件3以及公知常识，得到权利要求19请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求19不具备突出的实质性特点和显著地进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的审查文本为：2018年06月13日提交的权利要求1-20项，进入中国国家阶段日2016年02月25日提交的说明书第1-136段、说明书附图1-18、说明书摘要、摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种切断元件，其中，具备：绝缘基板；第一和第二电极，形成在所述绝缘基板上，构成第一电路；第三～第五电极，形成在所述绝缘基板上，构成第二电路；第一可熔导体，跨载于所述第一和第二电极之间；发热体，连接在所述第三和第四电极之间；以及第二可熔导体，跨载于所述第四和第五电极之间，通过使电流流过所述第三～第五电极之间而所述发热体所发出的热，在使所述第一可熔导体熔断后，使所述第二可熔导体熔断，所述第二电路以与所述第一电路电独立的方式形成，所述第一可熔导体搭载于比所述第二可熔导体接近所述发热体的发热中心的位置，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，所述低熔点金属通过来自所述发热体的加热而熔融，从而熔蚀所述高熔点金属，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造。
2. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体的截面积比所述第二可熔导体的截面积小。
3. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体的长度比所述第二可熔导体的长度长。
4. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体的熔点比所述第二可熔导体的熔点低。
5. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，在所述绝缘基板的形成有所述第一～第五电极的面的表面具备绝缘层，所述发热体形成在所述绝缘基板与所述绝缘层之间、或所述绝缘层的 内部。
6. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述发热体形成在所述绝缘基板的与所述表面相反侧的面。
7. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述发热体形成在所述绝缘基板的内部。
8. 根据权利要求5～7中的任一项所述的切断元件，其中，所述发热体与所述第一和第二电极重叠。
9. 根据权利要求8所述的切断元件，其中，所述发热体与所述第四和第五电极重叠。
10. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，在所述绝缘基板的形成有所述第一～第五电极的面的表面具备绝缘层，所述发热体形成在所述绝缘基板与所述绝缘层之间，且与所述第一和第二电极、以及所述第四和第五电极排列形成。
11. 根据权利要求1、5～7中的任一项所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是以Sn为主要成分的无铅焊料。
12. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述低熔点金属是焊料，所述高熔点金属是Ag、Cu、或者以Ag或Cu为主要成分的合金。
13. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为高熔点金属、外层为低熔点金属的覆盖构造。
14. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是低熔点金属与高熔点金属层叠的层积构造。
15. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是低熔点金属与高熔点金属交替层叠的4层以上的多层构造。
16. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体在形成于构成内层的低熔点金属表面的高熔点金属上设置有开口部。
17. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或 所述第二可熔导体具备：具有多个开口部的高熔点金属层、与形成在所述高熔点金属层上的低熔点金属层，且在所述开口部充填有低熔点金属。
18. 根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体的低熔点金属的体积比高熔点金属的体积大。
19. 一种切断元件电路，其中，具备：第一电路，具有第一可熔导体；以及第二电路，以与所述第一电路电独立的方式形成，且具有发热体、和与所述发热体的一端连接的第二可熔导体，通过使电流流过所述第二电路而所述发热体所发出的热，在使所述第一可熔导体熔断而切断所述第一电路后，使所述第二可熔导体熔断，所述第一可熔导体搭载于比所述第二可熔导体接近所述发热体的发热中心的位置，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，所述低熔点金属通过来自所述发热体的加热而熔融，从而熔蚀所述高熔点金属，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造。
