发明创造名称：半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法
外观设计名称：
决定号：190222
决定日：2019-09-20
委内编号：1F270701
优先权日：2012-10-02，2013-03-15
申请（专利）号：201310164479.8
申请日：2013-05-07
复审请求人：新科金朋有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐小岭
合议组组长：杨丽丽
参审员：罗崇举
国际分类号：H01L21/56，H01L21/60
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别特征，而该区别特征为本领域的公知常识，在上述最接近现有技术的基础上结合本领域公知常识得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310164479.8，名称为“半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为新科金朋有限公司，申请日为2013年05月07日，优先权日为2012年10月02日和2013年03月15日，公开日为2014年04月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月25日发出驳回决定，以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，驳回的具体理由是：独立权利要求1与对比文件3（US2009/0091001A1，公开日为2009年04月09日）存在着区别技术特征“沿着所述半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；在所述半导体晶片上形成凸点下金属化UBM，其中所述UBM包括粘附层、阻挡层和润湿层，在形成UBM之后，将密封剂沉积在所述半导体管芯上，所述密封剂接触所述UBM”，但上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求1的从属权利要求2-3的附加技术特征或已被对比文件3公开，或属于本领域的常规选择，因此权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求4与对比文件3存在着区别技术特征“在所述半导体管芯上形成凸点下金属化UBM；在形成UBM之后将密封剂沉积在所述半导体管芯上，以及在沉积所述密封剂之后直接在所述导电层上形成焊料凸点”，但上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求4相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求4的从属权利要求5和6的附加技术特征或已被对比文件3公开，或属于本领域的常规选择，因此权利要求5和6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求7与对比文件3存在着区别技术特征“采用沉积的方法形成密封剂；在所述半导体管芯上形成凸点下金属UBM，其中密封剂接触所述UBM，在所述半导体管芯周围的密封剂中形成凹槽”，但上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求7相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求7的从属权利要求8-10的附加技术特征均已被对比文件3公开，因此权利要求8-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：复审请求人于2018年07月26日提交的权利要求第1-10项；于申请日2013年05月07日提交的说明书第0001-0083段、说明书附图图1至图12、说明书摘要、摘要附图 。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种制作半导体装置的方法，包括：
提供包括多个半导体管芯的半导体晶片；
在所述半导体晶片的有源表面上形成绝缘层；
沿着所述半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；
在所述半导体晶片以及绝缘层上形成凸点下金属化层UBM，其中所述UBM包括粘附层、阻挡层、和润湿层；
使所述半导体晶片单个化以将所述半导体管芯分开，
在使所述半导体晶片单个化之后以及在形成所述UBM之后，将密封剂沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及所述半导体管芯的表面边缘，其中所述密封剂接触所述UBM；以及
在沉积所述密封剂之后，形成直接接触所述UBM的导电凸点。
