发明创造名称：OLED背板结构
外观设计名称：
决定号：190038
决定日：2019-09-18
委内编号：1F265667
优先权日：
申请（专利）号：201510227787.X
申请日：2015-05-06
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周江
合议组组长：商纪楠
参审员：钟翊
国际分类号：H01L27/32，G09G3/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第二十二条第三款
决定要点
：若一项权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别特征，但区别特征属于本领域惯用手段，在最接近的现有技术的基础上结合本领域惯用手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
全文：
本复审请求案涉及申请号为201510227787.X，名称为“OLED背板结构”的发明专利申请（下称本申请），申请人为深圳市华星光电技术有限公司，申请日为2015年05月06日，公开日为2015年09月02日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由如下：权利要求1-14相对于对比文件1（CN204289455U，公告日为2015年04月22日）和本领域惯用手段的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2015年05月06日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-46段、说明书附图图1-6；2018年07月18日提交的权利要求第1-14项。驳回决定针对的权利要求书如下：
“1.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触；
所述第一电极(81)的材料为ITO；
所述辅助导电层的材料为ITO；
所述第二绝缘层(72)上设有辅助导电层(85)，所述像素定义层(83)上对应所述辅助导电层(85)上方设有第三过孔(316)，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316)与所述辅助导电层(85)相接触。
2.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述像素定义层(83)上对应所述第一电极(81)上方设有第一过孔(311)，所述第一绝缘层(71)、及第二绝缘层(72)上对应所述TFT层(70)上方设有第二过孔(315)；所述发光层(90)经由所述第一过孔(311)与所述第一电极(81)相接触，所述第一电极(81)经由所述第二过孔(315)与所述TFT层(70)相接触；
所述第一电极(81)作为像素电极即OLED的阳极，所述第二电极(82)作为OLED的阴极。
3.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层(85)与所述第一电极(81)采用同一道光罩制备。
4.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层呈连续网格状分布，或者由数个间隔设置的辅助导电块组成。
5.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，各层辅助导电层的排布方式相同或不同。
6.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触；
所述第一电极(81)的材料为ITO；
所述辅助导电层的材料为ITO；
所述第一绝缘层(71)上设有辅助导电层(85’)，所述像素定义层(83)、及第二绝缘层(72)上对应所述辅助导电层(85’)上方设有第三过孔(316’)，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316’)与所述辅助导电层(85’)相接触。
7.如权利要求6所述的OLED背板结构，其特征在于，所述像素定义层(83)上对应所述第一电极(81)上方设有第一过孔(311)，所述第一绝缘层(71)、及第二绝缘层(72)上对应所述TFT层(70)上方设有第二过孔(315)；所述发光层(90)经由所述第一过孔(311)与所述第一电极(81)相接触，所述第一电极(81)经由所述第二过孔(315)与所述TFT层(70)相接触；
所述第一电极(81)作为像素电极即OLED的阳极，所述第二电极(82)作为OLED的阴极。
8.如权利要求6所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层(85’)单独制作或与其他导电电极同时制作。
9.如权利要求6所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层呈连续网格状分布，或者由数个间隔设置的辅助导电块组成。
10.如权利要求6所述的OLED背板结构，其特征在于，各层辅助导电层的排布方式相同或不同。
11.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触；
