发明创造名称：光学用膜及其制造方法
外观设计名称：
决定号：189071
决定日：2019-09-06
委内编号：1F260052
优先权日：2013-07-01
申请（专利）号：201480037328.9
申请日：2014-06-24
复审请求人：日本瑞翁株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：尉小霞
合议组组长：张苗
参审员：宋玥
国际分类号：G02B5/30，B29C47/14，B29C47/78，G02F1/1335，G02F1/13363
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征部分被其他对比文件公开，部分属于本领域的公知常识，那么本领域技术人员在上述对比文件以及本领域公知常识结合的基础上得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480037328.9，名称为“光学用膜及其制造方法”的PCT发明专利申请（下称本申请）。申请人为日本瑞翁株式会社。本申请的优先权日为2013年07月01日，申请日为2014年06月24日，进入中国国家阶段日为2015年12月29日，公开日为2016年02月24日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年05月22日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：JP2005128360A，公开日为2005年05月19日；
对比文件2：WO2012043708A1，公开日为2012年04月05日。
并引用四篇专利文献作为“采用嵌段共聚氢化物制作光学用膜属于本领域的常规技术手段”的公知举证。该四篇专利文献分别如下：
对比文件3：JP 2011503342A，公开日为2011年01月27日；
对比文件4：JP 2006283010A，公开日为2006年10月19日；
对比文件5：CN 102089334A，公开日为2011年06月08日；
对比文件6：JP 2003114329A，公开日为2003年04月18日。
驳回决定所依据的文本为：2018年01月12日提交的权利要求第1-4项，2017年09月06日提交的说明书第1-20页，2015年12月29日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书附图第1页、说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种光学用膜，其由嵌段共聚物氢化物[2]形成，所述嵌段共聚物氢化物[2]是将嵌段共聚物[1]的全部不饱和键的90％以上氢化而得到的，
所述嵌段共聚物[1]包含以源自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的至少2个聚合物嵌段[A]、和以源自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的至少1个聚合物嵌段[B]，在将全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wA、将全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wB时，wA与wB之比(wA:wB)为60:40～80:20，
其中，该膜的长度方向上形成的分模线的从相邻的峰的顶点到谷的底点之间的高度在膜整个面上为100nm以下，
并且，以式1表示的膜表面的分模线的倾斜度在膜整个面上为300nm/mm以下，
倾斜度(nm/mm)＝(从相邻的峰的顶点到谷的底点之间的高度)/(从相邻的峰的顶点到谷的底点之间的宽度)······式1。
2. 一种偏振片保护膜，其包含权利要求1所述的光学用膜。
3. 一种相位差膜，其是对权利要求1所述的光学用膜进行拉伸而成的。
4. 一种光学用膜的制造方法，其包括下述工序：
利用挤出机使权利要求1所述的嵌段共聚物氢化物[2]熔融后从安装于该挤出机的模挤出为片状，并使挤出的片状的所述嵌段共聚物氢化物[2]与至少1个冷却鼓密合，进行成型并接取，
其中，该方法使用模唇的表面粗糙度Ra的平均值为0.05μm以下、且模唇整个宽度上的表面粗糙度Ra的分布范围为所述平均值±0.025μm以下的模，并且使用在50～120℃的温度下保持了2小时以上的所述嵌段共聚物氢化物[2]的粒料。”
驳回决定中具体指出：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：光学用膜由嵌段共聚物氢化物形成，所述嵌段共聚物氢化物是将嵌段共聚物的全部不饱和键的90％以上氢化而得到的，所述嵌段共聚物包含以源自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的至少2个聚合物嵌段、和以源自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的至少1个聚合物嵌段[B]，在将全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wA、将全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wB时，wA与wB之比(wA:wB)为60:40～80:20。