20. 根据权利要求19所述的切断元件电路，其中，在所述第二电路中，所述发热体和所述第二可熔导体连接于电源和开关元件，通过使所述开关元件驱动而使电流流过。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月26日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，将说明书中的内容追加入权利要求1和19，即增加了技术特征“低熔点金属的熔融温度小于回流温度”。复审请求人认为：追加的技术特征可以得到如下效果：通过含有高熔点金属与低熔点金属，在回流安装切断元件的情况下，即使回流温度超过低熔点金属层的熔融温度而低熔点金属熔融，也可以抑制内层的低熔点金属向外部流出，能够维持第一、第二可熔导体17、19的形状。另外，在熔断时，也通过低熔点金属熔融，熔蚀（焊料浸出）高熔点金属，能够以高熔点金属的熔点以下的温度迅速熔断。追加的技术特征并未被对比文件公开，也不是本领域的公知常识。复审请求时新修改的权利要求如下：
“1、一种切断元件，其中，具备：绝缘基板；第一和第二电极，形成在所述绝缘基板上，构成第一电路；第三～第五电极，形成在所述绝缘基板上，构成第二电路；第一可熔导体，跨载于所述第一和第二电极之间；发热体，连接在所述第三和第四电极之间；以及第二可熔导体，跨载于所述第四和第五电极之间，通过使电流流过所述第三～第五电极之间而所述发热体所发出的热，在使所述第一可熔导体熔断后，使所述第二可熔导体熔断，所述第二电路以与所述第一电路电独立的方式形成，所述第一可熔导体搭载于比所述第二可熔导体接近所述发热体的发热中心的位置，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，所述低熔点金属通过来自所述发热体的加热而熔融，从而熔蚀所述高熔点金属，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造，低熔点金属的熔融温度小于回流温度。”
“19、一种切断元件电路，其中，具备：第一电路，具有第一可熔导体；以及第二电路，以与所述第一电路电独立的方式形成，且具有发热体、和与所述发热体的一端连接的第二可熔导体，通过使电流流过所述第二电路而所述发热体所发出的热，在使所述第一可熔导体熔断而切断所述第一电路后，使所述第二可熔导体熔断，所述第一可熔导体搭载于比所述第二可熔导体接近所述发热体的发热中心的位置，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，所述低熔点金属通过来自所述发热体的加热而熔融，从而熔蚀所述高熔点金属，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造，低熔点金属的熔融温度小于回流温度。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月02日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件3公开了含有高熔点金属与低熔点金属的可熔导体，并且，对比文件3还公开了高熔点金属与低熔点金属层积的构造（相当于本申请可熔导体形成的一种实施例）。由此可知，在本领域中，相同的结构能取得相同的技术效果，即对比文件3也能实现申请人在意见陈述中的技术效果。修改后的权利要求中的技术特征“低熔点金属的熔融温度小于回流温度”，本领域技术人员可知，对于含有高熔点金属与低熔点金属的可熔导体，为了保证可熔导体在回流安装过程中不会完全熔融而导致可熔导体被破坏失效，高熔点金属的熔点必须要大于回流温度，而低熔点金属的熔点不管是比回流温度高还是低（即低熔点金属的熔融温度小于回流温度）都能够保证高熔点金属不会熔融，高熔点金属在可熔导体中就能起到支撑整体结构的作用，从而保证可熔导体的整体外形，这对本领域技术人员来说，不属于预料不到的技术效果，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月31 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由如下：1、权利要求1请求保护一种切断元件，对比文件4为最接近的现有技术，其公开了一种大电流熔断器，权利要求1与对比文件4的区别技术特征在于：一种切断元件具备绝缘基板；第一和第二电极、第三～第五电极，形成在绝缘基板上；第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置；第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造，低熔点金属的熔融温度小于回流温度。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际要解决的技术问题是：如何集成切断电路，如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体熔断性能。上述区别技术特征部分被对比文件2公开，部分被对比文件3公开，其余区别技术特征属于本领域公知常识或本领域技术人员容易想到。