发明创造名称：发光二极管装置
外观设计名称：
决定号：190039
决定日：2019-09-17
委内编号：1F265404
优先权日：2012-08-31
申请（专利）号：201380045351.8
申请日：2013-07-22
复审请求人：埃普科斯股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周忠堂
合议组组长：武建刚
参审员：杜凯
国际分类号：H01L33/64
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，但该区别技术特征可以由本领域技术人员在该最接近的现有技术的基础上结合本领域的公知常识经过合理分析推导得出，则该权利要求请求保护的技术方案相对于该最接近的现有技术和本领域的公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380045351.8，名称为“发光二极管装置”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为埃普科斯股份有限公司，申请日为2013年07月22日，优先权日为2012年08月31日，进入中国国家阶段的日期为2015年02月27日，公开日为2015年07月15日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月20日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：2015年02月27日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-84段、说明书附图第1-4页、说明书摘要、摘要附图，2017年04月26日提交的权利要求第1-16项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管装置（1），其具有第一支承体（2）和布置在第一支承体（2）上的至少一个发光二极管芯片（3），其中
- 第一支承体（2）具有至少第一和第二支承体部分（21,22），
- 所述发光二极管芯片（3）仅铺设在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）上，
- 第一和第二支承体部分（21,22）分别具有导热能力，
- 第一支承体部分（21）的导热能力至少是第二支承体部分（22）的导热能力的1.5倍，
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）被第一支承体（2）的第二支承体部分（22）从侧面围绕，以及
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有掺杂（7），所述掺杂提高第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的导热能力。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，第一支承体部分（21）的导热能力至少是第二支承体部分（22）的导热能力的5倍。
3. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，发光二极管装置具有多个发光二极管芯片（3），其全部布置在第一支承体部分（21）上。
4. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其具有第二支承体（4），该第二支承体具有至少第一和第二支承体部分（41,42），其中
- 第二支承体（4）的第一和第二支承体部分（41,42）分别具有导热能力，
- 第二支承体（4）的第一支承体部分（41）的导热能力至少是第二支承体（4）的第二支承体部分（42）的导热能力的1.5倍，
- 第一支承体（2）布置在第二支承体（4）上，以及
- 第一支承体部分（21，41）彼此叠置地布置。
5. 一种发光二极管装置（1），具有：第一支承体（2），在所述第一支承体上布置有至少一个发光二极管芯片（3）；以及第二支承体（4），在所述第二支承体上布置有所述第一支承体（2），其中
- 第一和第二支承体（2,4）分别具有至少第一和第二支承体部分（21,41,22,42），
- 所述发光二极管芯片（3）仅铺设在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）上，
- 第一和第二支承体部分（21,41,22,42）分别具有导热能力，以及，
其中
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有比第一支承体（2）的第二支承体部分（22）高的导热能力，
- 第二支承体（4）的第一支承体部分（41）具有比第二支承体（4）的第二支承体部分（42）高的导热能力，以及
- 第一支承体部分（21，42）彼此叠置地布置，
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）被第一支承体（2）的第二支承体部分（22）从侧面围绕，
- 第二支承体（2）的第一支承体部分（21）被第二支承体（2）的第二支承体部分（22）从侧面围绕，以及
