发明创造名称：一种光模块及其信号输出端口、信号输出端口保护电路
外观设计名称：
决定号：190478
决定日：2019-09-20
委内编号：1F272005
优先权日：
申请（专利）号：201510655613.3
申请日：2015-10-12
复审请求人：索尔思光电（成都）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：邹斌
合议组组长：马驰
参审员：杨蕊
国际分类号：H03K19/14，H03K19/003
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，这些区别技术特征都不属于本领域的公知常识，并且本领域技术人员也没有动机及启示对上述最接近的现有技术进行改进，将其改进为应用上述区别技术特征以获得所述权利要求的技术方案，且该区别技术特征的引入，使得该权利要求的技术方案获得有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于上述对比文件具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510655613.3，名称为“一种光模块及其信号输出端口、信号输出端口保护电路”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为索尔思光电（成都）有限公司。本申请的申请日为2015年10月12日，公开日为2015年12月16日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月09日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-9相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体为：1、权利要求1请求保护的OC保护电路与对比文件1（CN 202143049U，公告日为2012年02月08日）公开的隔离电路相比区别技术特征为：本申请要求保护一种光模块信号输出端口OC保护电路，并且第一晶体管T1的基极与第二电阻R2连接，本申请是光模块芯片，而对比文件1则为主板主控芯片，并且上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致。对于上述区别技术特征，本领域技术人员容易想到将对比文件1公开的GPIO隔离电路用于光模块信号的输出端口，并且将光模块芯片替换对比文件1中的主板主控芯片；而对于保护部分是用于防止芯片被高电压击穿，而使保护部分的上拉电压与芯片输出端的上拉电压一致则是本领域技术人员容易想到的。因此，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识得出该权利要求的技术方案是显而易见的，因此权利要求1不具备创造性。2、权利要求2的部分附加技术特征被对比文件1公开，本领域技术人员容易想到将场效应管替换为三极管，同时使三极管的基极对应场效应管的栅极，集电极对应漏极，而发射极对应源极，因此权利要求2不具备创造性。3、权利要求3请求保护包含如权利要求1所述的OC保护电路的光模块信号输出端口，权利要求4请求保护包含如权利要求2所述OC保护电路的光模块输出端口，基于上述理由，权利要求3和4相对于对比文件1和本领域的公知常识也不具备创造性。4、基于相同的理由，权利要求5和6请求保护的OD保护电路相对于对比文件1和本领域的公知常识不具备创造性。5、权利要求7请求保护包含如权利要求5所述的OD保护电路的光模块信号输出端口，权利要求8请求保护包含如权利要求6所述OD保护电路的光模块输出端口，基于上述理由，权利要求7和8相对于对比文件1和本领域的公知常识也不具备创造性。6、权利要求9请求保护包含如权利要求3、4、7、8所述的光模块信号输出端口的光模块，基于上述理由，权利要求9相对于对比文件1和本领域的公知常识也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日提交的说明书第1-41段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图以及2018年3月16日提交的权利要求第1-9项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种光模块信号输出端口OC保护电路，其特征在于，包括，
输入端，通过第二电阻R2与第一晶体管T1的基极连接，用于接收光模块芯片信号输出端口的输出信号LOS；
上拉电源，通过第一电阻R1与所述输入端连接，用于为所述第一晶体管T1的基极提供上拉电压；所述上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致；
第一晶体管T1，所述第一晶体管T1的射极接地；所述第一晶体管T1的集极为所述OC保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接。
