发明创造名称：半导体装置
外观设计名称：
决定号：190437
决定日：2019-09-16
委内编号：1F267785
优先权日：2009-06-29
申请（专利）号：201510182686.5
申请日：2010-06-28
复审请求人：株式会社半导体能源研究所
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：颜庙青
合议组组长：徐国祥
参审员：林少华
国际分类号：H01L23/62;H01L27/02;H01L27/146
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510182686.5，名称为“半导体装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为株式会社半导体能源研究所。本申请的申请日为2010年06月28日，优先权日为2009年06月29日，公开日为2015年07月29日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月24日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-22不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年04月17日提交的权利要求第1-22项、说明书第1-35页、说明书附图第1-25页、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体装置，其包括：
端子电极；
电路，其包括晶体管；
光电二极管，其电连接到所述电路和所述端子电极；
保护电路；以及
布线，其不分支地电连接所述端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，所述保护电路设置在所述端子电极和所述电路之间。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体管包括氧化物半导体膜。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述布线的至少一部分和所述端子电极是使用相同的导电层形成的。
4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述光电二极管电连接到所述晶体管的栅极。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电路是放大电路。
6. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护电路包括二极管。
7. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置被包含在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。
8. 一种半导体装置，其包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
电路，其包括晶体管；
光电二极管，其电连接到所述电路；
保护电路；
第一布线，其不分支地电连接所述第一端子电极、所述保护电路和所述电路；以及
第二布线，其不分支地电连接所述第二端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，位于所述第一端子电极和所述电路之间的所述第一布线的至少一部分电连接到所述保护电路的第一部分，且
其中，位于所述第二端子电极和所述电路之间的所述第二布线的至少一部分电连接到所述保护电路的第二部分。
9. 根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述晶体管包括氧化物半导体膜。
10. 根据权利要求8所述的半导体装置，
其中，所述第一布线的至少一部分和所述第一端子电极是使用相同的电导层形成的，且
其中，所述第二布线的至少一部分和所述第二端子电极是使用相同的电导层形成的。
11. 根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述光电二极管电连接到所述晶体管的栅极。
12. 根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述电路是放大电路。
13. 根据权利要求8所述的半导体装置，
其中，所述保护电路包括二极管，且
其中，所述二极管包括半导体膜，且所述半导体膜包括所述第一部分和 所述第二部分。
14. 根据权利要求8所述的半导体装置，
其中，所述光电二极管电连接在所述第一端子电极和所述第二端子电极中的一者与所述电路之间，且
其中，所述电路电连接在所述第一端子电极和所述第二端子电极中的另一者与所述光电二极管之间。
15. 根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述半导体装置被包含在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。
16. 一种半导体装置，其包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
电路，其包括晶体管；
光电二极管，其电连接到所述第一端子电极和所述第二端子电极中的一者和所述电路；
保护电路，其包括二极管；
第一布线，其不分支地电连接所述第一端子电极、所述保护电路和所述电路；以及
第二布线，其不分支地电连接所述第二端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，位于所述第一端子电极和所述电路之间的所述第一布线的一部分电连接到所述二极管的阳极和阴极中的一者，
