发明创造名称：互补金属氧化物半导体X射线检测器
外观设计名称：
决定号：190425
决定日：2019-09-18
委内编号：1F266274
优先权日：2012-08-08
申请（专利）号：201380042145.1
申请日：2013-08-08
复审请求人：通用电气公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：谢建军
合议组组长：尉小霞
参审员：范伟
国际分类号：G01T1/24
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术之间存在区别技术特征，该区别技术特征中一部分技术特征被另一篇对比文件公开了，且其在另一篇对比文件中的作用与其在该权利要求中的作用相同；而其余技术特征为本领域公知常识，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380042145.1、名称为“互补金属氧化物半导体X射线检测器”的PCT发明专利申请（下称本申请），申请人为通用电气公司，本申请的申请日为2013年08月08日，进入中国国家阶段日为2015年02月06日，优先权日为2012年08月08日，公开日为2015年06月24日。
国家知识产权局专利实质审查部门以本申请权利要求1-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由于2018年08月03日驳回了本申请。
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件3：JP特开2000-75038A，公开日为2000年03月14日；
对比文件4：US 2009181491A1，公开日为2009年07月16日。
驳回决定所针对的文本为：2015年02月06日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书第1-8页、说明书附图第1-2页、说明书摘要、摘要附图；2018年05月31日提交的权利要求第1-17项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种数字X射线检测器，包括：
闪烁体层，配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐射而发出光量子；以及
互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，配置成吸收所述闪烁体层发出的光量子，其中所述CMOS光成像仪包括第一表面和第二表面，其中相对所述第二表面来布置所述第一表面，并且所述闪烁体层设置在所述互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪上，所述闪烁体层的下表面直接接触所述CMOS光成像仪的所述第一表面；
反射层，其设置在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；
具有第一盖表面的第一检测器盖，所述第一盖表面布置与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上；
布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间的第一水分阻挡层，其中所述第一水分阻挡层阻挡水分与所述闪烁体层的上表面相接触；
第二水分阻挡层，其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层；所述的第二水分阻挡层的上表面和所述CMOS光成像仪的下表面相接触；
设置在所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间的一对防水密封材料，所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层相接触；
所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层。
2. 根据权利要求1所述的数字X射线检测器，其中所述闪烁体层包括碘化铯(Csl)。
3. 根据权利要求1所述的数字X射线检测器，包括具有第二盖表面的第二检测器盖，所述第二盖表面布置在所述CMOS光成像仪的所述第二表面上。
4. 根据权利要求3所述的数字X射线检测器，其中所述第一或第二检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、塑料、复合材料或它们的组合。
5. 根据权利要求3所述的数字X射线检测器，包括布置在所述第二检测器盖的第二盖表面与所述CMOS光成像仪的第二表面之间的第二水分阻挡层，其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层。
6. 根据权利要求5所述的数字X射线检测器，其中所述第一和第二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖层之间的填充材料。
7. 根据权利要求1所述的数字X射线检测器，其中所述CMOS光成像仪的所述第一表面包括光电检测器层。
8. 一种数字X射线检测器，包括：
闪烁体层，配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐射而发出光量子；
互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，具有光电检测器层，所述光电检测器层配置成吸收由所述闪烁体层发出的光量子，其中所述闪烁体层设置在所述互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪上，所述闪烁体层的下表面直接接触所述光电检测器层；以及
反射层，其设置在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；
具有第一盖表面的第一检测器盖，所述第一盖表面布置在与所述 闪烁体层相对的所述反射层表面上；
布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间的第一水分阻挡层，其中所述第一水分阻挡层阻挡水分与所述闪烁体层的上表面相接触；
第二水分阻挡层，其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层；所述的第二水分阻挡层的上表面和所述CMOS光成像仪的下表面相接触；
设置在所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间的一对防水密封材料，所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层相接触；
所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层。
