发明创造名称：一种电致发光器件及其制作方法
外观设计名称：
决定号：189086
决定日：2019-09-06
委内编号：1F261999
优先权日：
申请（专利）号：201610515980.8
申请日：2016-07-01
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 合肥鑫晟光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵颖
合议组组长：徐颖
参审员：李莹
国际分类号：H01L51/50,H01L51/52,H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2、3款
决定要点：如果权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的技术方案相比存在区别技术特征，也就是所述两个技术方案并非实质相同，则该权利要求的技术方案相对于该对比文件具备新颖性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610515980.8，名称为“一种电致发光器件及其制作方法”的发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司、合肥鑫晟光电科技有限公司。申请日为2016年07月01日，公开日为2016年11月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月03日发出驳回决定，驳回了本申请，其中引用了以下对比文件：
对比文件1：CN101339976A，公开日为2009年01月07日；
对比文件2：WO2013000164A1，公开日为2013年01月03日。
驳回理由是：权利要求1-5，10不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。权利要求3-9不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。对比文件1公开了权利要求1-2的全部技术特征，权利要求1-2不具备新颖性。对比文件1公开了电子注入层Li与Ag形成合金。而Li的功函数约为2.9eV，Ag的功函数约为4.26eV，可见对比文件1公开了权利要求3的附加技术特征。因此权利要求3也不具备新颖性。对于并列技术方案中的“共蒸膜层还包括：无机化合物，导电有机物”构成其与对比文件1的区别技术特征，而例如LiF的无机物，例如喹啉锂、酞菁类衍生物的导电有机物用在电子注入层中，来提升电子注入效率，是本领域的公知常识。因此权利要求3的该并列技术方案不具备创造性。对比文件1公开了权利要求4-5的附加技术特征，当其引用的权利要求不具备新颖性时，权利要求4-5也不具备新颖性；当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4-5也不具备创造性。对于并列技术方案中的“所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属铝Al”，而Al是本领域常见的阴极材料。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5也不具备创造性。对比文件1公开了电子注入层Li与Ag形成合金。而金属Al与金属Ag都是功函数较高的金属材料。金属镁Mg，金属钙Ca，金属镱Yb或金属钪Sc与金属锂Li一样都是功函数较低的金属材料。氟化锂LiF、喹啉锂或酞菁类衍生物也都是本领域常用的调节电子注入效率的材料。在对比文件1公开内容的基础上，本领域技术人员容易想到可以选择其他的材料替换Li，或者选择其他的材料替换Ag，因此，权利要求6不具备创造性。对比文件1公开了电子注入层Li与Ag形成合金，阴极层为Ag层；电子注入层Li与Ag形成合金，其中Li的重量百分比为5%，膜厚为10nm，而阴极层为Ag层厚度为90nm。而金属镁Mg与金属锂Li一样都是功函数较低的金属材料。在对比文件1公开内容的基础上，本领域技术人员容易想到可以选择其他功函数较低的材料替换Li，比如金属镁Mg，能实现提高电子注入效率并提高导电率。而金属镁Mg与金属锂Li一样都是功函数较低的金属材料。在对比文件1公开内容的基础上，本领域技术人员容易想到可以选择其他功函数较低的材料替换Li，比如金属镁Mg，能实现提高电子注入效率并提高导电率。而将Mg与Ag粒子浓度的比例范围选择为1:1~20:1是本领域的常规选择。为了提高阴极透射率，本领域技术人员容易想到将阴极层的厚度尽量薄，而选择膜厚为200~500范围，是本领域的常规选择。而Ag本身属于反光金属，含有Ag的阴极的总透过率设置在30%~50%范围内，是本领域的常规需要。因此，权利要求7不具备创造性。对比文件2公开了权利要求8-9的附加技术特征，权利要求8-9不具备创造性。对比文件1公开了权利要求10的全部技术特征，权利要求10不具备新颖性。
驳回决定所依据的文本为2016年07月01日提交的说明书摘要、说明书第1-81段、摘要附图、说明书附图图1-4；2017年11月8日提交的权利要求第1-13项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；其特征在于，还包括：位于所述阴极电极层上的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。
2. 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与所述共蒸膜层中的至少一种透明金属材料相同。
3. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层还包括：无机化合物，导电有机物，或功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属。
4. 根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.0eV；所述共蒸膜层中的金属的功函数低于4.0eV。
5. 根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属银Ag或透明金属铝Al。