其中，位于所述第二端子电极和所述电路之间的所述第二布线的一部分电连接到所述二极管的阳极和阴极中的另一者，
其中，所述第一布线电连接到所述晶体管的源极和漏极中的一者，且
其中，所述第二布线电连接到所述晶体管的源极和漏极中的另一者。
17. 根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述晶体管包括氧化物半导体膜。
18. 根据权利要求16所述的半导体装置，
其中，所述第一布线的至少一部分和所述第一端子电极是使用相同的导电层形成的，且
其中，所述第二布线的至少一部分和所述第二端子电极是使用相同的导电层形成的。
19. 根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述光电二极管电连接到所述晶体管的栅极。
20. 根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述电路是放大电路。
21. 根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述电路电连接在所述第一端子电极和所述第二端子电极中的另一者与所述光电二极管之间。
22. 根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述半导体装置被包含在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。”
驳回决定中引用了以下对比文件：
对比文件1：TW200705973A，公开日为2007年02月01日；
对比文件2：JP昭59-86252A，公开日为1984年05月18日。
驳回决定中指出：1、独立权利要求1、8相对于对比文件1的区别技术特征是：电路包括晶体管，布线不分支地连接所述端子电极、所述保护电路和所述电路。上述区别技术特征部分在对比文件2中公开，且所起的作用相同，另一部分是本领域的公知常识，因此，权利要求1、8相对于对比文件1和对比文件2以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、独立权利要求16相对于对比文件1的区别技术特征是：电路包括晶体管，布线不分支地连接所述端子电极、所述保护电路和所述电路；第一布线电连接到晶体管的源极和漏极中的一者，所述第二布线电连接到所述晶体管的源极和漏极的另一者。上述区别技术特征部分在对比文件2中公开，且所起的作用相同，另一部分是本领域的公知常识，因此，权利要求16相对于对比文件1和对比文件2以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、从属权利要求2-7、9-15、17-22的附加技术特征或在对比文件1公开或为公知常识，因此，从属权利要求2-7、9-15、17-22也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月04日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的修改替换页（共包括22项权利要求），其中在权利要求1、8、16中增加了特征。复审请求人认为：1、本申请的保护电路是用于防止施加到端子电极的过电压或过电流，保护电路、端子电极和电路之间是串联连接，而对比文件1的保护电路、端子电极和电路之间为并联连接。2、对比文件1的保护电路用于防止信号端子1上的过电压，没有公开防止端子2、3上的过电压，因此即使本领域技术人员了解对比文件2中的保护电路，也仅仅能想到使用对比文件2中的保护电路替换对比文件1中的保护电路10，也不会想到将对比文件2中针对两个电源端的两个保护电路同时应用到对比文件1中。因此，权利要求具备创造性。
复审请求时新修改的权利要求书1、8、16如下：
“1. 一种半导体装置，其包括：
端子电极；
电路，其包括晶体管；
光电二极管，其电连接到所述电路和所述端子电极；
保护电路，其中，施加到所述端子电极的信号在到达所述电路之前经过所述保护电路；以及
布线，其不分支地电连接所述端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，所述保护电路设置在所述端子电极和所述电路之间。”
“8. 一种半导体装置，其包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
电路，其包括晶体管；
光电二极管，其电连接到所述电路；
保护电路，其中，施加到所述第一端子电极和所述第二端子电极的信号在到达所述电路之前经过所述保护电路；
第一布线，其不分支地电连接所述第一端子电极、所述保护电路和所述电路；以及
第二布线，其不分支地电连接所述第二端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，位于所述第一端子电极和所述电路之间的所述第一布线的至少一部分电连接到所述保护电路的第一部分，且
其中，位于所述第二端子电极和所述电路之间的所述第二布线的至少一部分电连接到所述保护电路的第二部分。”
“16. 一种半导体装置，其包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
电路，其包括晶体管；
光电二极管，其电连接到所述第一端子电极和所述第二端子电极中的一者和所述电路；
保护电路，其包括二极管，其中，施加到所述第一端子电极和所述第二端子电极的信号在到达所述电路之前经过所述保护电路；
第一布线，其不分支地电连接所述第一端子电极、所述保护电路和所述电路；以及
第二布线，其不分支地电连接所述第二端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，位于所述第一端子电极和所述电路之间的所述第一布线的一部分电连接到所述二极管的阳极和阴极中的一者，
