发明创造名称：细间距再分布线的保持
外观设计名称：
决定号：189792
决定日：2019-09-16
委内编号：1F277708
优先权日：
申请（专利）号：201380077002.4
申请日：2013-06-28
复审请求人：英特尔公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周文娟
合议组组长：刘婧
参审员：杨燕
国际分类号：H01L21/768,H01L23/525,H01L23/48
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，虽然存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380077002.4，名称为“细间距再分布线的保持”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为英特尔公司，申请日为2013年06月28日，进入中国国家阶段日为2015年11月27日，公开日为2016年07月27日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月12日发出驳回决定，以权利要求1-24不具备专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于2018年09月03日提交的权利要求第1-29项；2015年11月27进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书第1-9页、说明书附图第1-5页、说明书摘要，2016年06月24日提交的摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种半导体装置，包括：
再分布层RDL，所述再分布层RDL包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线，所述RDL包含选自包括Cu和Au的组的材料；
直接接触所述两个RDL侧壁的保护侧壁；
包含所述材料的种子层；以及
阻挡层；
其中（a）所述RDL线具有与所述两个RDL侧壁正交且在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层和阻挡层各包括与所述RDL线宽平行且比所述RDL线宽更宽的宽度。
2. 如权利要求1所述的装置，其中所述种子层包括垂直地与所述保护侧壁之一的边缘对齐的边缘。
3. 如权利要求2所述的装置，其中所述阻挡层包括垂直地与所述种子层的边缘对齐的边缘。
4. 如权利要求1所述的装置，其中所述RDL耦合到硅通孔（TSV）。
5. 如权利要求1所述的装置，其包括：
包含在所述RDL中的附加图案化RDL线，所述附加图案化RDL线具有两个附加RDL侧壁；
直接接触所述两个附加RDL侧壁的附加保护侧壁；
包含所述材料并和所述种子层同平面的附加种子层；以及
与所述阻挡层同平面的附加阻挡层；
其中（a）所述附加RDL具有正交于所述两个附加RDL侧壁且在所述两个附加RDL侧壁之间延伸的附加RDL线宽，以及（b）所述附加种子层和阻挡层各包括与所述附加RDL线宽平行且比所述附加RDL线宽更宽的宽度。
6. 如权利要求5所述的装置，其中所述图案化RDL线的一部分与所述附加图案化RDL线的附加部分之间不存在介电材料和不存在其他图案化RDL线。
7. 如权利要求5所述的装置，其中所述种子层不直接接触所述附加种子层。
8. 如权利要求7所述的装置，其中所述阻挡层不直接接触所述附加阻挡层。
9. 如权利要求7所述的装置，其包括：所述图案化RDL线与所述附加图案化RDL线之间的空的空隙，其中所述空的空隙被连接所述图案化RDL线与所述附加图案化RDL线的轴线横切。
10. 如权利要求9所述的装置，其中所述空的空隙不包含介电材料。
11. 如权利要求1所述的装置，其中所述RDL线宽小于5微米。
12. 如权利要求11所述的装置，其中所述阻挡层包含选自包括Ti、Ta和Cr的组的至少一种材料，以及所述保护侧壁包含选自包括氮化硅、碳化硅、氧化硅和氮氧化硅的组的至少一种材料。
13. 如权利要求1所述的装置，其中所述阻挡层不直接接触所述两个RDL侧壁。
14. 如权利要求13所述的装置，其中所述种子层直接接触所述阻挡层、所述保护侧壁以及所述图案化RDL线。
15. 如权利要求1所述的装置，其中所述保护侧壁不直接接触所述两个RDL侧壁的最上方部分。
16. 一种半导体装置，包括：
再分布层RDL线，所述再分布层线具有RDL侧壁；
直接接触所述RDL侧壁的保护侧壁；以及
包括材料并且直接接触所述RDL线的种子层；
其中（a）所述RDL线具有在所述RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层包括比所述RDL线宽更宽的宽度。
17. 如权利要求16所述的装置，其中所述种子层包括垂直地与所述保护侧壁之一的边缘对齐的边缘。