6. 根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag或透明金属Al；当所述共蒸膜层包括功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属时，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属镁Mg，金属钙Ca，金属镱Yb或金属钪Sc；当所述共蒸膜层包括无机化合物时，所述无机化合物的材料为氟化锂LiF；当所述共蒸膜层包括导电有机物时，所述导电有机物的材料为喹啉锂或酞菁类衍生物。
7. 根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，当所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag；所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属Mg时；
所述共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1～20:1；
所述共蒸膜层的膜层厚度范围是
所述辅助阴极层的膜层厚度范围是
所述共蒸膜层和所述辅助阴极层的总透过率的范围是30％～50％。
8. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层包覆所述阴极电极层的表面。
9. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为顶发射型有机发光二极管OLED。
10. 一种电致发光器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底基板上形成阴极电极层；所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层；所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。
11. 根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层之前，该方法还包括：根据所需的所述阴极电极层和所述辅助阴极层的目标总透过率，确定所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率；
根据预先确定的在不同粒子浓度共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，以及确定出的所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率，分别确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度；
根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率；将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
如果是，则确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度校正准确，否则，根据阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率的差值，以及所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整所述辅助阴极层的预设膜层厚度。
12. 根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层，包括：
根据校正准确后的所述阴极电极层的膜层厚度，按照相应的粒子浓度共蒸比例在衬底基板上形成所述阴极电极层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，包括：
根据校正准确后的所述辅助阴极层的膜层厚度，在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层。
13. 根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：蒸镀不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；
在不同粒子浓度共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：在一定粒子浓度共蒸比例下，蒸镀不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；其中，蒸镀的阴极电极层的膜层厚度在预设厚度范围内。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年09月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了经修改的权利要求书，其中对权利要求1和权利要求10进行了修改。复审请求人认为：显然对比文件2中也没有公开上述区别技术特征。而对比文件1和对比文件2相结合，也没有直接或间接公开利用上述区别技术特征解决上述技术问题的技术启示。
复审请求时新修改的权利要求1、10如下：
“1. 一种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；其特征在于，还包括：位于所述阴极电极层上的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；
其中，所述电致发光器件还包括电子注入层，所述电子注入层位于所述阴极电极层朝向阳极电极层的一侧。
10. 一种电致发光器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底基板上形成电子注入层；
在所述电子注入层上形成阴极电极层；所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层；所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；