9. 根据权利要求8所述的数字X射线检测器，其中所述闪烁体层包括碘化铯(Csl)。
10. 根据权利要求8所述的数字X射线检测器，包括具有第二盖表面的第二检测器盖，所述第二盖表面布置在与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面上。
11. 根据权利要求10所述的数字X射线检测器，包括布置在所述第二检测器盖的第二盖表面以及与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面之间的第二水分阻挡层，其中所述第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层。
12. 根据权利要求15所述的数字X射线检测器，其中所述第一和第二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖层之间的填充材料。
13. 一种用于装配数字X射线检测器的方法，包括：
将闪烁体层沉积在互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪的光电检测器层之上，其中所述闪烁体层的下表面直接接触所述CMOS光 成像仪；以及
将反射层沉积在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；
包括沉积具有表面的第一检测器盖，其中所述第一检测器盖的所述表面布置在与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上；
包括在所述第一检测器盖与所述反射层之间沉积第一水分阻挡层，并使得所述第一水分阻挡层和所述反射层的上表面相接触；
在所述CMOS光成像仪的下表面上设置第二水分阻挡层；
在所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间设置一对防水密封材料，并使得所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层相接触；
使所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层。
14. 根据权利要求13所述的方法，包括沉积具有第二盖表面的第二检测器盖，其中所述第二检测器盖的所述表面布置在与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面上。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中所述第一和第二检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、塑料、复合材料或它们的组合。
16. 根据权利要求14所述的方法，包括在在所述第二检测器盖的第二盖表面以及与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面之间沉积第二水分阻挡层。
17. 根据权利要求16所述的方法，包括密封所述第一和第二检测器盖之间的所述反射层、所述闪烁体层以及所述CMOS光成像仪。”
驳回决定的具体理由是：1、独立权利要求1请求保护一种数字X射线检测器，对比文件3公开了采用辐射成像传感器作为数字X射线检测器，权利要求1与对比文件3的区别之处在于：光成像仪为互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪，还包括反射层，其设置在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射，相应地，第一检测器盖的第一盖表面布置与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上，第一水分阻挡层布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间，所述一对防水密封材料还和所述的反射层相接触，并包封所述的反射层。上述区别技术特征的一部分被对比文件4公开了，而其余的区别技术特征属于本领域的公知常识；因此，权利要求1相对于对比文件3、4以及本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。2、从属权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件3公开或为本领域公知常识，因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-7不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。3、独立权利要求8与对比文件3的区别技术特征为：光成像仪为互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪，还包括反射层，其设置在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射，相应地，第一检测器盖的第一盖表面布置与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上，第一水分阻挡层布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间，所述一对防水密封材料还和所述的反射层相接触，并包封所述的反射层。上述区别技术特征中的一部分被对比文件4公开了，而其余的区别技术特征属于本领域公知常识，因此，权利要求8相对于对比文件3、4以及本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。4、从属权利要求9-12的附加技术特征或被对比文件3公开或为本领域公知常识，因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求9-12不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。5、独立权利要求13与对比文件3的区别技术特征为：光成像仪为互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪，还包括将反射层沉积在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射，相应地，第一检测器盖的所述表面布置与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上，第一水分阻挡层布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间，并使得所述第一水分阻挡层和所述反射层的上表面相接触，所述一对防水密封材料还和所述的反射层相接触，并包封所述的反射层。