2. 如权利要求1所述的方法，进一步在所述绝缘层内形成导电层。
3. 如权利要求1所述的方法，进一步包括通过激光直接烧蚀而去除所述半导体管芯周围的密封剂的一部分。
4. 一种制作半导体装置的方法，包括：
提供半导体管芯；
在所述半导体管芯上形成绝缘层；
在所述半导体管芯上形成凸点下金属化层UBM；
在形成所述绝缘层和UBM层之后将密封剂沉积在所述半导体管芯上，其中所述密封剂覆盖所述半导体管芯的侧边；以及
在沉积所述密封剂之后直接在所述UBM上形成焊料凸点。
5. 如权利要求4所述方法，进一步包括：
提供载体；
将所述半导体管芯设置在所述载体上，其中所述UBM朝向所述载体定向；
将所述密封剂沉积在所述半导体管芯和载体上以覆盖所述半导体管芯的所述侧边；以及
去除所述载体。
6. 如权利要求4所述的方法，进一步包括在所述绝缘层内形成导电层。
7. 一种半导体装置，包括：
半导体管芯；
绝缘层，其在所述半导体管芯的第一表面上形成，其中所述半导体管芯的所述第一表面的一 部分没有所述绝缘层；
在所述半导体管芯和绝缘层上形成的凸点下金属化层UBM；
密封剂，其沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的第二表面以及没有所述绝缘层的所述半导体管芯的所述第一表面的所述部分，其中所述密封剂接触所述UBM；和
在所述半导体管芯周围的密封剂中形成的凹槽。
8. 如权利要求7所述的半导体装置，进一步包括在所述UBM上形成的互连结构。
9. 如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述密封剂接触所述半导体管芯的至少五个表面。
10. 如权利要求7所述的半导体装置，进一步包括在所述绝缘层内形成的导电层。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月09日向国家知识产权局提出了复审请求，提交了权利要求书的全文替换页（共包括9项权利要求），其中对独立权利要求1、4和7进行了修改，删除了权利要求3，并对权利要求的编号进行了适应性修改。复审请求人认为：①对于权利要求1，对比文件3没有教导或暗示UBM在接触盘处直接物理地接触半导体晶片的有源表面，本申请中导电层132为电连接到有源表面130上的电路的接触盘，UBM 142直接形成在接触盘132上；对比文件3没有教导或暗示在形成UBM之后将密封剂沉积在半导体管芯上，现有技术是在沉积密封剂之后形成UBM，对比文件3没有向技术人员提供将对比文件3改变成要求保护的本发明的动机；对比文件3没有教导或暗示使用激光直接烧蚀来去除半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分，而密封剂的第二部分仍在半导体管芯的表面边缘上，对比文件3并不存在去除半导体管芯上的密封剂的第一部分的教导。②对于权利要求4和7而言：对比文件3没有教导或暗示在半导体管芯上并且与半导体管芯的有源表面直接物理接触的凸点下金属化层（UBM）。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种制作半导体装置的方法，包括：
提供包括多个半导体管芯的半导体晶片，其中每个半导体管芯包括有源表面，所述有源表面包括在有源表面中形成的接触盘；
在所述多个半导体管芯的每个的有源表面上形成绝缘层包括在接触盘上形成绝缘层；
沿着每个半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；
在所述半导体晶片以及绝缘层上形成凸点下金属化层UBM，其中所述UBM包括粘附层、阻挡层、和润湿层，并且其中UBM在接触盘处直接物理地接触半导体管芯的每个的有源表面；
在形成UBM之后，使所述半导体晶片单个化以将所述多个半导体管芯分成多个单独半导体管芯；
将所述多个单独半导体管芯安装到载体，其中绝缘层朝载体取向；
在使所述半导体晶片单个化之后以及在形成所述UBM之后，将密封剂沉积在所述多个单独半导体管芯上以及之间，以形成重组晶片并且覆盖每个单独半导体管芯的侧边以及每个单独半导体管芯的表面边缘，其中所述密封剂接触所述UBM；
使用激光直接烧蚀来去除单独半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分，而密封剂的第二部分仍在单独半导体管芯的表面边缘上；
在沉积所述密封剂之后，形成直接接触所述UBM并直接在接触盘上的导电凸点；以及
在从去除密封剂的第一部分的步骤分开的步骤中将重组晶片单个化成多个单独半导体管芯，其中每个具有由密封剂覆盖的侧边以及由密封剂的第二部分覆盖的表面边缘。
2. 如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述绝缘层内形成导电层。
3. 一种制作半导体装置的方法，包括：
提供包括有源表面的半导体管芯；
在所述半导体管芯的有源表面上形成绝缘层；
