发明创造名称：蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质
外观设计名称：
决定号：190659
决定日：2019-09-23
委内编号：1F276732
优先权日：2013-09-27
申请（专利）号：201480053037.9
申请日：2014-09-19
复审请求人：东京毅力科创株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：程凯芳
合议组组长：梁素平
参审员：王兴娟
国际分类号：H01L21/306,H01L21/304
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被其他对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征是本领域技术人员结合本领域的公知常识容易得到的，则该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480053037.9，发明名称为“蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质”的PCT发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为东京毅力科创株式会社，申请日为2014年09月19日，优先权日为2013年09月27日，进入中国国家阶段日为2016年03月25日，公开日为2016年05月25日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月05日发出驳回决定，以权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：依据专利合作条约第28条或者第41条修改的说明书第1-14页，于2016年03月25日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书附图第1-5页、说明书摘要、摘要附图，以及2018年02月11日提交的权利要求第1-11项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种蚀刻方法，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序；
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。
2. 根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量连续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量连续地供给的工序。
3. 根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量断续地供给的工序。
4. 根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量连续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量连续地供给的工序。
5. 根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量断续地供给的工序。
6. 一种蚀刻装置，其用于对被处理体实施蚀刻处理，其特征在于，
该蚀刻装置包括：
蚀刻处理部，其用于收纳被处理体并利用蚀刻液对被处理体实施蚀刻处理；
排出部，其用于将在所述蚀刻处理部中提供于蚀刻处理的蚀刻液排出；
供给部，其用于向所述蚀刻处理部供给新的蚀刻液；
控制装置，其用于对所述蚀刻处理部、所述排出部和所述供给部进行驱动控制并执行蚀刻方法，
由所述控制装置执行的蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序，
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。
7. 根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量连续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量连续地供给的工序。
8. 根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量断续地供给的工序。
9. 根据权利要求6～8中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所 述蚀刻液以所述第3设定量连续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量连续地供给的工序。
10. 根据权利要求6～8中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量断续地供给的工序。
11. 一种存储介质，在该存储介质中存储有用于使计算机执行蚀刻方法的计算机程序，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序；
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液 的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。”
驳回决定引用了如下对比文件：
对比文件1：US2002/0001967A1，公开日：2002年01月03日；
对比文件2：JP特开平7-86231A，公开日：1995年03月31日。
驳回决定中指出：1）独立权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序；其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值；所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。上述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识容易得到的。因此，权利要求1不具备创造性。2）独立权利要求6与对比文件1相比，区别技术特征为：蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序；其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值；所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。上述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识容易得到的。