其中，所述电子注入层位于所述阴极电极层朝向阳极电极层的一侧。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1公开了在电子传输层上蒸镀Li3N与Ag的掺杂体，在蒸镀过程中Li3N分解得到Li，与Ag形成合金作为器件的电子注入层（参见对比文件1的说明书第3页第19-21行）。即，对比文件1公开了Li与Ag形成合金作为电子注入层，而合金是具有金属特性的材料，其活泼金属Li并非为离子状态，Li/Ag电子注入层不仅具备电子注入的能力，还可以产生电子，与本申请的阴极电极层作用相同，相当于本申请的阴极电极层。修改后的权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于所述电致发光器件还包括电子注入层，所述电子注入层位于所述阴极电极层朝向阳极电极层的一侧，而基于该区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是如何进一步提高电子注入性能。而设置多层例如两层电子注入层，以进一步提高电子注入性能是本领域的常规技术手段。在对比文件1公开内容的基础上，本领域技术人员为了实现进一步提高电子注入性能，会想到采用本领域常规的技术手段，再引入另一层电子注入层，并设置在Li/Ag电子注入层朝向阳极电极层的一侧，从而得到权利要求1所要求保护的技术方案。由此可见，修改后的权利要求1相对于对比文件1以及本领域的公知常识仍然不具备专利法第22条第3款规定的创造性。同理，修改后的权利要求10相对于对比文件1以及本领域的公知常识仍然不具备创造性。其从属权利要求2-9,11-13也不具备创造性。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月02日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。合议组认为：对比文件2作为最接近的现有技术，本申请权利要求1与对比文件2均为两层的阴极，二者相比，区别仅在于阴极中两层材料的顺序不一样。然而对两层的调整替换是本领域技术人员根据实际需要很容易想到的，因此复审请求人的理由不具有说服力。
复审请求人于2019年05月13日提交了意见陈述书以及新修改的权利要求书，复审请求人删除了原权利要求8，将原权利要求8的附加技术特征以及说明书中的部分特征补入原权利要求1以形成新权利要求1，将原权利要求8的附加技术特征以及说明书中的部分特征补入原权利要求10以形成新权利要求9，修改部分权利要求的编号。复审请求人认为：权利要求1相比对比文件2，给出在电子注入层上设置阴极电极层，且阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层，保证了电子注入能力；并在阴极电极层上设置了辅助阴极层，增加了膜层厚度，保护了阴极电极层，降低方块电阻，提升驱动电压的稳定性，提升显示画质，且阴极电极层和辅助阴极层采用都透明金属材料，满足透过率，生产过程中，可以利用同一种工艺制备；因此在保证电子注入能力和透过率的前提下，降低方块电阻，且不会使得工艺复杂化，有利于提高生产效率。因此权利要求1具有显著的进步。
复审请求人新修改的权利要求1-12如下：
“1. 一种电致发光器件，包括位于衬底基板上的阴极电极层，所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；其特征在于，还包括：位于所述阴极电极层上且包覆所述阴极电极层表面的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；
所述电致发光器件还包括电子注入层，所述电子注入层位于所述阴极电极层朝向阳极电极层的一侧；
其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。
2. 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的至少一种透明金属材料与所述共蒸膜层中的至少一种透明金属材料相同。
3. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层还包括：无机化合物，导电有机物，或功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属。
4. 根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料的功函数高于4.0eV；所述共蒸膜层中的金属的功函数低于4.0eV。
5. 根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属银Ag或透明金属铝Al。
6. 根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag或透明金属Al；当所述共蒸膜层包括功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属时，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属镁Mg，金属钙Ca，金属镱Yb或金属钪Sc；当 所述共蒸膜层包括无机化合物时，所述无机化合物的材料为氟化锂LiF；当所述共蒸膜层包括导电有机物时，所述导电有机物的材料为喹啉锂或酞菁类衍生物。
7. 根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，当所述辅助阴极层中的透明金属材料为透明金属Ag；所述共蒸膜层中的透明金属材料为透明金属Ag，所述功函数低于所述共蒸膜层中的透明金属材料的金属为金属Mg时；
所述共蒸膜层中的Mg与Ag的粒子浓度的共蒸比例范围为1:1～20:1；
所述共蒸膜层的膜层厚度范围是
所述辅助阴极层的膜层厚度范围是
所述共蒸膜层和所述辅助阴极层的总透过率的范围是30％～50％。
8. 根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为顶发射型有机发光二极管OLED。
9. 一种电致发光器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底基板上形成电子注入层，所述电子注入层位于阴极电极层朝向阳极电极层的一侧；
在所述电子注入层上形成所述阴极电极层；所述阴极电极层为具有至少一种透明金属材料的共蒸膜层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成包覆所述阴极电极层表面的辅助阴极层；所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；
其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。
10. 根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴 极电极层之前，该方法还包括：根据所需的所述阴极电极层和所述辅助阴极层的目标总透过率，确定所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率；
