发明创造名称：In-Cell触控显示面板的驱动方法及驱动电路
外观设计名称：
决定号：189212
决定日：2019-09-09
委内编号：1F264223
优先权日：
申请（专利）号：201610424983.0
申请日：2016-06-14
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王敏
合议组组长：常青
参审员：王立升
国际分类号：G09G3/36,G02F1/1345
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：一项权利要求与一篇对比文件相比，如果其区别特征的一部分被另一篇对比文件公开了，而另一部分区别特征属于本领域技术人员根据常规需求能够采用的常规技术手段，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610424983.0，名称为“In-Cell触控显示面板的驱动方法及驱动电路”的发明专利申请。申请人为武汉华星光电技术有限公司。本申请的申请日为2016年06月14日，公开日为2016年11月09日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，驳回了本发明专利申请，其理由是：权利要求1-6不符合专利法第22条第3款的规定。
驳回决定所依据的文本为申请日提交的说明书摘要、说明书第1-47段、摘要附图、说明书附图1-8；2018年6月7日提交的权利要求第1-6项。
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN103943083A，公开日为2014年07月23日；
对比文件2：CN104503618A，公开日为2015年04月08日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种In-Cell触控显示面板的驱动方法，其特征在于，包括：
步骤10、提供GOA电路，该GOA电路包括级联的多个GOA单元；
步骤20、按照预设时序，控制第n级GOA单元对该触控显示面板的第n级水平扫描线充电；
步骤30、按照预设时序，将所述多个GOA单元划分为执行完触控扫描后用于扫描接下来的第一行水平扫描线对应的第一类GOA单元，以及该第一类GOA单元以外的第二类GOA单元；
步骤40、该第一类GOA单元的电路尺寸大于该第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元；
该第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；
该反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端。
2. 如权利要求1所述的In-Cell触控显示面板的驱动方法，其特征在于，该GOA电路为CMOS GOA电路。
3. 如权利要求1所述的In-Cell触控显示面板的驱动方法，其特征在于，该触控显示面板为Hybrid In-Cell触控显示面板或Full In-Cell触控显示面板。
4. 一种In-Cell触控显示面板的驱动电路，其特征在于，包括：一GOA电路，该GOA电路包括级联的多个GOA单元；按照预设时序控制第n级GOA单元对该触控显示面板的第n级水平扫描线充电；按照预设时序，将所述多个GOA单元划分为执行完触控扫描后用于扫描接下来的第一行水平扫描线对应的第一类GOA单元，以及该第一类GOA单元以外的第二类GOA单元；其中，该第一类GOA单元的电路尺寸大于该第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元；
该第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；
该反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端。
5. 如权利要求4所述的In-Cell触控显示面板的驱动电路，其特征在于，该GOA电路为CMOS GOA电路。
6. 如权利要求4所述的In-Cell触控显示面板的驱动电路，其特征在于，该触控显示面板为Hybrid In-Cell触控显示面板或Full In-Cell触控显示面板。”
驳回决定认为：1、权利要求1与对比文件1相比，其区别在于：(1)对比文件1未明确移位寄存单元41为GOA型电路；(2)第一类GOA单元的电路尺寸大于第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元， 第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；(3) 反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端。该权利要求实际要解决的技术问题为：(1)采用何种形式的移位寄存单元；(2)提供一种提高第一类GOA推力的替换方法；(3)反向器具体为何种结构。然而区别技术特征(1)为本领域的常用结构形式。区别技术特征(2)被对比文件2公开了。区别技术特征(3)为本领域的常规选择。因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的惯用技术手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的；因此该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求2-3的附加技术特征为本领域的常用技术手段，因此权利要求2-3不符合专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求4与对比文件1相比，其区别在于：(1)对比文件1未明确移位寄存单元41为GOA型电路；(2)第一类GOA单元的电路尺寸大于第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元，第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一 反向器；(3)反向器具体包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端。