因此，权利要求6不具备创造性。3）独立权利要求11与对比文件1相比，区别技术特征为：蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序；其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值；所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。上述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识容易得到的。因此，权利要求11不具备创造性。4）从属权利要求2-5、7-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件2公开且具有技术启示，或属于本领域的公知常识，因此，从属权利要求2-5、7-10也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月18日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括11项权利要求。其中，基于驳回决定所针对的权利要求书作了如下修改：在独立权利要求1、6、11中加入特征“其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式”。
提出复审请求时新修改的权利要求1、6、11内容如下：
“1. 一种蚀刻方法，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序；
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量，
其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式。”
“6. 一种蚀刻装置，其用于对被处理体实施蚀刻处理，其特征在于，
该蚀刻装置包括：
蚀刻处理部，其用于收纳被处理体并利用蚀刻液对被处理体实施蚀刻处理；
排出部，其用于将在所述蚀刻处理部中提供于蚀刻处理的蚀刻液排出；
供给部，其用于向所述蚀刻处理部供给新的蚀刻液；
控制装置，其用于对所述蚀刻处理部、所述排出部和所述供给部进行驱动控制并执行蚀刻方法，
由所述控制装置执行的蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序，
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量，
其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式。”
“11. 一种存储介质，在该存储介质中存储有用于使计算机执行蚀刻方法的计算机程序，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序；
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量，
其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式。”
复审请求人认为：（1）权利要求1中的特征“所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值”未被对比文件1公开，应为权利要求1与对比文件1的区别技术特征。（2）本申请所解决的技术问题“如何精度良好地、并且稳定地对被处理体实施蚀刻处理”与审查员所认定的“进一步控制溶液浓度，提高刻蚀效果”不一致。（3）权利要求1中的特征“间隔工序的第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的蚀刻工序开始时提供于蚀刻处理的被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值；蚀刻工序的第1部分更换模式包括以蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的第1设定量和所述第2设定量，间隔工序的第2部分更换模式包括以蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的第3设定量和第4设定量”未被对比文件1和对比文件2公开，且不属于本领域公知常识；对比文件1和对比文件2都未注意到在部分更换蚀刻液的过程中，可能存在蚀刻液的浓度变动过大，进而导致处理变得不稳定这样的问题；对比文件1应当是注意到在进行了多次蚀刻处理之后，蚀刻液中的Si浓度才会达到预定阈值，这里说的预定次数应当是多次而不是一次，如果每执行一次蚀刻处理都执行部分更换处理，则根本无需设定所谓的“预定条件”。（4）基于与修改后权利要求1同样的理由，修改后权利要求6和11也具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月12日向复审请求人发出复审通知书，指出：1）权利要求1、6、11与对比文件1相比，区别技术特征均为：（1）蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序；（2）所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值；每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式；（3）所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。上述区别技术特征（1）被对比文件2公开且作用相同，上述区别技术特征（2）、（3）是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识容易得到的。因此，权利要求1、6、11不具备创造性。2）从属权利要求2-5、7-10的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域的公知常识，因此，权利要求2-5、7-10不具备创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组指出：（1）特征“所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值”构成与对比文件1的区别技术特征。（2）创造性的判断是确定要求保护的发明与最接近的现有技术相比有哪些区别技术特征，然后根据该区别特征所能达到的技术效果确定发明实际解决的技术问题。