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有掺杂（7），所述掺杂提高第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的导热能力。
6. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体（2）具有在其上布置有所述发光二极管芯片（3）的第一表面（23）和与第一表面（23）对置的第二表面（24），其中，第一支承体（2）的第一支承体部分（21）从第一延伸至第二表面（23,24）。
7. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有热通路（5），所述热通路从第一支承体的其上布置有所述发光二极管芯片（3）的第一表面（23）延伸至第一支承体（2）的与所述第一表面（23）对置的第二表面（24）。
8. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有金属块（6）。
9. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，掺杂（7）作为金属颗粒被嵌入在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的陶瓷材料中，或者作为金属掺杂被包含在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的半导体材料中。
10. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一和/或第二支承体（2，4）具有ESD保护元件（8），并且所述ESD保护元件（8）实施为变阻器、硅半导体保护二极管或者聚合物ESD保护元件。
11. 根据权利要求10所述的发光二极管装置，其中，所述ESD保护元件（8）通过第一或第二支承体（2，4）的子区域形成。
12. 根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，在第一和/或第二支承体（2，4）上布置有NTC热敏电阻器件（91）和/或PTC热敏电阻器件（92）。
13. 根据上一权利要求所述的发光二极管装置，其中所述NTC热敏电阻器件（91）和/或PTC热敏电阻器件（92）与所述发光二极管芯片（3）互接，并构成用于调节所述发光二极管芯片（3）的控制电流的热传感器或过流保护元件。
14. 根据权利要求4至13中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体（2）的第二支承体部分（22）和/或第二支承体（4）的第二支承体部分（42）具有陶瓷和/或有机材料。
15. 根据权利要求4至13中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体（2）的第二支承体部分（22）和/或第二支承体（4）的第二支承体部分（42）具有金属材料，所述金属材料设有电绝缘层（10）。
16. 根据权利要求4至15中任一项所述的发光二极管装置，其具有第三支承体，其中，第二支承体（4）以背离第一支承体（2）的侧布置在第三支承体上。”
驳回决定引用了以下对比文件：
对比文件1：US2008043444A1，公开日为2008年02月21日；
对比文件2：CN101442015A， 公开日为2009年05月27日；
对比文件3：US2011261536A1，公开日为2011年10月27日。
驳回决定中指出：权利要求1、5相对于对比文件1的区别技术特征为：掺杂提高第一支承体的第一支承体部分的导热能力。该区别技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识容易得出的。因此，权利要求1、5相对于对比文件1与公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-4、6-16的附加技术特征或者被对比文件1-3公开，或者属于本领域的公知常识。权利要求2-4、6-16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月08日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件，仅陈述意见。复审请求人认为：对比文件1中构成热沉10的材料中，陶瓷粉末是掺杂材料，金属粉末是主要材料，而且对比文件1中的陶瓷粉末的含量不大于5％，则已经可充分调节热膨胀系数，所以不需要将陶瓷含量增加到5%以上。另外，对比文件1中也并没有降低热沉10导热率（也就是提高陶瓷粉末含量的比例）的动机，相反的，对比文件1中所需要的是热沉10具有较高的导热性。如果将陶瓷粉末构造为热沉10的主要成分，则必将与对比文件1所追求的“热沉10需要具有高的导热性”相背离。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为，金属陶瓷复合材料衬底为本领域常规衬底，本领域中金属材料作为主材、陶瓷材料作为掺杂的衬底，或是陶瓷材料作为主材，金属材料作为掺杂的衬底均比较常见。对于复合材料中金属和陶瓷的作用、性质研究也已经比较充分，如金属导热性、延展性、韧性较好，陶瓷耐腐蚀性、硬度、刚性较高，根据实际需要，本领技术人员已经具备了调整复合材料衬底中金属、陶瓷的比例以获得特定效果的能力。