18. 如权利要求16所述的装置，其包括直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；其中所述种子层不直接接触所述附加种子层。
19. 如权利要求18所述的装置，其包括空的空隙，所述空的空隙被连接所述RDL线与所述附加RDL线的轴线横切。
20. 如权利要求16所述的装置，其中所述RDL线宽小于5微米。
21. 一种半导体加工方法，包括：
形成再分布层RDL线，所述再分布层RDL线具有RDL侧壁；
形成直接接触所述RDL侧壁的保护侧壁；
形成包括材料并且直接接触所述RDL线的种子层；
其中（a）所述RDL线具有在所述RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层包括比所述RDL线宽更宽的宽度。
22. 如权利要求21所述的方法，包括形成所述种子层的边缘，所述边缘在垂直地与所述保护侧壁之一的边缘对齐。
23. 如权利要求21所述的方法，其包括：
形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；其中种子层不直接接触所述附加种子层；以及
形成空的空隙，所述空的空隙被连接所述RDL线与所述附加RDL线的轴线横切。
24. 如权利要求21所述的方法，其中所述RDL线宽小于5微米。
25. 一种机器可读介质，其上面存储指令，所述指令在被执行时导致所述机器执行如权利要求21-24中任一项所述的方法。
26. 一种用于半导体加工的装置，包括：
用于形成再分布层RDL线的部件，所述再分布层RDL线具有RDL侧壁；
用于形成直接接触所述RDL侧壁的保护侧壁的部件；
用于形成包括材料并且直接接触所述RDL线的种子层的部件；
其中（a）所述RDL线具有在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层包括比所述RDL线宽更宽的宽度。
27. 如权利要求26所述的装置，包括用于形成所述种子层的边缘的部件，所述边缘在垂直地与所述保护侧壁之一的边缘对齐。
28. 如权利要求26所述的装置，包括：
用于形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线的部件；其中种子层不直接接触所述附加种子层；以及
用于形成空的空隙的部件，所述空的空隙被连接所述RDL线与所述附加RDL线的轴线横切。
29. 如权利要求26所述的装置，其中所述RDL线宽小于5微米。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN102237317A，公开日为2011年11月09日；
对比文件2：US2002/0074234A1，公开日为2002年06月20日；
对比文件3：US2013/0140696A1，公开日为2013年06月06日。
驳回决定的具体理由是：（1）独立权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：1）RDL包含选自包括Cu和Au的组的材料；2）包含所述材料的种子层。区别技术特征1）被对比文件2公开且作用相同，区别技术特征2）属于本领域的公知常识，因而权利要求1不具备创造性。（2）独立权利要求16请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：包含所述材料并直接接触RDL线的种子层。该区别技术特征属于本领域的公知常识，因而，权利要求16不具备创造性。（3）独立权利要求21请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：形成包含所述材料并直接接触RDL线的种子层。该区别技术特征属于本领域的公知常识，因而，权利要求21不具备创造性。（4）从属权利要求2-15、17-20、22-24的附加技术特征或被对比文件1、对比文件3公开，或属于本领域的公知常识，因而，权利要求2-15、17-20、22-24也不具备创造性。
另外，在驳回决定的其他说明部分指出：（1）权利要求25请求保护一种机器可读介质，在机器可读介质上存储指令使该指令执行时执行相应的方法是本领域的公知常识，因而，在权利要求21-24不具备创造性的情况下，权利要求25也不具备创造性。（2）独立权利要求26请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：用于形成包含所述材料并直接接触RDL线的种子层的部件。该区别技术特征属于本领域的公知常识，因而，权利要求26不具备创造性。（3）从属权利要求27-29的附加技术特征或被对比文件1、对比文件3公开，或属于本领域的公知常识，因而，权利要求27-29也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月27日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：（1）术语“图案化”在半导体这个技术领域中具有特定的含义，其是特定工艺（即，图案化工艺）所产生的结果，本领域技术人员并不会将任何具有某种不连续性的对象都当作图案化的对象；对比文件1完全没有提及对铜层进行图案化形成铜柱凸块。