沿着半导体管芯的表面边缘去除绝缘层的一部分；
在所述半导体管芯上并且与半导体管芯的有源表面直接物理接触来形成凸点下金属化层UBM；
在形成UBM之后，将半导体管芯安装到载体，其中绝缘层朝载体取向；
在形成所述绝缘层和UBM之后将密封剂沉积在所述半导体管芯上，其中所述密封剂覆盖所述半导体管芯的侧边和半导体管芯的表面边缘，并且所述密封剂接触UBM；以及
在沉积所述密封剂之后直接在所述UBM上形成焊料凸点。
4. 如权利要求3所述方法，进一步包括：从半导体管芯去除所述载体。
5. 如权利要求3所述的方法，进一步包括在所述绝缘层内形成导电层。
6. 一种半导体装置，包括：
半导体管芯；
绝缘层，其在所述半导体管芯的第一表面上形成，其中所述半导体管芯的所述第一表面的表面边缘部分没有所述绝缘层；
在所述半导体管芯和绝缘层上并且与半导体管芯的有源表面直接物理接触来形成的凸点下金属化层UBM；
密封剂，其沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的第二表面以及没有所述绝缘层的所述半导体管芯的所述第一表面的表面边缘部分，其中所述密封剂接触所述UBM；和
在所述半导体管芯的表面边缘部分上部分地在密封剂中形成的凹槽。
7. 如权利要求6所述的半导体装置，进一步包括在所述UBM上形成的互连结构。
8. 如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述密封剂接触所述半导体管芯的至少五个表面。
9. 如权利要求6所述的半导体装置，进一步包括在所述绝缘层内形成的导电层。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月18日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：①本申请的发明构思在于将密封剂沉积在半导体管芯的侧壁和有源表面的暴露部分，对于UBM在接触盘处直接物理地接触半导体晶片的有源表面并没有带来意料不到的技术效果，而根据器件的具体需要使得UBM在接触盘处直接物理地接触半导体晶片的有源表面是本领域技术人员的常规选择；②对于先形成UBM再形成密封剂还是先形成密封剂再形成UBM是本领域技术人员根据工艺需要可以进行合理的调整的，并不需要付出创造性的劳动；③使用激光直接烧蚀来去除半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分并未带来意料不到的技术效果，而在激光切割过程中，使用激光直接烧蚀来去除半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分而密封剂的第二部分仍在半导体管芯的表面边缘上是本领域技术人员根据器件的具体需要可以进行选择的，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年04 月29 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性：（1）权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3相比，区别技术特征为：①沿着所述半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；②UBM包括粘附层、阻挡层、和润湿层，并且其中UBM在接触盘处直接物理地接触半导体晶片的有源表面，导电凸点直接在接触盘上；③UBM形成在半导体晶片单个化和沉积密封剂之前；④去除密封剂时使用的为激光直接烧蚀，上述特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求1的从属权利要求2的附加技术特征被对比文件3公开了，因此权利要求2也不具备创造性；权利要求3请求保护的技术方案与对比文件3相比，区别技术特征为：①UBM直接物理地接触半导体管芯的有源表面；②UBM形成在密封剂沉积之前，上述特征属于本领域的公知常识，因此权利要求3相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求3的从属权利要求4和5的附加技术特征或被对比文件3公开了，或属于本领域的常规设置，因此权利要求4和5也不具备创造性；权利要求6请求保护的技术方案与对比文件3相比，区别技术特征为：①UBM直接物理地接触半导体管芯的有源表面；②密封剂接触UBM，在半导体管芯周围的密封剂中形成的凹槽，上述特征属于本领域的公知常识，因此权利要求6相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求6的从属权利要求7-9的附加技术特征被对比文件3公开了，因此权利要求7-9也不具备创造性。