参见前述权利要求的评述，对比文件1已经公开了在蚀刻工序之间的间隔工序中进行蚀刻液的部分更换处理以及将蚀刻液中的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0053]段），但对比文件1未公开在蚀刻工序中进行部分更换处理以及在蚀刻工序、间隔工序的部分更换模式中，以蚀刻液的浓度恒定的方式确定供给量和排出量，由此，合议组确定本申请实际解决的技术问题是如何更加精度良好地、且稳定地对被处理体实施蚀刻处理。（3）参见前述权利要求的评述，对于区别技术特征（2）来说，对比文件1已经公开了每当完成指定次数的蚀刻处理时，可以执行蚀刻液E的部分替换（参见说明书第[0064]段），本领域的技术人员根据实际加工处理需要可以灵活选择指定次数，当指定次数为1时，相当于每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式；对比文件1已经公开了在间隔工序中进行蚀刻液的部分更换之后，蚀刻工序开始时提供于蚀刻处理的所述晶圆W溶出的Si浓度控制在任意值，例如Si浓度为33PPM（参见说明书第[0059]段），将该任意值设定为预定值，仅仅是本领域技术人员的常规选择；当指定次数为1时，即每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式，那么预定值必然是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值。对于区别技术特征（3）来说，对比文件1已经公开了为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，需要将处理槽10内的蚀刻液E的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0047]、[0053]段），可见对比文件1给出了需要将处理槽内的蚀刻液的浓度维持恒定的技术启示，而本领域的技术人员容易想到在蚀刻工序、间隔工序进行蚀刻液的部分更换时会导致处理槽内10的磷酸浓度发生变化，这是本领域的技术人员希望避免的，在此基础上，本领域的技术人员为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，有动机以维持处理槽内的蚀刻液浓度恒定的方式确定蚀刻工序、间隔工序进行蚀刻液的部分更换模式中的排出量和供给量，属于本领域的常规技术手段，无需付出创造性劳动。首先对比文件1已经公开了每当完成指定次数的蚀刻处理时，可以执行蚀刻液E的部分替换（参见说明书第[0064]段），对比文件1并未记载指定次数不能是1次；其次，对比文件1中的蚀刻液中的Si浓度达到预定值进行蚀刻液的部分更换，其中预定值是本领域的技术人员可以人为设定的，对比文件1并未记载在进行了多次蚀刻处理之后，蚀刻液中的Si浓度才会达到预定值；最后，对比文件1设定所谓的“预定条件”，其技术方案更加灵活，本领域的技术人员可以根据实际加工处理需要灵活选择指定次数，如果每执行一次蚀刻处理都执行蚀刻液的部分更换处理只是其中的一个特例。
复审请求人于2019年07月29日提交了意见陈述书和权利要求书的全文修改替换页，共包括3项权利要求。其中，基于复审通知书所针对的权利要求书作了如下修改：在独立权利要求1、6、11中加入特征“所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第 2设定量断续地供给的工序，所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量断续地供给的工序，在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在所述第2部分更换模式中，也同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序”，删除权利要求2-5、7-10，并适应性地修改了权利要求的编号和引用关系。
复审请求人于2019年07月29日提交的权利要求内容如下：
“1. 一种蚀刻方法，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序；
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量，
其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第 2设定量断续地供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量断续地供给的工序，
在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在所述第2部分更换模式中，也同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序。
2. 一种蚀刻装置，其用于对被处理体实施蚀刻处理，其特征在于，
该蚀刻装置包括：
蚀刻处理部，其用于收纳被处理体并利用蚀刻液对被处理体实施蚀刻处理；
排出部，其用于将在所述蚀刻处理部中提供于蚀刻处理的蚀刻液排出；
供给部，其用于向所述蚀刻处理部供给新的蚀刻液；
控制装置，其用于对所述蚀刻处理部、所述排出部和所述供给部进行驱动控制并执行蚀刻方法，
由所述控制装置执行的蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序，
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀 刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量，
其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量断续地供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量断续地供给的工序，
在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在所述第2部分更换模式中，也同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序。
3. 一种存储介质，在该存储介质中存储有用于使计算机执行蚀刻方法的计算机程序，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工 序；
对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序，
所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将提供于蚀刻处理的所述蚀刻处理部内的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量，
其中，所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序，并且每个所述间隔工序都包括所述第2部分更换模式，
