发明创造名称：用于减少电路中的泄漏电流的偏置技术和电路布置
外观设计名称：
决定号：190599
决定日：2019-09-19
委内编号：1F275533
优先权日：2014-05-29，2015-04-20
申请（专利）号：201580027283.1
申请日：2015-04-21
复审请求人：高通股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：郭春春
合议组组长：柴德娥
参审员：杨静
国际分类号：H02H9/04，G05F1/46，H01L27/02
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术相比存在区别技术特征，其中部分区别技术特征未被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，并且基于该部分区别技术特征，该权利要求的技术方案解决了相应的技术问题，并带来了有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求决定涉及申请号为201580027283.1，名称为“用于减少电路中的泄漏电流的偏置技术和电路布置”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为高通股份有限公司，申请日为2015年04月21日，优先权日为2014年05月29日、2015年04月20日，进入中国国家阶段日期为2016年11月24日，公开日为2017年02月22日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年01月17日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：对比文件1（US2008130181A1，公开日为2008年06月05日）公开了一种电子装置。权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）电压调节器耦合在所述头端开关和所述电路之间；（2）所述第一晶体管具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度。然而，区别技术特征（1）属于本领域的惯用手段；区别技术特征（2）被对比文件2（US2003174534A1，公开日为2003年09月18日）公开，因此权利要求1不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。权利要求2-11、15-17的附加技术特征或者属于本领域的公知常识，或者被对比文件1公开，因此上述权利要求也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。权利要求18的附加技术特征被对比文件3（CN1870379A，公开日为2006年11月29日）公开，因此权利要求18也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。权利要求19与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）用于生成经调节的电压的部件耦合在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件与所述电路之间；（2）所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度。然而，区别技术特征（1）属于本领域的惯用手段；区别技术特征（2）被对比文件2公开，因此权利要求19不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。权利要求20的附加技术特征部分被对比文件1公开，其余特征属于本领域的公知常识，因此权利要求20也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。驳回决定所依据的文本为，2018年03月19日提交的权利要求第1-20项，进入中国国家阶段日2016年11月24日提交的国际申请中文译文的说明书第1-83段、说明书附图图1-9、说明书摘要、摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1.一种电子装置，包括：
输入/输出I/O管脚；
电路；
头端开关，包括第一晶体管，其中电压调节器耦合在所述头端开关和所述电路之间，其中所述第一晶体管具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度，并且其中所述电路由所述电压调节器供电；和
静电放电器件，耦合至所述I/O管脚并且耦合至所述电压调节器。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至电压调节器输出节点，并且其中所述静电放电器件包括二极管，所述二极管具有耦合至所述I/O管脚的第一端子和耦合至所述电压调节器输出节点的第二端子。
3.根据权利要求2所述的装置，进一步包括电压选择电路，所述电压选择电路包括第一电压输入和第二电压输入，所述电压选择电路被配置为有选择地将所述第一电压输入和所述第二电压输入之一耦合至电压选择电路输出。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至电压调节器输出节点，并且其中所述静电放电器件包括静电放电保护电路，所述静电放电保护电路耦合至所述电压调节器输出节点并且耦合至接地管脚，所述接地管脚经由第二静电放电器件耦合至所述I/O管脚。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至电压调节器输出节点，并且其中所述静电放电器件包括：