（2）对比文件1没有公开种子层，并且，对比文件1和对比文件2均未能朝着“种子层”这个特定方向提供任何线索。因而，权利要求1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月18日向复审请求人发出复审通知书。该复审通知书中指出：权利要求1-29相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）在半导体工艺中，图案化材料层是对某一材料层形成特定形状的总称，该图案化工艺不仅仅包括通过掩膜刻蚀形成的图案化材料层，同样包括通过特定的限定层或牺牲层限定出的预定的图案材料层，上述两种图案化工艺在互连结构中均属于常规工艺手段。对比文件1公开了（说明书第[0051]段）：将掩模层18图案化，形成开口19，暴露出一部分的凸块下金属层12，定义出用于形成铜柱凸块的视窗，然后，在开口19内形成铜柱凸块20；因而，对比文件1实质上公开了图案化的铜柱凸块。（2）首先，设置种子层，然后在种子层表面进行沉积金属以提高镀层的质量和沉积速度，种子层的材料与镀层材料相同，是本领域的公知常识。其次，对比文件2公开了（权利要求21）在晶片的种子层表面电镀金属层；对比文件3公开了（说明书第[0034-0035]段及附图1-2）：在种子层103如Cu表面通过电解电镀形成导电层105如Cu层。并且种子层在对比文件2或3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是有利于在后的导电层的沉积。可见，对比文件2-3都给出了有关“种子层”的教导。
复审请求人于2019年09月02日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括27项权利要求。具体修改内容如下：将从属权利要求5、18的附加技术特征分别加入原权利要求1、16中，删除了原权利要求5、18；在独立权利要求21中加入技术特征“以及形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线”、“而且所述种子层不直接接触所述附加种子层”，并将从属权利要求23中的相应技术特征“形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；其中种子层不直接接触所述附加种子层；以及”删除；在独立权利要求26中加入技术特征“以及用于形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线的部件”、“而且所述种子层不直接接触所述附加种子层”，并将从属权利要求28中的相应技术特征“用于形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线的部件；其中种子层不直接接触所述附加种子层；以及”删除，适应性地调整了权利要求的序号和引用关系。
复审请求人于2019年09月02日提交的新修改的权利要求1、15、19、21、24、26的内容如下：
“1. 一种半导体装置，包括：
再分布层RDL，所述再分布层RDL包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线，所述RDL包含选自包括Cu和Au的组的材料；
直接接触所述两个RDL侧壁的保护侧壁；
包含所述材料的种子层；
阻挡层；
包含在所述RDL中的附加图案化RDL线，所述附加图案化RDL线具有两个附加RDL侧壁；
直接接触所述两个附加RDL侧壁的附加保护侧壁；
包含所述材料并和所述种子层同平面的附加种子层；以及
与所述阻挡层同平面的附加阻挡层；
其中（a）所述RDL线具有与所述两个RDL侧壁正交且在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层和阻挡层各包括与所述RDL线宽平行且比所述RDL线宽更宽的宽度；以及
其中（a）所述附加RDL具有与所述两个附加RDL侧壁正交且在所述两个附加RDL侧壁之间延伸的附加RDL线宽，以及（b）所述附加种子层和阻挡层各包括与所述附加RDL线宽平行且比所述附加RDL线宽更宽的宽度。”
“15. 一种半导体装置，包括：
再分布层RDL线，所述再分布层线具有RDL侧壁；
直接接触所述RDL侧壁的保护侧壁；
包括材料并且直接接触所述RDL线的种子层；以及
直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；
其中（a）所述RDL线具有在所述RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层包括比所述RDL线宽更宽的宽度，而且所述种子层不直接接触所述附加种子层。”