复审请求人于2019 年06 月14 日提交了意见陈述书，并提交了修改的权利要求书，其中将权利要求1中的特征“并且其中UBM在接触盘处直接物理地接触半导体晶片的有源表面”修改为“并且其中UBM在接触盘处直接物理地接触半导体管芯的每个的有源表面”，将“使所述半导体晶片单个化以将所述半导体管芯分开”修改为“使所述半导体晶片单个化以将所述多个半导体管芯分成多个单独半导体管芯”，将“将密封剂沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及所述半导体管芯的表面边缘”修改为“将密封剂沉积在所述多个单独半导体管芯上以及之间，以形成重组晶片并且覆盖每个单独半导体管芯的侧边以及每个单独半导体管芯的表面边缘”，并增加了特征“将所述多个单独半导体管芯安装到载体，其中绝缘层朝载体取向；在从去除密封剂的第一部分的步骤分开的步骤中将重组晶片单个化成多个单独半导体管芯，其中每个具有由密封剂覆盖的侧边以及由密封剂的第二部分覆盖的表面边缘”；在权利要求3中增加了特征“沿着半导体管芯的表面边缘去除绝缘层的一部分；在形成UBM之后，将半导体管芯安装到载体，其中绝缘层朝载体取向；其中所述密封剂覆盖所述半导体管芯的侧边和半导体管芯的表面边缘，并且所述密封剂接触UBM”；将权利要求4的附加技术特征修改为“从半导体管芯去除所述载体”。复审请求人认为：（1）权利要求1中记载了“在形成UBM之后，使所述半导体晶片单个化以将所述多个半导体管芯分成多个单独半导体管芯”，在此阶段具有单独管芯的优点是单独管芯可以被首先测试并且只有已知的好管芯然后才可以被安装到载体并且进一步处理。而对比文件3中的整体晶片被安装到对比文件3的支撑构件300，在将整体晶片安装到支撑构件300之后将多个半导体管芯分开；（2）权利要求1中记载了“使用激光直接烧蚀来去除单独半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分，而密封剂的第二部分仍在单独半导体管芯的表面边缘上”，即本申请的管芯的边缘表面上的密封剂的一部分被去除，而不是完全地，留下了管芯的边缘表面上的一部分。而对比文件3的传播防止单元400在每个封装的边缘处是完好的；（3）权利要求3中“密封剂接触UBM”，对比文件3中传播防止单元400没有接触UBM。在本申请中，任何接触UBM的未去除的密封剂可能对UBM来说进一步增加了机械稳定性；（4）权利要求6中记载了“在所述半导体管芯的表面边缘部分上部分地在密封剂中形成的凹槽”，在对比文件3的传播防止单元400中不存在这样的凹槽。
2019年06月14日提交的权利要求书如下：
“1. 一种制作半导体装置的方法，包括：
提供包括多个半导体管芯的半导体晶片，其中每个半导体管芯包括有源表面，所述有源表面包括在有源表面中形成的接触盘；
在所述多个半导体管芯的每个的有源表面上形成绝缘层包括在接触盘上形成绝缘层；
沿着每个半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；
在所述半导体晶片以及绝缘层上形成凸点下金属化层UBM，其中所述UBM包括粘附层、阻挡层、和润湿层，并且其中UBM在接触盘处直接物理地接触半导体管芯的每个的有源表面；
在形成UBM之后，使所述半导体晶片单个化以将所述多个半导体管芯分成多个单独半导体管芯；
将所述多个单独半导体管芯安装到载体，其中绝缘层朝载体取向；
在使所述半导体晶片单个化之后以及在形成所述UBM之后，将密封剂沉积在所述多个单独半导体管芯上以及之间，以形成重组晶片并且覆盖每个单独半导体管芯的侧边以及每个单独半导体管芯的表面边缘，其中所述密封剂接触所述UBM；
使用激光直接烧蚀来去除单独半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分，而密封剂的第二部分仍在单独半导体管芯的表面边缘上；
在沉积所述密封剂之后，形成直接接触所述UBM并直接在接触盘上的导电凸点；以及
在从去除密封剂的第一部分的步骤分开的步骤中将重组晶片单个化成多个单独半导体管芯，其中每个具有由密封剂覆盖的侧边以及由密封剂的第二部分覆盖的表面边缘。
2. 如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述绝缘层内形成导电层。
3. 一种制作半导体装置的方法，包括：
提供包括有源表面的半导体管芯；
在所述半导体管芯的有源表面上形成绝缘层；
沿着半导体管芯的表面边缘去除绝缘层的一部分；
在所述半导体管芯上并且与半导体管芯的有源表面直接物理接触来形成凸点下金属化层UBM；
在形成UBM之后，将半导体管芯安装到载体，其中绝缘层朝载体取向；
在形成所述绝缘层和UBM之后将密封剂沉积在所述半导体管芯上，其中所述密封剂覆盖所述半导体管芯的侧边和半导体管芯的表面边缘，并且所述密封剂接触UBM；以及
在沉积所述密封剂之后直接在所述UBM上形成焊料凸点。
4. 如权利要求3所述方法，进一步包括：
从半导体管芯去除所述载体。
5. 如权利要求3所述的方法，进一步包括在所述绝缘层内形成导电层。
6. 一种半导体装置，包括：
