发明创造名称：光器件及光器件的加工方法
外观设计名称：
决定号：190068
决定日：2019-09-18
委内编号：1F275975
优先权日：2014-01-27
申请（专利）号：201510030343.7
申请日：2015-01-21
复审请求人：株式会社迪思科
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：颜庙青
合议组组长：陈冬冰
参审员：赵中琴
国际分类号：H01L33/22;H01L33/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510030343.7，发明名称为“光器件及光器件的加工方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为株式会社迪思科。本申请的申请日为2015年01月21日，优先权日为2014年01月27日，公开日为2015年07月29日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月10日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-2不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。驳回决定所依据的文本为：申请人于2018年07月05日提交的说明书第1-9页、于申请日2015年01月21日提交的说明书附图第1-6页、说明书摘要以及摘要附图，以及2018年11月01日提交的权利要求第1-2项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种光器件的加工方法，该光器件包括：在背面形成有凹部的基板；和在该基板的正面形成的发光层，
该光器件的加工方法的特征在于，
该光器件的加工方法由下述工序构成：
粘贴工序，在光器件晶片的正面侧粘贴保护带，所述光器件晶片在正面具有发光层，在所述光器件晶片的正面形成有多条交叉的分割预定线，并且在由该分割预定线划分出的该发光层的各区域中分别具有光器件；
分割起点形成工序，在实施了该粘贴工序后，沿着光器件晶片的该分割预定线形成成为分割的开端的分割起点；
分割工序，在实施了该分割起点形成工序后，沿着该分割预定线对该光器件晶片施加外力而将光器件晶片分割成一个个光器件；以及
凹部形成工序，在实施该分割工序之前或之后，向该背面照射对于该光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而在该背面形成内周面为曲面的弹坑状的凹部，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状，
形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％，从所述发光层的背面入射至所述凹部的光发生漫反射，从而增加从所述基板的侧面射出的光的比例。
2. 根据权利要求1所述的光器件的加工方法，其中，
在该凹部形成工序中，通过蚀刻对在该背面形成的该凹部内进行处理。”
驳回决定中引用了以下对比文件：
对比文件1：JP特开2012-146724A，公开日为2012年08月02日；
对比文件2：CN103107078A，公开日为2013年05月15日。
驳回决定中指出：1、独立权利要求1包含技术特征“凹部形成工序，在实施该分割工序之前”的技术方案相对于对比文件1的区别技术特征是：（1）形成凹部的工序是向背面照射对于该光器件晶片具有吸收性的波长的激发光线形成；（2）凹部为弹坑状，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状，形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％。独立权利要求1包含技术特征“凹部形成工序，在实施该分割工序之后”的技术方案相对于对比文件1的区别技术特征，除了上述区别技术特征外，还包括区别技术特征“凹部在实施该分割工序之后形成”。上述区别技术特征都是本领域的公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2的附加技术特征被对比文件2公开，且所起的作用相同，因此，从属权利要求2相对于对比文件1、对比文件2以及本领域的公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月11日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的修改替换页（共包括2项权利要求），所做的修改为：在驳回决定所针对的权利要求书的基础上，删除了权利要求1中的技术特征“形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％，从所述发光层的背面入射至所述凹部的光发生漫反射，从而增加从所述基板的侧面射出的光的比例”，将权利要求1中的技术特征“凹部形成工序，在实施该分割工序之前或之后，向该背面照射对于该光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而在该背面形成内周面为曲面的弹坑状的凹部，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状”修改为“凹部形成工序，在实施该分割工序之前或之后，向各个光器件晶片的背面照射对于各光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而通过烧蚀加工在多个光器件的背面连续地形成内周面为曲面的弹坑状的凹部，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状”。
修改后的权利要求1的内容为：
“1. 一种光器件的加工方法，该光器件包括：在背面形成有凹部的基板；和在该基板的正面形成的发光层，
该光器件的加工方法的特征在于，
该光器件的加工方法由下述工序构成：
粘贴工序，在光器件晶片的正面侧粘贴保护带，所述光器件晶片在正面具有发光层，在所述光器件晶片的正面形成有多条交叉的分割预定线，并且在由该分割预定线划分出的该发光层的各区域中分别具有光器件；
