发明创造名称：一种降低阻值变化率的高精度电阻
外观设计名称：
决定号：190028
决定日：2019-09-12
委内编号：1F277386
优先权日：
申请（专利）号：201810210125.5
申请日：2018-03-14
复审请求人：成都明杰科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杜凯
合议组组长：武建刚
参审员：黄珊
国际分类号：H01C7/00、H01C7/06、H01C1/032、H01C1/08、H01C1/148
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别特征既没有被现有的其它对比文件公开或教导，也不属于本领域的公知常识，且该部分区别技术特征使得该项权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201810210125.5，名称为“一种降低阻值变化率的高精度电阻”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为成都明杰科技有限公司，申请日为2018年03月14日，公开日为2018年09月11日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月05日发出驳回决定，以权利要求1-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年03月14日提交的权利要求第1-6项、说明书附图第1页、说明书摘要，2018年04月28日提交的说明书第1-6页。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种降低阻值变化率的高精度电阻，包括陶瓷基片(1)、面电极(2)、背电极(3)、电阻体(4)、一次保护层(5)、二次保护层(6)、标记(7)、端电极(8)、中间电极(9)、外部电极(10)，所述电阻体(4)设置在陶瓷基片(1)上表面中部，所述一次保护层(5)、二次保护层(6)由下至上依次层叠在电阻体(4)上侧，且一次保护层(5)将电阻体(4)覆盖，所述二次保护层(6)将一次保护层(5)覆盖；所述面电极(2)设置在陶瓷基片(1)的上表面，并且处于电阻体(4)两侧；在陶瓷基片(1)的下表面的两端设置有背电极(3)；所述端电极(8)覆盖在陶瓷基片(1)的两端，端电极(8)由两端沿着面电极(2)的上侧延伸至二次保护层(6)，端电极(8)由两端向下延伸将背电极(3)覆盖；所述中间电极(9)将端电极(8)覆盖；所述外部电极(10)将中间电极(9)覆盖，其特征在于，所述电阻体(4)包括电阻体本体(41)、金属片，所述电阻体本体(41)包括多个子体，子体呈长方体，子体平放并依次排列在陶瓷基片(1)的表面，子体的长向与陶瓷基片(1)长向垂直，在两个相邻的子体之间设置金属片，金属片与相邻的子体紧密贴合。
2. 根据权利要求1所述的一种降低阻值变化率的高精度电阻，其特征在于，每个电阻体本体(41)中部为空腔(44)，空腔(44)中填充固态镓。
3. 根据权利要求2所述的一种降低阻值变化率的高精度电阻，其特征在于，空腔(44)的固态镓与空腔(44)的体积比为0.1～0.9：1。
4. 根据权利要求2所述的一种降低阻值变化率的高精度电阻，其特征在于，空腔(44)的固态镓与空腔(44)的体积比为0.5：1。
5. 根据权利要求1所述的一种降低阻值变化率的高精度电阻，其特征在于，金属片包括热胀金属片(42)和热缩金属片(43)。
6. 根据权利要求1至4任一所述的一种降低阻值变化率的高精度电阻，其特征在于，所述电阻体(4)采用氧化钌或玻璃。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN1726565A，公开日为2006年01月25日；
对比文件2：CN105788785A，公开日为2016年07月20日。
驳回决定的具体理由是：（1）权利要求1与对比文件1的区别在于：具有标记，端电极由两端向下延伸将背电极覆盖，中间电极将端电极覆盖，外部电极将中间电极覆盖，电阻体包括电阻体本体、金属片，所述电阻体本体包括多个子体，子体呈长方体，子体平放并依次排列在陶瓷基片的表面，子体的长向与陶瓷基片长向垂直，在两个相邻的子体之间设置金属片，金属片与相邻的子体紧密贴合，该电阻为一种降低阻值变化率的高精度电阻。上述区别的一部分技术特征被对比文件2公开，且作用相同；一部分技术特征被对比文件1的背景技术部分公开，且作用相同；其它技术特征属于本领域的公知常识。因此，权利要求1不具备创造性。（2）对于从属权利要求2-6，其附加技术特征均属于本领域的公知常识。因此，权利要求2-6不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月15日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。