上述区别技术特征中的一部分被对比文件4公开了，而其余属于本领域公知常识，因此，权利要求13相对于对比文件3、4以及本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。6、从属权利要求14-17的附加技术特征或被对比文件3公开或为本领域公知常识，因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求14-17不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月16日向国家知识产权局提出了复审请求，复审请求人提出复审请求时没有提交修改文件。复审请求人认为：1、对比文件3和本申请属于不同的技术领域。对比文件3的放射线图像传感器主要是CCD或MOS固态图像传感器，而本申请是涉及互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪。2、对比文件3并没有揭示本申请权利要求1所限定的“闪烁体层”。本申请限定的是“闪烁体层”，层一般是指重叠起来的结构；而对比文件3揭示的是闪烁体12是柱状结构，并不是层状结构，因此其并不能等同于本申请的“闪烁体层”。3、对比文件3没有揭示权利要求1所限定的“具有第一盖表面的第一检测器盖，所述第一盖表面布置于所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上”；而本申请的第一检测器盖是布置在与闪烁体层相对的反射层的表面上，即第一检测器盖设置在反射层的上表面上，主要是为了保护检测器阵列不受光污染并且为了提供结构支撑。因此对比文件3的第二聚对二甲苯膜18和本申请的第一检测器盖的设置位置不同，所起的作用也不同。4、对比文件3中的“第一聚对二甲苯膜14”不能相当于本申请中的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层、以及一对密封材料。对比文件3中的“第一聚对二甲苯膜14”是一个整体，而本申请中的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层、以及一对密封材料为四个不同元件，不能将对比文件3的整体式包封替换为本申请的组合式封装方式。5、对比文件3没有揭示本申请权利要求1所限定的X射线检测器的元件组成以及整体结构关系。基于上述提到的本申请和对比文件3的区别技术特征，本申请通过将闪烁体层直接设置在CMOS光成像仪上并且与其直接接触，可以消除分离式闪烁体片的需求以及避免由通常将在其间布置的任何保护膜造成的光子损失、提高检测器的检查量效率(DQE)；通过设置第一检测器盖以保护检测器阵列不受X射线光污染；通过第一水分阻挡层、第二水分阻挡侧、一对密封材料以提供足够的水分密封性能。6、对比文件4的反射层和本申请的反射层并不完全相同，设置位置不同，所起的作用也并不完全相同。另外，对比文件4虽然是CMOS传感器，但是其揭示的也是本申请背景技术提到的一种X射线检测器结构，即闪烁体是分离式结构、闪烁体和光电二极管之间设置有绝缘层102，会降低光子的传输、造成光子的损失、从而降低X射线检测器的整体性能。因此，鉴于对比文件4所揭示的X射线检测器的结构和本申请并不相同，且反射层的位置和所起的作用也不完全相同，申请人认为对比文件4并没有给出本申请设置位于闪烁体和第一检测器盖之间的反射层的任何技术启示。另外，对比文件3的X射线检测器包括CCD或MOS固态图像传感器，而对比文件4的X射线检测器是包括互补金属氧化物半导体（CMOS）传感器，对比文件3和对比文件4属于不同的技术领域，所要解决的技术问题也不相同。因此，本领域技术人员不会想到将两个不同领域的技术方案结合起来。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月08日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1与对比文件3相比，其区别技术特征为：1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，反射层设置在闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射。2）第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。其中区别技术特征1）被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与其在权利要求1中的作用相同，都是提高光子的吸收率。区别技术特征2）为本领域公知常识。因此，本领域技术人员在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域公知常识得到权利要求1所要求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件3、对比文件4公开了，或为本领域公知常识；因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求8与对比文件3相比，其区别技术特征为：1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，具有光电检测器层，所述光电检测器层配置为吸收闪烁体层发出的光量子，反射层设置在闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射。2）第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。其中区别技术特征1）被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与其在权利要求8中的作用相同，都是提高光子的吸收率。区别技术特征2）为本领域公知常识。因此，本领域技术人员在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域公知常识得到权利要求8所要求保护的技术方案是显而易见的，权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、从属权利要求9-12的附加技术特征或被对比文件3公开了，或为本领域公知常识；因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求9-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5、权利要求13与对比文件3相比，其区别技术特征为：1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，将反射层沉积在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；2）第一检测器盖的所述表面布置在与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上；在所述第一检测器盖与所述反射层之间沉积第一水分阻挡层，并使得所述第一水分阻挡层和所述反射层的上表面相接触；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。