半导体管芯；
绝缘层，其在所述半导体管芯的第一表面上形成，其中所述半导体管芯的所述第一表面的表面边缘部分没有所述绝缘层；
在所述半导体管芯和绝缘层上并且与半导体管芯的有源表面直接物理接触来形成的凸点下金属化层UBM；
密封剂，其沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的第二表面以及没有所述绝缘层的所述半导体管芯的所述第一表面的表面边缘部分，其中所述密封剂接触所述UBM；和
在所述半导体管芯的表面边缘部分上部分地在密封剂中形成的凹槽。
7. 如权利要求6所述的半导体装置，进一步包括在所述UBM上形成的互连结构。
8. 如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述密封剂接触所述半导体管芯的至少五个表面。
9. 如权利要求6所述的半导体装置，进一步包括在所述绝缘层内形成的导电层。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时修改了权利要求书，经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本次复审通知书所针对的文本是：复审请求人于2019年06月14日提交的权利要求第1-9项；于申请日2013年05月07日提交的说明书第0001-0083段、说明书附图图1至图12、说明书摘要、摘要附图。
（二）具体审查意见
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别特征，而该区别特征为本领域的公知常识，在上述最接近现有技术的基础上结合本领域公知常识得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审通知书引用了与驳回决定以及复审通知书相同的文件：
对比文件3：US2009/0091001A1，公开日为2009年04月09日。
1.权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种制作半导体装置的方法。对比文件3公开了一种制作半导体装置的方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0031]-[0072]段，附图1-22）：提供半导体基材210（相当于半导体晶片），在半导体基材210上表面中形成有集成电路单元220，集成电路单元220包括晶体管或电极连接等各种电路元件，半导体基材210在后端制造中会被分割成多个独立的单元，其中集成电路单元220的上表面（相当于有源表面）中形成有电极端子225（相当于接触盘）（即公开了提供包括多个半导体管芯的半导体晶片，其中所述半导体管芯包括有源表面，所述有源表面包括在有源表面中形成的接触盘）；半导体基材210上表面以及电极端子225上形成有介电层230和232（相当于绝缘层）（即公开了在所述半导体晶片的有源表面上形成绝缘层包括在接触盘上形成绝缘层），其中半导体基材210的上表面的边缘部分没有被介电层230和232覆盖（参见附图16）；参见附图18，在半导体基材210中特定区域形成沟槽Y以将半导体基材210分割成多个（即公开了使所述半导体晶片单个化以将所述多个半导体管芯分成多个单独半导体管芯）；将分割为多个的半导体基材安装到支撑构件300（相当于载体）上，其中介电层230和232朝支撑构件300取向；将破裂防止单元400（相当于密封剂）形成在单个半导体基材210上以及单个半导体基材210之间的区域，已将分割为多个的半导体基材重组成一个晶片，并覆盖单个半导体基材210的侧边以及表面边缘，其中破裂防止单元400的材料可以是环氧树脂；以及在形成破裂防止单元400之后，在介电层230和232上形成金属层250（相当于凸点下金属化层UBM）以及形成直接接触金属层250的焊料凸块260（相当于导电凸点）；如图22，切割掉沟槽Y区域的破裂防止单元400材料以分割半导体基材210，从图中可以确定，此切割过程去除了半导体基材210的上表面边缘上的一部分破裂防止单元400（相当于密封剂的第一部分），但仍有破裂防止单元400（相当于密封剂的第二部分）保留在半导体基材210的上表面边缘上，单个半导体基材210的侧边也覆盖着破裂防止单元400。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3相比，区别技术特征为：①沿着所述半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；②UBM包括粘附层、阻挡层和润湿层，并且其中UBM在接触盘处直接物理地接触半导体晶片的有源表面，导电凸点直接在接触盘上；③UBM形成在半导体晶片单个化和沉积密封剂之前且接触密封剂；④去除密封剂时使用的为激光直接烧蚀,在从去除密封剂的第一部分的步骤分开的步骤中将重组晶片单个化成多个单独半导体管芯。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①形成需要结构的绝缘层；②提高UBM与其它层的粘接性、阻挡离子污染半导体管芯以及形成需要结构的导电凸点结构；③选择合适的工艺步骤形成UBM；④提高切割的速度和质量。