对比文件2公开了一种具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物（参见说明书第10、19、169段、表1）：其是通过在使嵌段共聚物中全部不饱和键的90%以上氢化得到的嵌段共聚物氢化物中导入烷氧基甲硅烷基而形成的，所述嵌段共聚物包括：至少2个以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的聚合物嵌段[A]，以及至少1个以来自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的聚合物嵌段[B]，将聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物总体中所占的重量分数视为wA、将聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物总体中所占的重量分数视为wB时，wA和wB之比 (wA:wB)为40:60～60:40（与本申请的60:40～80:20具有相同的端点值60:40），具有上述具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物的片材具有低吸湿性、低透湿性、透明性、耐候性及柔软性，因此，上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，皆为降低片材的吸湿性和透湿性并提高耐热及柔软性，此外，具有上述具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物的片材具有良好的光线透射率（参见表1）。同时，由于在光学膜制造领域，采用嵌段共聚氢化物制造光学用膜已属于本领域的常规技术手段（例如参见对比文件3-6），因此，将对比文件2公开的嵌段共聚物氢化物用于制造对比文件1的光学用膜以解决上述技术问题对本领域技术人员而言是容易想到的。因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求4与对比文件1的区别技术特征为：光学用膜采用权利要求1所述的嵌段共聚物氢化物替代脂环式结构的非晶性热塑性树脂，并且使用在50～120℃的温度下保持了2小时以上的嵌段共聚物氢化物[2]的粒料。参见权利要求1的评述，对比文件2已经公开了权利要求1所述的嵌段共聚物氢化物，此外，对比文件2还公开了一种包含具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物的片材的制作方法（参见说明书第153-154段）：挤出膜化：将得到的太阳能电池元件封装材料[A3]的粒料使用使空气流通的热风干燥器在50℃下加热4小时，除去溶存空气之后，使用具有备有25mmφ的螺杆的树脂熔融挤出机2台的T模头式2种3层膜熔融挤出成型机，得到的挤出片材[SA3]卷绕回收于辊上，其中，太阳能电池元件封装材料[A3]含有导入有烷氧基甲硅烷基的烷氧基甲硅烷基化聚合物 （即公开了使用在50℃的温度下加热4小时以上的嵌段共聚氢化物的粒料）。同时，由于在光学膜制造领域，采用嵌段共聚氢化物制造光学用膜已属于本领域的常规技术手段（例如参见对比文件3-6），因此，将对比文件2公开的嵌段共聚物氢化物用于制造对比文件1的光学用膜并通过对比文件2公开的上述步骤（挤出膜化）以降低粒料中的溶解空气量对本领域技术人员而言是容易想到的。因此，权利要求4相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求2要求保护一种偏振片保护膜，其包含权利要求1所述的光学用膜，权利要求3要求保护一种相位差膜，其是对权利要求1所述的光学用膜进行拉伸而成，然而前面已经论述了权利要求1所述的光学用膜相对于对比文件1和对比文件2及本领域的公知常识不具备创造性的理由，此外，对比文件1还公开了光学用膜制造成为偏振片保护膜或相位差膜，其中相位差膜时通过对光学用膜进行拉伸而成的。因此，权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年09月05日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页。修改涉及：将权利要求1的“一种光学用膜，其由嵌段共聚物氢化物形成”修改为“一种偏振片保护膜，其包含由嵌段共聚物氢化物形成的光学用膜”，将权利要求1中所有的“膜”修改为“光学用膜”；将权利要求4的主题名称由“一种光学用膜的制造方法”修改为“一种偏振片保护膜的制造方法”。删除了权利要求2-3，并相应修改了其他权利要求的编号。复审请求人认为：1）偏振片在具备偏振片保护膜的同时，大多还与其它的层层叠，在偏振片与偏振片保护膜、或偏振片保护膜与其它的层之间要求优秀的粘结性，对本领域技术人员来说，不论是否使用粘结剂，都期望偏振片保护膜自身也具有优秀的粘接性。因此，审查员认为的“本领域技术人员可根据所需片材对粘接性的要求灵活选择未改性的、还是经硅烷改性的嵌段共聚物氢化物。例如，当制作的光学用膜用作偏振片的保护膜时，其需要满足微粘附性和可再剥离性，且不期望在剥离时在偏振片上造成残留物或损害偏振片，此时，选择粘接性不强的未进行改性的嵌段共聚氢化物制作光学用膜对本领域技术人员而言是期望的”是不当的。2）对比文件1-2没有记载“偏振片保护膜包含由嵌段共聚物氢化物[2］（特定的未改性的嵌段共聚物氢化物）形成的光学用膜，所述嵌段共聚物氢化物[2」是将特定的嵌段共聚物[1］的全部不饱和键的90％以上氢化而得到的，该光学用膜的长度方向上形成的分模线的从相邻的峰的顶点到谷的底点之间的高度在光学用膜整个面上为1O0nm以下， 并且，以式1表示的光学用膜表面的分模线的倾斜度在光学用膜整个面上为3O0nm／mm以下”，也没有给出任何的技术启示。因此，本申请具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年09月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月18日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、该权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：光学用膜由嵌段共聚物氢化物形成，所述嵌段共聚物氢化物是将嵌段共聚物的全部不饱和键的90％以上氢化而得到的，所述嵌段共聚物包含以源自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的至少2个聚合物嵌段、和以源自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的至少1个聚合物嵌段[B]，在将全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wA、将全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wB时，wA与wB之比(wA:wB)为60:40～80:20。