所作修改为：删除权利要求1，将从属权利要求5上升为新的权利要求1，对权利要求的编号和引用关系做了适应性修改。修改后的权利要求书包括权利要求1-5。复审请求人认为：（1）权利要求1降低电阻变化率的原理与对比文件2降低电阻变化率的原理不同。本申请在两个相邻的子体之间设置金属片，由于金属片上的电子活泼，数量较多，从而补充电子流，可流通电子多了，阻值就降低了，从而减小了电阻体阻值变化的程度；而对比文件2是通过改进厚膜印刷工艺流程，调整电阻印刷膜层厚度，通过不同膜厚区域比例改善电阻在全温度范围内的温度特性，使得电阻均匀发热，从而构成低温漂的电阻。（2）权利要求1的高精度电阻的结构与对比文件2的低温漂电阻的结构不同。权利要求1的电阻体包括电阻体本体、金属片，所述电阻体本体包括多个子体，子体呈长方体，子体平放并依次排列在陶瓷基片的表面，子体的长向与陶瓷基片长向垂直，在两个相邻的子体之间设置金属片，金属片与相邻的子体紧密贴合；而对比文件2依靠由具有第一厚度的电阻浆料膜完全覆盖在第一电阻区域以及具有第二厚度的电阻浆料膜部分叠加覆盖在具有第一厚度的电阻浆料膜上形成的第一子电阻实现降低温漂的目的，而第二子电阻和第三子电阻与第一子电阻的原理相同，仅仅是依据电阻的尺寸要求更大而增加第二子电阻和第三子电阻。（3）权利要求1还进一步限定了“所述金属片包括热胀金属片和热缩金属片”，由于金属片包括热胀金属片和热缩金属片，电阻在发热的时候，热胀金属片和电阻体本体膨胀，热缩金属片收缩，电阻在不使用的时候，热胀金属片和电阻体本体收缩，热缩金属片膨胀，从而实现电阻体中的体积相互弥补，延长电阻的使用寿命。而对比文件2中并未公开权利要求1中的金属片结构，该结构也不是本领域的公知常识。（4）将电阻体本体的子体中部设置为空腔，并且在空腔中加入固态镓，当电阻体通过电流发热后，固体镓会熔化，熔化的过程中会吸收一部分热量，从而降低电阻体温度的变化，降低电阻值的变化程度。因此，权利要求1具备创造性。
修改后的权利要求1内容如下：
“1. 一种降低阻值变化率的高精度电阻，包括陶瓷基片(1)、面电极(2)、背电极(3)、电阻体(4)、一次保护层(5)、二次保护层(6)、标记(7)、端电极(8)、中间电极(9)、外部电极(10)，所述电阻体(4)设置在陶瓷基片(1)上表面中部，所述一次保护层(5)、二次保护层(6)由下至上依次层叠在电阻体(4)上侧，且一次保护层(5)将电阻体(4)覆盖，所述二次保护层(6)将一次保护层(5)覆盖；所述面电极(2)设置在陶瓷基片(1)的上表面，并且处于电阻体(4)两侧；在陶瓷基片(1)的下表面的两端设置有背电极(3)；所述端电极(8)覆盖在陶瓷基片(1)的两端，端电极(8)由两端沿着面电极(2)的上侧延伸至二次保护层(6)，端电极(8)由两端向下延伸将背电极(3)覆盖；所述中间电极(9)将端电极(8)覆盖；所述外部电极(10)将中间电极(9)覆盖，其特征在于，所述电阻体(4)包括电阻体本体(41)、金属片，所述电阻体本体(41)包括多个子体，子体呈长方体，子体平放并依次排列在陶瓷基片(1)的表面，子体的长向与陶瓷基片(1)长向垂直，在两个相邻的子体之间设置金属片，金属片与相邻的子体紧密贴合；
其中，所述金属片包括热胀金属片(42)和热缩金属片(43)。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月04日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件2公开的电阻体包括三个子电阻4、7、8，这三个子电阻均呈长方体并平放，依次排列在基片的表面，在相邻的子电阻之间设置连接导体9，连接导体与相邻的子电阻之间相连接，该电阻为一种低温漂大功率电阻，可见，针对电阻阻值变化大的问题，对比文件2所采取的技术方案正是具体的将电阻体制成多个子体，并在子体之间设置导体，实现了电阻的低温漂。导体中由于自由电子多，其可流通的电子多，其在客观上能够实现如本申请所认为的补充电子。也就是说，对比文件2公开了本申请的发明构思，两者采取的关键技术相同。至于在导体中具体的选择金属片，这只是常规的材料选取，属于公知常识。（2）权利要求1与对比文件2电阻结构的不同，这并不能证明本申请的创造性。对本申请的创造性评述时，选取的是对比文件1作为最接近的现有技术，在此基础上，结合对比文件2所给出的发明构思进行结合，并不存在将对比文件2的其他无关技术特征与本申请的技术特征进行对比的情况。金属片选取热胀金属片和热缩金属片，这只是常规的应用热胀冷缩原理时的做法，并未超出本领域技术人员的知识范畴。此外，这种材料选取与本申请提高精度的发明构思并无直接关联关系。因此，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