分割起点形成工序，在实施了该粘贴工序后，沿着光器件晶片的该分割预定线形成成为分割的开端的分割起点；
分割工序，在实施了该分割起点形成工序后，沿着该分割预定线对该光器件晶片施加外力而将光器件晶片分割成一个个光器件；以及
凹部形成工序，在实施该分割工序之前或之后，向各个光器件晶片的背面照射对于各光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而通过烧蚀加工在多个光器件的背面连续地形成内周面为曲面的弹坑状的凹部，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状。”
复审请求人认为：（1）通过激光照射光器件晶片的背面进行烧蚀加工以在多个光器件上连续地形成凹部的方式，能够抑制凹部形成工序变得复杂或工序时间变长，从而能够高效地制造光器件。激光照射形成凹部的方式，没有被对比文件公开，也不是本领域的公知常识。（2）对比文件1没有英文同族申请，驳回决定中所说的英文翻译“a curved surface”是计算机自动翻译，并不能保证准确性，英文翻译“a curved surface”不能证明沟槽401具有一个曲面，对比文件1没有公开一个一个的圆形弹坑形状的凹部。在对比文件1的基础之上，根本无法想到圆形弹坑形状的凹部。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月05日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1相对于对比文件1与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性, 权利要求2相对于对比文件1、对比文件2及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见，合议组认为：（1）本申请的发明构思在于，在基板的背面形成有凹部，使入射至凹部的光发生漫反射，增大从侧面射出的光的比例，从而能够实现光的导出效率的提高。对比文件1公开了本申请的发明构思，区别仅在于凹部的形成方法和形状。而通过激光烧蚀形成凹部是本领域的公知常识（参见《金工实习》，黄丽明主编；朱征，郑连义副主编，2013年，第218页倒数第2段）；相对于刀具切割形成凹部，激光烧蚀速度更快、控制更简单，这是本领域技术人员都知晓的；因此，为了提高凹部形成效率，采用激光烧蚀代替对比文件1中的刀具切割方式，是本领域技术人员容易想到的。（2）对比文件1的说明书第[0102]段、附图11d、12（其中附图12为附图11d的剖视图）明确记载了凹部407的至少一个内周面具有曲面，区别仅在于圆形弹坑形状的凹部。对比文件1已经公开了（参见说明书第[0101]-[0102]段，附图12）曲面的凹部407有利于提高侧面的出光效率，为进一步优化该侧面的出光效率，本领域技术人员容易想到将凹部407（附图11d、12）的内周面全部都做成曲面，即球状的内周面；此外，用于烧蚀的激光光斑通常都是圆形，得到的凹部自然也为圆形弹坑形状。
复审请求人于2019年08月14日提交了意见陈述书和权利要求书的全文修改替换页，在独立权利要求1中加入技术特征“形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％”，复审请求人认为：区别技术特征“形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％”未被对比文件1、2公开，也不是本领域的公知常识，其能够将发生全反射并返回发光层的光的比例抑制得较低，能够增大从侧面射出的光的比例，从而能够实现光的导出效率的提高；因此，权利要求1具有突出的实质性特点，具备创造性。
2019年08月14日提交的权利要求书中的权利要求1内容如下：
“1. 一种光器件的加工方法，该光器件包括：在背面形成有凹部的基板；和在该基板的正面形成的发光层，
该光器件的加工方法的特征在于，
该光器件的加工方法由下述工序构成：
粘贴工序，在光器件晶片的正面侧粘贴保护带，所述光器件晶片在正面具有发光层，在所述光器件晶片的正面形成有多条交叉的分割预定线，并且在由该分割预定线划分出的该发光层的各区域中分别具有光器件；
分割起点形成工序，在实施了该粘贴工序后，沿着光器件晶片的该分割预定线形成成为分割的开端的分割起点；
分割工序，在实施了该分割起点形成工序后，沿着该分割预定线对该光器件晶片施加外力而将光器件晶片分割成一个个光器件；以及
凹部形成工序，在实施该分割工序之前或之后，向各个光器件晶片的背面照射对于各光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而通过烧蚀加工在多个光器件的背面连续地形成内周面为曲面的弹坑状的凹部，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状，
形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年08月14日提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括权利要求第1-2项。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于2019年08月14日提交的权利要求第1-2项，2018年07月05日提交的说明书第1-9页、申请日2015年01月21日提交的说明书附图第1-6页、说明书摘要以及摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用驳回决定与复审通知书中引用的如下对比文件，即：
对比文件1：JP特开2012-146724A，公开日为2012年08月02日；
对比文件2：CN103107078A，公开日为2013年05月15日。
2-1、关于权利要求1的创造性
权利要求1要求保护一种光器件的加工方法，其包括两个并列的技术方案，技术方案1包括技术特征“凹部形成工序，在实施该分割之前”，技术方案2包括技术特征“凹部形成工序，在实施该分割之后”。