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量断续地供给的工序，
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第 4设定量断续地供给的工序，
在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在所述第2部分更换模式中，也同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序。”
复审请求人认为：（1）对比文件1给出的启示是完成了多次蚀刻处理之后再进行蚀刻液E的部分更换，对比文件1也没有明确记载指定次数是1次，合议组直接认为在对比文件1指定次数为1时，相当于每个间隔工序都包括第2部分更换模式，并不合适；如果对比文件1每执行一次蚀刻处理都执行部分更换处理，则根本无需设定所谓的“指定次数”，因此，本领域技术人员在对比文件1公开的指定次数是15次的基础上，也不会想要将其指定次数设定为与15相差甚远的1；对于对比文件1来说，每次执行部分更换蚀刻液之后得到的新的蚀刻液中的Si浓度处于一个指定范围，并不能认为对比文件1每次执行部分更换蚀刻液之后得到的新的蚀刻液中的Si浓度都相同。（2）对比文件1并未关注在执行部分更换蚀刻液时蚀刻液浓度的变化，因此，本领域技术人员并不会想到在间隔工序进行的部分更换模式中使得溶出成分浓度恒定，而在蚀刻工序中进行的部分更换中使得蚀刻液的浓度恒定。（3）独立权利要求1-3中新增的技术特征未被D1和D2公开、也没有给出启示，同时也非现有技术的常规替换。
在上述程序的基础上，本案合议组认为事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年07月29日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人依据专利合作条约第28条或者第41条修改的说明书第1-14页，于2016年03月25日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书附图第1-5页、说明书摘要、摘要附图，以及2019年07月29日提交的权利要求第1-3项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被其他对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征是本领域技术人员结合本领域的公知常识容易得到的，则该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定以及复审通知书引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2002/0001967A1，公开日：2002年01月03日；
对比文件2：JP特开平7-86231A，公开日：1995年03月31日。
2.1、关于权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种蚀刻方法。对比文件1公开了一种蚀刻方法，并具体公开了以下的技术特征（参见说明书第[0009]-[0072]段，附图1-3B）：从附图1-3B可知，使用蚀刻液E对收纳于处理槽10（即蚀刻处理部）内的晶圆W（即被处理体）实施刻蚀处理的蚀刻工序；对所述晶圆W进行蚀刻工序和下一个对晶圆W进行的蚀刻工序之间的间隔工序（参见说明书第[0049]段）；所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序；
当由浓度传感器50检测的Si浓度达到预定值时，晶圆W被拾取后，进行蚀刻液E的部分替换（相当于所述间隔工序包括第2部分更换模式）（参见说明书第[0055]-[0060]段），将处理槽10内的提供蚀刻处理的蚀刻液E以预定量排出的工序，例如以2/3体积的量排出（相当于该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序）（参见附图3A），以及将新的蚀刻液E以与排除的液体量相同的量向所述处理槽10内供给的工序（相当于将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序）（参见说明书第[0059]段，附图3B）；
将新的蚀刻液E添加到残留在处理槽10中的蚀刻液E中并与之混合，利用该补充，可以将处理槽10中的蚀刻液E的Si浓度控制在任意值，例如Si浓度为33PPM（参见说明书第[0059]段）；每当完成指定次数的蚀刻处理时，可以执行蚀刻液E的部分替换（参见说明书第[0064]段）；通过将蚀刻液E保持在指定温度下的沸腾状态下，可以将处理槽10内的蚀刻液E的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0053]段）。
权利要求1请求保护的技术方案和对比文件1所公开的内容相比，其区别技术特征是：（1）蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序；（2）所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值，其中所述预定值是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值；每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式；（3）所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量；（4）所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第1设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第2设定量断续地供给的工序，所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量断续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量断续地供给的工序，在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在所述第2部分更换模式中，也同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序。