所述第一电极(81)的材料为ITO；
所述辅助导电层的材料为ITO；
所述第一绝缘层(71)上设有第一辅助导电层(851)，所述第二绝缘层(72)上设有第二辅助导电层(852)，所述像素定义层(83)上对应所述第二辅助导电层(852)上方设有第三过孔(316”)，所述第二绝缘层(72)上对应所述第一辅助导电层(851)上方设有第四过孔(317)；所述第二辅助导电层(852)经由所述第四过孔(317)与所述第一辅助导电层(851)相接触，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316”)与所述第二辅助导电层(852)相接触。
12.如权利要求11所述的OLED背板结构，其特征在于，所述像素定义层(83)上对应所述第一电极(81)上方设有第一过孔(311)，所述第一绝缘层(71)、及第二绝缘层(72)上对应所述TFT层(70)上方设有第二过孔(315)；所述发光层(90)经由所述第一过孔(311)与所述第一电极(81)相接触，所述第一电极(81)经由所述第二过孔(315)与所述TFT层(70)相接触；
所述第一电极(81)作为像素电极即OLED的阳极，所述第二电极(82)作为OLED的阴极。
13.如权利要求11所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层呈连续网格状分布，或者由数个间隔设置的辅助导电块组成。
14.如权利要求11所述的OLED背板结构，其特征在于，各层辅助导电层的排布方式相同或不同。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月12日向国家知识产权局提出了复审请求，复审请求人在提交复审请求时提交了权利要求书的全文替换页，包含权利要求第1-13项。复审请求人对权利要求书进行了如下修改：①删除原权利要求1，并将原权利要求3作为新的权利要求1，将其余权利要求顺次编号并适应性修改引用关系；②将新的权利要求5中的技术特征“所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316’)与所述辅助导电层(85’)相接触”修改为“所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316’)与所述辅助导电层(85’)直接相接触”；③在新的权利要求10中增加技术特征“所述第一辅助导电层(851)及第二辅助导电层(852)的材料均为ITO”。修改后的三项独立权利要求1、5、10如下：
“1.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触；
所述第一电极(81)的材料为ITO；
所述辅助导电层的材料为ITO；
所述第二绝缘层(72)上设有辅助导电层(85)，所述像素定义层(83)上对应所述辅助导电层(85)上方设有第三过孔(316)，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316)与所述辅助导电层(85)相接触；
所述辅助导电层(85)与所述第一电极(81)采用同一道光罩制备。”
“5.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触；
所述第一电极(81)的材料为ITO；
所述辅助导电层的材料为ITO；
所述第一绝缘层(71)上设有辅助导电层(85’)，所述像素定义层(83)、及第二绝缘层(72)上对应所述辅助导电层(85’)上方设有第三过孔(316’)，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316’)与所述辅助导电层(85’)直接相接触。”
“10.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触；
所述第一电极(81)的材料为ITO；
所述辅助导电层的材料为ITO；
所述第一绝缘层(71)上设有第一辅助导电层(851)，所述第二绝缘层(72)上设有第二辅助导电层(852)，所述像素定义层(83)上对应所述第二辅助导电层(852)上方设有第三过孔(316”)，所述第二绝缘层(72)上对应所述第一辅助导电层(851)上方设有第四过孔(317)；所述第二辅助导电层(852)经由所述第四过孔(317)与所述第一辅助导电层(851)相接触，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316”)与所述第二辅助导电层(852)相接触；
所述第一辅助导电层(851)及第二辅助导电层(852)的材料均为ITO。”
