发明创造名称：高纯锗探测器
外观设计名称：
决定号：190910
决定日：2019-09-18
委内编号：1F263182
优先权日：
申请（专利）号：201310741367.4
申请日：2013-12-27
复审请求人：同方威视技术股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：汪磊
合议组组长：张晶
参审员：孙勐
国际分类号：G01T1/24,H01L31/115
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件公开的技术方案相比存在多个区别技术特征，但这些区别技术特征或已被其他对比文件给出技术启示，或属于本领域的公知常识，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310741367.4、名称为“高纯锗探测器”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2013年12月27日，公开日为2015年07月01日，申请人为同方威视技术股份有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月03日以本申请权利要求1-10不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定为由作出驳回决定。驳回决定中引用了如下三篇对比文件：
对比文件1：US 2011/0298131 A1，公开日期为2011年12月08日；
对比文件3：US 2013/0341752 A1，公开日期为2013年12月26日；
对比文件5：碲锌镉探测器保护环的研究，张岚等，第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集，第276-280页，公开日期为2008年07月31日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日提交的说明书第1-51段、说明书附图1-5、说明书摘要和摘要附图，以及于2018年05月14日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1、一种高纯锗探测器，包括：
高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与所述高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和
导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将所述本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域，
其中，所述高纯锗探测器是同轴型或点电极型探测器，所述本征区裸露表面为所述高纯锗晶体的端面，所述第一电极连接于位于所述端面的中心孔或中心点的第一接触极，所述第二电极连接于所述高纯锗晶体的外周侧面，所述导电保护环靠近所述第一电极且与所述第一电极电绝缘，
其中，所述导电保护环与所述第一电极具有大致相同的电位，所述导电保护环设置于所述本征区裸露表面中的环绕所述第一电极的沟槽中，所述沟槽的宽度小于200微米，所述导电保护环是与所述沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且所述导电保护环的半径与被保护的所述端面的半径之比小于或等于1/3。
2、根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述沟槽的深度在1微米和10微米之间。
3、根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器还包括前置放大电路，所述导电保护环与所述前置放大电路的高阻输入端等电位电连接。
4、根据权利要求1-3中任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗晶体是N型高纯锗晶体或P型高纯锗晶体。
5、根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环的中心与所述端面的中心基本上重合。
6、一种高纯锗探测器，包括：
高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与所述高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和
导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将所述本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域，