其中，位于所述第二端子电极和所述电路之间的所述第二布线的一部分电连接到所述二极管的阳极和阴极中的另一者，
其中，所述第一布线电连接到所述晶体管的源极和漏极中的一者，且
其中，所述第二布线电连接到所述晶体管的源极和漏极中的另一者。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局实质审查部门进行前置审查。
国家知识产权局实质审查部门在前置审查意见书中认为：1、首先，新修改的技术方案在原申请中没有记载，也不能直接毫无疑义确定，权利要求修改超范围；2、其次，即使复审请求人将技术特征“光电二极管，其电连接到所述电路和所述端子电极”删除，该权利要求仍不具有授权前景，对比文件2（参见附图4）明确公开了高／低电源端401／402，内部电路410以及布线 405-408，其中保护电路设置中电源端和内部电路之间，布线中平面视角上不分支，这与本申请发明构思相同。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月06日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1、8、16的修改不符合专利法第33条的规定。假设复审请求人将权利要求1、8、16修改为附图9的技术方案，权利要求1-22依然不具备创造性。针对复审请求人的意见，合议组认为：1、本申请附图9中的实施例，保护电路和电路都直接挂接在端子电极上，为并联连接，与对比文件1中的保护电路10、端子电极2、3和电路9的连接方式相同，都是并联连接。2、对比文件1保护电路10是防止信号端子1上的过电压，对比文件2公开的是针对两个电源端的保护电路，本领域技术人员虽然不容易想到将对比文件2的保护电路替换对比文件1的保护电路，但是，本领域技术人员容易想到在对比文件1端子2、3上再增加一个对比文件2的保护电路，以实现对端子2、3的保护，对比文件1中的端子1与端子2、3独立工作，对它们分别进行过电压保护，不存在结合障碍。3、如果复审请求人将权利要求1、8、16修改为基于附图1-3的技术方案，即布线不分支、无光电二极管，权利要求1、8、16相对于对比文件2不具备新颖性或创造性，因为，对比文件2公开了保护电路设置在电源端和内部电路之间，布线不分支，与本申请附图1-3的构思相同。
复审请求人于2019年06月20日提交了意见陈述书和权利要求书全文修改替换页，将原权利要求1-15删除，在原权利要求16中删除超范围的技术特征、加入电路的具体结构，将原权利要求19的附加技术特征修改为：所述二极管包括半导体膜。并将原权利要求16-22重新编号为权利要求第1-7项。复审请求人认为：对比文件1和2没有公开关于第一和第二晶体管的结构特征，也没有给出启示，因此权利要求1具备创造性。
复审请求人新修改的权利要求1-7如下：
“1. 一种半导体装置，其包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
电路，其包括第一晶体管和多个第二晶体管；
光电二极管，其电连接到所述第一端子电极和所述第二端子电极中的一者和所述电路；
保护电路，其包括二极管，其中，所述二极管连接在所述第一端子电极和所述第二端子电极之间；
第一布线，其电连接所述第一端子电极、所述保护电路和所述电路；以及
第二布线，其电连接所述第二端子电极、所述保护电路和所述电路，
其中，所述第一布线电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一者，且
其中，所述第二布线电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一者，
其中，所述第一晶体管的漏极电连接到所述第一晶体管的栅极和所述光电二极管的阳极，且
其中，所述多个第二晶体管并联连接，且所述第二晶体管的漏极电连接到所述第一端子电极，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一晶体管的栅极。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体管包括氧化物半导体膜。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一布线的至少一部分和所述第一端子电极是使用相同的导电层形成的，且
其中，所述第二布线的至少一部分和所述第二端子电极是使用相同的导电层形成的。
4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述二极管包括半导体膜。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电路是放大电路。
6. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电路电连接在所述第一端子电极和所述第二端子电极中的另一者与所述光电二极管之间。
7. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置被包含在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
决定的理由
审查文本的认定
在复审阶段，复审请求人于2019年06月20日最后一次提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括权利要求第1-7项，复审请求人所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：复审请求人于2019年06月20日提交的权利要求第1-7项，申请日2015年04月17日提交的说明书第1-35页、说明书附图第1-25页、说明书摘要和摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用了驳回决定中的对比文件1，即：