对比文件1虽然公开了陶瓷材料不大于5%，其为基于实现更高的导热性能的技术效果所要采取的技术手段，当无需对比文件1中所要求的导热性能时，本领域技术人员有动机根据性能需要对各组分比例进行调整。因此，对比文件1并未给出相反教导。本领域技术人员可根据对基板性能的需要调整金属、陶瓷的比例，获得本申请请求保护的技术方案，而无需付出创造性劳动，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月23日向复审请求人发出复审通知书，通知书中指出，权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组指出：对比文件1中给出了调节构成热沉10材料中的金属粉末、陶瓷粉末的含量比例以调整热沉10的热膨胀系数的启示，另外，对比文件1中也公开了提高金属粉末的含量比例可以提高热沉10的导热率（说明书第[0043]-[0045]段）。虽然对比文件1中为了追求较高的导热率，提示构成热沉中的陶瓷粉末的含量比例不超过5%，但该情况是在选择特定的金属粉末材料（例如特定含量比例的Cu 和特定比例含量的W）时做出的，因此，其并未制约本领域技术人员对陶瓷粉末、金属粉末含量比例做出调整，例如，当选择不同种类的金属粉末，不同种类的陶瓷粉末，或不同含量的Cu和W构成的金属粉末时，或不同的应用场景需求时，为了平衡热膨胀系数和导热率之间存在的矛盾，本领域技术人员是有动机合理的调整陶瓷粉末、金属粉末的含量比例，而将陶瓷粉末作为主体材料，金属粉末作为掺杂材料也是其中的一种常规选择，该种选择所带来的获得合适的热膨胀系数和导热率的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。
复审请求人于2019年06月04日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书全文修改替换页，将权利要求9的附加技术特征加入权利要求1、5中，并对权利要求的编号和引用关系进行适应性修改。
修改以后的权利要求1、5内容如下：
“1. 一种发光二极管装置（1），其具有第一支承体（2）和布置在第一支承体（2）上的至少一个发光二极管芯片（3），其中
- 第一支承体（2）具有至少第一和第二支承体部分（21,22），
- 所述发光二极管芯片（3）仅铺设在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）上，
- 第一和第二支承体部分（21,22）分别具有导热能力，
- 第一支承体部分（21）的导热能力至少是第二支承体部分（22）的导热能力的1.5倍，
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）被第一支承体（2）的第二支承体部分（22）从侧面围绕，以及
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有掺杂（7），所述掺杂提高第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的导热能力，其中所述掺杂（7）作为金属颗粒被嵌入在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的陶瓷材料中，或者作为金属掺杂被包含在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的半导体材料中。”
“5. 一种发光二极管装置（1），具有：第一支承体（2），在所述第一支承体上布置有至少一个发光二极管芯片（3）；以及第二支承体（4），在所述第二支承体上布置有所述第一支承体（2），其中
- 第一和第二支承体（2,4）分别具有至少第一和第二支承体部分（21,41,22,42），
- 所述发光二极管芯片（3）仅铺设在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）上，
- 第一和第二支承体部分（21,41,22,42）分别具有导热能力，以及，
其中
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有比第一支承体（2）的第二支承体部分（22）高的导热能力，
- 第二支承体（4）的第一支承体部分（41）具有比第二支承体（4）的第二支承体部分（42）高的导热能力，以及
- 第一支承体部分（21，42）彼此叠置地布置，
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）被第一支承体（2）的第二支承体部分（22）从侧面围绕，
- 第二支承体（2）的第一支承体部分（21）被第二支承体（2）的第二支承体部分（22）从侧面围绕，以及
- 第一支承体（2）的第一支承体部分（21）具有掺杂（7），所述掺杂提高第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的导热能力，其中所述掺杂（7）作为金属颗粒被嵌入在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的陶瓷材料中，或者作为金属掺杂被包含在第一支承体（2）的第一支承体部分（21）的半导体材料中。”