对于区别技术特征①，权利要求1中将半导体管芯表面边缘的一部分绝缘层去除以露出半导体管芯表面边缘，对比文件3中公开了半导体基材210的上表面的边缘部分没有被介电层230和232覆盖（参见附图16），即对比文件3公开了权利要求1中半导体管芯表面边缘没有被绝缘层覆盖这一结构，而要形成半导体管芯的表面边缘不被绝缘层覆盖这一结构，通常有两种方形，一种是直接在半导体管芯的表面边缘不形成绝缘层，另一种是在半导体管芯边缘先形成绝缘层，然后再去除，两种都是常用的形成方式，本领域技术人员可以根据需要来选择，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征②，UBM是形成半导体封装中常用部件，为了提高UBM与其他层之间的粘接性以及为了阻挡金属离子扩散到半导体管芯中污染半导体管芯，将UBM设置成包括粘附层、阻挡层和润湿层的叠层结构是本领域的常用技术手段；而在形成UBM和UBM上的导电凸点时，常用的设置方式包括将UBM直接形成在半导体管芯有源表面的接触盘上、导电凸点直接形成在UBM即接触盘上方，或者为了布线的需要，在接触盘上形成再布线层，将UBM和导电凸点形成在需要的位置处（即对比文件3公开的设置方式），最终均达到导电凸点与接触盘电连接的效果，两种设置均是常规设置，本领域技术人员可以根据需要来选择设置，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征③，权利要求1要求保护的技术方案中是先形成UBM然后进行单个化之后形成密封剂，对比文件3公开的技术方案为先单个化，然后形成破裂防止单元400即密封剂，之后形成UBM，上述两种形成方式最后均是形成能够保护半导体管芯的密封剂包裹半导体管芯的封装结构，只是工艺步骤先后顺序不同而已，工艺步骤的调整是本领域技术人员根据需要来调整设置的，其调整带来的效果也是可以预料的，在形成密封剂之前形成UBM，其在形成密封剂时可以形成与密封剂接触的结构，沉积也是形成密封剂的常用方法，均属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征④，常用的半导体芯片分割技术包括激光切割、锯条切割，而激光切割具有速度快、质量高的特点，本领域技术人员可以根据需要来选择使用，属于本领域的常规选择。而在进行切割时，先进行预切割来形成切割道以确定切割位置并提高切割质量，再进行切割是本领域的常用技术手段。本领域技术人员在切割分离半导体芯片时，可以先切割去除一部分密封剂，确定切割位置并形成切割道，再执行切割工艺。
因此，在对比文件3的基础上结合本领域的公知常识以获得该利要求所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2引用权利要求1。对比文件3还公开了（参见附图16）：在介电层230和232内形成导电层240。可见，权利要求2的附加技术特征被对比文件3公开了，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
3.权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3请求保护一种制作半导体装置的方法。对比文件3公开了一种制作半导体装置的方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0031]-[0072]段，附图1-22）：提供半导体基材210，在半导体基材210上表面中形成有集成电路单元220，集成电路单元220包括晶体管或电极连接等各种电路元件，半导体基材210在后端制造中会被分割成多个独立的单元；半导体基材210的集成电路单元220的上表面（相当于有源表面）以及电极端子225上形成有介电层230和232（相当于绝缘层）（即公开了在所述半导体管芯的有源表面上形成绝缘层），其中半导体基材210的上表面的边缘部分没有被介电层230和232覆盖（参见附图16）；参见附图18，在半导体基材210中特定区域形成沟槽Y以将半导体基材210分割成多个；将分割为多个的半导体基材安装到支撑构件300（相当于载体）上，其中介电层230和232朝支撑构件300取向；将破裂防止单元400（相当于密封剂）形成在半导体基材210上以覆盖单个半导体基材210的侧边以及表面边缘，其中破裂防止单元400的材料可以是环氧树脂；以及在形成破裂防止单元400之后，在介电层230和232上形成金属层250（相当于凸点下金属化层UBM）以及形成直接接触金属层250的焊料凸块260（相当于焊料凸点）。