该权利要求实际要解决的技术问题为：(1)采用何种形式的移位寄存单元；(2)提供一种提高第一类GOA推力的替换方法；(3) 反向器具体为何种结构。区别技术特征(1)为本领域的常用结构形式。区别技术特征(2)被对比文件2公开了。区别技术特征(3)为本领域的常规选择。因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的惯用技术手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的；因此该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求5-6的附加技术特征为本领域的常用技术手段，因此权利要求5-6不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
武汉华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书。在驳回决定针对权利要求书的基础上，复审请求人将权利要求1和2合并以形成新的权利要求1，将权利要求4和5合并以形成新的权利要求3，对应修改权利要求的数字编号及引用关系。
复审请求时新修改的权利要求1和3如下：
“1. 一种In-Cell触控显示面板的驱动方法，其特征在于，包括：
步骤10、提供GOA电路，该GOA电路包括级联的多个GOA单元；
步骤20、按照预设时序，控制第n级GOA单元对该触控显示面板的第n级水平扫描线充电；
步骤30、按照预设时序，将所述多个GOA单元划分为执行完触控扫描后用于扫描接下来的第一行水平扫描线对应的第一类GOA单元，以及该第一类GOA单元以外的第二类GOA单元；
步骤40、该第一类GOA单元的电路尺寸大于该第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元；
该第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；
该反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端；
该GOA电路为CMOS GOA电路。
3. 一种In-Cell触控显示面板的驱动电路，其特征在于，包括：一GOA电路，该GOA电路包括级联的多个GOA单元；按照预设时序控制第n级GOA单元对该触控显示面板的第n级水平扫描线充电；按照预设时序，将所述多个GOA单元划分为执行完触控扫描后用于扫描接下来的第一行水平扫描线对应的第一类GOA单元，以及该第一类GOA单元以外的第二类GOA单元；其中，该第一类GOA单元的电路尺寸大于该第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元；
该第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；
该反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端， 该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端；
该GOA电路为CMOS GOA电路。
”
复审请求人认为：（1）首先，对比文件1公开的技术方案虽然解决的技术问题与本申请相同，均是为了解决进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元在触控扫描时间产生的关键节点漏电的现象以消除亮暗线不良的问题。但是对比文件1采用了预充电的方式对关键节点漏电进行补偿，最终使得触控扫描完成后的第一级移位寄存器单元41能够正常的对像素进行充电，以消除暗线或者亮线的不良，也即对比文件1实际上公开的是通过设置位于该第一级移位寄存器单元41外部的电路结构在触控扫描阶段对其进行漏电补偿的技术方案。而本申请中，采用不同的尺寸的GOA单元，以增大其尺寸，使得该第一类GOA电路对水平扫描线的推力大于第二类GOA电路对水平扫描线的推力，从而当触控扫描期间第一类GOA单元发生漏电推力下降后，由于其本身推力大于第二类GOA电路，最终第一类GOA单元与第二类GOA单元的推力能够保持一致，消除漏电导致的暗线，保证显示品质，也即本申请实际上是一种对第一类GOA单元内部结构进行改变以改变其推力的技术方案。这与对比文件1是完全不同的技术方案，对比文件1对此没有任何公开，也并不能提供任何的技术启示。（2）其次，对比文件2公开的技术方案中，虽然公开了控制单元301，且控制单元301采用两个串联的反相器实现，该控制单元301用于增大扫描信号的驱动能力及减少其噪声，这与本申请的对第一类GOA电路的内部结构进行改变以选择性增大第一类GOA电路的推力的技术方案并不相同，对比文件2仅仅能够给出在扫描驱动电路的外侧的电路结构中设置分别与多级扫描驱动电路一一对应的多个控制单元的技术启示。（3）对比文件1和2均未公开GOA电路，更没有公开CMOS GOA电路。