复审请求人认为：对比文件1说明书第[0045]段公开了“混合粉末中的陶瓷粉末的含量（相当于杆状导体10中的陶瓷的含量）通常不大于5％（体积上），特别是不大于4％（体积上），最优选不大于3％（体积上），以保持高导热性”。由此可知，杆状导体具有至少95％以上的金属量，陶瓷材料的量只有5％甚至更少。很显然，金属是主材料，陶瓷材料是掺杂剂。在对比文件1中，没有向本领域技术人员给出任何启示或动机去改变金属和陶瓷材料的相互地位以使得金属是掺杂剂而陶瓷材料是主材料。即使对比文件1教导了本领域技术人员“杆状导体的导热率和热膨胀系数可以通过调整该杆状导体的成分而被调整”，但本领域技术人员没有动机仅仅采纳该单一的信息来得到嵌有金属颗粒（掺杂）的陶瓷材料（主材料）。相反，本领域技术人员将会考虑对比文件1的整体教导，如果陶瓷粉末的含量不大于5%（说明书第[0045]段），那么热膨胀系数即能被充分地调整。据此理由，本领域技术人员从对比文件1并不能显而易见地得到嵌有金属颗粒的陶瓷材料或在半导体材料中的金属掺杂。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年06月04日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所做修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：2015年02月27日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-84段、说明书附图第1-4页、说明书摘要、摘要附图，2019年06月04日提交的权利要求第1-15项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，但该区别技术特征可以由本领域技术人员在该最接近的现有技术的基础上结合本领域的公知常识经过合理分析推导得出，则该权利要求请求保护的技术方案相对于该最接近的现有技术和本领域的公知常识的结合不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件和驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，为：
对比文件1：US2008043444A1，公开日为2008年02月21日；
对比文件2：CN101442015A， 公开日为2009年05月27日；
对比文件3：US2011261536A1，公开日为2011年10月27日。
2-1、权利要求1请求保护一种发光二极管装置，对比文件1公开了一种发光二极管装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0035]-[0045]、[0062]-[0065]段，附图1-8）：该装置包括，由陶瓷基板1（相当于第二支承体部分）和热沉10（相当于第一支承体部分）构成的第一支承体，布置在第一支承体上的一个发光二极管芯片21，所述发光二极管芯片21仅铺设在热沉10上，陶瓷基板1与热沉10分别具有导热能力，热沉10的导热能力是第陶瓷基板1的导热能力的5.3倍，热沉10被陶瓷基板1从侧面围绕。热沉10可以为具有掺杂的复合材料构成，由一定比例的金属粉末及陶瓷粉末混合制成。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1相比区别技术特征是：第一支承体部分中的掺杂具有提高第一支承体部分的导热能力；其中掺杂作为金属颗粒被嵌入在第一支承体的第一支承体部分的陶瓷材料中，或者作为金属掺杂被包含在第一支承体的第一支承体部分的半导体材料中。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际所要解决的技术问题是：如何选择掺杂材料及主体材料以提高第一支承部分的导热能力。
对比文件1中公开了采用金属粉末、陶瓷粉末混合形成热沉10，还通过调节金属粉末、陶瓷粉末的比例以缩小热沉10与陶瓷基板1之间的热膨胀系数差值，另外，可以将陶瓷粉末的含量设置为不超过5%以保证热沉的导热率（说明书第[0044]-[0045]段）。虽然对比文件1中公开的热沉中的主要成分是金属粉末，掺杂成分是陶瓷粉末，但根据对比文件1中公开的内容可知，其采用上述技术手段的主要目的是为了保证热沉具有较高的导热性能。同时，对比文件1公开的上述内容也证明了金属粉末是提高热沉导热能力的成分。另外，对比文件1中也公开了热沉10与陶瓷基板1之间的热膨胀系数差值较大会使得两者发生分裂，因此，上述差值也是一个非常关键的因素，应使其不超过1.0×10-6/°C（说明书第[0044]-[0045]段）。因此，本领域技术人员根据实际的技术需求，有动机调整对比文件1中构成热沉10的金属粉末、陶瓷粉末的比例以获得合适导热率及热膨胀系数，而其中将陶瓷粉末作为主体材料，金属粉末颗粒（也就是本申请中具有提高热沉导热能力的掺杂）作为掺杂材料嵌入陶瓷材料中以提高导热能力也是本领域的惯用技术手段，其所取得的提高导热能力的技术效果也是本领域技术人员可以预期的；在此基础上，将半导体材料作为主体材料，并在半导体材料中掺入金属作为热沉以获得高导热热沉也是本领域技术人员容易想到的。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的惯用技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求2是权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开了热沉10的导热能力为陶瓷基板1的导热能力的5.3倍（说明书第[0043]、[0064]段）。