对于技术方案1：对比文件1公开了一种光器件的加工方法，并具体公开了（参见说明书第[0019]-[0103]段，附图4-13）：该光器件411包括在基板413的背面形成有切割沟槽401（即凹部）的基板413，在基板413的正面形成有发光层412，该器件的加工方法包括：在光器件芯片W的背面连续地形成各光器件的切割沟槽401、407（即凹部），该沟槽407具有曲面的内周面（附图12），使得发光层412发出的光被沟槽401反射，进而入射到外部时的角度小于临界角，从而使得光更加有效地入射到外部（参见说明书第[0102]段）（即公开了凹部形成工序，在实施分割工序之前，在该背面形成内周面为曲面的凹部）；在光器件芯片W的正面侧粘贴胶带132（即本申请的在光器件晶片的正面侧粘贴保护带），所述光器件芯片W在正面具有发光层412，光器件芯片W在正面形成有网格状的分割预定线（参见说明书第[0019]段），并且在由网格状的分割预定线划分出的各区域中分别具有光器件411（即公开了本申请中的粘贴工序）；沿着分割预定线照射激光形成改性层402，形成分割的开端的分割起点，该改性层沿着分割预定线形成，沿着光器件芯片W的改性层402施加外力，将光器件芯片W分割成一个个的光器件411（即公开了本申请中的分割起点形成工序和分割工序）（参见说明书第[0096]-[0099]段）。
权利要求1的该技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：（1）向各个光器件晶片的背面照射对于各光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而通过烧蚀加工在多个光器件的背面连续地形成凹部；（2）凹部为弹坑状，从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状；形成有所述凹部的区域相对于所述基板的所述背面的全部面积的比例为40％～80％。
基于该区别技术特征，可以确定实际要解决的技术问题是：（1）提高凹部生产效率；（2）提高侧面出光效率。
对于区别技术特征（1），对比文件1已经描述了沟槽401（即凹部）的形成方法不限于切割（说明书第[0104]-[0105]段）。而在本领域，通过激光照射对于该光器件晶片具有吸收性的波长的光线、通过烧蚀加工连续地形成凹部，是本领域的常规手段（参见《金工实习》，黄丽明主编；朱征，郑连义副主编，2013年，第218页倒数第2段）。将对比文件1公开的用切割刀具形成凹部的方法替换为激光烧蚀形成凹坑，以提高生产效率，是本领域常用技术手段的替换。
对于区别技术特征（2），对比文件1已经公开了（参见说明书第[0101]-[0102]段，附图12）：该沟槽407具有一个曲面，使得发光层412发出的光被沟槽401反射，进而入射到外部时的角度小于临界角，从而使得光更加有效地入射到外部。在此基础上，为进一步优化该侧面的出光效率，将对比文件1公开的内周面为曲面的凹部具体设置为内周面为曲面的弹坑状凹部，且从该背面的垂直方向观察时该凹部为圆形状是本领域技术人员容易想到的，不需要付出创造性的劳动。对比文件1的沟槽407能提高侧面出光效率，而较多面积的沟槽能进一步提高出光效率也是本领域技术人员容易想到的，通过有限常规试验得到40％～80％的面积比例是容易实现的，无需付出创造性劳动。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到权利要求1的技术方案1，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1的技术方案1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于技术方案2，参照对技术方案1的评述可知，权利要求1的该技术方案2与对比文件1的区别技术特征除了上述区别技术特征（1）、（2）之外，还包括区别技术特征（3）：凹部形成工序，在实施分割之后。
然而，凹部在分割工序之前或之后制作都是本领域技术人员实际需求的选择，该选择只是一种常规设置。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到权利要求1的技术方案2，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1的技术方案2不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、关于权利要求2的创造性
权利要求2对其引用的权利要求做出了进一步的限定，其附加技术特征所起的作用为去除碎屑。对比文件2公开了一种光器件晶片的加工方法，并具体公开了（参见说明书第[0006]段）：激光加工形成槽后，利用蚀刻工艺去除槽中的碎屑。基于此，本领域技术人员可以得到启示，当对比文件1的凹部通过激光形成后，再利用蚀刻去除凹部中的碎屑，无需付出创造性劳动。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常用技术手段得到权利要求2所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人于2019年08月14日提交的意见陈述书中的意见，合议组认为：对比文件1在基板背面设置了沟槽407，该沟槽提高了侧面出光效率，基于对比文件1公开的内容，较多面积的沟槽能进一步提高出光效率也是本领域技术人员容易想到的，因此，在对比文件1的基础上通过有限常规试验即能得到40％～80％的凹部面积比例，无需付出创造性劳动。
综上所述，本申请权利要求1-2相对于现有证据不具备创造性，对于复审请求人的意见陈述，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组现作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于 2018年12月10日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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