基于上述区别技术特征，该权利要求的技术方案相比于对比文件1实际解决的技术问题是如何更加精度良好地、且稳定地对被处理体实施蚀刻处理。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种蚀刻方法，并具体公开了以下的技术特征（参见说明书第[0011]-[0018]，附图1）：从附图1可知，刻蚀工序（参见说明书第[0017]-[0018]段），包括溶液更换（相当于第1更换模式），具有将蚀刻槽内的提供刻蚀处理的蚀刻剂以30ml / min排出工序，和将未使用的蚀刻剂以30ml / min的速度向蚀刻槽内供给的工序（相当于该第1更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序）；抑制蚀刻液体中溶解薄膜浓度的上升。可见上述区别技术特征（1）已经被对比文件2所公开，且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是更加精度良好地、且稳定地对被处理体实施蚀刻处理。因此对比文件2给出了将该技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
对于区别技术特征（2），对比文件1已经公开了每当完成指定次数的蚀刻处理时，可以执行蚀刻液E的部分替换（参见说明书第[0064]段），本领域技术人员容易想到根据实际加工处理需要灵活选择指定次数，指定次数为1次也是容易做出的选择，此时即相当于每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式；
对比文件1已经公开了在间隔工序中进行蚀刻液的部分更换之后，蚀刻工序开始时提供于蚀刻处理的所述晶圆W溶出的Si浓度控制在指定范围内的可选值，例如Si浓度为33PPM（参见说明书第[0059]段），而将对比文件1中每次执行部分更换蚀刻液之后得到的新的蚀刻液中的Si浓度设定为指定范围内的一个固定值（即预定值），是本领域技术人员的常规技术手段，无需付出创造性劳动；当指定次数为1时，即每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式，那么该固定值必然是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值。
对于区别技术特征（3），对比文件1已经公开了为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，需要将处理槽10内的蚀刻液E的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0047]、[0053]段），可见对比文件1给出了需要将处理槽内的蚀刻液的浓度维持恒定的技术启示，而本领域的技术人员容易想到在蚀刻工序、间隔工序进行蚀刻液的部分更换时会导致处理槽内10的磷酸浓度发生变化，这是本领域的技术人员希望避免的，在此基础上，本领域的技术人员为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，有动机以维持处理槽内的蚀刻液浓度恒定的方式确定蚀刻工序、间隔工序进行蚀刻液的部分更换模式中的排出量和供给量，属于本领域的常规技术手段，无需付出创造性劳动。
对于区别技术特征（4），对比文件2公开了以下的技术特征（参见说明书第[0011]-[0018]，附图1）：从附图1可知，在刻蚀期间以30ml / min连续地排出蚀刻剂，同时以30ml / min连续地供给未使用的蚀刻剂（相当于在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序）。对比文件1公开了以下的技术特征（参见说明书第[0003]-[0060]段，附图1、3、7）：打开允许阀32排出预定量的蚀刻液体E，打开阀43供给等量的新的蚀刻液体（相当于第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量连续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量连续地供给的工序）。而断续地排出、供给蚀刻液只是现有技术“连续地排出、供给蚀刻液”的常规替换，无需付出创造性劳动，且技术效果是可以预期的；对比文件2给出了在第1部分更换模式中同时进行蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在此基础上，本领域的技术人员为了节约工序时间，有动机对对比文件1的技术方案进行改进，容易想到在第2部分更换模式中，也同时进行蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，属于本领域的常规技术手段，无需付出创造性劳动。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域公知常识，得出该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不符合专利法第22条第3款的规定。
2.2、关于权利要求2的创造性
权利要求2请求保护一种蚀刻装置。对比文件1公开了一种蚀刻装置，并具体公开了以下的技术特征（参见说明书第[0009]-[0072]段，附图1-3B）：其用于对晶圆W实施蚀刻处理，从附图1-3B可知，该蚀刻装置包括：处理槽10，其用于收纳晶圆W并利用蚀刻液E对晶圆W进行蚀刻处理；
排水系统30（即排出部），其用于将所述处理槽10中提供蚀刻处理的蚀刻液E排出；
供给系统40（即供给部），其用于向所述处理槽10供给新的蚀刻液E；
控制装置70，其用于对所述处理槽10、所述排水系统30和所述供给系统40进行驱动控制并执行蚀刻方法；
由所述控制装置70执行的蚀刻方法包括：从附图1-3B可知，使用蚀刻液E对收纳于处理槽10（即蚀刻处理部）内的晶圆W（即被处理体）实施刻蚀处理的蚀刻工序；对所述晶圆W进行蚀刻工序和下一个对晶圆W进行的蚀刻工序之间的间隔工序（参见说明书第[0049]段）；所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序；
当由浓度传感器50检测的Si浓度达到预定值时，晶圆W被拾取后，进行蚀刻液E的部分替换（相当于所述间隔工序包括第2部分更换模式）（参见说明书第[0055]-[0060]段），将处理槽10内的提供蚀刻处理的蚀刻液E以预定量排出的工序，例如以2/3体积的量排出（相当于该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序）（参见附图3A），以及将新的蚀刻液E以与排除的液体量相同的量向所述处理槽10内供给的工序（相当于将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序）（参见说明书第[0059]段，附图3B）；
将新的蚀刻液E添加到残留在处理槽10中的蚀刻液E中并与之混合，利用该补充，可以将处理槽10中的蚀刻液E的Si浓度控制在任意值，例如Si浓度为33PPM（参见说明书第[0059]段）；