2. 如权利要求1所述的光模块信号输出端口OC保护电路，其特征在于，所述OC保护电路还包括，
第二晶体管T2，所述第二晶体管T2的射极接地；所述第二晶体管T2的基极与所述第一晶体管T1的集极连接；所述第二晶体管T2的集极为所述OC保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接；
第三电阻R3，设置在所述上拉电源及第二晶体管T2的基极之间，用于为所述第二晶体管T2的基极提供上拉电压。
3. 一种光模块信号输出端口，其特征在于，包含如权利要求1所述的OC保护电路及光模块芯片信号输出端口，所述光模块芯片信号输出端口外连接有如权利要求1所述的OC保护电路。
4. 如权利要求3所述的光模块信号输出端口，其特征在于，包含如权利要求2所述的OC保护电路，所述光模块芯片信号输出端口外连接有如权利要求2所述的OC保护电路。
5. 一种光模块信号输出端口OD保护电路，其特征在于，包括，
输入端，与第一场效应管Q1的栅极连接，用于接收光模块信号输出端口的输出信号LOS；上拉电源，通过第四电阻R4与所述输入端连接，用于为所述第一场效应管Q1的栅极提供上拉电压；所述上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致；
第一场效应管Q1，所述第一场效应管Q1的源极接地；所述第一场效应管Q1的漏极为所述OD保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接。
6. 如权利要求5所述的光模块信号输出端口OD保护电路，其特征在于，所述OD保护电路还包括，
第二场效应管Q2，所述第二效应管Q2的源极接地；所述第二效应管Q2的栅极与所述第一 效应管Q1的漏极连接；所述第二效应管Q2的漏极为所述OD保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接；
第五电阻R5，设置在所述上拉电源及第二效应管Q2的栅极之间，用于为所述第二效应管Q2的栅极提供上拉电压。
7. 一种光模块信号输出端口，其特征在于，包含如权利要求5所述的OD保护电路及光模块芯片信号输出端口，所述光模块芯片信号输出端口外连接有如权利要求5所述的OD保护电路。
8. 如权利要求7所述的光模块信号输出端口，其特征在于，包含如权利要求6所述的OD保护电路，所述光模块芯片的信号输出端口外连接有如权利要求6所述的OD保护电路。
9. 一种光模块，其特征在于，包含如权利要求3、4、7或8所述的光模块信号输出端口。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月23日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。
复审请求人认为：权利要求1与对比文件1相比至少包括以下区别技术特征：（1）光模块信号输出端口OC保护电路的输入端通过第二电阻R2与第一晶体管T1的基极连接，用于接收光模块芯片信号输出端口的输出信号LOS；（2）上拉电源，通过第一电阻R1与所述输入端连接，用于为所述第一晶体管T1的基极提供上拉电压；所述上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致；（3）第一晶体管T1，所述第一晶体管T1的射极接地；所述第一晶体管T1的集极为所述OC保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接。本申请实际要解决的技术问题为：防止主机侧输入端设置的上拉电源HOSTVCC大于光模块芯片中输出端上拉电压RX_VCC TVS diode的正向电压时而造成光模块芯片的损坏。对比文件1中的第一隔离电路实际上起的作用是通过一个晶体管和一个MOS管形成两级隔离，并利用二极管D1和电阻R3上拉输出电压，使主板主控芯片的输出电压达到用户需求的电平，同时，可以防止外部的高电平反向漏电给主板。本领域技术人员没有动机将对比文件1中公开的GPIO隔离电路用于光模块信号的输出端口，并且将光模块芯片替换对比文件1中的主板主控芯片。本申请与对比文件1并不属于同一技术领域，而且本申请所解决的技术问题与对比文件1所解决的技术问题完全不同，因此，本申请具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）主板芯片、光模块芯片均是芯片的一种，同时GPIO是一种通用的输入输出端口，而光模块信号的输出端口是常见的输出端口，所以本领域技术人员容易想到将对比文件1公开的GPIO隔离电路用于光模块信号的输出端口，而用于光模块信号输出端口的隔离或保护电路与光模块芯片连接；（2）对比文件1公开了与本申请一致的电路结构--模块输出端口通过电阻与电源连接，均是起到对三极管的上拉作用，而对于上拉电压的电压值大小的限定则是本领域人员经过有限次的实验可以得到的，所以本领域人员容易想到使其与输出端口的上拉电压一致；（3）对比文件1虽然是使用两级隔离电路，但是其隔离电路是与本申请一样均是设置在芯片与外接设备之间，同样起到防止外接设备电压过高而反向漏电给芯片以损害芯片的问题，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时，未对申请文件进行修改。因此，本复审决定针对的文本为：复审请求人于申请日提交的说明书第1-41段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图以及2018年3月16日提交的权利要求第1-9项。