权利要求3请求保护的技术方案与对比文件3相比，区别技术特征为：①沿着所述半导体管芯的表面边缘去除所述绝缘层的一部分；②UBM直接物理地接触半导体管芯的有源表面；③UBM形成在密封剂沉积之前，密封剂接触UBM。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①形成需要结构的绝缘层；②形成需要结构的UBM和导电凸点结构；③选择合适的工艺步骤形成UBM。
对于区别技术特征①，权利要求3中将半导体管芯表面边缘的一部分绝缘层去除以露出半导体管芯表面边缘，对比文件3中公开了半导体基材210的上表面的边缘部分没有被介电层230和232覆盖（参见附图16），即对比文件3公开了权利要求3中半导体管芯表面边缘没有被绝缘层覆盖这一结构，而要形成半导体管芯的表面边缘不被绝缘层覆盖这一结构，通常有两种方形，一种是直接在半导体管芯的表面边缘不形成绝缘层，另一种是在半导体管芯边缘先形成绝缘层，然后再去除，两种都是常用的形成方式，本领域技术人员可以根据需要来选择，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征②，在形成UBM和UBM上的导电凸点时，常用的设置方式包括将UBM直接形成在半导体管芯有源表面的接触盘上、导电凸点直接形成在UBM即接触盘上方，或者为了布线的需要，在接触盘上形成再布线层，将UBM和导电凸点形成在需要的位置处（即对比文件3公开的设置方式），最终均达到导电凸点与接触盘电连接的效果，两种设置均是常规设置，本领域技术人员可以根据需要来选择设置，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征③，权利要求3要求保护的技术方案中是先形成UBM然后沉积密封剂，对比文件3公开的技术方案为先单个化，然后形成破裂防止单元400即密封剂，之后形成UBM，上述两种形成方式最后均是形成能够保护半导体管芯的密封剂包裹半导体管芯的封装结构，只是工艺步骤先后顺序不同而已，工艺步骤的调整是本领域技术人员根据需要来调整设置的，其调整带来的效果也是可以预料的，在形成密封剂之前形成UBM，其在形成密封剂时可以形成与密封剂接触的结构，沉积也是形成密封剂的常用方法，均属于本领域的常规选择。
因此，在对比文件3的基础上结合本领域的公知常识以获得该利要求所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4.权利要求4和5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4和5引用权利要求3。对比文件3还公开了（参见说明书第[0031]-[0072]段，附图1-22）：提供支撑构件300（相当于载体），将半导体基材210设置在支撑构件300上；将破裂防止单元400沉积在半导体基材210和支撑构件300上以覆盖半导体基材210的侧边，以及去除支撑构件300。在介电层230和232内形成导电层240。可见，权利要求4的和权利要求5的附加技术特征被对比文件3公开了，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
5.权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6请求保护一种半导体装置。对比文件3公开了一种半导体装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0031]-[0072]段，附图1-22）：半导体基材210，在半导体基材210上表面中形成有集成电路单元220，集成电路单元220包括晶体管或电极连接等各种电路元件，半导体基材210在后端制造中会被分割成多个独立的单元；半导体基材210上表面（相当于第一表面）形成有介电层230和232（相当于绝缘层），其中半导体基材210的上表面的边缘部分没有被介电层230和232覆盖（参见附图16）；破裂防止单元400（相当于密封剂）形成在半导体基材210上以覆盖单个半导体基材210的下表面以及上表面边缘，其中破裂防止单元400的材料可以是环氧树脂；在介电层230和232上形成金属层250（相当于凸点下金属化层UBM）以及形成有直接接触金属层250的焊料凸块260。
权利要求6请求保护的技术方案与对比文件3相比，区别技术特征为：①UBM直接物理地接触半导体管芯的有源表面；②密封剂接触UBM，在半导体管芯周围的密封剂中形成的凹槽。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①形成需要结构的UBM；②形成需要的封装结构和分割半导体管芯。