其中，所述高纯锗探测器是平面型探测器，所述本征区裸露表面是所述高纯锗晶体的外周侧面，所述第一电极和第二电极分别连接在所述高纯锗晶体的两个端面，所述导电保护环设置在所述外周侧面上，靠近所述第一电极且与所述第一电极电绝缘，
其中，所述导电保护环与所述第一电极具有大致相同的电位，所述导电保护环设置于所述本征区裸露表面中的环绕所述第一电极的沟槽中，所述沟槽的宽度小于200微米，所述导电保护环是与所述沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且所述本征区裸露表面在导电保护环和第一电极之间的面积小于或等于所述本征区裸露表面的总面积的1/3。
7、根据权利要求6所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述沟槽的深度在1微米和10微米之间。
8、根据权利要求6所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器还包括前置放大电路，所述导电保护环与所述前置放大电路的高阻输入端等电位电连接。
9、根据权利要求6-8中任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗晶体是N型高纯锗晶体或P型高纯锗晶体。
10、根据权利要求6所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环与所述高纯锗晶体的轴向基本上垂直。”
驳回决定主要认为：1、独立权利要求1的技术方案与对比文件1的区别技术特征是：(1)采用了高纯锗晶体作为探测器材料；(2)探测器还可以是点电极接触型，第一接触极位于端面的中心孔或中心点，第二电极连接于晶体的外周侧面；(3)导电保护环设置于本征区裸露表面中的环绕第一电极的沟槽中，沟槽的宽度小于200微米，导电保护环是与沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且导电保护环的半径与被保护的端面的半径之比小于或等于1/3。然而，区别技术特征(1)和(2)是本领域的公知常识或常规技术手段，区别技术特征(3)是本领域技术人员在对比文件3的技术启示下结合本领域的常规技术手段和常规选择能够得到的，因而独立权利要求1相对于对比文件1、对比文件3与本领域常规技术手段的结合不具备创造性。从属权利要求2-5的附加技术特征或已被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，因而从属权利要求2-5也不具备创造性。2、独立权利要求6的技术方案与对比文件1的区别技术特征是：高纯锗探测器是平面型探测器，导电保护环设置在外周侧面上，靠近第一电极且与第一电极电绝缘，所述导电保护环设置于本征区裸露表面中的环绕所述第一电极的沟槽中，所述沟槽的宽度小于200微米，所述导电保护环是与所述沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且所述本征区裸露表面在导电保护环和第一电极之间的面积小于或等于所述本征区裸露表面的总面积的1/3。然而，上述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件5、对比文件3的技术启示下结合本领域的常规技术手段和常规选择能够得到的，因而独立权利要求6相对于对比文件1、对比文件5、对比文件3与本领域常规技术手段的结合不具备创造性。从属权利要求7-10的附加技术特征或已被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，因而从属权利要求7-10也不具备创造性。
申请人同方威视技术股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月18日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人主要认为：1、对于独立权利要求1，对比文件1的导电保护环2的半径与被保护的端面的半径之比为9/10，与权利要求1限定的数值范围存在较大的差异。对比文件1的导电保护环2宽度为3.25mm，比权利要求1限定的沟槽宽度200微米（该宽度对应与之匹配的导电保护环的宽度）大一个数量级。对比文件1的中心触头3相对于端面而言不能被视为接触点，应该被视为接触面，而本申请的第一接触极12可以被视为接触点。对比文件3也没有公开或暗示上述尺寸或比率。本申请获得了工艺简单、稳定有效的抑制高纯锗探测器的表面漏电流的技术方案，可显著提高检测精度和简化结构，相对于现有技术具有显著的进步。2、对于独立权利要求6，高纯锗探测器属于高精密度的探测器件，结构设计、尺寸参数、相对位置结构等参数决定了探测器件的性能。对比文件5是一篇学术论文，文中虽然提出了保护环的概念，但是没有给出任何结构和尺寸参数，与本申请的技术方案还存在较大的差距。因此本申请的权利要求1-10具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月24日依法受理了该复审请求，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