其中区别技术特征1）被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与其在权利要求13中的作用相同，都是提高光子的吸收率。区别技术特征2）为本领域公知常识。因此，本领域技术人员在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域公知常识得到权利要求13所要求保护的技术方案是显而易见的，权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。6、从属权利要求14-17的附加技术特征或被对比文件3公开了，或为本领域公知常识；因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求14-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。7、合议组针对复审请求人的意见陈述进行了回应。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年08月23日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页。复审请求人在权利要求1、8、13中分别增加了“所述第一水分阻挡层、第二水分阻挡层用于阻挡水分进入闪烁体层和CMOS光成像仪以及污染闪烁体层，所述水分密封材料用来密封所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层与光成像仪之间的器件”。复审请求人认为： 1、对比文件3的X射线检测器并不是基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的X射线检测器。既然对比文件3的X射线检测器不是基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的X射线检测器，那么对比文件3不能作为与对比文件4结合的基础。对比文件3并不是基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的X射线检测器，也不具有本申请所要解决的技术问题，因此本领域技术人员即便看到对比文件3和对比文件4也不会有结合的动机，即便将对比文件3和对比文件4结合了也不能直接得出本申请权利要求1所要保护的技术方案。2、本申请说明书中明确记载第一、第二水分阻挡层用于阻挡水分进入检测器阵列以及污染闪烁体层，水分密封材料用来密封水分阻挡层和光成像仪之间的器件，之所以采用不同的材料，正是因为二者的作用不相同，其中之一在于阻挡水分，另一在于“密封”，而并非都与对比文件3中的第一聚对二甲本膜14的作用相同。正是因为需要采用不同的材料进行封装，才会选择组合式封装而非如对比文件3的整体封装，进一步说明两种材料的作用不同。因此，对比文件3中的第一聚对二甲本膜14不能等同于修改后的权利要求1中的的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对密封材料。
本次提交的权利要求如下：
“1. 一种数字X射线检测器，包括：
闪烁体层，配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐射而发出光量子；以及
互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪，配置成吸收所述闪烁体层发出的光量子，其中所述CMOS光成像仪包括第一表面和第二表面，其中相对所述第二表面来布置所述第一表面，并且所述闪烁体层设置在所述互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪上，所述闪烁体层的下表面直接接触所述CMOS光成像仪的所述第一表面；
反射层，其设置在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；
具有第一盖表面的第一检测器盖，所述第一盖表面布置与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上；
布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间的第一水分阻挡层，其中所述第一水分阻挡层阻挡水分与所述闪烁体层的上表面相接触；
第二水分阻挡层，其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层；所述的第二水分阻挡层的上表面和所述CMOS光成像仪的下表面相接触；
设置在所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间的一对防水密封材料，所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层相接触；
所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层；
所述第一水分阻挡层、第二水分阻挡层用于阻挡水分进入闪烁体层和CMOS光成像仪以及污染闪烁体层，所述水分密封材料用来密封所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层与光成像仪之间的器件。
2. 根据权利要求1所述的数字X射线检测器，其中所述闪烁体层包括碘化铯（CsI）。
3. 根据权利要求1所述的数字X射线检测器，包括具有第二盖表面的第二检测器盖，所述第二盖表面布置在所述CMOS光成像仪的所述第二表面上。
4. 根据权利要求3所述的数字X射线检测器，其中所述第一或第二检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、塑料、复合材料或它们的组合。
5. 根据权利要求3所述的数字X射线检测器，包括布置在所述第二检测器盖的第二盖表面与所述CMOS光成像仪的第二表面之间的第二水分阻挡层，其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层。
6. 根据权利要求5所述的数字X射线检测器，其中所述第一和第二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖层之间的填充材料。
7. 根据权利要求1所述的数字X射线检测器，其中所述CMOS光成像仪的所述第一表面包括光电检测器层。
8. 一种数字X射线检测器，包括：
闪烁体层，配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐射而发出光量子；