2、专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，这些区别技术特征都不属于本领域的公知常识，并且本领域技术人员也没有动机及启示对上述最接近的现有技术进行改进，将其改进为应用上述区别技术特征以获得所述权利要求的技术方案，且该区别技术特征的引入，使得该权利要求的技术方案获得有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于上述对比文件具备创造性。
本复审决定中所引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，具体如下：
对比文件1：CN202143049U，公告日为2012年02月08日，并作为最接近的现有技术。
2-1、权利要求1具备创造性
权利要求1请求保护一种光模块信号输出端口OC保护电路。对比文件1公开了一种GPIO隔离电路，并具体公开了（参见对比文件1摘要，说明书第16-19段，图1-2）：GPIO隔离电路，设置于主板主控芯片与外部设备IO接口之间，包括设置于主板主控芯片输出端与外部设备IO接口之间的第一隔离电路和设置于主板主控芯片输入端与外部设备IO接口之间的第二隔离电路；第一隔离电路包括一晶体管和一场效应管I，所述晶体管的基极与主板主控芯片输出端电连接（即输入端，晶体管的基极用于接收主板控制芯片的输出端口的输出信号），并通过电阻R1与电源连接（相当于上拉电源，通过第一电阻R1与所述输入端连接，用于为所述第一晶体管T1的基极提供上拉电压），晶体管的发射极接地（相当于第一晶体管T1，所述第一晶体管T1的射极接地），所述晶体管的集电极通过电阻R2与电源电连接，所述场效应管I的栅极与晶体管的集电极电连接，场效应管I的源极接地，场效应管I的漏极与外部设备IO接口电连接（晶体管Q1的集电极经过晶体管Q2与外部设备IO接口电连接，即相当于第一晶体管T1的集极为所述OC保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接），所述场效应管I的漏极还通过电阻R3与电源电连接。
权利要求1与对比文件1相比区别技术特征包括：本申请要求保护一种光模块信号输出端口OC保护电路，本申请是光模块芯片，而对比文件1则为主板主控芯片；第一晶体管T1的基极与第二电阻R2连接；上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致。根据上述区别技术特征的作用本申请实际所要解决的技术问题是：防止主机侧输入端设置的上拉电源HOST VCC大于光模块芯片中输出端上拉电压RX_VCC TVS diode的正向电压时而造成光模块芯片的损坏。显然，对比文件1所公开的GPIO隔离电路与本申请请求保护的OC保护电路的结构和连接关系完全不同。面对上述技术问题时，本领域技术人员没有动机及启示将GPIO隔离电路应用于光模块输出端口，并按照本申请记载的器件和连接关系设计该OC保护电路。同时，上述区别技术特征也不属于本领域的公知常识。上述区别技术特征的引入，可以使权利要求1获得防止由于HOST VCC过大导致光模块芯片被击穿损坏的有益技术效果。因此，权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求2-4具备创造性
权利要求2是权利要求1的从属权利要求，权利要求3请求保护包含如权利要求1所述的OC保护电路的光模块信号输出端口，权利要求4请求保护包含如权利要求2所述OC保护电路的光模块输出端口，因此，当上述权利要求所引用的权利要求具备创造性时，权利要求2-4也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求5具备创造性
权利要求5要求保护一种光模块信号输出端口OD保护电路，对比文件1公开了一种GPIO隔离电路，并具体公开了（参见对比文件1摘要，说明书第16-19段，图1-2）：GPIO隔离电路，设置于主板主控芯片与外部设备IO接口之间，包括设置于主板主控芯片输出端与外部设备IO接口之间的第一隔离电路和设置于主板主控芯片输入端与外部设备IO接口之间的第二隔离电路；第二隔离电路采用两级MOS管隔离，即场效应管Q3和场效应管Q4，所述场效应管Q3的漏极与主板主控芯片输入端GPI电连接，并通过电阻R4与电源电连接，场效应管Q3的源极接地，场效应管Q3的栅极与场效应管Q4的漏极电连接（场效应管Q4的漏极通过场效应管Q3与主板主控芯片输入端连接，即相当于第一场效应管Q1的漏极为所述OD保护电路的输出端，所述输出端与主机侧的输入端口连接），场效应管Q4的漏极还通过电阻R5与电 源电连接，场效应管Q4的源极通过电阻R6接地（相当于第一场效应晶体管的源极接地），场效应管Q4的栅极与外部 设备IO接口GPI_G连接（相当于输入端，与第一场效应管Q1的栅极连接，用于接收外部设备输出端口的输出信号），并通过电阻IV接地。