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-3、权利要求3是权利要求1或2的从属权利要求，设置多个发光二极管是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-4、权利要求4是权利要求1-3任一项的从属权利要求，对比文件1公开了发光器件用基板为叠放的两层结构，其中陶瓷基板1包括陶瓷基板1a和陶瓷基板1b两部分，热沉包括热沉9和热沉10，热沉9设置在热沉10上，且热沉10的导热能力为陶瓷基板1b的导热能力的5.3倍（说明书第[0043]、[0062]-[0065]段，附图5）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-5、权利要求5请求保护一种发光二极管装置，对比文件1公开了一种发光二极管装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0035]-[0045]、[0062]-[0065]段，附图1-8）：具有：由陶瓷基板1a（相当于第一支承体的第一支承体部分）与热沉9（相当于第一支承体的第二支承体部分）构成的第一支承体，在所述第一支承体上布置有至少一个发光二极管芯片21；以及由陶瓷基板1b（相当于第二支承体的第一支承体部分）与热沉10（相当于第二支承体的第二支承体部分）构成的第二支承体，在所述第二支承体上布置有所述第一支承体，所述发光二极管芯片21仅铺设在第一支承体的热沉9上，陶瓷基板1a、陶瓷基板1b、热沉9、热沉10分别具有导热能力，以及，热沉9具有比陶瓷基板1a高的导热能力，热沉10具有比陶瓷基板1b高的导热能力，热沉9和热沉10彼此叠置地布置，热沉9被陶瓷基板1a从侧面围绕，热沉10被陶瓷基板1b从侧面围绕，热沉9可以为具有掺杂的复合材料构成，由一定比例的金属粉末及陶瓷粉末混合制成。
权利要求5请求保护的技术方案与对比文件1相比区别技术特征是：第一支承体部分中的掺杂具有提高第一支承体部分的导热能力；其中掺杂作为金属颗粒被嵌入在第一支承体的第一支承体部分的陶瓷材料中，或者作为金属掺杂被包含在第一支承体的第一支承体部分的半导体材料中。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际所要解决的技术问题是：如何选择掺杂材料及主体材料以提高第一支承部分的导热能力。
对比文件1中公开了采用金属粉末、陶瓷粉末混合形成热沉10，还通过调节金属粉末、陶瓷粉末的比例以缩小热沉10与陶瓷基板1之间的热膨胀系数差值，另外，可以将陶瓷粉末的含量设置为不超过5%以保证热沉的导热率（说明书第[0044]-[0045]段）。虽然对比文件1中公开的热沉中的主要成分是金属粉末，掺杂成分是陶瓷粉末，但根据对比文件1中公开的内容可知，其采用上述技术手段的主要目的是为了保证热沉具有较高的导热性能。同时，对比文件1公开的上述内容也证明了金属粉末是提高热沉导热能力的成分。另外，对比文件1中也公开了热沉10与陶瓷基板1之间的热膨胀系数差值较大会使得两者发生分裂，因此，上述差值也是一个非常关键的因素，应使其不超过1.0×10-6/°C（说明书第[0044]-[0045]段）。因此，本领域技术人员根据实际的技术需求，有动机调整对比文件1中构成热沉10的金属粉末、陶瓷粉末的比例以获得合适导热率及热膨胀系数，而其中将陶瓷粉末作为主体材料，金属粉末颗粒（也就是本申请中具有提高热沉导热能力的掺杂）作为掺杂材料嵌入陶瓷材料中以提高导热能力也是本领域的惯用技术手段，其所取得的提高导热能力的技术效果也是本领域技术人员可以预期的；在此基础上，将半导体材料作为主体材料，并在半导体材料中掺入金属作为热沉以获得高导热热沉也是本领域技术人员容易想到的。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的惯用技术手段得到权利要求5请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求5请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-6、权利要求6-7是上述权利要求中任一项的从属权利要求，对比文件1中公开了热沉9的上表面为发光二极管芯片21的安装面，热沉9具有与安装面相对的下表面，热沉9从安装面到下表面形成热通路，将发光器件21产生的热量从安装面传递到下表面（说明书第 [0062]-[0065]段，附图5），因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6-7不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-7、权利要求8是上述权利要求中任一项的从属权利要求，对比文件1公开了热沉可以为金属块（说明书第[0043]-[0045]段）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求8不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-8、权利要求9是上述权利要求中任一项的从属权利要求，对比文件2公开了一种发光二极管装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第5页第5-16行，附图1）：发光二极管装置包括设置在冲模垫5上的多个发光二极管芯片11、12、13，另外，在冲模垫5上设置有ESD保护元件6，并且所述ESD保护元件6包括齐纳二极管。