互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪，具有光电检测器层，所述光电检测器层配置成吸收由所述闪烁体层发出的光量子，其中所述闪烁体层设置在所述互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪上，所述闪烁体层的下表面直接接触所述光电检测器层；以及
反射层，其设置在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；
具有第一盖表面的第一检测器盖，所述第一盖表面布置在与所述闪烁体层相对的所述反射层表面上；
布置在所述第一检测器盖与所述反射层之间的第一水分阻挡层，其中所述第一水分阻挡层阻挡水分与所述闪烁体层的上表面相接触；
第二水分阻挡层，其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层；所述的第二水分阻挡层的上表面和所述CMOS光成像仪的下表面相接触；
设置在所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间的一对防水密封材料，所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层相接触；
所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层；
所述第一水分阻挡层、第二水分阻挡层用于阻挡水分进入闪烁体层和CMOS光成像仪以及污染闪烁体层，所述水分密封材料用来密封所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层与光成像仪之间的器件。
9. 根据权利要求8所述的数字X射线检测器，其中所述闪烁体层包括碘化铯（CsI）。
10. 根据权利要求8所述的数字X射线检测器，包括具有第二盖表面的第二检测器盖，所述第二盖表面布置在与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面上。
11. 根据权利要求10所述的数字X射线检测器，包括布置在所述第二检测器盖的第二盖表面以及与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面之间的第二水分阻挡层，其中所述第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层。
12. 根据权利要求15所述的数字X射线检测器，其中所述第一和第二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖层之间的填充材料。
13. 一种用于装配数字X射线检测器的方法，包括：
将闪烁体层沉积在互补金属氧化物半导体（CMOS）光成像仪的光电检测器层之上，其中所述闪烁体层的下表面直接接触所述CMOS光成像仪；以及
将反射层沉积在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；
包括沉积具有表面的第一检测器盖，其中所述第一检测器盖的所述表面布置在与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上；
包括在所述第一检测器盖与所述反射层之间沉积第一水分阻挡层，并使得所述第一水分阻挡层和所述反射层的上表面相接触；
在所述CMOS光成像仪的下表面上设置第二水分阻挡层；
在所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间设置一对防水密封材料，并使得所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层相接触；
使所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪以及所述的反射层；
所述第一水分阻挡层、第二水分阻挡层用于阻挡水分进入闪烁体层和CMOS光成像仪以及污染闪烁体层，所述水分密封材料用来密封所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层与光成像仪之间的器件。
14. 根据权利要求13所述的方法，包括沉积具有第二盖表面的第二检测器盖，其中所述第二检测器盖的所述表面布置在与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面上。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中所述第一和第二检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、塑料、复合材料或它们的组合。
16. 根据权利要求14所述的方法，包括在在所述第二检测器盖的第二盖表面以及与所述光电检测器层相对的所述CMOS光成像仪的表面之间沉积第二水分阻挡层。
17. 根据权利要求16所述的方法，包括密封所述第一和第二检测器盖之间的所述反射层、所述闪烁体层以及所述CMOS光成像仪。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页；经查，上述修改符合专利法第33条的规定。因此本复审请求审查决定所针对的审查文本是：2015年02月06日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书第1-8页、说明书附图第1-2页、说明书摘要、摘要附图；2019年08月23日提交的权利要求第1-17项。
（二）、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术之间存在区别技术特征，该区别技术特征中一部分技术特征被另一篇对比文件公开了，且其在另一篇对比文件中的作用与其在该权利要求中的作用相同；而其余技术特征为本领域公知常识，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
1、独立权利要求1请求保护一种数字X射线检测器，对比文件3公开了一种数字X射线检测器，并具体公开了以下技术特征（说明书第0018-0026段、附图1-3）：闪烁体12，响应于X射线产生光子；光电二极管阵列10，设置在闪烁体12的下方，其光敏部分10b吸收闪烁体12产生的光子；有附图1-2可知，光电二极管阵列10包括直接接触闪烁体的上表面（第一表面）以及远离闪烁体的下表面（第二表面）。在光电二极管10以及闪烁体12的外围形成第一聚对二甲苯膜14，用于防止湿气（第一聚对二甲苯膜14位于闪烁体上表面的部分相当于本申请的第一水分阻挡层，位于光电二极管阵列下表面的部分相当于本申请的第二水分阻挡层；而位于两侧的部分相当于本申请的一对防水密封材料；其中第一聚对二甲苯膜14位于闪烁体上表面的部分和位于光电二极管阵列下表面的部分可以阻挡水分进入闪烁体层和光成像仪以及污染闪烁体层；而位于两侧的第一聚对二甲苯膜14必然是密封着光成像仪和闪烁体层，否则起不到防止湿气的作用）；在第一聚对二甲苯膜14表面形成铝膜16，在铝膜16的外围再形成第二聚对二甲苯膜18（第二聚对二甲苯膜18的上面部分相当于本申请的具有第一盖表面的第一检测器盖，而下面部分相当于本申请的具有第二盖表面的第二检测器盖）；