本申请利用CMOS GOA电路对In-Cell触控显示面板进行驱动，能够有效降低驱动时的功耗，提升驱动时的工作电压范围，对比文件1及对比文件2对此并没有任何公开，也并不能提供任何的技术启示，同时该技术特征是本申请的技术人员针对本申请应用于In-Cell触控显示面板的驱动而做出的优选设置，并非本领域的常用技术手段，在没有技术启示的前提下，需要申请人付出创造性劳动才能够获得本申请的技术方案，因此，权利要求1具有创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月06日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1与对比文件1相比，其区别在于：(1)GOA电路为CMOS GOA电路；(2)第一类GOA单元的电路尺寸大于第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元， 第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；(3) 反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端；该权利要求实际要解决的技术问题为:(1)采用何种形式的移位寄存单元；(2)提供一种提高第一类GOA推力的替换方法；(3)反向器具体为何种结构。区别技术特征(1)为本领域公知常识。区别技术特征(2)被对比文件2公开了。区别技术特征(3)为本领域的常规选择。因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的惯用技术手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的；因此该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求2的附加技术特征为本领域的常用技术手段，因此权利要求2不符合专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求3与对比文件1相比，其区别在于：(1) GOA型电路为CMOS GOA电路；(2)第一类GOA单元的电路尺寸大于第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元，第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；(3)反向器具体包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端；该权利要求实际要解决的技术问题为:(1)采用何种形式的移位寄存单元；(2)提供一种提高第一类GOA推力的替换方法；(3) 反向器具体为何种结构。区别技术特征(1)为本领域公知常识。区别技术特征(2)被对比文件2公开了。区别技术特征(3)为本领域的常规选择。因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的惯用技术手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的；因此该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求4的附加技术特征为本领域的常用技术手段，因此权利要求4不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年06月14日提交了意见陈述书，同时修改了申请文件，将特征“从而在显示扫描时弥补触控扫描的漏电现象”并入权利要求1、3。复审请求人认为：1、对比文件1通过预充电抵消触控扫描阶段漏电的电荷，实现漏电补偿。而本申请通过对第一类GOA增加一个反向器增大GOA在显示扫描阶段的推力，以提供更多的电荷抵消在触控扫描阶段的漏电的电荷，从而实现漏电补偿。即对比文件1与本申请的漏电补偿方法不同，发明构思不同。2、对比文件2是在扫描驱动电路的外侧具有其他功能的电路结构中对应每一级扫描电路均单独设置一个控制单元301，多个控制单元301能够分别将多个扫描驱动电路输出的扫描信号进行缓冲，并增大扫描信号的驱动能力及减少其噪声。这与本申请的选择性增大第一类GOA电路的推力的技术方案并不相同，不能给予本申请相应的技术启示。因此权利要求1具备创造性。同理，权利要求3也具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年06月14日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。
因此，本复审决定针对的文本是申请日提交的说明书摘要、说明书第1-47段、摘要附图、说明书附图1-8；2019年06月14日提交的权利要求第1-4项。
2、关于本申请是否符合专利法第22条第3款的规定
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
一项权利要求与一篇对比文件相比，如果其区别特征的一部分被另一篇对比文件公开了，而另一部分区别特征属于本领域技术人员根据常规需求能够采用的常规技术手段，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
1. 权利要求1请求保护一种In-Cell触控显示面板的驱动方法，对比文件1公开了一种触控显示面板的驱动方法(参见说明书第4-7，29-85段，附图4，7)：一种栅极驱动电路的驱动方法，应用于一种栅极驱动电路，该电路包括多个相互级联的移位寄存器单元以及预充电单元，多级所述移位寄存器单元的扫描输出与触控扫描间隔进行；除第一级移位寄存器单元外，其余每个移位寄存器单元的信号输出端均连接与其相邻的上一级移位寄存器单元的复位信号端；除最后一级移位寄存器单元外，其余每个移位寄存器单元的信号输出端均连接与其相邻的下一级移位寄存器单元的信号输入端；所述预充电单元与在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元相连接，用于在进行触控扫描时对所述第一级移位寄存器单元预充电。