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件2、3以及公知常识，得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著地进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求2、3、6-9、11、13、16、17的附加技术特征是公知常识；权利要求4的附加技术特征被对比文件4公开了；权利要求5、10、14、15的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分是公知常识；权利要求12的附加技术特征被对比文件3公开了；权利要求18的附加技术特征被对比文件2公开了，因此，在上述权利要求引用的权利要求均不具备创造性时，权利要求2-18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求19请求保护一种切断元件电路，对比文件4为最接近的现有技术，其公开了一种大电流熔断器，权利要求19与对比文件4的区别技术特征在于：第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置；第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造；低熔点金属的熔融温度小于回流温度。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际要解决的技术问题是：如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体熔断性能。上述区别技术特征部分被对比文件3公开，其余区别技术特征属于本领域公知常识或本领域技术人员容易想到的。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件3以及公知常识，得到权利要求19请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求19不具有突出的实质性特点和显著地进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求20的附加技术特征属于公知常识，因此，在上述权利要求引用的权利要求均不具备创造性时，权利要求20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件3公开了含有高熔点金属与低熔点金属的可熔导体，并且，对比文件3还公开了高熔点金属与低熔点金属层积的构造（相当于本申请可熔导体形成的一种实施例），即低熔点金属2b通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属2a。由此可知，对比文件3中公开的技术方案也能实现复审请求人在意见陈述中的技术效果。至于技术特征“低熔点金属的熔融温度小于回流温度”，本领域技术人员可知，对于含有高熔点金属与低熔点金属的可熔导体，为了保证可熔导体在回流安装过程中不会完全熔融而导致可熔导体被破坏失效，高熔点金属的熔点必须要大于回流温度，而低熔点金属的熔点不管是比回流温度高还是低（即低熔点金属的熔融温度小于回流温度）都能够保证高熔点金属不会熔融，高熔点金属在可熔导体中就能起到支撑整体结构的作用，从而保证可熔导体的整体外形，这对本领域技术人员来说，是容易想到且不需要付出创造性劳动的。
复审请求人于2019年07月09日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：本申请中，在内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的情况下，低熔点金属的熔融温度小于回流温度，通过该技术特征，能够获得以下技术效果：即使该低熔点金属熔融，内层的低熔点金属流出到外部的情况也被外层的高熔点金属抑制。并且，当与基于发热体的加热相应而低熔点金属熔融时，利用该低熔点金属的熔融，高熔点金属被熔蚀，因此得到即使是该高熔点金属的熔点以下的温度、高熔点金属也被熔断的作用，即能够维持可溶导体的形状并加速使高熔点金属熔断。对比文件2-4均未公开该技术特征，也没有相应的技术启示。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2018年12月26日提交复审请求时提交了修改文本，该修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的审查文本为：2018年12月26日提交的权利要求1-20项，进入中国国家阶段日2016年02月25日提交的说明书第1-136段、说明书附图1-18、说明书摘要、摘要附图。
2、具体理由的阐述
专利法第22条第3款的规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著地进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比，存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被其他对比文件公开，部分区别技术特征是本领域的公知常识，其余区别技术特征是本领域技术人员容易想到的，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著地进步，不具备创造性。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种切断元件，对比文件4公开了一种大电流熔断器（参见说明书第0028-0033段、图1-11），该大电流熔断器即一种切断元件，如图1所示（为了方便表述，新增标引如下截图中所示），其包括：第一和第二电极构成的第一电路；第三～第五电极构成的第二电路；主温度保险丝1（即第一可熔导体），跨载于第一和第二电极之间；并联在一起两个阻性发热体8和9（即发热体），连接在第三和第四电极之间；以及温度保险丝10（即第二可熔导体），跨载于第四和第五电极之间；通过使电流流过第三～第五电极之间而并联在一起两个阻性发热体8和9所发出的热，在使主温度保险丝1熔断后，使温度保险丝10熔断，第二电路以与第一电路电独立的方式形成。