复审请求人认为：（1）新权利要求1与对比文件1相比，具有以下区别特征：1.1、设于像素限定层上的光阻间隙物；发光层还设置在像素限定层上；第二电极与辅助导电层相接触；第一电极的材料为ITO，辅助导电层的材料为ITO；1.2、辅助导电层设置在第二绝缘层上；1.3、辅助导电层与所述第一电极采用同一道光罩制备。对比文件1公开的技术方案中，辅助电极130与第一电极141分别形成在钝化层120的两侧，显然两者根本并不位于同一个膜层，因此两者必然需要两道单独的光罩制程才能够制作完成，根本不可能利用同一道光罩制作。（2）新权利要求5与对比文件1相比，具有以下区别特征：5.1、设于像素限定层上的光阻间隙物；发光层还设置在像素限定层上；第一电极的材料为ITO，辅助导电层的材料为ITO；5.2、第二电极与辅助导电层通过第二绝缘层中的过孔相接触；第二电极经由第三过孔与所述辅助导电层直接相接触。对比文件1中首先形成的是与辅助电极130直接接触的导电层150，而后，位于像素界定层160上的第二电极143经过过孔与过孔内的导电层150直接接触，通过导电层150将第二电极143与辅助电极130电性连接，此种结构中，辅助电极130与第二电极143的连接通路上存在导电层150与辅助电极130的界面以及导电层150与第二电极143的界面这两个接触界面，由于接触界面的存在，容易在该处产生接触电阻，从而增加了整体的电阻，不利于降低第二电极143的电阻值，而本申请中，第二电极经由设置在像素定义层及第二绝缘层上的第三过孔与辅助导电层直接相接触，从而第二电极与辅助导电层的连接通路上仅具有一个接触界面，降低了接触电阻产生的可能性，有利于降低整体的电阻值。（3）新权利要求10与对比文件1相比，具有以下区别特征：10.1、设于像素限定层上的光阻间隙物；发光层还设置在像素限定层上；第一电极的材料为ITO；10.2、第二电极与数层辅助导电层通过第二绝缘层中的过孔相接触；辅助导电层的材料为ITO；第一辅助导电层及第二辅助导电层的材料均为ITO。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
在前置审查意见书中，原审查部门认为：第一，权利要求1中限定了“第二电极下方设有与第一电极相间隔的数层辅助导电层”和“辅助导电层与第一电极采用同一道光罩制备”，然而，数层辅助导电层不能够与第一电极采用同一道光罩制备，因此，认为其限定的是“数层辅助导电层中的一层与第一电极采用同一道光罩制备”。对比文件1已经公开（参见说明书第[0025]段）：图案化第一电极层时保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150。由此可见，对比文件1已经公开导电层150（即数层辅助电极中的一层）与第一电极通过同一道光罩完成，也能够节省工艺步骤。第二，独立权利要求1、5、10中都限定“第二电极下方设有与第一电极相间隔的数层辅助导电层”，即结构中都包括数层辅助导电层，这与对比文件1中的公开的包含导电层150和辅助导电层130（即数层辅助电极）的内容相同。而且对比文件1中第二电极141也是直接接触导电层150和辅助导电层130（即数层辅助电极）中的导电层150的表面。如果复审请求人想保护只有一个接触界面的单层辅助电极的技术方案，对比文件1也公开该技术方案，参见说明书第[0025]段。第三，对比文件1已经公开导电层150由第一电极的材料形成（参见说明书第[0025]段），还公开了辅助电极130由低电阻材料制成以降低第二电极143的电压差。因此，本领域技术人员有动机设置导电层和辅助电极都采用低电阻率的材料，以减小电极的整体电阻。而且使用低电阻率的ITO材料形成作为像素电极的第一电极和辅助电极是本领域惯用手段。因此，本领域技术人员选择本领域常见的低电阻材料ITO形成对比文件1中辅助导电层和辅助电极（相当于第一辅助导电层、第二辅助导电层）是容易得到的，不需要付出创造性劳动。第四，OLED背板结构还包括设于像素定义层上的光阻间隙物是本领域惯用手段，如现有技术CN104022079A第[0059]段、现有技术CN104037129A第[0054]段、现有技术CN104157608A第[0085]段、现有技术CN104157678A第[0041]段和现有技术CN104538429A第[0080]段等都公开了相关技术。因此本申请所请求保护的技术方案不具备创造性，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13相对于对比文件1和本领域惯用手段的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
合议组认为：（1）复审请求人认定的新权利要求1与对比文件1的上述区别特征中，“第二电极与辅助导电层相接触”、“辅助导电层与所述第一电极采用同一道光罩制备”已经被对比文件1公开了（参见说明书第[0020]-[0028]段，及其附图1-3）：如图1所示，第二电极143下方设有与第一电极141相间隔的辅助电极130和导电层150（两者一起相当于本申请的数层辅助导电层），第二电极143与辅助电极130和导电层150相接触；再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150（相当于本申请的所述辅助导电层与所述第一电极采用同一道光罩制备），这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。（2）复审请求人认定的新权利要求5与对比文件1的上述区别特征中，权利要求5中并未限定与特征“第二电极与辅助导电层通过第二绝缘层中的过孔相接触”完全一致的特征，权利要求5中与此相关的特征为：所述像素定义层、及第二绝缘层上对应所述辅助导电层上方设有第三过孔，所述第二电极经由所述第三过孔与所述辅助导电层直接相接触（包含上述特征“第二电极经由第三过孔与所述辅助导电层直接相接触”），该特征已经被对比文件1公开了（参见说明书第[0020]-[0028]段，及其附图1-3）：如图1所示，第二绝缘层114上设有辅助电极130和导电层150，像素限定层160上对应辅助电极130和导电层150上方设有第三过孔（相当于本申请的第三过孔），第二电极143经由所述第三过孔与辅助电极130和导电层150直接相接触。