该权利要求与对比文件3的区别技术特征为：1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，反射层设置在闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射。2）第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。
由上述区别技术特征1）可以确定本申请实际解决的技术问题是：光子吸收率低的问题。由上述区别技术特征2）可以确定本申请实际解决的技术问题是：防止水分污染反射层。
对于区别技术特征1），对比文件4公开了一种X射线成像传感器，并具体公开了以下技术特征（说明书第0030-0049段、附图1-10）：如附图10所示，CMOS成像传感器包括多层互联结构120，光电二极管110-119，每一个光电二极管110-119形成对应的CMOS像素的一部分。邻近光电二极管110-119设置有闪烁柱体180-189，并且在闪烁柱体180-189上形成一层反射层190。该反射层反射可见光而对X射线透明，其允许X射线抵达闪烁柱体180-180，但阻止产生的可见光光子逃逸。因此，高百分比的由闪烁柱体产生的二次光子被反射到光电二极管110-119上。由此可见，区别技术特征1）已经被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与上述区别技术特征1）在该权利要求的技术方案中的作用相同，都是将闪烁体层产生的光子反射到光电检测器，提高光子的吸收率。因此，对比文件4给出了将上述技术特征用于对比文件3以解决其存在的技术问题的启示。
对于区别技术特征2），对比文件4已经给出了在闪烁体层上设置反射层的技术启示，在该启示下，本领域技术人员容易想到在对比文件3公开的X射线检测器中的闪烁体12的上方设置反射层，从而解决光子吸收率低的技术问题；从对比文件3的附图1可知，为了反射光子，在设置反射层时，本领域技术人员容易想到将反射层设置在闪烁体12上，与闪烁体层上表面直接接触，同时反射层位于第一聚对二甲苯膜14的下面处。由此可知，在设置反射层时，本领域技术人员容易想到第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。而“第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置”为防水密封材料设置方式的常规选择，本领域技术人员可以根据实际情况，选择将第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域惯用手段得到该权利要求的技术方案是显而易见的，因此，该权利要求的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2的附加技术特征已经被对比文件3公开了（说明书第0019段）：闪烁体柱12由碘化铯柱状晶体用真空沉淀生长得到。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3的附加技术特征的一部分被对比文件3公开了（附图1）：第二聚对二甲苯膜18（第二检测器盖）形成在光电二极管阵列10的下表面。对比文件3没有公开“CMOS光成像仪”，然而其被对比文件4公开了，因此本领域技术人员容易想到将CMOS光成像仪用于对比文件3中。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4的附加技术特征中一部分被对比文件3公开了（说明书第0018段）：第二聚对二甲苯膜18，而其为塑料材料。另外，“所述第一或第二检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、复合材料或它们的组合”以及“所述第一或第二检测器盖的一个或两个包括塑料与金属、金属合金、复合材料的组合”均为第一和第二检测器盖的材料的常规选择。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求5的附加技术特征的大部分已经被对比文件3公开了（附图1）：第一聚对二甲苯膜14（第二水分阻挡层）布置在光电二极管阵列10的下表面与第二聚对二甲苯膜18（第二检测器盖）的上表面之间，用于防止水分接触闪烁体12。对比文件3没有公开“CMOS光成像仪”，然而其被对比文件4公开了，因此本领域技术人员容易想到将CMOS光成像仪用于对比文件3中。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求6的附加技术特征为本领域惯用手段，为了减小检测器盖的重量，本领域技术人员容易想到第一和第二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖层之间的填充材料。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求7的附加技术特征被对比文件4公开了（说明书第0033段）：CMOS光成像仪的第一表面包括光电二极管110-119（光电检测器层）。且其作用与该权利要求的附加技术特征在该权利要求中的作用相同，都是吸收光子。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、独立权利要求8请求保护一种数字X射线检测器，对比文件3公开了一种数字X射线检测器，并具体公开了以下技术特征（说明书第0018-0026段、附图1-3）：闪烁体12，响应于X射线产生光子；光电二极管阵列10，设置在闪烁体12的下方，其光敏部分10b吸收闪烁体12产生的光子；由附图1-2可知，光电二极管阵列10包括直接接触闪烁体的上表面（第一表面）以及远离闪烁体的下表面（第二表面）。在光电二极管10以及闪烁体12的外围形成第一聚对二甲苯膜14，用于防止湿气（第一聚对二甲苯膜14位于闪烁体上表面的部分相当于本申请的第一水分阻挡层，位于光电二极管阵列下表面的部分相当于本申请的第二水分阻挡层；而位于两侧的部分相当于本申请的一对防水密封材料；其中第一聚对二甲苯膜14位于闪烁体上表面的部分和位于光电二极管阵列下表面的部分可以阻挡水分进入闪烁体层和光成像仪以及污染闪烁体层；而位于两侧的第一聚对二甲苯膜14必然是密封着光成像仪和闪烁体层，否则起不到防止湿气的作用）；在第一聚对二甲苯膜14表面形成铝膜16，在铝膜16的外围再形成第二聚对二甲苯膜18（第二聚对二甲苯膜18的上面部分相当于本申请的具有第一盖表面的第一检测器盖，而下面部分相当于本申请的具有第二盖表面的第二检测器盖）；