对比文件2公开了一种具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物（参见说明书第10、19、169段、表1）：其是通过在使嵌段共聚物中全部不饱和键的90%以上氢化得到的嵌段共聚物氢化物中导入烷氧基甲硅烷基而形成的，所述嵌段共聚物包括：至少2个以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的聚合物嵌段[A]，以及至少1个以来自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的聚合物嵌段[B]，将聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物总体中所占的重量分数视为wA、将聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物总体中所占的重量分数视为wB时，wA和wB之比 (wA:wB)为40:60～60:40（与本申请的60:40～80:20具有相同的端点值60:40），具有上述具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物的片材具有低吸湿性、低透湿性、透明性、耐候性及柔软性，并且在光学膜制造领域，采用嵌段共聚物氢化物制造光学用膜已属于本领域的常规技术手段。因此，本领域技术人员有动机将对比文件2中的嵌段共聚物氢化物应用于对比文件1中以进一步解决其技术问题。此外，对比文件2的嵌段共聚物氢化物虽然导入烷氧基甲硅烷基进行了改性，但是，本领域技术人员可以根据该嵌段共聚物氢化物使用场合的要求来选择改性还是不改性。因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求2与对比文件1的区别技术特征为：1）偏振片保护膜采用权利要求1所述的嵌段共聚物氢化物。2）使用在50～120℃的温度下保持了2小时以上的嵌段共聚物氢化物[2]的粒料。区别技术特征1）参见权利要求1的评述。区别技术特征2）被对比文件2公开了。因此，权利要求2相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、合议组针对复审请求人的意见陈述进行了回应。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年08月01日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页，修改涉及：将权利要求1中嵌段共聚物的相关特征加入权利要求2中并删除了“权利要求1所述的”，删除了独立权利要求1并相应修改了其他权利要求的编号。此次提交的权利要求如下：
“1. 一种偏振片保护膜的制造方法，其包括下述工序：
利用挤出机使嵌段共聚物氢化物[2]熔融后从安装于该挤出机的模挤出为片状，并使挤出的片状的所述嵌段共聚物氢化物[2]与至少1个冷却鼓密合，进行成型并接取，
其中，该方法使用模唇的表面粗糙度Ra的平均值为0.05μm以下、且模唇整个宽度上的表面粗糙度Ra的分布范围为所述平均值±0.025μm以下的模，并且使用在50～120℃的温度下保持了2小时以上的所述嵌段共聚物氢化物[2]的粒料，
所述嵌段共聚物氢化物[2]是将嵌段共聚物[1]的全部不饱和键的90％以上氢化而得到的，所述嵌段共聚物[1]包含以源自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的至少2个聚合物嵌段[A]、和以源自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的至少1个聚合物嵌段[B]，在将全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wA、将全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wB时，wA与wB之比(wA:wB)为60:40～80:20。”
复审请求人认为：对比文件1并没有公开如本申请的特定的嵌段共聚物氢化物，当然也没有公开采用特定的嵌段共聚物氢化物作为原料并使用本申请权利要求1中限定的特定工艺，能够减少在模唇口形成的附着物。对比文件2仅仅公开了本申请的嵌段共聚物氢化物本身，并没有公开如本申请权利要求1所记载的挤出成型工艺，对比文件2只采用了普通的带有T模头的树脂熔融挤出机，并没有公开模头的模唇口的粗糙度及其分布范围。因此，对比文件2没有给出将其中的嵌段共聚物氢化物应用到本申请的处理工艺中以减少模唇口的附着物的技术启示。对比文件1和对比文件2都没有意识到模唇口附着物的问题本身。因此，本申请具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年08月01日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经查，该修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：2019年08月01日提交的权利要求第1项，2017年09月06日提交的说明书第1-20页，2015年12月29日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书附图第1页、说明书摘要和摘要附图。