本案合议组于2019年05月27日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、独立权利要求1的技术方案与对比文件1之间的区别技术特征是：(1)权利要求1的探测器为高纯锗探测器，包括高纯锗晶体，该探测器是同轴型或点电极型探测器，本征区裸露表面为高纯锗晶体的端面，第一电极连接于端面的中心孔或中心点的第一接触极，第二电极连接于高纯锗晶体的外周侧面；(2)权利要求1的导电保护环与第一电极具有大致相同的电位，导电保护环设置于本征区裸露表面中的环绕第一电极的沟槽中，沟槽的宽度小于200微米，导电保护环是与沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且导电保护环的半径与被保护的端面的半径之比小于或等于1/3。然而，区别技术特征(1)属于本领域的公知常识，可参见本领域教科书《核辐射探测器》（丁洪林编著，哈尔滨工程大学出版社，2010年04月第1版），区别技术特征(2)是本领域技术人员在对比文件5和对比文件3的技术启示下结合本领域公知常识能够得到的，因而独立权利要求1相对于对比文件1、对比文件5、对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2-5的附加技术特征或已被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，因而从属权利要求2-5也不具备创造性。2、独立权利要求6的技术方案与对比文件1之间的区别技术特征是：(1)权利要求6的探测器为高纯锗探测器，包括高纯锗晶体，本征区裸露表面是高纯锗晶体的外周侧面；(2)权利要求6的导电保护环设置在外周侧面上，与第一电极具有大致相同的电位，导电保护环设置于本征区裸露表面中的环绕第一电极的沟槽中，沟槽的宽度小于200微米，导电保护环是与沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且本征区裸露表面在导电保护环和第一电极之间的面积小于或等于本征区裸露表面的总面积的1/3。然而，区别技术特征(1)属于本领域的公知常识，区别技术特征(2)是本领域技术人员在对比文件5和对比文件3的技术启示下结合本领域公知常识能够得到的，因而独立权利要求6相对于对比文件1、对比文件5、对比文件3与本领域公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求7-10的附加技术特征或已被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，因而从属权利要求7-10也不具备创造性。合议组还对复审请求人提出复审请求时陈述的意见进行了详细答复。
复审请求人于2019年07月11日针对复审通知书提交了意见陈述书，并同时提交了权利要求书的全文修改替换页，所作修改包括：在驳回决定所针对的文本基础上删除权利要求1-5，修改剩余权利要求的编号。修改后的权利要求书包括权利要求第1-5项，具体如下：
“1、一种高纯锗探测器，包括：
高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与所述高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和
导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将所述本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域，
其中，所述高纯锗探测器是平面型探测器，所述本征区裸露表面是所述高纯锗晶体的外周侧面，所述第一电极和第二电极分别连接在所述高纯锗晶体的两个端面，所述导电保护环设置在所述外周侧面上，靠近所述第一电极且与所述第一电极电绝缘，
其中，所述导电保护环与所述第一电极具有大致相同的电位，所述导电保护环设置于所述本征区裸露表面中的环绕所述第一电极的沟槽中，所述沟槽的宽度小于200微米，所述导电保护环是与所述沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且所述本征区裸露表面在导电保护环和第一电极之间的面积小于或等于所述本征区裸露表面的总面积的1/3。
2、根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述沟槽的深度在1微米和10微米之间。
3、根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器还包括前置放大电路，所述导电保护环与所述前置放大电路的高阻输入端等电位电连接。
4、根据权利要求1-3中任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗晶体是N型高纯锗晶体或P型高纯锗晶体。