“19. 一种半导体加工方法，包括：
形成再分布层RDL线，所述再分布层RDL线具有RDL侧壁；
形成直接接触所述RDL侧壁的保护侧壁；
形成包括材料并且直接接触所述RDL线的种子层；以及
形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；
其中（a）所述RDL线具有在所述RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层包括比所述RDL线宽更宽的宽度，而且所述种子层不直接接触所述附加种子层。”
“21. 如权利要求19所述的方法，包括：
形成空的空隙，所述空的空隙被连接所述RDL线与所述附加RDL线的轴线横切。”
“24. 一种用于半导体加工的装置，包括：
用于形成再分布层RDL线的部件，所述再分布层RDL线具有RDL侧壁；
用于形成直接接触所述RDL侧壁的保护侧壁的部件；
用于形成包括材料并且直接接触所述RDL线的种子层的部件；以及
用于形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线的部件；
其中（a）所述RDL线具有在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层包括比所述RDL线宽更宽的宽度，而且所述种子层不直接接触所述附加种子层。”
“26. 如权利要求24所述的装置，包括：
用于形成空的空隙的部件，所述空的空隙被连接所述RDL线与所述附加RDL线的轴线横切。”
复审请求人认为：对比文件1还未公开附加图案化RDL线的相关技术特征，修改后的权利要求1的技术方案，有可能实现如本申请图7所示的实施例，在两个RDL线305、325之间，在两个种子层306、326之间，以及在两个阻挡层307、327之间，存在着空隙330。由于空隙330不包含介电材料，因此在不包含甚至与线的顶部同平面的任何电介质的情况下，RDL线305、325可以形成装置的外缘或外周。对比文件1未能公开与此类似的结构。并且，对比文件1完全不涉及“再分布层RDL，所述再分布层RDL包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线”。对比文件1的结构不能起到与本申请的结构同样的作用。基于对比文件1的教导，本领域技术人员不能获得合理的动机来修改对比文件1的凸块结构24以便形成装置的外缘或外周。权利要求1具备创造性。
在上述程序的基础上，本案合议组认为事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年09月02日提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括27项权利要求，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：2019年09月02日提交的权利要求第1-27项，2015年11月27进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书第1-9页、说明书附图第1-5页、说明书摘要，2016年06月24日提交的摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，虽然存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与复审通知书中引用的对比文件相同，为驳回决定引用的对比文件1，即：
对比文件1：CN102237317A，公开日为2011年11月09日。
权利要求1-27不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由如下：
2.1、权利要求1请求保护一种半导体装置，对比文件1公开了一种在集成电路元件中的铜柱凸块结构，并具体公开了以下内容（说明书第[0003]-[0008]、[0046]-[0058]段及附图1A-1F）：在结构上，凸块实际上含有凸块本身，以及位于凸块与输入/输出垫片之间所谓的凸块下金属层，在凸块下金属层上进行湿蚀刻工艺期间，会产生等向性的蚀刻轮廓，此蚀刻在所有方向具有相同的蚀刻速率，导致蚀刻的凸块下金属层材料产生底切现象，此行为造成凸块宽度损失，并且使得凸块下金属层的尺寸小于铜柱的尺寸，这会造成极低介电常数层产生较高机率的脱层现象，底切会引发应力集中，进而造成铜柱侧壁脱层以及凸块裂开；为克服上述技术问题，提供一种集成电路元件，包括半导体基底10，半导体基底上具有凸块下金属层12，凸块下金属层12包括第一凸块下金属层14和第二凸块下金属层16，第一凸块下金属层14也称为扩散阻挡层，形成在第一凸块下金属层14表面的第二凸块下金属层16，以及形成在第二凸块下金属层16表面的铜柱凸块20，具体地，在凸块下金属层12上提供掩模层18，并且将掩模层18图案化，形成开口19，暴露出一部分的凸