二极管，所述二极管具有耦合至所述I/O管脚的第一端子和耦合至所述电压调节器输出节点的第二端子；和
静电放电保护电路，所述静电放电保护电路耦合至所述电压调节器输出节点并且耦合至接地管脚，所述接地管脚耦合至所述I/O管脚。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述头端开关包括上拉晶体管和下拉晶体管，所述上拉晶体管在所述头端开关的输出节点处耦合至所述下拉晶体管。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一晶体管包括所述上拉晶体管。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一晶体管包括所述下拉晶体管。
9.根据权利要求6所述的装置，其中所述头端开关包括保持开关，所述保持开关被配置为将数字模块置于保持模式。
10.根据权利要求6所述的装置，其中所述电压调节器耦合至所述头端开关的输出。
11.根据权利要求6所述的装置，其中所述头端开关进一步包括反相器，所述反相器具有输入，所述输入被耦合用于接收启用信号，所述反相器进一步具有输出，所述输出被耦合至所述上拉晶体管并且被耦合至所述下拉晶体管。
12.根据权利要求6所述的装置，其中所述头端开关包括保持模式逻辑电路，所述保持模式逻辑电路对启用信号作出响应并且进一步对保持控制信号作出响应，并且其中所述保持模式逻辑电路的输出耦合至所述下拉晶体管。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述头端开关包括保持反馈级，所述保持反馈级耦合至开关器件，所述开关器件被配置为有选择地将来自所述保持反馈级的保持反馈信号提供至所述上拉晶体管的栅极，并且其中所述上拉晶体管被配置为将所述头端开关的输出节点处的输出电压设置为保持电压电平。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述保持反馈级包括分压器，所述分压器耦合至差分放大器的第一输入，并且其中所述差分放大器的第二输入耦合至所述头端开关的所述输出节点。
15.根据权利要求1所述的装置，其中所述静电放电器件被配置为在所述I/O管脚和所述电压调节器的电压调节器输出节点之间提供 放电电流路径。
16.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器包括低压降电压调节器(LDO)。
17.根据权利要求1所述的装置，其中所述头端开关经由所述电压调节器耦合到所述静电放电器件。
18.根据权利要求1所述的装置，其中所述静电放电器件包括禁用电路和钳位电路，所述禁用电路被配置为响应于接收到禁用信号而将所述钳位电路禁用。
19.一种电子装置，包括：
用于传导输入/输出I/O信号的部件；
电路；
用于生成经调节的电压的部件；
用于有选择地提供供电电压的部件，所述用于有选择地提供供电电压的部件包括用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件，所述用于生成经调节的电压的部件耦合在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件与所述电路之间，所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度，所述电路通过所述用于生成经调节的电压的部件由所述经调节的电压供电；和
用于沿在所述用于传导I/O信号的部件和所述用于生成经调节的电压的部件之间的放电电流路径对静电电荷进行放电的部件。
20.根据权利要求19所述的装置，其中所述端子包括电压供电端子或接地端子。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月05日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1和对比文件2均未公开技术特征“静电放电器件，耦合至所述I/O管脚并且耦合至所述电压调节器”，对比文件1中的静电放电器件ESD2实际上一端连接至电源端子VDD和调节器REG，而另一端则是连接至接地端GND，根据对比文件1的记载，第二静电放电器件ESD2仅在电源端子VDD和调节器REG上的静电电荷大于预设值时，将电源端子VDD和调节器REG上的静电电荷放电至接地GND，而并不会将电流从接地端GND经由二极管D2流至输出端子2，第二静电放电器件ESD2的接地端与输出端子2在电学上实际无任何关联性，二极管D2所在支路在正常操作期间实际为断路。因此本申请具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月11日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，首先权利要求1仅限定了静电放电器件耦合至所述I/O管脚，并没有限定静电放电器件与I/O管脚之间的电流走向，耦合可以包括直接电连接，也可以包括间接电连接；其次，对比文件1第47段记载了：当输出端子2被施加负电压时，二极管D2导通，以允许负电压泄放到接地端。也即负电流从输出端子2流向接地端，实际上也可看成正电流从接地端流向被施加了负电压的输出端子，因此，在此种情况下，接地端（同时也是ESD2的一端）与输出端子2之间是有能量传递的，因此复审请求人的意见没有说服力，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月11日向复审请求人发出复审通知书，指出：对比文件1公开了一种具有过电压保护的电子电路，权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）所述第一晶体管具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度；（2）电压调节器耦合在所述头端开关和所述电路之间，静电放电器件耦合至所述电压调节器。