根据预先确定的在不同粒子浓度共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，以及确定出的所述阴极电极层的预设透过率和所述辅助阴极层的预设透过率，分别确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度；
根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在白玻璃上形成阴极电极层，根据所述阴极电极层的预设膜层厚度在形成有阴极电极层的白玻璃上形成辅助阴极层，并测量该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率；将该阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率进行对比，计算透过率误差，并判断该透过率误差是否在预设范围内；
如果是，则确定所述阴极电极层的预设膜层厚度和所述辅助阴极层的预设膜层厚度校正准确，否则，根据阴极电极层和辅助阴极层的实际的总透过率与所述目标总透过率的差值，以及所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系，调整所述辅助阴极层的预设膜层厚度。
11. 根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成阴极电极层，包括：
根据校正准确后的所述阴极电极层的膜层厚度，按照相应的粒子浓度共蒸比例在衬底基板上形成所述阴极电极层；
在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层，包括：
根据校正准确后的所述辅助阴极层的膜层厚度，在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成辅助阴极层。
12. 根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：蒸镀不同膜层厚度的辅助阴极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合 关系；
在不同粒子浓度共蒸比例时所述阴极电极层的膜层厚度与透过率的拟合关系可以是通过如下方式确定的：在一定粒子浓度共蒸比例下，蒸镀不同膜层厚度的阴极电极层并测试透过率，对各膜层厚度与测试的透过率进行拟合得到拟合关系；其中，蒸镀的阴极电极层的膜层厚度在预设厚度范围内。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
经合议组审查，复审请求人于2019年05月13日提交的权利要求第1-12项符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本是2016年07月01日提交的说明书摘要、说明书第1-81段、摘要附图、说明书附图图1-4；2019年05月13日提交的权利要求第1-12项。
2、关于新颖性和创造性
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的技术方案相比存在区别技术特征，也就是所述两个技术方案并非实质相同，则该权利要求的技术方案相对于该对比文件具备新颖性。
如果权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，该区别技术特征未由该对比文件给出相关技术启示，并且上述区别技术特征不是本领域的公知常识，采用上述区别技术特征能获得有益的技术效果，那么该权利要求相对于该对比文件和公知常识具备创造性。
本复审决定使用的对比文件与驳回决定所使用的对比文件相同，即
对比文件1：CN101339976A，公开日为2009年01月07日；
对比文件2：WO2013000164A1，公开日为2013年01月03日。
（1）权利要求1请求保护一种电致发光器件，对比文件2（说明书第8-99段，图1）公开了一种有机电致发光二极管，包括位于衬底基板101上的阴极层108，阴极层包括银和氧化硅共蒸形成的混合薄膜层(相当于阴极电极层)；还包括位于混合薄膜层下方的铝层(相当于辅助阴极层)，铝和银均为透明金属材料；该器件还包括电子注入层107，位于阴极层朝向阳极层102的一侧。 因此，权利要求1的大部分技术特征被对比文件2公开。
权利要求1与对比文件2相比，其区别在于：（1）辅助电极层位于阴极电极层上且包覆所述阴极电极层表面。（2）其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。基于上述区别可以确定，本申请实际所要解决的技术问题是调整阴极内各层的位置，以及获得良好的透过率和显示品质。
因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件2具备专利法第22条第2款规定的新颖性。鉴于权利要求1相对于对比文件2具备新颖性，直接或间接引用该权利要求的从属权利要求2-8相对于对比文件2同样也具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对于区别技术特征（1）：对于多层阴极的情况，根据实际需要调整阴极内各层的位置是本领域技术人员很容易想到的。
对于区别技术特征（2）：合议组认为：首先，对比文件1-2均未公开该区别技术特征2。该技术特征也不是本领域的公知常识。根据对厚度的校正，透过率的设定，本申请的器件获得良好的透过率和显示品质。因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1-2及公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9请求保护一种电致发光器件的制作方法，对比文件2（说明书第8-99段，图1）公开了一种有机电致发光二极管的制作方法，包括在衬底基板101上形成电子注入层107； 在电子注入层上形成阴极层108，阴极层包括银和氧化硅共蒸形成的混合薄膜层(相当于阴极电极层)；还包括位于混合薄膜层下方的铝层(相当于辅助阴极层)，铝和银均为透明金属材料；电子注入层107位于阴极层朝向阳极层102的一侧。 因此，权利要求9的大部分技术特征被对比文件2公开。
权利要求9与对比文件2相比，其区别在于：（1）在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成包覆所述阴极电极层表面的辅助阴极层。（2）其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。基于上述区别可以确定，本申请实际所要解决的技术问题是调整阴极内各层的位置，以及获得良好的透过率和显示品质。