块下金属层12，定义出用于形成铜柱凸块的视窗，然后，在开口19内形成铜柱凸块20（相当于具有图案化的铜柱凸块）；铜柱凸块20大抵上包含纯元素铜、含有不可避免的杂质的铜以及含有少量元素的铜合金，例如含有钽、铟、锡、锌、锰、铬、钛、锗、锶、铂、镁、铝或锆的铜合金；直接接触铜柱凸块20的两个侧壁20b的侧壁保护结构22a；在相同的剖面上测量，图案化凸块下金属层12的宽度WUBM大于铜柱20的宽度Wpillar，至于图案化凸块下金属层12，其第一凸块下金属层14与第二凸块下金属层16具有相同尺寸，参见附图1E，铜柱20的宽度Wpillar是与铜柱20的两个侧壁20b正交且在两个侧壁20b之间延伸的宽度，图案化凸块下金属层12的宽度WUBM平行于铜柱20的宽度Wpillar。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：半导体装置的主体为再分布层RDL，其包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线，RDL包含选自包括Cu和Au的组的材料；包含所述材料的种子层；阻挡层是再分布层结构中的阻挡层；在RDL线的两个侧壁上制备相应的侧壁保护结构并且使RDL的线宽与其种子层、阻挡层的宽度具有对应的结构以及大小关系；包含在所述RDL中的附加图案化RDL线，所述附加图案化RDL线具有两个附加RDL侧壁；直接接触所述两个附加RDL侧壁的附加保护侧壁；包含所述材料并和所述种子层同平面的附加种子层；以及与所述阻挡层同平面的附加阻挡层；其中（a）所述附加RDL具有与所述两个附加RDL侧壁正交且在所述两个附加RDL侧壁之间延伸的附加RDL线宽，以及（b）所述附加种子层和阻挡层各包括与所述附加RDL线宽平行且比所述附加RDL线宽更宽的宽度。基于上述区别技术特征可以确定的权利要求1实际解决的技术问题是：保护RDL线的两个侧壁和附加RDL线的两个侧壁免受侵蚀，减少线宽损耗；提高导电结构的形成质量。
对于上述区别技术特征，包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线的再分布层RDL是本领域常见的导电结构；在基底上形成阻挡层、在阻挡层上形成种子层、在种子层上形成图案化的RDL线，是常规的再分布层结构；选自包括Cu和Au的组的材料是常用的RDL线的材料，而种子层选用相同的材料、并且在RDL线与阻挡层之间形成种子层以便于采用如电镀的方式制备RDL线时，提高金属的沉积速度和形成质量，这是本领域的公知常识。本领域一般采用半加成法制造RDL层，该方法中，在蚀刻种子层和阻挡层时容易造成RDL线的线宽线距变小是本领域公知的技术问题，因而，本领域技术人员容易想到将对比文件1公开的上述结构应用到上述的再分布层RDL结构中，从而保护RDL线的两个侧壁免受蚀刻种子层和阻挡层过程中的侵蚀、较少线宽损耗，则在蚀刻种子层和阻挡层之后，RDL线具有与两个RDL侧壁正交且在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽、种子层和阻挡层各包括与RDL线宽平行且比RDL线宽更宽的宽度。该应用仅是简单的技术转用，不存在技术上的障碍，其技术效果也是本领域技术人员能够预料得到的。此外，设置两个或更多个具有相同结构的RDL线结构是本领域的常规技术手段，本领域技术人员根据布线需求容易想到平行地设置具有相同结构的附加图案化RDL线。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2.2、对于权利要求2-3，对比文件1公开了（参见其说明书附图1E）：第二凸块下金属层16包括垂直地与侧壁保护结构22a的边缘对齐的边缘，第一凸块下金属层14包括垂直地与第二凸块下金属层16的边缘对齐的边缘。当将对比文件1公开的上述结构应用到再分布层RDL结构中时，容易得到与第一凸块下金属层14对应的阻挡层结构和与第二凸块下金属层16对应的种子层结构。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.3、对于权利要求4，将再分布层耦合到硅通孔属于本领域的常规技术手段。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.4、对于权利要求5-9，相邻两个RDL线之间不存在介电材料和不存在其他图案化RDL线，且两者的种子层、阻挡层均不相互直接接触，图案化RDL线之间具有空隙，所述空隙被连接两个图案化RDL线的轴线横切，空隙不包含介电材料，这是本领域常见的再分布层RDL结构布局。因此，在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