可见，该权利要求所要保护的技术方案与对比文件4所公开的内容相比，区别技术特征是：一种切断元件具备绝缘基板；第一和第二电极、第三～第五电极，形成在绝缘基板上；第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置，第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而溶蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造，低熔点金属的熔融温度小于回流温度。基于上述区别技术特征可以确定，本申请实际解决的技术问题是：如何集成切断电路；如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体的熔断性能。
对比文件2公开了一种回路保护元件（参见说明书第0014-0023、图1-2），即一种切断元件，其包括：绝缘基板11；高熔点金属膜16和低熔点金属膜18通过可熔金属层用端子17形成在绝缘基板11上。上述特征在对比文件2中所起的作用和本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是起集成切断电路的作用。即，对比文件2给出了将上述技术特征应用到对比文件4中以解决其技术问题的技术启示。在此基础上，根据实际电路的需要，将多个电极形成在绝缘基板上，例如：第一和第二电极、第三～第五电极形成在绝缘基板上是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
对比文件3公开了一种延迟型薄膜熔断器（参见说明书第0006-0016段、图1-2），其中：可熔导体2含有低熔点金属2b与高熔点金属2a，低熔点金属2b通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属2a。上述特征在对比文件3中所起的作用和本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是起提升熔断性能的作用。即，对比文件3给出了将上述技术特征应用到对比文件4中以解决其技术问题的技术启示。在此基础上，当具有第一可熔导体和/或第二可熔导体时，本领域技术人员容易想到使得第一可熔导体和/或第二可熔导体都含有低熔点金属与高熔点金属。而根据实际熔断性能的要求，在一定温度时保持可熔导体的良好外观，而将第一可熔导体和/或第二可熔导体构造为内层为低熔点金属，外层为高熔点金属的覆盖构造是本领域技术人员容易做出的设置位置的选择，这样的选择也没有带来预料不到的技术效果。
在对比文件4中已经公开了主温度保险丝1熔断后，再使温度保险丝10熔断的技术方案，也就是给出了两个保险丝具有熔断的先后顺序的技术启示，在该种技术启示之下，为了实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断，调整第一可熔导体和第二可熔导体与发热体的发热中心的距离，具体的，第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。而将低熔点金属的熔融温度小于回流温度，是本领域技术人员容易想到的，且不需要付出创造性劳动。
由此可知，在对比文件4的基础上结合对比文件2、对比文件3以及本领域公知常识而获得该权利要求的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点与显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2、3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2、3分别对权利要求1作了进一步限定。为了实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断，调整第一可熔导体和第二可熔导体的截面积，具体的，第一可熔导体的截面积比第二可熔导体的截面积小；调整第一可熔导体和第二可熔导体的长度，具体的，第一可熔导体的长度比第二可熔导体的长度长，都是本领域技术人员的惯用手段。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4对权利要求1作了进一步限定。其附加技术特征已经被对比文件4公开了（参见说明书第0028-0033段、图1-11）：主熔断体的合金丝3的熔点比温度保险丝10的熔点低。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5对权利要求1作了进一步限定。对比文件2还公开了（参见说明书第0014-0023、图1-2）：在绝缘基板11的形成有可熔金属层用端子17的面的表面具备绝缘层20，发热体14形成在绝缘基板11与绝缘层20之间。在此基础上，根据实际电路的需要，将多个电极形成在绝缘基板上时，绝缘基板的形成有第一～第五电极的面的表面具备绝缘层是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识；根据实际需求情况，调整发热体设置的位置，只是一种位置的选择，并且这样的选择也没有带来预料不到的技术效果。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求6-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6、7分别对权利要求1作了进一步限定，权利要求8对权利要求5～7中的任一项作了进一步限定，权利要求9对权利要求8作了进一步限定。