其中区别技术特征（1）被对比文件2公开；区别技术特征（2）属于本领域技术人员根据对比文件1公开的内容容易做出的适应性修改，因此权利要求1不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。权利要求2-11、15-18的附加技术特征或者被对比文件1、3公开，或者属于本领域的公知常识，因此上述权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。权利要求19与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度；（2）所述用于生成经调节的电压的部件耦合在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件和所述电路之间，放电电流路径为沿所述用于传导I/O信号的部件和所述用于生成经调节的电压的部件之间。其中,区别技术特征（1）被对比文件2公开，区别技术特征（2）属于本领域技术人员根据对比文件1公开的内容容易做出的适应性修改，因此权利要求19不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。权利要求20的部分附加技术特征被对比文件1公开，其余部分属于本领域的公知常识，因此，权利要求20也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
针对复审请求人的意见，合议组认为：对比文件1公开了静电保护电路ESPR1包括二极管D1、D2和第一静电放电装置ESD1，其中二极管D1的第一端T1连接至第二开关M2的输出端O2、第二端T2连接至输出端子2，二极管D2的第一端T3连接至输出端子2、第二端连接至接地端子GND，第一静电放电装置ESD1连接在第二开关M2的输出端O2与接地端子GND之间（参见说明书第21-23段及图1）；考虑到静电放电行为，在输出端子2引入过电压时，例如引入正电荷，则使得输出端子2和二极管D1的第二端T2电位升高，从而使得二极管D1直接偏置，在这种情况下，在输出端子2引入的正电荷到达二极管D1的第一端T1，从而激活第一静电放电装置ESD1，从而使其流向接地端GND；在输出端子2引入负电荷时，使得二极管D2直接偏置，从而使得相同的电荷被放电至接地端GND（参见说明书第47段）。也就是说静电保护电路ESPR1提供了在输出端子2和第二开关M2的输出端O2之间的放电电流路径。然而，串联连接的两个元件交换连接顺序属于本领域技术人员的惯用手段；同时，在电压调节器REG与第二开关M2的串联连接的顺序的互换后，本领域技术人员必然会适应性地将原本连接在第二开关M2输出端的静电保护电路ESPR1改变为连接在电压调节器REG的输出端，从而放电电流路径为沿输出端子2和电压调节器REG之间。因此，本申请不具备创造性。
复审请求人于2019年07月10日提交了意见陈述书，并提交了经修改的权利要求书（共18项权利要求），其中修改涉及：在原独立权利要求1、19中增加了原权利要求6和12的附加技术特征，并删除原权利要求6和12，并适应性的修改权利要求的编号。复审请求人认为：对比文件1仅公开了作为单个MOS晶体管的开关M2耦合在电压调节器REG与电子电路ESPR1之间。而未公开或教导独立权利要求新增的技术特征，且新增的特征不属于本领域的公知常识。因此本申请具备创造性。
答复复审通知书时提交的修改的权利要求书如下：
“1.一种电子装置，包括：
输入/输出I/O管脚；
电路；
头端开关，包括第一晶体管，其中电压调节器耦合在所述头端开关和所述电路之间，其中所述第一晶体管具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度，并且其中所述电路由所述电压调节器供电；和
静电放电器件，耦合至所述I/O管脚并且耦合至所述电压调节器，
其中所述头端开关包括上拉晶体管和下拉晶体管，所述上拉晶体管在所述头端开关的输出节点处耦合至所述下拉晶体管，以及
其中所述头端开关包括保持模式逻辑电路，所述保持模式逻辑电路对启用信号作出响应并且进一步对保持控制信号作出响应，并且其中所述保持模式逻辑电路的输出耦合至所述下拉晶体管。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至电压调节器输出节点，并且其中所述静电放电器件包括二极管，所述二极管具有耦合至所述I/O管脚的第一端子和耦合至所述电压调节器输出节点的第二端子。
3.根据权利要求2所述的装置，进一步包括电压选择电路，所述电压选择电路包括第一电压输入和第二电压输入，所述电压选择电路被配置为有选择地将所述第一电压输入和所述第二电压输入之一耦合至电压选择电路输出。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至电压调节器输出节点，并且其中所述静电放电器件包括静电放电保护电路，所述静电放电保护电路耦合至所述电压调节器输出节点并且耦合至接地管脚，所述接地管脚经由第二静电放电器件耦合至所述I/O管脚。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至电压调节器输出节点，并且其中所述静电放电器件包括：
二极管，所述二极管具有耦合至所述I/O管脚的第一端子和耦合至所述电压调节器输出节点的第二端子；和