该权利要求与对比文件3的区别技术特征为：1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，具有光电检测器层，所述光电检测器层配置为吸收闪烁体层发出的光量子，反射层设置在闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射。2）第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。
由上述区别技术特征1）可以确定本申请实际解决的技术问题是：光子吸收率低的问题。由上述区别技术特征2）可以确定本申请实际解决的技术问题是：防止水分污染反射层。
对于区别技术特征1），对比文件4公开了一种X射线成像传感器，并具体公开了以下技术特征（说明书第0030-0049段、附图1-10）：如附图10所示，CMOS成像传感器包括多层互联结构120，光电二极管110-119（光电检测器层），每一个光电二极管110-119形成对应的CMOS像素的一部分。邻近光电二极管110-119设置有闪烁柱体180-189，并且在闪烁柱体180-189上形成一层反射层190。该反射层反射可见光而对X射线透明，其允许X射线抵达闪烁柱体180-180，但阻止产生的可见光光子逃逸。因此，高百分比的由闪烁柱体产生的二次光子被反射到光电二极管110-119上。由此可见，区别技术特征1）已经被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与上述区别技术特征1）在该权利要求的技术方案中的作用相同，都是将闪烁体层产生的光子反射到光电检测器，提高光子的吸收率。因此，对比文件4给出了将上述技术特征用于对比文件3以解决其存在的技术问题的启示。
对于区别技术特征2），对比文件4已经给出了在闪烁体层上设置反射层的技术启示，在该启示下，本领域技术人员容易想到在对比文件3公开的X射线检测器中的闪烁体12的上方设置反射层，从而解决光子吸收率低的技术问题；从对比文件3的附图1可知，为了反射光子，在设置反射层时，本领域技术人员容易想到将反射层设置在闪烁体12上，与闪烁体层上表面直接接触，同时反射层位于第一聚对二甲苯膜14的下面处。由此可知，在设置反射层时，本领域技术人员容易想到第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。而“第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置”为防水密封材料设置方式的常规选择，本领域技术人员可以根据实际情况，选择将第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域惯用手段得到该权利要求的技术方案是显而易见的，因此，该权利要求的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、权利要求9的附加技术特征已经被对比文件3公开了（说明书第0019段）：闪烁体柱12由碘化铯柱状晶体用真空沉淀生长得到。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、权利要求10的附加技术特征的一部分被对比文件3公开了（附图1）：第二聚对二甲苯膜18（第二检测器盖）形成在光电二极管阵列10的下表面。对比文件3没有公开“CMOS光成像仪”，然而其被对比文件4公开了，因此本领域技术人员容易想到将CMOS光成像仪用于对比文件3中。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11、权利要求11的附加技术特征的大部分已经被对比文件3公开了（附图1）：第一聚对二甲苯膜14（第二水分阻挡层）布置在光电二极管阵列10的下表面与第二聚对二甲苯膜18（第二检测器盖）的上表面之间，用于防止水分接触闪烁体12。对比文件3没有公开“CMOS光成像仪”，然而其被对比文件4公开了，因此本领域技术人员容易想到将CMOS光成像仪用于对比文件3中。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12、权利要求12的附加技术特征为本领域惯用手段，为了减小检测器盖的重量，本领域技术人员容易想到第一和第二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖层之间的填充材料。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13、独立权利要求13请求保护一种用于装配数字X射线检测器的方法，对比文件3公开了一种数字X射线检测器的装配方法，并具体公开了以下技术特征（说明书第0018-0026段、附图1-4）：将闪烁体12沉积在光电二极管10阵列的表面，即闪烁体12的下表面直接接触光电二极管阵列，包括沉积第一聚对二甲苯膜14并包封包括闪烁体以及光电二极管阵列10，防止湿气（相当于在光成像仪的下表面上设置第二水分阻挡层，所述第一水分阻挡层和第二水分阻挡层之间设置一对防水密封材料，并使得所述的一对防水密封材料和所述的闪烁体层、CMOS光成像仪相接触；使所述的第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及所述的一对防水密封材料包封所述的闪烁体层、CMOS光成像仪；从而阻挡水分进入闪烁体层和光成像仪以及污染闪烁体层，而两侧第一聚对二甲苯膜对光成像仪和闪烁体层起到密封的作用，否则无法防止湿气）；在第一聚对二甲苯膜14上沉积铝膜16，然后再沉积第二聚对二甲苯膜18包围住第一聚对二甲苯膜14（相当于沉积具有表面的第一检测器盖）。
权利要求13与对比文件3的区别为：1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，将反射层沉积在所述闪烁体层上且和所述闪烁体层的上表面接触，其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；2）第一检测器盖的所述表面布置在与所述闪烁体层相对的所述反射层的表面上；在所述第一检测器盖与所述反射层之间沉积第一水分阻挡层，并使得所述第一水分阻挡层和所述反射层的上表面相接触；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。
由上述区别技术特征1）可以确定本申请实际解决的技术问题是：光子吸收率低的问题。由上述区别技术特征2）可以确定本申请实际解决的技术问题是：防止水分污染反射层。
对于区别技术特征1），对比文件4公开了一种X射线成像传感器的制备方法，并具体公开了以下技术特征（说明书第0030-0049段、附图1-10）：如附图10所示，CMOS成像传感器包括多层互联结构120，光电二极管110-119，每一个光电二极管110-119形成对应的CMOS像素的一部分。邻近光电二极管110-119设置有闪烁柱体180-189，并且在闪烁柱体180-189上形成一层反射层190。该反射层反射可见光而对X射线透明，其允许X射线抵达闪烁柱体180-180，但阻止产生的可见光光子逃逸。因此，高百分比的由闪烁柱体产生的二次光子被反射到光电二极管110-119上。由此可见，区别技术特征1）已经被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与上述区别技术特征1）在该权利要求的技术方案中的作用相同，都是将闪烁体层产生的光子反射到光电检测器，提高光子的吸收率。因此，对比文件4给出了将上述技术特征用于对比文件3以解决其存在的技术问题的启示。