5、根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环与所述高纯锗晶体的轴向基本上垂直。”
复审请求人主要认为：尽管保护环技术是探测器常用的技术之一，但好的设计会更好地提高探测器的性能。在对比文件1公开的平面型探测器结构中，为了取得好的信噪比，设置了信号引出电极3的面积和保护环2的面积，取得了一定的效果。本申请将整个高纯锗晶体的端面当作信号的引出处，并且在靠近信号引出处做保护环，电荷收集效率高，有效提高了信噪比，降低了表面处理工艺难度，降低了漏电流，取得了良好的技术效果。因此本申请的权利要求1-5具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出本审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年07月11日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定以复审请求人于申请日提交的说明书第1-51段、说明书附图1-5、说明书摘要和摘要附图，以及于2019年07月11日提交的权利要求第1-5项为基础作出。
（二）、有关创造性的问题
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件公开的技术方案相比存在多个区别技术特征，但这些区别技术特征或已被其他对比文件给出技术启示，或属于本领域的公知常识，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本申请，独立权利要求1请求保护一种高纯锗探测器。对比文件1公开了一种具有钇金属接触极的单晶锗圆柱平面型探测器，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第16、23段，图1-2）：该探测器包括裸露的锗表面区域1和4以及覆盖钇金属图案的区域2、3和5，探测器的两端平面覆盖钇金属图案作为空穴势垒接触极和电子势垒接触极，低电压端分为中心区3和保护环2，高电压端为单一未分区的接触极5，中心区3和保护环2之间的间隙4宽度为0.25mm，中心区3直径为11mm，保护环2和接触极5的外径为18mm，探测器的外径为20mm，厚度为10mm，探测器也可制造成其他任意图案或几何结构；未覆盖的区域1和4有时被称为本征表面，可覆盖氢化非晶锗以稳定或钝化这些表面以抵抗由真空不均匀性和热循环引起的多余的传导表面通道（例如US4589006）或使用物理表面特征以减少表面传导通道（例如US4237470）；中心区3和保护环2之间的阻抗大于1000GΩ，足够高以至于中心区3和保护环2各自连接的电荷灵敏电阻反馈前置放大器的稍微不同的门电压之间基本测不出电流（<>
将权利要求1的技术方案与对比文件1公开的技术方案对比可知，对比文件1公开了一种平面型“锗探测器”，其采用单晶锗，裸露的锗表面区域1和4对应于权利要求1中的“本征区裸露表面”。对比文件1的探测器一端平面覆盖分离的钇金属中心区3和保护环2，另一端平面覆盖未分区的钇金属区域5，形成空穴势垒接触极和电子势垒接触极，则中心区3和区域5分别对应于权利要求1中的“第一接触极”和“第二接触极”，并且本领域技术人员可直接地、毫无疑义地确定锗探测器还包括第一电极和第二电极分别与第一接触极和第二接触极相连，以及第一电极和第二电极分别连接在锗晶体的两个端面。对比文件1的保护环2由钇金属形成，覆盖在单晶锗的表面且环绕中心区3设置，则其必然也环绕与中心区3相连的第一电极，且从图1可看出保护环2将单晶锗的表面分隔成内部的区域4和外部的区域1，因而保护环2对应于权利要求1的“导电保护环”，对比文件1还公开了权利要求1的“所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将所述本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域”。对比文件1还公开了保护环2与中心区3之间的距离很小，阻抗非常大，以至于测量不出电流通过，则保护环2与连接至中心区3的第一电极必然也是靠近的和电绝缘的，因而对应于权利要求1中的“所述导电保护环靠近所述第一电极且与所述第一电极电绝缘”。
因此，权利要求1的技术方案与对比文件1之间的区别技术特征是：(1)权利要求1的探测器为高纯锗探测器，包括高纯锗晶体，本征区裸露表面是高纯锗晶体的外周侧面；(2)权利要求1的导电保护环设置在外周侧面上，与第一电极具有大致相同的电位，导电保护环设置于本征区裸露表面中的环绕第一电极的沟槽中，沟槽的宽度小于200微米，导电保护环是与沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，并且本征区裸露表面在导电保护环和第一电极之间的面积小于或等于本征区裸露表面的总面积的1/3。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1的技术方案相对于对比文件1所实际解决的技术问题是：如何为平面型高纯锗探测器设置导电保护环以及如何提高探测效率。