静电放电保护电路，所述静电放电保护电路耦合至所述电压调节器输出节点并且耦合至接地管脚，所述接地管脚耦合至所述I/O管脚。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管包括所述上拉晶体管。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管包括所述下拉晶体管。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述头端开关包括保持开关，所述保持开关被配置为将数字模块置于保持模式。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器耦合至所述头端开关的输出。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述头端开关进一步包括反相器，所述反相器具有输入，所述输入被耦合用于接收启用信号，所述反相器进一步具有输出，所述输出被耦合至所述上拉晶体管并且被耦合至所述下拉晶体管。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述头端开关包括保持反馈级，所述保持反馈级耦合至开关器件，所述开关器件被配置为有选择地将来自所述保持反馈级的保持反馈信号提供至所述上拉晶体管的栅极，并且其中所述上拉晶体管被配置为将所述头端开关的输出节点处的输出电压设置为保持电压电平。
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述保持反馈级包括分压器，所述分压器耦合至差分放大器的第一输入，并且其中所述差分放大器的第二输入耦合至所述头端开关的所述输出节点。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述静电放电器件被配置为在所述I/O管脚和所述电压调节器的电压调节器输出节点之间提 供放电电流路径。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述电压调节器包括低压降电压调节器(LDO)。
15.根据权利要求1所述的装置，其中所述头端开关经由所述电压调节器耦合到所述静电放电器件。
16.根据权利要求1所述的装置，其中所述静电放电器件包括禁用电路和钳位电路，所述禁用电路被配置为响应于接收到禁用信号而将所述钳位电路禁用。
17.一种电子装置，包括：
用于传导输入/输出I/O信号的部件；
电路；
用于生成经调节的电压的部件；
用于有选择地提供供电电压的部件，所述用于有选择地提供供电电压的部件包括用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件，所述用于生成经调节的电压的部件耦合在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件与所述电路之间，所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度，所述电路通过所述用于生成经调节的电压的部件由所述经调节的电压供电；和
用于沿在所述用于传导I/O信号的部件和所述用于生成经调节的电压的部件之间的放电电流路径对静电电荷进行放电的部件，
其中所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件包括上拉晶体管和下拉晶体管，所述上拉晶体管在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件的输出节点处耦合至所述下拉晶体管，以及
其中所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件包括保持模式逻辑电路，所述保持模式逻辑电路对启用信号作出响应并且进一步对保持控制信号作出响应，并且其中所述保持模式逻辑电路的输出耦合至所述下拉晶体管。
18.根据权利要求17所述的装置，其中所述端子包括电压供电 端子或接地端子。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年07月10日答复复审通知书时提交了权利要求书的修改替换页（共18项权利要求），经审查，该修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所针对的审查文本为：复审请求人于2019年07月10日提交的权利要求第1-18项，进入中国国家阶段日2016年11月24日提交的国际申请中文译文的说明书第1-83段、说明书附图图1-9、说明书摘要、摘要附图。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术相比存在区别技术特征，其中部分区别技术特征未被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，并且基于该部分区别技术特征，该权利要求的技术方案解决了相应的技术问题，并带来了有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定及复审通知书所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2008130181A1，公开日为2008年06月05日；
对比文件2：US2003174534A1，公开日为2003年09月18日；
对比文件3：CN1870379A，公开日为2006年11月29日。
其中对比文件1作为最接近的现有技术。
1、关于权利要求1