对于区别技术特征①，在形成UBM和UBM上的导电凸点时，常用的设置方式包括将UBM直接形成在半导体管芯有源表面的接触盘上、导电凸点直接形成在UBM即接触盘上方，或者为了布线的需要，在接触盘上形成再布线层，将UBM和导电凸点形成在需要的位置处（即对比文件3公开的设置方式），最终均达到导电凸点与接触盘电连接的效果，两种设置均是常规设置，本领域技术人员可以根据需要来选择设置，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征②，权利要求6要求保护的技术方案中是先形成UBM然后形成密封剂，对比文件3公开的技术方案为先单个化，然后形成破裂防止单元400即密封剂，之后形成UBM，上述两种形成方式最后均是形成能够保护半导体管芯的密封剂包裹半导体管芯的封装结构，只是工艺步骤先后顺序不同而已，而如果选择先形成UBM然后再形成密封剂，密封剂接触露在外面的UBM是调整工艺带来的结构上的变化，是本领域技术人员容易想到的，沉积是形成密封剂的常用方法，属于本领域的常规选择。而在分割形成密封剂后的管芯结构时，先形成沟槽，然后再进行进一步切割是本领域的常用技术手段。
因此，在对比文件3的基础上结合本领域的公知常识以获得该利要求所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6.权利要求7-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7-9引用权利要求6。对比文件3还公开了（参见说明书第[0031]-[0072]段，附图1-22）：在金属层250上形成焊料凸块260（即互连结构的下位概念），破裂防止单元400接触半导体基材210的五个表面。在介电层230和232内形成导电层240。可见，权利要求7-9附加技术特征被对比文件3公开了，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人相关意见，合议组认为：
①利要求1先分割成单个体，然后再安装在载体上，对比文件3先形成沟槽Y，然后放置在支撑构件300上再薄化而形成单个体，形成单个体的步骤确实存在差别，但两种形成方式均是本领域常用技术手段，工艺步骤的不同带来的效果也是可以预期的。同时说明书中也没有记载要对“单独管芯进行测试，且只有已知的好管芯然后可以安装到载体进一步处理”，而且在制造过程中进行测试管芯也是本领域常用的技术手段，本领域技术人员可以根据需要的步骤来实施；
②复审请求人在意见陈述中利用附图对比的方式示出了本申请与对比文件3在形成密封剂切割后密封剂边缘处结构的不同，但进行审查时评述的创造性评述的对象为权利要求书。在权利要求1中描述到“去除单独半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分，而密封剂的第二部分仍在单独半导体管芯的表面边缘上”，边缘指周边部分、临界的意思，因此“表面边缘上的密封剂”包括“表面周边的密封剂”。因此上述描述没有描述出密封剂的第一部分和第二部分是半导体管芯的表面边缘的同一竖直位置的上下部分，也可以是边缘的水平位置的两个部分，即权利要求1的描述没有体现出本申请的构造。在对比文件3中，如图22，切割掉沟槽Y区域的破裂防止单元400材料以分割半导体基材210，从图中可以确定，此切割过程去除了半导体基材210的上表面边缘上的一部分破裂防止单元400，但仍有破裂防止单元400保留在半导体基材210的上表面边缘上。即对比文件3公开了“去除半导体管芯的表面边缘上的密封剂的第一部分，而密封剂的第二部分仍在半导体管芯的表面边缘上”，没有公开的特征是“在从去除密封剂的第一部分的步骤分开的步骤中将重组晶片单个化成多个单独半导体管芯”，而在进行切割时，先进行预切割来形成切割道以确定切割位置并提高切割质量，再进行切割是本领域的常用技术手段。本领域技术人员在切割分离半导体芯片时，可以先切割去除一部分密封剂，确定切割位置并形成切割道，再执行切割工艺；
③UBM接触密封剂是UBM在形成密封剂之前形成所带来的结构上的变化，权利要求1要求保护的技术方案中是先形成UBM然后进行单个化之后形成密封剂，对比文件3公开的技术方案为先单个化，然后形成破裂防止单元400即密封剂，之后形成UBM，上述两种形成方式最后均是形成能够保护半导体管芯的密封剂包裹半导体管芯的封装结构，只是工艺步骤先后顺序不同而已，工艺步骤的调整是本领域技术人员根据需要来调整设置的，其调整带来的效果也是可以预料的，在形成密封剂之前形成UBM，其在形成密封剂时可以形成与密封剂接触的结构，属于本领域的常规选择；
④密封剂中形成凹槽是为了预切割。而在进行切割时，先进行预切割来形成切割道以确定切割位置并提高切割质量，再进行切割是本领域的常用技术手段。本领域技术人员在切割分离半导体芯片时，可以先切割去除一部分密封剂，确定切割位置并形成切割道，再执行切割工艺。
因此复审请求人的意见陈述不具备说服力。
基于上述理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年09 月25 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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