对于区别技术特征(1)，高纯锗探测器是本领域公知的一种半导体探测器，具有能量分辨率高、大体积和可在常温下保存等优势，本领域技术人员在对比文件1基于单晶锗制成的探测器的基础上容易想到使用高纯度的锗晶体制成高纯锗探测器。对比文件1公开的平面型锗探测器中，探测器的外径为20mm，中心区3直径为11mm，接触极5的外径为18mm，说明接触极5基本覆盖一端平面，接触极3覆盖另一端平面的中心区域，因而公开了接触极设置于锗晶体两个端平面上，而本征区裸露表面包括锗晶体的外周侧面以及端平面上未被接触极覆盖的区域。但是在两个端平面均基本覆盖接触极的情况下，本征区裸露表面就只包括外周侧面，这属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征(2)，首先，对比文件5公开了一种带保护环的CZT探测器，其中，用于成形电场和降低漏电流的保护环可制备在CZT探测器阳极平面上阳极的周围，并离阳极边沿一定的距离，也可制备在阴阳两级间的探测器侧面；在侧壁上具有单保护环的情况下，CZT探测器尺寸为10mm*10mm*6mm（厚度），铜保护环宽5mm，厚0.1mm，距阴极和阳极面各0.5mm，阴极加电压-1000V，阳极和保护环电位均为0V；在侧壁上具有双保护环的情况下，铜保护环宽度变为1mm，距阴极和阳极面各0.5mm（参见第276页最后2段至第277页第1段）。由此可知，对比文件5公开了对于平面型探测器，可将导电保护环设置在外周侧壁上，且保护环与其所环绕的阳极具有相同的电位，以防止表面漏电流流向阳极。则本领域技术人员能够从对比文件5获得技术启示，对于平面型高纯锗探测器，也将导电保护环设置在外周侧壁上，且使导电保护环与其所环绕的第一电极具有大致相同的电位。其次，对比文件1公开了以金属镀层的方式形成保护环2（参见说明书第17段），对比文件3公开了具有保护环的探测器，保护环可以通过植入、和/或在半导体材料中形成沟槽、和/或将导电条制作在表面等方式形成（参见说明书第7段）。而在此基础上，在沟槽中内嵌入尺寸与之匹配的实体金属环或金属镀层以更为稳固地形成保护环且更有效地阻止表面漏电流流向第一电极，是本领域技术人员容易想到的形成保护环的常规技术手段。此外，沟槽宽度对应于导电保护环的宽度，从对比文件1公开的数据可计算保护环2的宽度为3.25mm（参见说明书第16段），对比文件5还公开了保护环的宽度可以是5mm或1mm（参见第277页第1段），可见现有技术中对于保护环的尺寸存在多种选择。在已知保护环工作机理且综合考虑保护环的宽度大小对于有效探测面积的影响的基础上，本领域技术人员可根据探测器的实际尺寸和对分辨率和信噪比的需求高低来设计保护环的宽度，目前并没有证据能够表明对于保护环宽度的选择带来了预料不到的技术效果。再次，由于对比文件1的两个接触极3和5分别位于圆柱形锗晶体的两端平面，锗晶体的外周侧面整个都是裸露的本征区表面，保护环2设置在接触极3外侧且靠近端平面外径的区域，从两个接触极之间的本征裸露表面的面积来看，保护环2离其所环绕的接触极3较近，离另一接触极5较远，因而对比文件1教导了将保护环设置在两个接触极之间且更靠近被其环绕的那个接触极的位置。对于平面型探测器，当导电保护环位于锗晶体的外周侧面上时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下也可想到将导电保护环设置在外周侧面上略靠近其所环绕的第一电极的位置，而本征区裸露面积在导电保护环与第一电极之间的面积小于或等于其总面积的1/3，则是本领域技术人员在上述技术启示下能够作出的一种常规选择，且其并没有带来预料不到的技术效果。
关于复审请求人答复复审通知书时陈述的意见，合议组认为：首先，保护环在探测器中的应用属于本领域的公知技术，由保护环的作用机理可知，由于其电位与所环绕的电极的电位基本相同，而两者之间电绝缘，因而可防止表面漏电流流向该电极，使得电极收集的电流基本等于实际检测电流，从而抑制表面漏电流对检测电流的影响。保护环的设置位置决定了其保护区域的范围，而且由于保护环的设置会占据一定的探测面积，从而影响到电极对信号的收集，因而本领域技术人员在设计保护环的形式、面积和位置时必须综合考虑探测器本身的类型、形式和尺寸大小，以达到更好的信噪比。对于平面型探测器，由于两个接触极分别位于锗晶体的两端平面而本征表面位于锗晶体的外周侧面，则在对比文件5公开了保护环也设置在外周侧面上的前提下，本领域技术人员容易想到分别对保护环的面积和在外周侧面的设置位置进行优化，对应于本申请权利要求1时，即为分别对沟槽宽度和本征区裸露表面在保护环与第一电极之间的面积占本征区裸露表面总面积的比例进行优化。