该方法，包括：对所述栅极驱动电路中位于第一区域的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描；在第一区域移位寄存器单元的栅极行驱动扫描完成后，进行触控扫描，在进行触控扫描时对位于第二区域的第一级移位寄存器单元进行预充电；对所述栅极驱动电路中位于第二区域的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描，位于所述第一区域的最后一级移位寄存器单元与位于所述第二区域的第一级移位寄存器单元相级联。
针对内嵌式触控显示屏中GOA电路的漏电问题，上述栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置，通过额外设置与在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元相连接的预充电单元，在进行触控扫描时对所述第一级移位寄存器单元预充电，这样一来，避免了两行移位寄存器单元输出之间由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元PU点漏电现象，从而在保证高报点率的触控扫描的同时避免了行像素充电率不足的缺陷，显著改善了暗线或者亮线不良，提高了显示品质。
由此可见，对比文件1中的级联的多个移位寄存器单元，按照预设时序，对位于第一区域的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描，在第一区域移位寄存器单元的栅极行驱动扫描完成后，进行触控扫描，在进行触控扫描时对位于第二区域的第一级移位寄存器单元41（即第一类移位寄存器单元）进行预充电(参见说明书第72-74段，附图4)，相当于公开了按照预设时序，控制第n级移位寄存器单元对触控显示面板的第n级水平扫描线充电；按照预设时序，将所述多个移位寄存器单元划分为执行完触控扫描后用于扫描接下来的第一行水平扫描线对应的第一级移位寄存器，以及在执行完触控扫描后的第二区域中的除了该第一级移位寄存器以外的移位寄存器。由于对比文件1中的第二区域的第一级（即第一类）移位寄存器经过了预充电，其推力大于未采用预充电时第二区域的其他第一级移位寄存器（即第二类）的推力, 从而避免了两行移位寄存器单元输出之间由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元PU点漏电现象。
权利要求1与对比文件1相比，其区别在于：(1)GOA电路为CMOS GOA电路；(2)第一类GOA单元的电路尺寸大于第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元， 第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；(3) 反向器包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端；该权利要求实际要解决的技术问题为:(1)采用何种形式的移位寄存单元；(2)提供一种提高第一类GOA推力的替换方法；(3)反向器具体为何种结构。可见，对比文件1与本申请的发明构思类似，均是通过改变移位寄存器内部结构以增加驱动能力从而对漏电现象进行补偿。
然而针对区别技术特征(1)，CMOS GOA电路是市面上的常见类型，因而该区别为本领域公知常识。
区别技术特征(2)是通过增加反相器结构从而使得GOA电路增加推力，其本质是对GOA电路进行电性参数的过驱动。而对比文件1已经公开了一种通过预充电的方式来进行漏电补偿，其本质是通过电压和充电时间的过驱动方式来补偿漏电。而对比文件2公开了技术特征：采用串联的反相器可以增大输入的扫描信号的驱动能力，减少扫描信号的输入噪声(参见说明书第48段，附图3)。因此本领域技术人员在面临对漏电进行补偿的情况下，能够从对比文件2中得到启示并将其应用到对比文件1中以提供另一种漏电补偿的替换手段。而增加串联的反相器（相当于“多出至少一个反相器”），由于增加了器件因而会增大电路的尺寸，从而使第一级移位寄存器尺寸和推力大于第二区域中其它(即第二类)移位寄存器。
对于区别技术特征(3)，PMOS和NMOS串联从而构成反向器为本领域常用的反向器结构，因此反向器具体采用PMOS和NMOS串联的结构为本领域的常规选择；
因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的惯用技术手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的；因此该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见，合议组认为：（1）对比文件1与本申请所解决的技术问题是相同的。本申请所采用的对第一类GOA单元内部结构进行改变以改变其推力的技术方案。由于GOA单元是一种电路结构，而提高电路结构的推力，对本领域技术人员而言，其实质含义只能是电性参数的过驱动，即提高驱动电压、驱动电流或驱动时间。而对比文件1所采用的预充电方式也是也是用于增加移位寄存器的驱动能力的。（2）基于对比文件1公开了本申请的发明构思的基础上，而对比文件2公开了采用两个串联的反相器的电路结构可增加推力，提高驱动能力的方式。本领域技术人员很容易想到将对比文件2中两个串联的反相器的电路结构应用到对比文件1中的GOA电路中去，而并不必拘泥于两个串联的反相器结构只能作为控制单元301。综上，复审请求人的意见不能被接受。