权利要求5与对比文件1相比区别技术特征包括：本申请要求保护一种光模块信号输出端口OD保护电路，输入端接收光模块信号输出端口的输出信号，还包括上拉电源，通过第四电阻R4与所述输入端连接，用于为所述第一场效应管Q1的栅极提供上拉电压，而对比文件1则是电阻R6与输入端和场效应管Q4的栅极连接，电阻的另一端接地；上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致。根据上述区别技术特征的作用本申请实际所要解决的技术问题是：防止主机侧输入端设置的上拉电源HOSTVCC大于光模块芯片中输出端上拉电压RX_VCC TVS diode的正向电压时而造成光模块芯片的损坏。显然，对比文件1所公开的GPIO隔离电路与本申请请求保护的OD保护电路的结构和连接关系完全不同。面对上述技术问题时，本领域技术人员没有动机及启示将GPIO隔离电路应用于光模块输出端口，并按照本申请记载的器件和连接关系设计该OD保护电路。同时，上述区别技术特征也不属于本领域的公知常识。上述区别技术特征的引入，可以使权利要求5获得防止由于HOST VCC过大导致光模块芯片被击穿损坏的有益技术效果。因此，权利要求5相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、权利要求6-8具备创造性
权利要求6是权利要求5的从属权利要求，权利要求7请求保护包含如权利要求5所述的OD保护电路的光模块信号输出端口，权利要求8请求保护包含如权利要求6所述OD保护电路的光模块输出端口，因此，当上述权利要求所引用的权利要求具备创造性时，权利要求6-8也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5、权利要求9具备创造性
权利要求9请求保护包含如权利要求3、4、7、8所述的光模块信号输出端口的光模块，因此，当权利要求3、4、7、8具备创造性时，权利要求9也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对驳回决定及前置审查相关意见的评述
合议组认为：首先，对比文件1与本申请的领域和要解决的技术问题不同。本申请请求保护的是用于光模块信号输出端口的OC和OD保护电路，要解决的技术问题是防止主机侧输入端设置的上拉电源HOSTVCC大于光模块芯片中输出端上拉电压RX_VCC TVS diode的正向电压时而造成光模块芯片的损坏；而对比文件1公开的是GPIO隔离电路，要解决的是现有光耦、磁耦的隔离电路结构复杂、成本高，因而提出了一种结构简单、成本低的GPIO通用隔离电路。本领域技术人员在面对要解决光模块芯片的安全问题时，难以想到在要解决替代光耦隔离电路的方案中寻找启示。其次，虽然对比文件1提及可以解决“外接设备可能输出一个较高的电压，而高电压直接输入到主板可能会损坏主板电路，防止外部的高电平反相漏电给主板”的问题，但是根据对比文件1说明书第0017的记载可知，对比文件1中的第一隔离电路的作用是通过一个晶体管和一个MOS管形成两级隔离，并利用二极管D1和电阻R3上拉输出电压，使主板主控芯片的输出电压达到用户需求的电平，同时防止外部的高电平反向漏电给主板。可见，解决上述防止外部的高电平反相漏电给主板的手段是二极管D1的加入。此外，对比文件1与本申请采用的手段不同。权利要求1与对比文件1的区别技术特征包括：（1）本申请要求保护一种光模块信号输出端口OC保护电路，本申请是光模块芯片，而对比文件则为主板主控芯片；（2）第一晶体管T1的基极与第二电阻R2连接；（3）上拉电源提供的上拉电压与光模块芯片信号输出端口的上拉电压RX_VCC一致。可见，对比文件1公开的隔离电路的结构和连接关系与本申请记载的保护电路的结构完全不同。同时，上述区别技术特征并非本领域的公知常识。综上，本申请请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域的公知常识具备创造性。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年10月09日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在申请日提交的说明书第1-41段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图以及2018年3月16日提交的权利要求第1-9项的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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