2.5、对于权利要求10，RDL线宽是本领域常规技术参数，属于本领域的常规选择。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.6、对于权利要求11-13，对比文件1公开了（说明书第[0050]-[0055]段）：侧壁保护结构22a由氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、氧化硅与氮化硅的交错层或前述的组合形成。并且还公开了（说明书附图1E）：如图1E所示，第一凸块下金属层14不直接接触两个侧壁保护结构22a，第二凸块下金属层16直接接触第一凸块下金属层14、侧壁保护结构22a以及铜柱20。当将对比文件1公开的上述结构应用到再分布层RDL结构中时，容易得到阻挡层不直接接触两个RDL侧壁、种子层直接接触阻挡层、保护侧壁以及图案化RDL线。此外，包含选自包括Ti、Ta和Cr的组的至少一种材料，是本领域常用的阻挡层材料。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.7、对于权利要求14，对比文件1附图4D对应的实施例公开了（参见说明书第[0071]-[0075]段、附图4A-4F）：侧壁保护结构22a不直接接触导电结构侧壁的最上方部分。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.8、权利要求15请求保护一种半导体装置，参见上述针对权利要求1的评述可知，其请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：半导体装置的主体为再分布层RDL线，其具有两个RDL侧壁；包括材料并且直接接触RDL线的种子层；在RDL线的两个侧壁上制备相应的侧壁保护结构并且使RDL的线宽与其种子层的宽度具有对应的大小关系；以及直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；而且所述种子层不直接接触所述附加种子层。基于上述区别技术特征可以确定的权利要求15实际解决的技术问题是：保护RDL线的两个侧壁和附加RDL线的两个侧壁免受侵蚀，减少线宽损耗；提高导电结构的形成质量。然而，参见权利要求1的评述，上述区别技术特征为本领域的公知常识，其中，附加RDL线直接接触附加种子层、种子层与附加种子层不直接接触是常规的再分布层结构。因而，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求15请求保护的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求15请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2.9、对于权利要求16，参见权利要求2的评述，其附加技术特征是基于对比文件1公开的内容容易得到的。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.10、对于权利要求17-18，参见上述针对权利要求8、10的评述可知，它们的附加技术特征是本领域的公知常识。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.11、权利要求19请求保护一种半导体加工方法，对比文件1公开了一种在集成电路元件中的铜柱凸块结构的形成方法，并具体公开了以下内容（说明书第[0003]-[0008]、[0046]-[0058]段及附图1A-1F）：半导体基底10，半导体基底上具有凸块下金属层12，凸块下金属层12包括第一凸块下金属层14和第二凸块下金属层16，第一凸块下金属层14也称为扩散阻挡层，形成在第一凸块下金属层14表面的第二凸块下金属层16，以及形成在第二凸块下金属层16表面的铜柱凸块20，具体地，在凸块下金属层12上提供掩模层18，并且将掩模层18图案化，形成开口19，暴露出一部分的凸块下金属层12，定义出用于形成铜柱凸块的视窗，然后，在开口19内形成铜柱凸块20；铜柱凸块20大抵上包含纯元素铜、含有不可避免的杂质的铜以及含有少量元素的铜合金，例如含有钽、铟、锡、锌、锰、铬、钛、锗、锶、铂、镁、铝或锆的铜合金；形成直接接触铜柱凸块20的两个侧壁20b的侧壁保护结构22a；在相同的剖面上测量，图案化凸块下金属层12的宽度WUBM大于铜柱20的宽度Wpillar，至于图案化凸块下金属层12，其第一凸块下金属层14与第二凸块下金属层16具有相同尺寸，参见附图1E，铜柱20的宽度Wpillar是与铜柱20的两个侧壁20b正交且在两个侧壁20b之间延伸的宽度，图案化凸块下金属层12的宽度WUBM平行于铜柱20的宽度Wpillar。