根据实际应用情况，适当调整发热体的位置，例如设置在绝缘基板的与表面相反侧的面或是在绝缘基板的内部，都只是一种常规的位置选择，并且这样的选择也没有带来预料不到的技术效果；为了使发热体的热量有效传递，根据实际需求，将发热体靠近电极，例如，发热体与第一和第二电极重叠，或是发热体与第四和第五电极重叠，是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10对权利要求1作了进一步限定。对比文件2还公开了（参见说明书第0014-0023、图1-2）：在绝缘基板11的形成有可熔金属层用端子17的面的表面具备绝缘层20，发热体14形成在绝缘基板11与绝缘层20之间。在此基础上，根据实际电路的需要，将多个电极形成在绝缘基板上时，绝缘基板的形成有第一～第五电极的面的表面具备绝缘层是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识；根据实际情况，适当选择发热体的设置位置，例如，发热体与第一和第二电极、以及第四和第五电极排列形成只是本领域技术人员的一种常规选择，这样的选择也没有带来预料不到的技术效果。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11对权利要求1、5～7中的任一项作了进一步限定。考虑熔断性能，选择合适的材料制作第一可熔导体和/或第二可熔导体。例如，第一可熔导体和/或第二可熔导体是以Sn为主要成分的无铅焊料是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12对权利要求1作了进一步限定。对比文件3还公开了（参见说明书第0006-0016段、图1-2）：低熔点金属2b是焊料，高熔点金属2a是Ag、Cu、或者以Ag或Cu为主要成分的合金。因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9、权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13对权利要求1作了进一步限定。根据实际的熔断性能要求，将第一可熔导体和/或第二可熔导体构造为内层为高熔点金属、外层为低熔点金属的覆盖构造是本领域技术人员容易做出的设置位置的选择，这样的选择也没有带来预料不到的技术效果。因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10、权利要求14、15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求14、15分别对权利要求1作了进一步限定。对比文件2还公开了（参见说明书第0014-0023、图1-2）：可熔导体是低熔点金属与高熔点金属层叠的层积构造。在此基础上，当具有第一可熔导体和/或第二可熔导体时，第一可熔导体和/或第二可熔导体是低熔点金属与高熔点金属层叠的层积构造是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。为了进一步优化可熔导体的熔性能，可熔导体是低熔点金属与高熔点金属交替层叠的4层以上的多层构造是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识；当具有第一可熔导体和/或第二可熔导体时，第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是低熔点金属与高熔点金属交替层叠的4层以上的多层构造是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11、权利要求16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求16对权利要求1作了进一步限定。为了提高可熔导体的熔断性，增加低熔点金属与高熔点金属的接触面积，具体的，第一可熔导体和/或第二可熔导体在形成于构成内层的低熔点金属表面的高熔点金属上设置有开口部是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.12、权利要求17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求17对权利要求1了进一步限定。为了提高可熔导体的熔断性，增加低熔点金属与高熔点金属的接触面积，具体的，第一可熔导体和/或第二可熔导体具备：具有多个开口部的高熔点金属层、与形成在高熔点金属层上的低熔点金属层，且在开口部充填有低熔点金属是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.13、权利要求18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求18对权利要求1作了进一步限定。对比文件2还公开了（参见说明书第0014-0023、图1-2）：温度熔断器23和/或温度熔断器24的低熔点金属的体积比高熔点金属的体积大。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.14、权利要求19不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求19请求保护一种切断元件电路，对比文件4公开了一种大电流熔断器（参见说明书第0028-0033段、图1-11）：即一种切断元件，如图1所示，其包括：第一电路，具有主温度保险丝1（即第一可熔导体）；以及第二电路，以与第一电路电独立的方式形成，且具有并联在一起两个阻性发热体8和9（即发热体）、和与并联在一起两个阻性发热体8和9的一端连接的温度保险丝10（即第二可熔导体），通过使电流流过第二电路而并联在一起两个阻性发热体8和9所发出的热，在使主温度保险丝1熔断而切断第一电路后，使温度保险丝10熔断。