对比文件1：TW200705973A，公开日为2007年02月01日。
2-1、权利要求1要求保护一种半导体装置，对比文件1公开了一种半导体装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第14页第4段至第17页第1段以及附图1-2）：第1电压端子2（相当于第一端子电极）和第2电压端子3（相当于第二端子电极）；内部电路9（相当于电路）；光电二极管7，其连接到内部电路与第1电压端子2和第2电压端子3之一者（附图2A）；保护电路10，其包括二极管5，从附图2A可以看到，所述二极管连接在所述第一端子电极和所述第二端子电极之间；第一布线，其电连接所述第一端子电极、所述保护电路和所述电路；第二布线，其电连接所述第二端子电极、所述保护电路和所述电路。
该权利要求与对比文件1的区别技术特征是：电路包括第一晶体管和多个第二晶体管；第一布线电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一者，所述第二布线电连接到所述第一晶体管的源极和漏极的另一者；所述第一晶体管的漏极电连接到所述第一晶体管的栅极和所述光电二极管的阳极；所述多个第二晶体管并联连接，且所述第二晶体管的漏极电连接到所述第一端子电极，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一晶体管的栅极。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：放大光电二极管的电信号。
对比文件1公开的内部电路9用于对光电二极管的电信号进行处理（说明书第10页第3段），而处理电信号包含对电信号的放大，是本领域常规做法，因此，对比文件1的内部电路9包含放大电路，是本领域技术人员容易想到的，而放大电路具有包含第一晶体管和多个第二晶体管的电流镜结构是本领域的公知常识（佐证材料：《模拟集成电路设计：电流模法》，C.Toumazou等编，第208页，1996年4月），因此，在对比文件1的内部电路9中设置电流镜放大电路、并将其与第一布线、第二布线、光电二极管的阳极电连接，是本领域技术人员容易实现的，无需付出创造性劳动，因此，本领域技术人员在对比文件1的基础上结合上述公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2-2、权利要求2是权利要求1的从属权利要求，晶体管包含氧化物半导体膜是本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的条件下，该权利要求也不具备创造性。
2-3、权利要求3是权利要求1的从属权利要求，对于本领域技术人员而言，端子电极与布线的功能都是实现导电，二者使用相同的导电层来予以形成是常用技术手段，属于公知常识。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
2-4、权利要求4是权利要求1的从属权利要求，二极管包括半导体膜，是本领域的公知常识，因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的条件下，该权利要求也不具备创造性。
2-5、权利要求5是权利要求1的从属权利要求，对比文件1（参见说明书第16页第1段）进一步公开了内部电路9，其输入由光电转换元件7输出的电性信号，使该信号进行运算而输出，而运算包含放大电路，是本领域的常规选择。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
2-6、权利要求6是权利要求1的从属权利要求，对比文件1（参见说明书附图2A、4A）进一步公开了内部电路9连接在第1电压端子2和第2电压端子3另一者与光电转换元件7之间。可见，对比文件1公开了该权利要求的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的条件下，该权利要求也不具备创造性。
2-7、权利要求7是权利要求1的从属权利要求，对于本领域技术人员而言，将上述包含保护电路的半导体装置进一步安装在其他的一些常用电子设备，如移动电话、计算机、显示装置、数码相机等中也是本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的答复
针对复审请求人于2019年06月20日提交的意见陈述书中的意见，合议组认为：对比文件1虽然未公开第一晶体管和第二晶体管的特征，但是，对比文件1已经公开了内部电路9用于对光电二极管的电信号进行处理（说明书第10页第3段），而处理电信号包含对电信号的放大、放大电路包含晶体管，是本领域的常规选择；权利要求1中限定的晶体管连接结构，即为电流镜放大电路，而该种结构的放大电路已是本领域的公知常识（佐证材料：《模拟集成电路设计：电流模法》，C.Toumazou等编，高等教育出版社，第208页，1996年4月），因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，复审请求人的意见陈述不能被接受。
基于以上事实和理由，合议组现作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月24日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
佐证材料：《模拟集成电路设计：电流模法》，C.Toumazou等编，高等教育出版社，第208页，1996年4月
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