本申请权利要求5中明确限定了数层辅助导电层，对比文件1中的辅助电极130和导电层150两者一起相当于本申请的数层辅助导电层，因此，本申请权利要求5与对比文件1中都存在两个接触界面。另外，对比文件1中已经公开了（参见说明书第[0025]段）：辅助电极130可以与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。（3）复审请求人认定的新权利要求10与对比文件1的上述区别特征中，权利要求10中并未限定与特征“第二电极与数层辅助导电层通过第二绝缘层中的过孔相接触”完全一致的特征，权利要求10中与此相关的特征为：所述像素定义层上对应所述第二辅助导电层上方设有第三过孔，所述第二绝缘层上对应所述第一辅助导电层上方设有第四过孔；所述第二辅助导电层经由所述第四过孔与所述第一辅助导电层相接触，所述第二电极经由所述第三过孔与所述第二辅助导电层相接触。该特征已经被对比文件1公开了（参见说明书第[0020]-[0028]段，及其附图1-3）：如图1所示，像素限定层160上对应导电层150上方设有第三过孔（相当于本申请的第三过孔），钝化层120上对应辅助电极130上方设有第四过孔（相当于本申请的第四过孔），导电层150经由所述第四过孔与辅助电极130相接触，第二电极143经由所述第三过孔与导电层150相接触。上述其余区别特征是本领域惯用手段。因此合议组对复审请求人的意见不予支持。
复审请求人于2019年05月22日提交了意见陈述书，未修改申请文件。
复审请求人认为：第一，关于权利要求1，对比文件1的导电层150是用于将第二电极143与辅助电极130导通的结构，本领域的技术人员很难能够想到将该嵌入钝化层120中的导电层150设置在钝化层120上。如果这么设置，导电层150与辅助电极130将被绝缘的钝化层120间隔开而无法将钝化层120与第二电极143连接，与对比文件1所要达到的技术效果相悖。而本申请中，在第二绝缘层上设有辅助导电层，该辅助导电层除了需要与第二电极进行连接以增强第二电极的导电能力之外，无需与其他结构层进行连接，因此，该辅助导电层只需要直接设置在第二绝缘层上即可。另外，为了图案化钝化层120时在辅助电极130上方形成开口，对比文件1中在对钝化层120进行蚀刻时，相应的掩膜板不仅仅需要对应源/漏电极1134设置图案，还要对应辅助电极130设置图案，使得掩膜板图案复杂程度大大增加。而本申请中，第二绝缘层在进行图案化时，利用到的掩膜板无需对应后续形成辅助导电层的位置设置特殊的图案，因此掩膜板的图案复杂程度降低，成本降低。第二，关于权利要求5，对比文件1中虽然公开了第三过孔，然而该第三过孔是仅设置在像素限定层160上的过孔，并不同时设置在像素限定层160及钝化层120上。而本申请中，像素定义层、及第二绝缘层上对应所述辅助导电层上方设有第三过孔。第三，关于权利要求10，对比文件1中当导电层150及辅助电极130采用不同的材料制作时，会在导电层150及辅助电极130的接触界面产生较大的接触电阻，使得对比文件1公开的技术方案实际上降低第二电极143的电阻的效果较差，而本申请中，在设置了第一辅助导电层及第二辅助导电层的基础上，将第一辅助导电层及第二辅助导电层的材料均设为ITO，使得两者材料相同，并且现有技术中ITO膜层的制作一般采用化学气相沉积来进行，两层依次形成的ITO膜层之间并不会存在明显的分界面，从而使得第一辅助导电层及第二辅助导电层之间的接触电阻极小，进而提升第一辅助导电层及第二辅助导电层降低第二电极的电阻的效果。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年05月22日答复复审通知书时未修改申请文件。因此本复审决定所依据的审查文本与2019年04月26日向复审请求人发出的复审通知书所针对的文本相同，即：申请日2015年05月06日提交的说明书第1-46段、说明书附图图1-6、说明书摘要、摘要附图；以及2018年11月12日提交的权利要求第1-13项。
（二）关于专利法第二十二条第三款
专利法第二十二条第三款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
若一项权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别特征，但区别特征属于本领域惯用手段，在最接近的现有技术的基础上结合本领域惯用手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
本复审决定引用的对比文件与复审通知书和驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN204289455U，公告日为2015年04月22日。
2.1、权利要求1不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求1请求保护一种OLED背板结构。对比文件1公开一种有机发光二极管显示装置，并具体公开（参见说明书第[0020]-[0028]段，及其附图1-3）：