2. 权利要求2为引用权利要求1的从属权利要求，然而Hybrid In-Cell触控显示面板或Full In-Cell触控显示面板均为本领域常用的触控显示面板；因此在其引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具有专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求3请求保护一种In-Cell触控显示面板的驱动电路，对比文件1公开了一种触控显示面板的驱动电路(参见说明书第4-7，29-85段，附图4，7)，该显示面板采用H-Blank方式进行扫描，其必然为In-Cell触控显示面板(参见说明书第4-6段，附图7)，
一种栅极驱动电路，该电路包括多个相互级联的移位寄存器单元以及预充电单元，多级所述移位寄存器单元的扫描输出与触控扫描间隔进行；除第一级移位寄存器单元外，其余每个移位寄存器单元的信号输出端均连接与其相邻的上一级移位寄存器单元的复位信号端；除最后一级移位寄存器单元外，其余每个移位寄存器单元的信号输出端均连接与其相邻的下一级移位寄存器单元的信号输入端；所述预充电单元与在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元相连接，用于在进行触控扫描时对所述第一级移位寄存器单元预充电。
针对内嵌式触控显示屏中GOA电路的漏电问题，上述栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置，通过额外设置与在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元相连接的预充电单元，在进行触控扫描时对所述第一级移位寄存器单元预充电，这样一来，避免了两行移位寄存器单元输出之间由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元PU点漏电现象，从而在保证高报点率的触控扫描的同时避免了行像素充电率不足的缺陷，显著改善了暗线或者亮线不良，提高了显示品质。
由此可见，对比文件1中的级联的多个移位寄存器单元；按照预设时序，对位于第一区域的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描，在第一区域移位寄存器单元的栅极行驱动扫描完成后，进行触控扫描，在进行触控扫描时对位于第二区域的第一级移位寄存器单元41（即第一类移位寄存器单元）进行预充电 (参见说明书第72-74段，附图4)，相当于公开了按照预设时序，控制第n级移位寄存器单元对触控显示面板的第n级水平扫描线充电；按照预设时序，将所述多个移位寄存器单元划分为执行完触控扫描后用于扫描接下来的第一行水平扫描线对应的第一级移位寄存器，以及在执行完触控扫描后的第二区域中的除了该第一级移位寄存器以外的移位寄存器。由于对比文件1中的第二区域的第一级（即第一类）移位寄存器经过了预充电，其推力大于未采用预充电时第二区域的其他第一级移位寄存器（即第二类）的推力, 从而避免了两行移位寄存器单元输出之间由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后的第一级移位寄存器单元PU点漏电现象。权利要求3与对比文件1相比，其区别在于：(1) GOA型电路为CMOS GOA电路；(2)第一类GOA单元的电路尺寸大于第二类GOA单元的电路尺寸，以使该第一类GOA单元对水平扫描线的推力大于该第二类GOA单元，第一类GOA单元的电路相较于该第二类GOA单元在输出端多出至少一反向器；(3)反向器具体包括一PMOS和一NMOS，该PMOS和NMOS栅极相连为输入端，该PMOS源极接高电位，该NMOS源极接低电位，该PMOS和NMOS的漏极相连为输出端；该权利要求实际要解决的技术问题为:(1)采用何种形式的移位寄存单元；(2)提供一种提高第一类GOA推力的替换方法；(3) 反向器具体为何种结构。可见，对比文件1与本申请的发明构思类似，均是通过改变移位寄存器内部结构以增加驱动能力从而对漏电现象进行补偿。
然而针对区别技术特征(1)，CMOS GOA电路是市面上的常见类型，因而该区别为本领域公知常识。
对于区别技术特征(2)，是通过增加反相器结构从而使得GOA电路增加推力，其本质是对GOA电路进行电性参数的过驱动。而对比文件1已经公开了一种通过预充电的方式来进行漏电补偿，其本质是通过电压和充电时间的过驱动方式来补偿漏电。而对比文件2公开了技术特征：采用串联的反相器可以增大输入的扫描信号的驱动能力，减少扫描信号的输入噪声(参见说明书第48段，附图3)。因此本领域技术人员在面临对漏电进行补偿的情况下，能够从对比文件2中得到启示并将其应用到对比文件1中以提供另一种漏电补偿的替换手段。而增加串联的反相器（相当于“多出至少一个反相器”），由于增加了器件因而会增大电路的尺寸，从而使第一级移位寄存器尺寸和推力大于第二区域中其它(即第二类)移位寄存器。
对于区别技术特征(3)，PMOS和NMOS串联从而构成反向器为本领域常用的反向器结构，因此反向器具体采用PMOS和NMOS串联的结构为本领域的常规选择；
因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的惯用技术手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的；因此该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
4. 权利要求4为引用权利要求3的从属权利要求，然而Hybrid In-Cell触控显示面板或Full In-Cell触控显示面板均为本领域常用的触控显示面板；因此在其引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具有专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-4均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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