每当完成指定次数的蚀刻处理时，可以执行蚀刻液E的部分替换（参见说明书第[0064]段）；通过将蚀刻液E保持在指定温度下的沸腾状态下，可以将处理槽10内的蚀刻液E的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0053]段）。
权利要求2请求保护的技术方案和对比文件1的区别技术特征与权利要求1请求保护的技术方案和对比文件1的区别技术特征相同，参见对于权利要求1不具备创造性的评述，由于区别技术特征相同，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域公知常识，得出权利要求2请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此权利要求2请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不符合专利法第22条第3款的规定。
2.3、关于权利要求3的创造性
权利要求3请求保护一种存储介质。对比文件1公开了一种存储介质（参见说明书第[0069]段），并具体公开了以下的技术特征（参见说明书第[0003]-[0060]段，附图1、3、7）：从附图1-3B可知，存储介质中存储有用于使CPU70执行蚀刻方法的控制程序（相当于该存储介质中存储有用于使计算机执行蚀刻方法的计算机程序）；
该蚀刻方法包括：从附图1-3B可知，使用蚀刻液E对收纳于处理槽10（即蚀刻处理部）内的晶圆W（即被处理体）实施刻蚀处理的蚀刻工序；对所述晶圆W进行蚀刻工序和下一个对晶圆W进行的蚀刻工序之间的间隔工序（参见说明书第[0049]段）；所述蚀刻方法包括多个蚀刻工序和这些蚀刻工序之间的间隔工序；
当由浓度传感器50检测的Si浓度达到预定值时，晶圆W被拾取后，进行蚀刻液E的部分替换（相当于所述间隔工序包括第2部分更换模式）（参见说明书第[0055]-[0060]段），将处理槽10内的提供蚀刻处理的蚀刻液E以预定量排出的工序，例如以2/3体积的量排出（相当于该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序）（参见附图3A），以及将新的蚀刻液E以与排除的液体量相同的量向所述处理槽10内供给的工序（相当于将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序）（参见说明书第[0059]段，附图3B）；
将新的蚀刻液E添加到残留在处理槽10中的蚀刻液E中并与之混合，利用该补充，可以将处理槽10中的蚀刻液E的Si浓度控制在任意值，例如Si浓度为33PPM（参见说明书第[0059]段）；
每当完成指定次数的蚀刻处理时，可以执行蚀刻液E的部分替换（参见说明书第[0064]段）；通过将蚀刻液E保持在指定温度下的沸腾状态下，可以将处理槽10内的蚀刻液E的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0053]段）。
权利要求3请求保护的技术方案和对比文件1的区别技术特征与权利要求1请求保护的技术方案和对比文件1的区别技术特征相同，参见对于权利要求1不具备创造性的评述，由于区别技术特征相同，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域公知常识，得出权利要求3请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此权利要求3请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：
（1）对比文件1给出的启示是完成了指定次数蚀刻处理之后再进行蚀刻液E的部分更换（参见说明书第[0064]段），对比文件1之所以设置“指定次数”，是为了方便本领域的技术人员根据实际加工处理需要可以灵活选择指定次数，“指定次数为15次”只是对比文件1的一个例举，对比文件1并没有记载指定次数不能是1次，因此本领域的技术人员根据实际加工处理需要可以选择指定次数为1次，而无需付出创造性劳动；对比文件1已经公开了在间隔工序中进行蚀刻液的部分更换之后，蚀刻工序开始时提供于蚀刻处理的所述晶圆W溶出的Si浓度控制在指定范围内的可选值，例如Si浓度为33PPM（参见说明书第[0059]段），而将对比文件1中每次执行部分更换蚀刻液之后得到的新的蚀刻液中的Si浓度设定为指定范围内的一个固定值（即预定值），是本领域技术人员的常规技术手段，无需付出创造性劳动；当指定次数为1时，即每个间隔工序都包括所述第2部分更换模式，那么该固定值必然是与紧接着所述间隔工序之前的蚀刻工序开始时的溶出成分浓度相同的值。
（2）对比文件1已经公开了为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，需要将处理槽10内的蚀刻液E的磷酸浓度维持在通常固定的值（参见说明书第[0047]、[0053]段），可见对比文件1给出了需要将处理槽内的蚀刻液的浓度维持恒定的技术启示，而本领域的技术人员容易想到在蚀刻工序、间隔工序进行蚀刻液的部分更换时会导致处理槽内10的磷酸浓度发生变化，这是本领域的技术人员希望避免的，在此基础上，本领域的技术人员为了以所期望的蚀刻速度进行蚀刻，有动机以维持处理槽内的蚀刻液的浓度恒定的方式确定蚀刻工序、间隔工序进行蚀刻液的部分更换模式中的排出量和供给量，属于本领域的常规技术手段，无需付出创造性劳动。
（3）对比文件2公开了以下的技术特征（参见说明书第[0011]-[0018]，附图1）：从附图1可知，在刻蚀期间以30ml / min连续地排出蚀刻剂，同时以30ml / min连续地供给未使用的蚀刻剂（相当于在所述第1部分更换模式中，同时进行所述蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序）。对比文件1公开了以下的技术特征（参见说明书第[0003]-[0060]段，附图1、3、7）：打开允许阀32排出预定量的蚀刻液体E，打开阀43供给等量的新的蚀刻液体（相当于第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液以所述第3设定量连续地排出的工序和将所述新的蚀刻液以所述第4设定量连续地供给的工序）。而断续地排出、供给蚀刻液只是现有技术“连续地排出、供给蚀刻液”的常规替换，无需付出创造性劳动，且技术效果是可以预期的；对比文件2给出了在第1部分更换模式中同时进行蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，在此基础上，本领域技术人员为了节约工序时间，有动机对对比文件1的技术方案进行改进，容易想到在第2部分更换模式中，也同时进行蚀刻液的排出工序和新的蚀刻液的供给工序，属于本领域常规技术手段，无需付出创造性劳动。
综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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