包括基板110，设于基板110上的薄膜晶体管1130（相当于本申请的TFT层），设于薄膜晶体管1130上的第二绝缘层114（相当于本申请的第一绝缘层），设于第二绝缘层114上的钝化层120（相当于本申请的第二绝缘层）；设于钝化层120中的第一电极141（相当于本申请的第一电极），设于第一电极141与钝化层120上的像素限定层160（相当于本申请的像素定义层），设于第一电极141上的有机发光层142；设于像素限定层160及有机发光层142上的第二电极143；第二电极143下方设有与第一电极141相间隔的辅助电极130和导电层150（两者一起相当于本申请的数层辅助导电层），第二电极143与辅助电极130和导电层150相接触；钝化层120中设有辅助电极130和导电层150，像素限定层160上对应辅助电极130和导电层150上方设有第三过孔（相当于本申请的第三过孔），第二电极143经由所述第三过孔与辅助电极130和导电层150相接触；
再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150（相当于本申请的所述辅助导电层与所述第一电极采用同一道光罩制备），这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。
该权利要求所要求保护的技术方案相对于对比文件1的区别在于：设于所述像素限定层上的光阻间隙物，第二电极还设于所述光阻间隙物上；发光层还设置在所述像素限定层上；所述第一电极的材料为ITO，所述辅助导电层的材料为ITO；第一电极、辅助导电层设于所述第二绝缘层上。基于上述区别特征，本申请实际解决的技术问题是设置OLED结构、选择导电层的材料。
像素限定层上设置光阻间隙物是本领域惯用手段。而且发光层设置在像素限定层上也是本领域惯用手段。此外，对比文件1（参见说明书第[0024]段）已经公开了导电层150与第一电极141都由第一电极层图案化形成，因此材料相同。而且本领域中电极导电材料采用ITO是本领域惯用手段。而本领域中采用导电层/绝缘层/导电层（导电层之间通过位于绝缘层中的导电通孔电连接）这样的叠层结构是本领域惯用手段，本领域技术人员很容易想到将对比文件1中的嵌入在钝化层120中的第一电极141、导电层150设置在钝化层120上，而钝化层120中的导电通孔将继续嵌入在钝化层120以继续电连接重新设置在钝化层120表面上的第一电极141、导电层150。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域惯用手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此，该权利要求所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.2、权利要求2不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求2引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第[0021]段）：像素限定层160上对应第一电极141上方设有第一过孔；第二绝缘层114和钝化层120上对应薄膜晶体管1130上方设有第二过孔；有机发光层142经由所述第一过孔与第一电极141相接触；第一电极141经由所述第二过孔与薄膜晶体管1130相接触；第一电极141作为发光元件140的阳极，第二电极143作为发光元件140的阴极。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.3、权利要求3不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求3引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第[0023]段，及其附图1-2）：辅助电极130包括多个电极，与发光元件140之间一一对应，或者一个电极对应多个发光元件140。如图2所示，辅助电极130（即辅助导电层）包括多个经图案化后的金属层形成的电极131（即辅助导电块），电极131与发光元件141一一对应。辅助电极130中的电极131还可以对应多个发光元件140，这样的电极131呈条状，成行或成列的设置在基板110上，并与相应的第二电极143连接，当多个发光元件140的第二电极143形成共阴极时，这些电极131与共阴极连接。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求3所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.4、权利要求4不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求4引用权利要求1，其包含两个并列技术方案：技术方案一，其中，各层辅助导电层的排布方式相同；技术方案二，其中，各层辅助导电层的排布方式不同。
对于技术方案一，对比文件1已经公开了（参见说明书第[0025]段，及其附图1）：再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。也就是说，导电层150与辅助电极130的排布方式可以相同（相当于本申请的各层辅助导电层的排布方式相同）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求4所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