经过充分的阅卷并合议，本案合议组认为事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年03月15日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，2019年03月15日所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审决定所针对的文本为：2018年03月14日提交的说明书附图第1页、说明书摘要，2018年04月28日提交的说明书第1-6页，2019年03月15日提交的权利要求第1-5项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别特征既没有被现有的其它对比文件公开或教导，也不属于本领域的公知常识，且该部分区别技术特征使得该项权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN1726565A，公开日为2006年01月25日；
对比文件2：CN105788785A，公开日为2016年07月20日。
2.1、权利要求1请求保护一种降低阻值变化率的高精度电阻，对比文件1公开了一种电阻，并具体公开了如下内容（参见说明书第3页第2段至第9页第7段及附图3）： 该电阻包括陶瓷基板1（相当于权利要求1所述的陶瓷基片）、上部电极4a和4b（相当于权利要求1所述的面电极）、下部电极5a和5b（相当于权利要求1所述的背电极）、电阻元件2（相当于权利要求1所述的电阻体）、预玻璃7（相当于权利要求1所述的一次保护层）、保护膜3（相当于权利要求1所述的二次保护层）、端部电极6a和6b（相当于权利要求1所述的端电极）、外部电极8a和8b，电阻元件2设置在陶瓷基板1的上表面中部，预玻璃7、保护膜3由下至上依次层叠在电阻元件2的上侧，预玻璃7覆盖电阻元件2，预玻璃7再由保护膜3覆盖，上部电极4a和4b设置在陶瓷基板1的上表面并且处于电阻元件2的两侧，在陶瓷基板1的下表面的两端设置有下部电极5a和5b，端部电极6a和6b覆盖在陶瓷基板1的两端。权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：（1）具有标记和中间电极，端电极由两端向下延伸将背电极覆盖，中间电极将端电极覆盖，外部电极将中间电极覆盖；（2）该电阻为一种降低阻值变化率的高精度电阻，电阻体包括电阻体本体、金属片，所述电阻体本体包括多个子体，子体呈长方体，子体平放并依次排列在陶瓷基片的表面，子体的长向与陶瓷基片长向垂直，在两个相邻的子体之间设置金属片，金属片与相邻的子体紧密贴合，所述金属片包括热胀金属片和热缩金属片。
基于上述区别技术特征可以确定权利要求1相对于对比文件1实际要解决的技术问题是：（1）提供一种替换的电极结构；（2）如何提高电阻的精度，并延长电阻的使用寿命。
对于上述区别技术特征（1），对比文件1背景技术中公开了（参见说明书第1页第3段至第5段及附图5）在芯片电阻器的端面具有从内到外的端面电极105、镀镍的膜106、镀焊锡的膜107，参见附图5可知，其中端面电极由两端覆盖基板的背面，镀镍的膜106（相当于中间电极）将端面电极105覆盖，镀焊锡的膜107（相当于外部电极）将镀镍的膜106覆盖，因而部分区别技术特征（1）已被对比文件1背景技术公开，并且这些技术特征在对比文件1背景技术中的作用与其在权利要求1中的作用相同，均是用于实现电极与外电路的连接，因而对比文件1背景技术给出了将上述技术特征应用到对比文件1中以解决其技术问题的启示。此外，具体的将对比文件1背景技术应用到对比文件1的技术方案中时，端电极包封背电极，这是本领域技术人员通过合乎逻辑的分析能够得到的。此外，在电阻上设置标记，端电极由两端向下延伸将背电极覆盖，中间电极将端电极覆盖，外部电极将中间电极覆盖，这些是本领域的常规技术手段。
对于上述区别技术特征（2），对比文件2公开了一种低温漂大功率电阻，并具体公开了（参见说明书0026-0085段及图1a至图3）在两引脚导体3a和3b之间的电阻体为三个子电阻4、7、8，在相邻的子电阻之间设置连接导体9，连接导体与相邻的子电阻之间相连接。第一子电阻4为矩形，其两短边分别与两引脚导体1a、1b连接，且第一子电阻4由具有第一厚度的电阻浆料膜5完全覆盖在第一电阻区域以及具有第二厚度的电阻浆料膜6部分叠加覆盖在具有第一厚度的电阻浆料膜5上形成；第二子电阻7由具有第一厚度的电阻浆料膜5完全覆盖在第二电阻区域以及具有第二厚度的电阻浆料膜6部分叠加覆盖在具有第一厚度的电阻浆料膜5上形成；第三子电阻8由具有第一厚度的电阻浆料膜5完全覆盖在第三电阻区域以及具有第二厚度的电阻浆料膜6部分叠加覆盖在具有第一厚度的电阻浆料膜5上形成。由于产品尺寸有限制，所以电阻要做成弯曲的才能够达到规定的阻值，而弯曲部分也做成电阻将会不稳定，所以将电阻分解为多个子电阻串联，每个电阻都是规则的矩形，并通过连接导体连接。