对比文件2给出了在发光二极管装置中设置ESD保护元件对发光二极管进行防静电保护的启示，另外，选择变阻器、聚合物ESD保护元件作为ESD保护元件均是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求9不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-9、权利要求10是上述权利要求9的从属权利要求，将ESD保护元件设置在第一、二支承体的子区域中仅是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-10、权利要求11是上述权利要求中任一项的从属权利要求，对比文件3公开了一种发光二极管装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0056]段，附图4）：在第一支承体3上设置与发光二极管芯片1相互连接的热敏电阻器11。对比文件3给出了在发光二极管装置中设置热敏电阻器以保护发光二极管芯片的启示，另外，选择NTC热敏电阻和/或PTC热敏电阻器件，及将该热敏电阻器设置在第二或同时设置在第一和第二支承体上是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求11不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-11、权利要求12是权利要求11的从属权利要求，对比文件3公开了热敏电阻器件11与发光二极管芯片1互接，并构成用于调节所述发光二极管芯片1的控制电流的热传感器或过流保护元件（参见说明书第[0056]段，附图4），因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求12不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-12、权利要求13是权利要求4-12中任一项的从属权利要求，对比文件1中公开了陶瓷基板1a和陶瓷基板1b为陶瓷材料制成（说明书第[0043]-[0045]段）；而采用有机材料构成外围基板是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求13不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-13、权利要求14是权利要求4-12中任一项的从属权利要求，为了提高散热性能，在支承体上设置金属材料，增加热传导通路，及为了提高电稳定性，在金属材料设置电绝缘层是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求14不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
2-14、权利要求15是权利要求4-14中任一项的从属权利要求，在第二支承体下进一步设置第三支承体进一步提高散热性能是本领域惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求15不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、对复审请求人相关意见的答复
针对复审请求人答复复审通知书时的上述意见，合议组认为：首先，对比文件1中明确给出了调节构成热沉10材料中的金属粉末、陶瓷粉末的含量比例以调整热沉10的热膨胀系数的启示，虽然对比文件1中公开的热沉10是以金属为主体材料，陶瓷粉末为掺杂材料的，且陶瓷粉末的含量比例不超过5%，但对比文件1采用该热沉10的目的在于提高热沉10的导热率，并获得与包围该热沉10的陶瓷基板1的热膨胀系数匹配的热沉。且对比文件1是在特定情况下采用该热沉10的，例如特定含量比例的Cu 和特定比例含量的W，其中在金属粉末中增加具有较小热膨胀系数的金属W材料可以获得较好的热膨胀系数（说明书第[0043]-[0045]段），因此，其并未制约本领域技术人员对陶瓷粉末、金属粉末的种类及其含量比例做出调整，例如，采用较小功率的发光二极管芯片时，其发热量也较小，此时，对于热沉的高导热率的需求即会有所下降，而为了更好的匹配陶瓷基板1的热膨胀系数，则热沉10中陶瓷含量即可以提高，换言之，为了平衡热膨胀系数和导热率之间存在的矛盾，本领域技术人员是有动机合理的调整陶瓷粉末、金属粉末的含量比例的。其次，根据实际情况，采用陶瓷或是半导体作为主体材料仅是本领域的惯用技术手段，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。因此，复审请求人的意见陈述不具备说服力，合议组不予支持
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于 2018年08月20日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