对于技术方案二，对比文件1已经公开了（参见说明书第[0025]段，及其附图1）：再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。本领域技术人员很容易想到将导电层150采用刻蚀与保留两种情况的结合，使得导电层150的排布方式与辅助电极130的排布方式不同，不需要付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求4所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.5、权利要求5不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求5请求保护一种OLED背板结构。对比文件1公开一种有机发光二极管显示装置，并具体公开（参见说明书第[0020]-[0028]段，及其附图1-3）：
包括基板110，设于基板110上的薄膜晶体管1130（相当于本申请的TFT层），设于薄膜晶体管1130上的第二绝缘层114（相当于本申请的第一绝缘层），设于第二绝缘层114上的钝化层120（相当于本申请的第二绝缘层）；设于钝化层120上的第一电极141（相当于本申请的第一电极），设于第一电极141与钝化层120上的像素限定层160（相当于本申请的像素定义层），设于第一电极141上的有机发光层142；设于像素限定层160及有机发光层142上的第二电极143；第二电极143下方设有与第一电极141相间隔的辅助电极130和导电层150（两者一起相当于本申请的数层辅助导电层），第二电极143与辅助电极130和导电层150相接触；在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130；当辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接时，可以得出：第二绝缘层114上设有辅助电极130，像素限定层160及钝化层120上对应辅助电极130上方设有第三过孔（相当于本申请的第三过孔），第二电极143经由所述第三过孔与辅助电极130直接相接触。
该权利要求所要求保护的技术方案相对于对比文件1的区别在于：设于所述像素限定层上的光阻间隙物，第二电极还设于所述光阻间隙物上；发光层还设置在所述像素限定层上；所述第一电极的材料为ITO，所述辅助导电层的材料为ITO。基于上述区别特征，本申请实际解决的技术问题是设置OLED结构、选择导电层的材料。
像素限定层上设置光阻间隙物是本领域惯用手段。而且发光层设置在像素限定层上也是本领域惯用手段。此外，对比文件1（参见说明书第[0024]段）已经公开了导电层150与第一电极141都由第一电极层图案化形成，因此材料相同。而且本领域中电极导电材料采用ITO是本领域惯用手段。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域惯用手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此，该权利要求所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.6、权利要求6不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求6引用权利要求5，对比文件1还公开了（参见说明书第[0021]段）：像素限定层160上对应第一电极141上方设有第一过孔；第二绝缘层114和钝化层120上对应薄膜晶体管1130上方设有第二过孔；有机发光层142经由所述第一过孔与第一电极141相接触；第一电极141经由所述第二过孔与薄膜晶体管1130相接触；第一电极141作为发光元件140的阳极，第二电极143作为发光元件140的阴极。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.7、权利要求7不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求7引用权利要求5，对比文件1还公开（参见说明书第[0025]段）：在钝化层120上沉积金属层或者导电材料层，并将金属层或者导电材料层图案化，形成相应形状的辅助电极130（相当于本申请的所述辅助导电层单独制作）。然后，再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150（相当于本申请的所述辅助导电层与其他导电电极同时制作），这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.8、权利要求8不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求8引用权利要求5，对比文件1还公开了（参见说明书第[0023]段，及其附图1-2）：辅助电极130包括多个电极，与发光元件140之间一一对应，或者一个电极对应多个发光元件140。如图2所示，辅助电极130（即辅助导电层）包括多个经图案化后的金属层形成的电极131（即辅助导电块），电极131与发光元件141一一对应。辅助电极130中的电极131还可以对应多个发光元件140，这样的电极131呈条状，成行或成列的设置在基板110上，并与相应的第二电极143连接，当多个发光元件140的第二电极143形成共阴极时，这些电极131与共阴极连接。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.9、权利要求9不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求9引用权利要求5，其包含两个并列技术方案：技术方案一，其中，各层辅助导电层的排布方式相同；技术方案二，其中，各层辅助导电层的排布方式不同。