权利要求1请求保护一种电子装置。对比文件1公开了一种具有过电压保护的电子电路，具体公开了以下技术特征（参见说明书第13-48段以及图1-3）：电子电路100包括：电压调节器REG，连接到电池BATT；lock-out电路VAMIC_AMP（即权利要求1中的电路），具有用于将电压提供给用户电路的输出端子2（即权利要求1中的输入/输出I/O管脚）；断路电子锁电路ITRB，包括第二开关M2（相当于权利要求1中的头端开关），第二开关M2为晶体管MOSFET（即权利要求1中的第一晶体管），第二开关M2连接在电压调节器REG与lock-out电路VAMIC_AMP之间，用于响应控制信号EN_VAMIC而有选择地导通从而将电压调节器REG连接到lock-out电路VAMIC_AMP，lock-out电路VAMIC_AMP由电压调节器REG供电；还包括静电保护电路ESPR1，其耦合至输出端子2并且耦合至第二开关M2的输出端O2。
权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）所述第一晶体管具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度；（2）电压调节器耦合在所述头端开关和所述电路之间，静电放电器件耦合至所述电压调节器，所述头端开关包括上拉晶体管和下拉晶体管，所述上拉晶体管在所述头端开关的输出节点处耦合至所述下拉晶体管；（3）所述头端开关包括保持模式逻辑电路，所述保持模式逻辑电路对启用信号作出响应并且进一步对保持控制信号作出响应，并且其中所述保持模式逻辑电路的输出耦合至所述下拉晶体管。基于上述区别技术特征可以确定权利要求1实际解决的技术问题为：（1）减少处于非活动状态时的泄漏电流；（2）有选择地提供供电电压；（3）提高头端开关的可控性。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种集成电路，具体公开了以下技术特征（参见说明书第18-20段、第29-30段以及图2、6）：晶体管520、550的栅极氧化物厚度大于放大器560中的晶体管的栅极氧化物厚度，栅极氧化物厚度越厚，晶体管在非活动状态时的栅极漏电流越小。可见对比文件2给出了增大晶体管栅极氧化物厚度以减少晶体管处于非活动状态时的泄漏电流的技术启示，本领域技术人员在面临如何减少晶体管非活动状态时的泄漏电流的技术问题时，有动机将对比文件2上述公开的内容结合到对比文件1，从而将第二开关M2的栅极氧化物厚度设置成大于电路其他晶体管的栅极氧化物厚度。
对于区别技术特征（2），对比文件1公开了电压调节器REG与第二开关M2串联连接在电源与被保护电路之间，通过第二开关M2的导通或关闭使得电压调节器REG为lock_out电路VAMIC_AMP提供或不提供供电电压；可见对比文件1所公开的电压调节器与第二开关连接的技术特征与区别技术特征（2）中电压调节器与头端开关连接的技术特征所起到的效果相同，不同的仅是两者的串联连接的顺序不同，然而串联连接的两个元件交换连接顺序属于本领域的公知常识；同时，在电压调节器REG与第二开关M2的串联连接的顺序的互换后，本领域技术人员必然会适应性地将原本连接在第二开关M2输出端的静电保护电路ESPR1改变为连接在电压调节器REG的输出端。另外，尽管对比文件1仅公开了头端开关具有一个晶体管（第二开关M2），然而将头端开关设计成上拉晶体管和下拉晶体管组合的方式也是本领域技术人员的惯用手段；
对于区别技术特征（3），对比文件2和对比文件3均没有公开该技术特征，其也不属于本领域的公知常识，并且由于该技术特征的引入，使得权利要求1的技术方案解决了如何提高头端开关的可控性的技术问题，从而获得使权利要求1请求保护的电子装置的控制更加可靠的有益效果。
因此相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识来说，权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、关于权利要求2-16
权利要求2-16直接或者间接引用权利要求1，由于权利要求1相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识具备创造性，因此，权利要求2-16相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求17
权利要求17请求保护一种电子装置。对比文件1公开了一种具有过电压保护的电子电路，具体公开了以下技术特征（参见说明书第13-48段以及图1-3）：电子电路100包括：电压调节器REG（即权利要求17中的用于生成经调节的电压的部件），连接到电池BATT；lock-out电路VAMIC_AMP（即权利要求17中的电路），具有用于将电压提供给用户电路的输出端子2（即权利要求17中的用于传导输入/输出I/O信号的部件）；断路电子锁电路ITRB，包括第二开关M2（相当于权利要求17中的用于有选择地提供供电电压的部件，用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件），第二开关M2连接在电压调节器REG与lock-out电路VAMIC_AMP之间，用于响应控制信号EN_VAMIC而有选择地导通从而将电压调节器REG连接到lock-out电路VAMIC_AMP，从而将第二开关的输出端O2有选择地连接到端子1，lock-out电路VAMIC_AMP由电压调节器REG供电；还包括静电保护电路ESPR1（即权利要求17中的用于对静电电荷进行放电的部件），其耦合至输出端子2并且耦合至第二开关M2的输出端O2。