其次，对比文件1和对比文件5均公开了保护环的宽度，虽然其公开的数值都大于本申请，但是根据以上所述保护环的作用机理可知，保护环一方面能够起到阻隔表面漏电流的作用，另一方面由于占据了一部分本征区裸露表面的面积，因而会影响电极的有效探测面积，即保护环面积越宽，所占据的本征区表面越大，则有效探测面积越小，电极收集的信号越小。而由于电极的有效探测面积还取决于探测器本身的结构和尺寸，因而保护环的宽度选择应当与探测器本身的尺寸是相关的，即保护环的宽度是本领域技术人员综合考虑探测器的类型和实际尺寸大小、工作条件、制造技术难度以及成本等条件而进行选择的，只要保护环的宽度和深度能够起到阻隔表面漏电流的作用即可，在足以起到阻隔表面漏电流的作用的前提下可以采用较窄的沟槽宽度，尤其是对于探测器本身尺寸较小、有效探测面积较小的情况。权利要求1中除了沟槽宽度（即保护环宽度）以外并未限定探测器的其它尺寸参数，无法看出沟槽宽度的具体选择与本申请的探测器本身的尺寸之间有何关联，从而无法确定本申请对沟槽宽度的优化是针对特定尺寸范围的探测器还是普适于所有探测器，目前也没有证据能够表明选择小于200微米宽度的保护环能够带来除了通常保护环所起到的阻隔表面漏电流的作用之外的其它预料不到的技术效果，因而权利要求1所限定的沟槽宽度仍属于本领域技术人员所能作出的常规选择。再次，在实际应用中，保护环通常是与一个接触极等电位，与另一接触极电位差较大，而对比文件1教导了保护环离其所环绕的接触极较近而离另一侧的接触极较远，则本领域技术人员容易想到可将保护环设置在较为靠近与之等电位的接触极且较为远离与之电位差较大的接触极的位置，以避免对表面漏电流的阻止效果欠佳或对检测电流的收集产生不利影响，因而将保护环设置在外周侧面1/3处属于本领域技术人员在现有技术基础上能够作出的一种常规选择，目前也没有证据能够证明本征区裸露表面在导电保护环与第一电极之间的面积小于或等于其总面积的1/3这一对于导电保护环的位置选择能够带来何种预料不到的技术效果。此外，对比文件1与本申请均属于平面型探测器，对比文件1公开了以金属镀层的方式形成保护环2，对比文件3公开了保护环可以通过植入、和/或在半导体材料中形成沟槽、和/或将导电条制作在表面等方式形成，则以填充沟槽的方式形成保护环属于本领域的常规的表面处理工艺，目前也并没有证据能够证明本申请中保护环的形成方式具有何种预料不到的技术效果。因此复审请求人的上述理由不能被接受。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件5、对比文件3和本领域的公知常识以获得独立权利要求1的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。独立权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对于从属权利要求2，沟槽的深度对应于保护环的深度，其是本领域技术人员根据探测器的尺寸、工作条件等能够作出的常规选择，只要保护环的深度能够起到阻隔表面漏电流的作用即可，目前也没有证据能够表明选择1-10微米深度的保护环能够带来何种预料不到的技术效果。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求2也不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对于从属权利要求3，对比文件1公开了中心区3和保护环2均连接电荷灵敏电阻反馈前置放大器（参见说明书第23段），即公开了探测器还包括前置放大电路，而导电保护环与前置放大电流的高阻输入端等电位电连接属于本领域中的常规连接方式。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求3也不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对于从属权利要求4，N型和P型为高纯锗晶体的两种常见类型，属于本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求1-3不具备创造性时，从属权利要求4也不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对于从属权利要求5，对于形状规则的平面型探测器，导电保护环与晶体轴向垂直可保证保护环的各个部位离第一电极距离相等，从而在环向上产生均匀的保护效果，这是本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求5也不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
综上所述，本申请权利要求1-5不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
在上述程序的基础上，合议组依法作出如下复审决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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