对于技术方案一，对比文件1已经公开了（参见说明书第[0025]段，及其附图1）：再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。也就是说，导电层150与辅助电极130的排布方式可以相同（相当于本申请的各层辅助导电层的排布方式相同）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
对于技术方案二，对比文件1已经公开了（参见说明书第[0025]段，及其附图1）：再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。本领域技术人员很容易想到将导电层150采用刻蚀与保留两种情况的结合，使得导电层150的排布方式与辅助电极130的排布方式不同，不需要付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.10、权利要求10不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求10请求保护一种OLED背板结构。对比文件1公开一种有机发光二极管显示装置，并具体公开（参见说明书第[0020]-[0028]段，及其附图1-3）：
包括基板110，设于基板110上的薄膜晶体管1130（相当于本申请的TFT层），设于薄膜晶体管1130上的第二绝缘层114（相当于本申请的第一绝缘层），设于第二绝缘层114上的钝化层120（相当于本申请的第二绝缘层）；设于钝化层120上的第一电极141（相当于本申请的第一电极），设于第一电极141与钝化层120上的像素限定层160（相当于本申请的像素定义层），设于第一电极141上的有机发光层142；设于像素限定层160及有机发光层142上的第二电极143；第二电极143下方设有与第一电极141相间隔的辅助电极130和导电层150（两者一起相当于本申请的数层辅助导电层），第二电极143与辅助电极130和导电层150相接触；第二绝缘层114上设有辅助电极130（相当于本申请的第一辅助导电层）；钝化层120中设有导电层150（相当于本申请的第二辅助导电层），像素限定层160上对应导电层150上方设有第三过孔（相当于本申请的第三过孔），钝化层120上对应辅助电极130上方设有第四过孔（相当于本申请的第四过孔），导电层150经由所述第四过孔与辅助电极130相接触，第二电极143经由所述第三过孔与导电层150相接触。
该权利要求所要求保护的技术方案相对于对比文件1的区别在于：设于所述像素限定层上的光阻间隙物，第二电极还设于所述光阻间隙物上；发光层还设置在所述像素限定层上；所述第一电极的材料为ITO，所述辅助导电层的材料为ITO，所述第一辅助导电层及第二辅助导电层的材料均为ITO；所述第二绝缘层上设有第二辅助导电层。基于上述区别特征，本申请实际解决的技术问题是设置OLED结构、选择导电层的材料。
像素限定层上设置光阻间隙物是本领域惯用手段。而且发光层设置在像素限定层上也是本领域惯用手段。此外，对比文件1（参见说明书第[0024]段）已经公开了导电层150与第一电极141都由第一电极层图案化形成，因此材料相同。而且本领域中电极导电材料采用ITO是本领域惯用手段。而本领域中采用导电层/绝缘层/导电层（导电层之间通过位于绝缘层中的导电通孔电连接）这样的叠层结构是本领域惯用手段，本领域技术人员很容易想到将对比文件1中的嵌入在钝化层120中的第一电极141、导电层150设置在钝化层120上，而钝化层120中的导电通孔将继续嵌入在钝化层120以继续电连接重新设置在钝化层120表面上的第一电极141、导电层150。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域惯用手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此，该权利要求所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.11、权利要求11不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求11引用权利要求10，对比文件1还公开了（参见说明书第[0021]段）：像素限定层160上对应第一电极141上方设有第一过孔；第二绝缘层114和钝化层120上对应薄膜晶体管1130上方设有第二过孔；有机发光层142经由所述第一过孔与第一电极141相接触；第一电极141经由所述第二过孔与薄膜晶体管1130相接触；第一电极141作为发光元件140的阳极，第二电极143作为发光元件140的阴极。