因此，权利要求9请求保护的技术方案相对于对比文件2具备专利法第22条第2款规定的新颖性。鉴于权利要求9相对于对比文件2具备新颖性，直接或间接引用该权利要求的从属权利要求10-12相对于对比文件2同样也具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对于区别技术特征（1）：对于多层阴极的情况，根据实际需要调整阴极内各层的位置是本领域技术人员很容易想到的。
对于区别技术特征（2）：合议组认为：首先，对比文件1-2均未公开该区别技术特征2。该技术特征也不是本领域的公知常识。根据对厚度的校正，透过率的设定，本申请的器件获得良好的透过率和显示品质。因此，权利要求9请求保护的技术方案相对于对比文件1-2及公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在权利要求1、9具备创造性的基础上，从属权利要求2-8，10-12也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求1请求保护一种电致发光器件，对比文件1（参见说明书第1页第1行至第8页第3行、附图1）公开了一种有机电致发光器件，在ITO玻璃基片（相当于衬底基板）上依次蒸镀空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层和阴极层（相当于阴极电极层），其中电子注入层位于阴极电极层朝向阳极电极层的一侧，阴极层为Ag层（相当于透明金属材料）。由此可见，对比文件1公开了权利要求1的大部分技术特征。
权利要求1与对比文件1相比，其区别在于：（1）位于阴极电极层上且包覆阴极电极层表面的辅助阴极层，所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料；（2）其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。基于上述区别可以确定，本申请实际所要解决的技术问题是增设辅助电极层，以及获得良好的透过率和显示品质。
因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1具备专利法第22条第2款规定的新颖性。鉴于权利要求1相对于对比文件1具备新颖性，直接或间接引用该权利要求的从属权利要求2-8相对于对比文件1同样也具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对于区别技术特征（1）：增设辅助电极层是本领域的惯用技术手段。
对于区别技术特征（2）：合议组认为：首先，对比文件1-2均未公开该区别技术特征2。该技术特征也不是本领域的公知常识。根据对厚度的校正，透过率的设定，本申请的器件获得良好的透过率和显示品质。因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1-2及公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9请求保护一种电致发光器件的制作方法，对比文件1（参见说明书第1页第1行至第8页第3行、附图1）公开了一种有机电致发光二极管的制作方法，在ITO玻璃基片（相当于衬底基板）上依次蒸镀空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层和阴极层（相当于阴极电极层），其中电子注入层位于阴极电极层朝向阳极电极层的一侧，阴极层为Ag层（相当于透明金属材料）。因此，权利要求9的大部分技术特征被对比文件1公开。
权利要求9与对比文件1相比，其区别在于：（1）在形成有所述阴极电极层的衬底基板上形成包覆所述阴极电极层表面的辅助阴极层；所述辅助阴极层的材料为至少一种透明金属材料。（2）其中，所述阴极电极层是根据校正准确后的阴极电极层膜层厚度在衬底基板上形成的，及所述辅助阴极层是根据校正准确后的辅助阴极层膜层厚度在所述阴极电极层上生成的；所述校正准确后的阴极电极层膜层厚度和所述校正准确后的辅助阴极层膜层厚度的实际总透过率与对应的目标总透过率之间的透过率误差在预设范围内。基于上述区别可以确定，本申请实际所要解决的技术问题是增设辅助电极层，以及获得良好的透过率和显示品质。
因此，权利要求9请求保护的技术方案相对于对比文件1具备专利法第22条第2款规定的新颖性。鉴于权利要求9相对于对比文件1具备新颖性，直接或间接引用该权利要求的从属权利要求10-12相对于对比文件1同样也具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对于区别技术特征（1）：增设辅助电极层是本领域的惯用技术手段。
对于区别技术特征（2）：合议组认为：首先，对比文件1-2均未公开该区别技术特征2。该技术特征也不是本领域的公知常识。根据对厚度的校正，透过率的设定，本申请的器件获得良好的透过率和显示品质。因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1-2及公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在权利要求1、9具备创造性的基础上，从属权利要求2-8，10-12也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对驳回决定和前置审查意见的答复
如上所述，对比文件1-2均未公开区别技术特征（2）。该技术特征也不是本领域的公知常识。根据对厚度的校正，透过率的设定，本申请的器件获得良好的透过率和显示品质。
综上所述，合议组认为修改后的权利要求已不存在驳回决定、前置审查意见中所指出的缺陷，至于本申请是否还存在其它缺陷，留待后续程序继续审查。
基于上述事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年07月03日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在2016年07月01日提交的说明书摘要、说明书第1-81段、摘要附图、说明书附图图1-4；2019年05月13日提交的权利要求第1-12项的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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