可见，该权利要求所要保护的技术方案与对比文件4所公开的内容相比，区别技术特征是：第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置，第一可熔导体和/或第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，低熔点金属通过来自发热体的加热而熔融，从而溶蚀高熔点金属，第一可熔导体和/或第二可熔导体是内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的覆盖构造，低熔点金属的熔融温度小于回流温度。基于上述区别技术特征可以确定，本申请实际解决的技术问题是：如何实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断以及提升可熔导体的熔断性能。
对比文件3公开了一种延迟型薄膜熔断器（参见说明书第0006-0016段、图1-2），其中：可熔导体2含有低熔点金属2b与高熔点金属2a，低熔点金属2b通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属2a。上述特征在对比文件3中所起的作用和本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是起提升熔断性能的作用。即，对比文件3给出了将上述技术特征应用到对比文件4中以解决其技术问题的技术启示。在此基础上，当具有第一可熔导体和/或第二可熔导体时，本领域技术人员容易想到使得第一可熔导体和/或第二可熔导体都含有低熔点金属与高熔点金属。而根据实际熔断性能的要求，在一定温度时保持可熔导体的良好外观，而将第一可熔导体和/或第二可熔导体构造为内层为低熔点金属，外层为高熔点金属的覆盖构造是本领域技术人员容易做出的位置设置的选择，这样的选择也没有带来预料不到的技术效果。
在对比文件4中已经公开了主温度保险丝1熔断后，再使温度保险丝10熔断的技术方案，也就是给出了两个保险丝具有熔断的先后顺序的技术启示，在该种技术启示之下，为了实现第一可熔导体和第二可熔导体先后熔断，调整第一可熔导体和第二可熔导体与发热体的发热中心的距离，具体的，第一可熔导体搭载于比第二可熔导体接近发热体的发热中心的位置是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。而将低熔点金属的熔融温度小于回流温度，是本领域技术人员容易想到的，且不需要付出创造性劳动。
由此可知，在对比文件4的基础上结合对比文件3以及本领域公知常识而获得该权利要求的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点与显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.15、权利要求20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求20对权利要求19做了进一步的限定，其附加技术特征构成了其与对比文件4的又一区别技术特征。然而，对于本领域技术人员而言，可以根据实际需要，将发热体和第二可熔导体连接于电源和开关元件，通过开关元件驱动使电流流过是本领域常用的供电和驱动手段，属于公知常识。
因此，在其引用权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：本申请中，在内层为低熔点金属、外层为高熔点金属的情况下，低熔点金属的熔融温度小于回流温度，通过该技术特征，能够获得以下技术效果：即使该低熔点金属熔融，内层的低熔点金属流出到外部的情况也被外层的高熔点金属抑制。并且，当与基于发热体的加热相应而低熔点金属熔融时，利用该低熔点金属的熔融，高熔点金属被熔蚀，因此得到即使是该高熔点金属的熔点以下的温度、高熔点金属也被熔断的作用，即能够维持可溶导体的形状并加速使高熔点金属熔断。对比文件2-4均未公开该技术特征，也没有相应的技术启示。
对此，合议组不予认同，具体理由如下：
对比文件3公开了含有高熔点金属与低熔点金属的可熔导体，并且，对比文件3还公开了高熔点金属与低熔点金属层积的构造（相当于本申请可熔导体形成的一种实施例），即低熔点金属2b通过来自发热体的加热而熔融，从而熔蚀高熔点金属2a，即公开了同时具有低熔点金属和高熔点金属的技术方案。至于技术特征“低熔点金属的熔融温度小于回流温度”，本领域技术人员可知，对于含有高熔点金属与低熔点金属的可熔导体，为了保证可熔导体在回流安装过程中不会完全熔融而导致可熔导体被破坏失效，高熔点金属的熔点必须要大于回流温度，而低熔点金属的熔点不管是比回流温度高还是低（即低熔点金属的熔融温度小于回流温度）高熔点金属都在可熔导体中就能起到支撑整体结构的作用，从而保证可熔导体的整体外形，这对本领域技术人员来说，是容易想到且不需要付出创造性劳动的。进一步而言，低熔点金属的熔融温度小于回流温度时，在回流过程中，低熔点金属熔融，对比文件3中公开了低熔点金属熔融从而高熔点金属熔蚀，也就是说在此种情况下，可以加速高熔点金属的熔融。因此，为达到加快高熔点金属熔融的技术效果，本领域技术人员容易想到将低熔点金属的熔融温度设置为小于回流温度，这要是不需要付出创造性劳动的。
综上所述，合议组对复审请求人的意见陈述不予接受。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月27 日对本申请作出的驳回决定。如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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