权利要求17与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件具有第一氧化物厚度，所述第一氧化物厚度大于所述电路中的晶体管的第二氧化物厚度；（2）所述用于生成经调节的电压的部件耦合在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件和所述电路之间，放电电流路径为沿所述用于传导I/O信号的部件和所述用于生成经调节的电压的部件之间，其中所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件包括上拉晶体管和下拉晶体管，所述上拉晶体管在所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件的输出节点处耦合至所述下拉晶体管；（3）其中所述用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件包括保持模式逻辑电路，所述保持模式逻辑电路对启用信号作出响应并且进一步对保持控制信号作出响应，并且其中所述保持模式逻辑电路的输出耦合至所述下拉晶体管。基于上述区别技术特征可以确定权利要求17实际解决的技术问题为：（1）减少处于非活动状态时的泄漏电流；（2）有选择地提供供电电压；（3）提高用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件的可控性。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种集成电路，具体公开了以下技术特征（参见说明书第18-20段、第29-30段以及图2、6）：晶体管520/550的栅极氧化物厚度大于放大器560中的晶体管的栅极氧化物厚度，栅极氧化物厚度越厚，晶体管在非活动状态时的栅极漏电流越小。可见对比文件2给出了增大晶体管栅极氧化物厚度以减少晶体管处于非活动状态时的泄漏电流的技术启示，本领域技术人员在面临如何减少晶体管非活动状态时的泄漏电流的技术问题时，有动机将对比文件2上述公开的内容结合到对比文件1，从而将第二开关M2的栅极氧化物厚度设置成大于电路其他晶体管的栅极氧化物厚度。
对于区别技术特征（2），对比文件1公开了电压调节器REG与第二开关M2串联连接在电源与被保护电路之间，通过第二开关M2的导通或关闭使得电压调节器REG为lock_out电路VAMIC_AMP提供或不提供供电电压；可见对比文件1所公开的电压调节器与第二开关连接的技术特征与区别技术特征（2）中用于生成经调节的电压的部件与用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件连接的技术特征所起到的效果相同，不同的仅是两者的串联连接的顺序不同，然而串联连接的两个元件交换连接顺序属于本领域的公知常识；同时，在电压调节器REG与第二开关M2的串联连接的顺序的互换后，本领域技术人员必然会适应性地将原本连接在第二开关M2输出端的静电保护电路ESPR1改变为连接在电压调节器REG的输出端，从而放电电流路径为沿输出端子2和电压调节器REG之间。另外，尽管对比文件1仅公开了用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件具有一个晶体管（第二开关M2），然而将用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件设计成上拉晶体管和下拉晶体管组合的方式也是本领域技术人员的惯用手段。
对于区别技术特征（3），对比文件2和对比文件3均没有公开该技术特征，其也不属于本领域的公知常识，并且由于该技术特征的引入，使得权利要求17的技术方案解决了如何提高用于有选择地将输出节点耦合至端子的部件的可控性的技术问题，从而获得使权利要求17请求保护的电子装置的控制更加可靠的有益效果。
因此相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识来说，权利要求17具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于权利要求18
权利要求18引用权利要求17，由于权利要求17相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识具备创造性，因此，权利要求18相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）关于驳回决定、前置意见的意见
对比文件1-3均没有公开权利要求1中的技术特征“所述头端开关包括保持模式逻辑电路，所述保持模式逻辑电路对启用信号作出响应并且进一步对保持控制信号作出响应，并且其中所述保持模式逻辑电路的输出耦合至所述下拉晶体管”，并且该技术特征也不属于本领域的公知常识，并且由于该技术特征的引入，使得权利要求1的技术方案解决了如何提高头端开关的可控性的技术问题，从而获得使权利要求1请求保护的电子装置的控制更加可靠的有益效果。独立权利要求17中也增加了相应的技术特征。因此本申请具备创造性。
综上所述，驳回决定和复审通知书中所提出的缺陷均已克服，至于本申请是否存在其他不符合专利法及其实施细则的缺陷，留待原审查部门继续审查。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年01月17日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在复审请求人于2019年07月10日提交的权利要求第1-18项，进入中国国家阶段日2016年11月24日提交的国际申请中文译文的说明书第1-83段、说明书附图图1-9、说明书摘要、摘要附图的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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