该结构通过改进厚膜印刷工艺流程，调整电阻印刷膜层厚度，通过不同膜厚区域比例改善电阻在全温度范围内(-55℃～125℃)的温度特性，使电阻的温度特性远远小于市场现有产品，而且温度应用范围广，能够满足用户装机使用要求。由对比文件2公开的内容可知，其虽然公开了在相邻的子电阻之间设置连接导体，但其作用是将多个弯曲连接的子电阻进行串联，可见，对比文件2中的在多个子电阻之间设置连接导体的作用与本申请的电阻子体之间设置金属片的作用并不相同。虽然对比文件2公开的电阻具有低温漂特性，但其低温漂特性是通过改进厚膜印刷工艺流程，调整电阻印刷膜层厚度，通过不同膜厚区域比例改善电阻在全温度范围内的温度特性，从而构成低温漂的电阻，其并非是通过在多个子电阻之间设置连接导体来实现低温漂的电阻特性的，即对比文件2没有给出在多个子电阻之间设置金属片用于补充电子流，降低阻值，从而降低电阻变化率的启示。而且，对比文件2公开了电阻要做成弯曲的才能够达到规定的阻值，而弯曲部分也做成电阻将会不稳定，所以将电阻分解为多个子电阻串联，每个电阻都是规则的矩形，并通过连接导体连接。对比文件2给出的教导是需要多个子电阻做成弯曲连接的结构，在做成弯曲结构时需要采用连接导体连接。可见，对比文件2并未公开权利要求1中的上述区别技术特征（2），也未给出相应的教导和启示，同时上述区别技术特征（2）作为一个整体也不属于本领域的公知常识。基于该区别技术特征（2），通过设置金属片减小了电阻体阻值变化的程度；并且由于金属片包括热胀金属片和热缩金属片，电阻在发热的时候，热胀金属片和电阻体本体膨胀，热缩金属片收缩，电阻在不使用的时候，热胀金属片和电阻体本体收缩，热缩金属片膨胀，从而实现电阻体中的体积相互弥补，延长电阻的使用寿命，可见，权利要求1请求保护的技术方案具有有益的技术效果。因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1、2与本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-5是直接或间接引用权利要求1的从属权利要求，在权利要求1具备创造性时，权利要求2-5也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于驳回决定与前置审查意见的评述
对于驳回决定和前置审查中的意见，合议组认为：
（1）对比文件2虽然公开了在相邻的子电阻之间设置连接导体，但其公开了连接导体的作用是用于将多个弯曲连接的子电阻进行串联，其并未明确给出在多个子电阻之间设置连接导体是用于补充电子流，降低阻值，从而降低电阻变化率的启示。对比文件2中的在多个子电阻之间设置连接导体的作用与本申请的电阻子体之间设置金属片的作用并不相同。虽然对比文件2公开的电阻具有低温漂特性，但其低温漂特性是由于通过改进厚膜印刷工艺流程，调整电阻印刷膜层厚度，通过不同膜厚区域比例改善电阻在全温度范围内的温度特性，从而构成低温漂的电阻，其并非是通过在多个子电阻之间设置连接导体来实现低温漂的电阻特性的。
（2）对比文件2公开了电阻要做成弯曲的才能够达到规定的阻值，而弯曲部分也做成电阻将会不稳定，所以将电阻分解为多个子电阻串联，每个电阻都是规则的矩形，并通过连接导体连接。对比文件2给出的是需要多个子电阻做成弯曲连接的结构，在做成弯曲结构时需要采用连接导体连接。可见，对比文件2并未公开或教导将电阻体形成为权利要求1中的“电阻体包括电阻体本体、金属片，所述电阻体本体包括多个子体，子体呈长方体，子体平放并依次排列在陶瓷基片的表面，子体的长向与陶瓷基片长向垂直，在两个相邻的子体之间设置金属片，金属片与相邻的子体紧密贴合，所述金属片包括热胀金属片和热缩金属片”结构。同时权利要求1中的上述电阻体结构特征作为一个整体也不属于本领域的公知常识。并且，权利要求1的技术方案通过设置金属片减小了电阻体阻值变化的程度；并且由于金属片包括热胀金属片和热缩金属片，电阻在发热的时候，热胀金属片和电阻体本体膨胀，热缩金属片收缩，电阻在不使用的时候，热胀金属片和电阻体本体收缩，热缩金属片膨胀，从而实现电阻体中的体积相互弥补，延长电阻的使用寿命。
因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1、2与本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
至于本申请是否存在其他不符合专利法和专利法实施细则的规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年12月05日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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