权利要求19请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：半导体装置的主体为再分布层RDL线，形成再分布层RDL线，其具有RDL侧壁；形成包括材料并且直接接触RDL线的种子层；在RDL线的两个侧壁上制备相应的侧壁保护结构并且使RDL的线宽与其种子层的宽度具有对应的大小关系；以及形成直接接触与所述种子层同平面的附加种子层的附加RDL线；而且所述种子层不直接接触所述附加种子层。基于上述区别技术特征可以确定的权利要求19实际解决的技术问题是：保护RDL线的两个侧壁和附加RDL线的两个侧壁免受侵蚀，减少线宽损耗；提高导电结构的形成质量。然而参见权利要求1的评述，该区别技术特征为本领域的公知常识，其中，附加RDL线直接接触附加种子层、种子层与附加种子层不直接接触是常规的再分布层结构。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求19请求保护的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求19请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2.12、对于权利要求20，参见权利要求2的评述，其附加技术特征是基于对比文件1公开的内容容易得到的。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.13、对于权利要求21-22，参见上述针对权利要求8、10的评述可知，它们的附加技术特征都是本领域的公知常识。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
2.14、权利要求23请求保护一种机器可读介质，如权利要求19-22中任一项所述的方法相对于对比文件1和本领域的公知常识的结合是显而易见的，在此基础上，在机器可读介质上存储指令，并在机器执行所述指令时执行上述方法，属于本领域的常规技术手段。因此，当引用的权利要求不具备创造性，该权利要求也不具备创造性。
2.15、权利要求24请求保护一种用于半导体加工的装置，其各加工部件与权利要求19的加工方法对应，结合权利要求19的评述可知，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到相应的加工部件，对本领域技术人员而言是显而易见的，因而，该权利要求不具备创造性。
2.16、对于权利要求25-27，参见对权利要求20-22的评述，当需要执行上述方法时，必然具有形成各材料层的部件。因此，当引用的权利要求不具备创造性，上述权利要求也不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：本申请的技术方案所针对的半导体装置的主体结构可以为具有如下结构和/或组成的再分布层RDL：再分布层RDL包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线，所述RDL包含选自包括Cu和Au的组的材料，包含所述材料的种子层、阻挡层；以及包含在所述RDL中的附加图案化RDL线，所述附加图案化RDL线具有两个附加RDL侧壁，包含所述材料并和所述种子层同平面的附加种子层，与所述阻挡层同平面的附加阻挡层；所述图案化RDL线与所述附加图案化RDL线之间的空的空隙，所述空的空隙不包含介电材料，其中所述空的空隙被连接所述图案化RDL线与所述附加图案化RDL线的轴线横切。然而，这是本领域常规的再分布层结构和/或组成，该结构中，RDL线和附加RDL线即可以形成装置的外缘或外周。根据本申请说明书第[0013]-[0023]段的记载，本申请是为了解决技术问题“避免“半加成”工序流中进行的种子层蚀刻工序步骤期间的化学侵蚀导致的RDL线的高度和宽度缩减，即线宽损耗”，并通过“形成直接接触RDL线的两个RDL侧壁的保护侧壁”来解决该技术问题。但是，本领域一般采用半加成法制造RDL层，且在该方法蚀刻种子层和阻挡层时容易造成RDL线的线宽线距变小是本领域公知的技术问题，而对比文件1公开了（说明书第[0003]-[0008]、[0046]-[0058]段及附图1A-1F）：在铜柱凸块20的两个侧壁20b设置侧壁保护结构22a，以避免蚀刻工艺期间造成的凸块宽度损失。因而，本领域技术人员容易想到将对比文件1公开的侧壁保护结构应用到上述的再分布层RDL结构中，从而保护RDL线的两个侧壁、以及附加RDL线的两个侧壁免受蚀刻种子层和阻挡层过程中的侵蚀、减少线宽损耗，得到相应的RDL线宽与种子层、阻挡层宽度的结构和大小关系，以及附加RDL线宽与附加种子层、阻挡层的宽度的结构和大小关系。换句话说，本申请记载的再分布层RDL的结构和/或组成是本领域公知的再分布层RDL的结构和/或组成，该再分布层RDL中存在的线宽损耗的技术问题也是本领域公知的技术问题，因而，本领域技术人员容易想到将对比文件1公开的结构结合应用于上述再分布层中以解决上述技术问题。该应用仅是简单的技术转用，不存在技术上的障碍，其技术效果也是本领域技术人员能够预料得到的。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月12日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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