对于区别技术特征2），对比文件4已经给出了在闪烁体层上设置反射层的技术启示，在该启示下，本领域技术人员容易想到在对比文件3公开的X射线检测器中的闪烁体12的上方设置反射层，从而解决光子吸收率低的技术问题；从对比文件3的附图1可知，为了反射光子，在设置反射层时，本领域技术人员容易想到将反射层设置在闪烁体12上，与闪烁体层上表面直接接触，同时反射层位于第一聚对二甲苯膜14的下面处。由此可知，在设置反射层时，本领域技术人员容易想到第一盖表面布置于闪烁体层相对的反射层的表面上，在所述第一检测器盖与所述反射层之间设置第一水分阻挡层；反射层与一对防水密封材料接触，且被第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料包封。而“第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置”为防水密封材料设置方式的常规选择，本领域技术人员可以根据实际情况，选择将第一水分阻挡层、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料单体设置。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域惯用手段得到该权利要求的技术方案是显而易见的，因此，该权利要求的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14、权利要求14的附加技术特征的一部分被对比文件3公开了（附图1）：第二聚对二甲苯膜18形成在光电二极管阵列10的下表面。对比文件3没有公开“CMOS光成像仪”，然而其被对比文件4公开了，因此本领域技术人员容易想到将CMOS光成像仪用于对比文件3中。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
15、权利要求15的附加技术特征中一部分被对比文件3公开了（说明书第0018段）：第二聚对二甲苯膜18，而其为塑料材料。另外，“所述第一或第二检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、复合材料或它们的组合”以及“所述第一或第二检测器盖的一个或两个包括塑料与金属、金属合金、复合材料的组合”均为第一和第二检测器盖的材料的常规选择。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
16、权利要求16的附加技术特征的大部分已经被对比文件3公开了（附图1）：第一聚对二甲苯膜14（第二水分阻挡层）布置在光电二极管阵列10的下表面与第二聚对二甲苯膜18（第二检测器盖）的上表面之间，用于防止水分接触闪烁体12。对比文件3没有公开“CMOS光成像仪”，然而其被对比文件4公开了，因此本领域技术人员容易想到将CMOS光成像仪用于对比文件3中。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
17、权利要求17的附加技术特征的大部分已经被对比文件3公开了（附图1）：第一聚对二甲苯膜14密封闪烁体12、光电二极管阵列10。而“反射层、CMOS光成像仪”被对比文件4公开了，因此，本领域技术人员容易想到将反射层、CMOS光成像仪用于对比文件3，并将其进行密封。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）、针对复审请求人的意见陈述的答复
关于复审请求人的意见陈述，合议组认为：
1、对比文件3公开的是一种X射线检测器，本申请也是一种X射线检测器，两者属于相同的技术领域，且对比文件3公开了本申请权利要求1中的大部分技术特征，因此可以将对比文件3作为本申请的最接近现有技术。对比文件3与本申请权利要求1的区别之一在于1）互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，在闪烁体层上设置了反射层，所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射；由此确定本申请实际解决的技术问题是光子吸收率低的问题；而该区别技术特征被对比文件4公开了，且其在对比文件4中的作用与其本申请权利要求1中的作用相同，都是提高光子吸收率，因此，对比文件4给出了将公开的技术特征用于对比文件3以解决其存在的光子吸收率低的技术问题，即在对比文件4的技术启示下，本领域技术人员有动机将对比文件3中的光成像器件替换为CMOS光成像仪，并在闪烁体层上设置反射层，用于将光子反射到CMOS光成像仪上，从而解决对比文件3的技术方案存在的光子收率低的技术问题；因此，在面对光子吸收率低的问题时，本领域技术人员有动机将对比文件3和对比文件4结合，改进对比文件3的技术方案从而得到本申请权利要求1的技术方案。
2、对比文件3中的第一聚对二甲苯膜14形成在光电二极管10以及闪烁体的外围，第一聚对二甲苯膜14位于闪烁体上表面的部分相当于本申请的第一水分阻挡层，位于光电二极管阵列下表面的部分相当于本申请的第二水分阻挡层；而位于两侧的部分相当于本申请的一对防水密封材料。其中，第一聚对二甲苯膜14对于内部的光电二极管以及闪烁体起到密封且防水的作用，因此与本申请的第一、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料的作用相同。对于选用整体封装还是单体组合式封装，本领域技术人员可以根据实际情况进行选用。对于第一、第二水分阻挡层与防水密封材料采用不同的材料，在本申请的权利要求书中并没有记载，权利要求书中记载的第一、第二水分阻挡层与防水密封材料，只是部件名称不同，无法得出使用的材料是否不同。因此，对比文件3已经公开了本申请的第一、第二水分阻挡层以及一对防水密封材料，区别在于封装方式的不同，然而采用单体组合式封装，属于本领域常用封装方式，本领域技术人员容易想到。进一步而言，即使限定一对防水密封材料与第一、第二水分阻挡层的材料不同，本申请也仍然不具备创造性，在本领域技术人员选取单体组合式封装方式后，选择不同材料的一对防水密封材料以及第一、第二水分阻挡层，属于本领域的常规设置；本领域技术人员可以根据实际需要，选取合适材料。
因此，对于复审请求人所陈述的具备创造性的理由，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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