（二）、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征部分被其他对比文件公开，部分属于本领域的公知常识，那么本领域技术人员在上述对比文件以及本领域公知常识结合的基础上得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
具体到本案：
1.权利要求1要求保护一种偏振片保护膜的制造方法，对比文件1公开了一种光学用膜的制作方法（参见说明书第13-14、31-32段及附图1）：利用挤出机使具有脂环式结构的非晶性热塑性树脂熔融后从挤出机的模挤出为片状，并使挤出的片状非晶性热塑性树脂与至少1个冷却鼓密合，进行成型并接取，其中，通过使用模唇的表面粗糙度Ra的平均值为0.05μm以下、且模唇整个宽度上的表面粗糙度Ra的分布范围为上述平均值±0.025μm以下的模。
该权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：1）偏振片保护膜采用嵌段共聚物氢化物，所述嵌段共聚物氢化物是将嵌段共聚物的全部不饱和键的90％以上氢化而得到的，所述嵌段共聚物包含以源自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的至少2个聚合物嵌段、和以源自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的至少1个聚合物嵌段[B]，在将全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wA、将全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率设为wB时，wA与wB之比(wA:wB)为60:40～80:20。2）使用在50～120℃的温度下保持了2小时以上的嵌段共聚物氢化物[2]的粒料。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物（参见说明书第10、19、169段、表1）：其是通过在使嵌段共聚物中全部不饱和键的90%以上氢化得到的嵌段共聚物氢化物中导入烷氧基甲硅烷基而形成的，所述嵌段共聚物包括：至少2个以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元为主成分的聚合物嵌段[A]，以及至少1个以来自链状共轭二烯化合物的重复单元为主成分的聚合物嵌段[B]，将聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物总体中所占的重量分数视为wA、将聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物总体中所占的重量分数视为wB时，wA和wB之比 (wA:wB)为40:60～60:40（与本申请的60:40～80:20具有相同的端点值60:40），具有上述具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物的片材具有低吸湿性、低透湿性、透明性、耐候性及柔软性，因此，上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，皆为降低片材的吸湿性和透湿性并提高耐热及柔软性。并且在光学膜制造领域，采用嵌段共聚氢化物制造光学用膜已属于本领域的常规技术手段。因此，本领域技术人员有动机将对比文件2中的嵌段共聚物氢化物应用于对比文件1中以进一步解决其技术问题。此外，对比文件2的嵌段共聚物氢化物虽然导入烷氧基甲硅烷基进行了改性，但是，本领域技术人员可以根据该嵌段共聚物氢化物使用场合的要求来选择改性还是不改性。
对于区别技术特征2），对比文件2公开了一种包含具有烷氧基甲硅烷基的嵌段共聚物氢化物的片材的制作方法（参见说明书第153-154段）：挤出膜化：将得到的太阳能电池元件封装材料[A3]的粒料使用使空气流通的热风干燥器在50℃下加热4小时，除去溶存空气之后，使用具有备有25mmφ的螺杆的树脂熔融挤出机2台的T模头式2种3层膜熔融挤出成型机，得到的挤出片材[SA3]卷绕回收于辊上（即公开了使用在50℃的温度下加热4小时以上的嵌段共聚氢化物的粒料）。上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，皆为降低粒料中的溶解空气量，因此，对比文件2给出了结合的启示。也就是说，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）、关于复审请求人的意见陈述
关于复审请求人在答复复审通知书时所陈述意见，合议组认为：1）对比文件1公开了（参见说明书第6段）：附着于模具的唇部树脂迹线而成的分模线，这些分模线的不均匀性为约0.1-0.5μm，分模线会不利于光学膜的生产。由此可见，对比文件1已经公开了模唇口的附着物形成的分模线不利于光学膜的生产，参见权利要求1的评述，其公开了减少分模线的生产工艺，虽然对比文件1所用的树脂和本申请权利要求1中的嵌段共聚物氢化物不同，但是对比文件2公开了嵌段共聚物氢化物，虽然对比文件2中是经过改性的嵌段共聚物氢化物，而本领域技术人员可根据光学用膜的使用场合的需求灵活选择未改性的、还是经硅烷改性的嵌段共聚物氢化物。并且在光学膜制造领域，采用嵌段共聚物氢化物制造光学用膜已属于本领域的常规技术手段，该嵌段共聚物氢化物所具有的有益效果也是本领域技术人员所公知的，在此基础上，将对比文件2的嵌段共聚物氢化物应用于对比文件1中对本领域技术人员来说是容易想到的。因此，复审请求人所陈述的理由不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年05月22日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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