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.12、权利要求12不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求12引用权利要求10，对比文件1还公开了（参见说明书第[0023]段，及其附图1-2）：辅助电极130包括多个电极，与发光元件140之间一一对应，或者一个电极对应多个发光元件140。如图2所示，辅助电极130（即辅助导电层）包括多个经图案化后的金属层形成的电极131（即辅助导电块），电极131与发光元件141一一对应。辅助电极130中的电极131还可以对应多个发光元件140，这样的电极131呈条状，成行或成列的设置在基板110上，并与相应的第二电极143连接，当多个发光元件140的第二电极143形成共阴极时，这些电极131与共阴极连接。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2.13、权利要求13不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求13引用权利要求10，其包含两个并列技术方案：技术方案一，其中，各层辅助导电层的排布方式相同；技术方案二，其中，各层辅助导电层的排布方式不同。
对于技术方案一，对比文件1已经公开了（参见说明书第[0025]段，及其附图1）：再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。也就是说，导电层150与辅助电极130的排布方式可以相同（相当于本申请的各层辅助导电层的排布方式相同）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
对于技术方案二，对比文件1已经公开了（参见说明书第[0025]段，及其附图1）：再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。本领域技术人员很容易想到将导电层150采用刻蚀与保留两种情况的结合，使得导电层150的排布方式与辅助电极130的排布方式不同，不需要付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
（三）关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：第一，关于权利要求1，其所要求保护的技术方案相对于对比文件1的区别之一在于：第一电极、辅助导电层设于所述第二绝缘层上。而对比文件1中已经公开了（参见说明书附图1）：第一电极141（相当于本申请的第一电极）设于钝化层120中，辅助电极130和导电层150（相当于本申请的数层辅助导电层）设于钝化层120中。而本领域中采用导电层/绝缘层/导电层（导电层之间通过位于绝缘层中的导电通孔电连接）这样的叠层结构是本领域惯用手段，本领域技术人员很容易想到将对比文件1中的嵌入在钝化层120中的第一电极141、导电层150设置在钝化层120上，而钝化层120中的导电通孔将继续嵌入在钝化层120以继续电连接重新设置在钝化层120表面上的第一电极141、导电层150。由于辅助电极130与导电层150是直接电连接的以降低电阻，因此，本领域技术人员在将嵌入在钝化层120中的第一电极141、导电层150设置在钝化层120上时，需要仍然保持辅助电极130与导电层150的直接电连接，例如可以通过增大辅助电极130的厚度、减小钝化层120的厚度或者增加导电通孔。至于掩膜板图案的复杂程度，本领域中已有与导电层/绝缘层/导电层（导电层之间通过位于绝缘层中的导电通孔电连接）这样的叠层结构相适应的掩膜板。第二，关于权利要求5，首先，对比文件1已经公开了：在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；此时，第二绝缘层114上设有辅助电极130，像素限定层160及钝化层120上对应辅助电极130上方设有第三过孔（相当于本申请的第三过孔），第二电极143经由所述第三过孔与辅助电极130直接相接触。可见，对比文件1已经公开了权利要求5中的特征“所述像素定义层(83)、及第二绝缘层(72)上对应所述辅助导电层(85’)上方设有第三过孔(316’)”。第三，关于权利要求10，复审请求人所声称的关于第一辅助导电层及第二辅助导电层的材料均设为ITO，使得两者材料相同所带来的技术效果在本申请的原始说明书及权利要求书中并未记载。另外，对比文件1中已经公开了：通过辅助电极130与第二电极143连接，可以有效的降低辅助电极130和第二电极143组成的结构的电阻，从而降低或者最小化第二电阻143不同位置的电压差，进而降低功耗，并且减小发光元件之间的亮度差异（参见说明书第[0022]段）；辅助电极130包括多个经图案化后的金属层形成的电极131，当然，辅助电极130也可以为其他导电材料形成的电极131（参见说明书第[0023]段）。本领域中电极导电材料采用ITO是本领域惯用手段。本领域技术人员很容易想到根据需要采用ITO作为导电层的材料。综上，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
基于以上事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第四十一条第二款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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