光控装置和包含该光控装置的灯具-复审决定


发明创造名称:光控装置和包含该光控装置的灯具
外观设计名称:
决定号:189657
决定日:2019-09-05
委内编号:1F270798
优先权日:
申请(专利)号:201410708538.8
申请日:2014-11-28
复审请求人:通用电气照明解决方案有限公司
无效请求人:
授权公告日:
审定公告日:
专利权人:
主审员:刘文治
合议组组长:陈力
参审员:周小祥
国际分类号:G02F1/05
外观设计分类号:
法律依据:专利法第22条第3款
决定要点
:如果权利要求要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在多个区别技术特征,但是本领域中其它的对比文件给出了将部分区别技术特征引入该最接近现有技术以解决其技术问题的技术启示,且其它区别技术特征是本领域的常规技术手段,则该技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的,该权利要求不具备创造性。
全文:
本复审请求涉及申请号为201410708538.8,名称为“光控装置和包含该光控装置的灯具”的发明专利申请(以下简称本申请),申请人为通用电气照明解决方案有限公司,本申请的申请日为2014年11月28日,申请公布日为2016年06月22日。
国家知识产权局专利实质审查部门依法对本申请进行了实质审查,于2018年10月24日以本申请权利要求1-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性为理由驳回了本申请。驳回决定中使用了如下2篇对比文件:
对比文件1:CN101221297A,公开日为2008年07月16日;
对比文件2:CN102155674A,申请公布日为2011年08月17日。
驳回决定所依据的文本为申请人于2018年05月08日提交的权利要求第1-14项,于申请日2014年11月28日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-24段和说明书附图图1-图3b。
驳回决定所针对的权利要求书共包括14项权利要求,权利要求书的内容如下:
1. 一种光控装置,包括一个光学元件,该光学元件包括一种透明或半透明的弛豫铁电聚偏氟乙烯基聚合物和透明或半透明的第二种材料,该聚偏氟乙烯基聚合物在施加某种刺激时具有变化的折射率,在未施加所述刺激时具有一个基准折射率,所述第二种材料具有一个不随所述刺激而改变的恒定折射率,其中,该光学元件包括一种主客体结构,所述主客体结构包括呈连续相分布的主体成分和嵌入在主体成分中的客体成分,该主体成分包括所述聚偏氟乙烯基聚合物,该客体成分包括所述第二种材料。
2. 根据权利要求1所述的光控装置,该聚偏氟乙烯基聚合物包括偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。
3. 根据权利要求1所述的光控装置,还包括至少一对位于所述光学元件两侧的电极,用于向所述光学元件施加电场刺激,从而改变所述聚偏氟乙烯基聚合物的折射率。
4. 根据权利要求1所述的光控装置,该第二种材料是一种恒定折射率在1.35到1.80范围内的有机材料。
5. 根据权利要求4所述的光控装置,该第二种材料是选自聚硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸酯、含氟聚合物中的一种或多种。
6. 根据权利要求1所述的光控装置,该第二种材料是一种恒定折射率在1.31到2.80范围内的无机材料。
7. 根据权利要求6所述的光控装置,该第二种材料是选自氟化物、氧化物、氮化物、硫化物中的一种或多种。
8. 根据权利要求1所述的光控装置,该第二种材料的恒定折射率与所述聚偏氟乙烯基聚合物的基准折射率相同。
9. 根据权利要求1所述的光控装置,该客体成分是多个粒径在10纳米到500纳米范围内的颗粒。
10. 根据权利要求1所述的光控装置,该光学元件包括一个薄膜,该薄膜包括所述主客体结构,该薄膜厚度在1微米到100微米范围内。
11. 根据权利要求10所述的光控装置,包括两个或多个并列排布的光学元件。
12. 一种灯具,包括:
至少一个可以产生光束的光源;以及
一个如权利要求1~11任一项所述的光控装置,用于调节所述光束的至少一种光学输出特性。
13. 根据权利要求12所述的灯具,该聚偏氟乙烯基聚合物包括偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。
14. 根据权利要求12所述的灯具,该光源包括至少一个发光二极管(LED)。
驳回决定主要认为:权利要求1与对比文件1相比的区别技术特征在于:光学元件还包括透明或半透明的第二种材料,第二种材料具有一个不随所述刺激而改变的恒定折射率,其中,该光学元件包括一种主客体结构,所述主客体结构包括呈连续相分布的主体成分和嵌入在主体成分中的客体成分,该主体成分包括所述聚偏氟乙烯基聚合物,该客体成分包括所述第二种材料。然而上述区别技术特征被对比文件2和本领域的常规技术手段所公开,因此,在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案,对于本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步,不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-14直接或间接引用权利要求1,其附加技术特征或者被对比文件1或对比文件2公开或者属于本领域技术人员的常规技术手段或常规选择,因此,在其引用的独立权利要求1不具备创造性时,从属权利要求2-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人通用电气照明解决方案有限公司(以下简称复审请求人)不服上述驳回决定,于2019年01月10日向国家知识产权局提出复审请求,但未对申请文件进行修改。
复审请求人认为,(1)对比文件1中的PVDF三元共聚物只是通过其厚度方向电致形变在改变F-P腔腔长的同时,引起聚合物薄膜折射率的改变而带来的光电效应,没有揭露其具有光学各向异性,更没有揭示与其配合的第二种材料;(2)参照对比文件2的第[0099]和[0100]段可知,主体结构块34A具有不响应电场的条状结构或多空结构,客体微粒34B主要包括液晶材料,液晶材料在设计光学器件结构时灵活性较差,且存在紫外线下不稳定性的问题,故不会将具有电场响应的液晶颗粒34B作为主体设置在上下电极之间,同时现有技术也没有给出将PVDF作为主体结构的技术启示。
经形式审查合格,国家知识产权局于2019年01月21日依法受理了该复审请求,并将其转送至专利实质审查部门进行前置审查。经前置审查,专利实质审查部门仍坚持驳回决定。
在此基础上,国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审查,并于2019年06月24日发出复审通知书,该通知书指出:
驳回决定所针对的权利要求1-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性,理由为:本申请权利要求1与对比文件2相比的区别技术特征在于:本申请中的呈连续相分布的主体成分为第一种材料聚偏氟乙烯基聚合物,嵌入在主体成分中的客体成分为具有恒定折射率的第二种材料,而对比文件2中的主体成分34A为具有恒定折射率的第二种材料,客体成分34B为液晶材料。然而上述区别技术特征被对比文件1和本领域的常规技术手段所公开,因此,在对比文件2的基础上结合对比文件1和本领域的常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案,对于本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步,不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-14直接或间接引用权利要求1,其附加技术特征或者被对比文件2或对比文件1公开或者属于本领域技术人员的常规技术手段或常规选择,因此,在其引用的独立权利要求1不具备创造性时,从属权利要求2-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年08月09日针对上述复审通知书提交了意见陈述,同时提交了权利要求书全文的修改替换页。具体修改是,将驳回决定所针对的权利要求4-7并入到权利要求1中形成新的独立权利要求1,删除权利要求4-7,适应性修改其余权利要求的编号及引用关系。修改后的权利要求书共包括10项权利要求,其内容如下:
1. 一种光控装置,包括一个光学元件,该光学元件包括一种透明或半透明的弛豫铁电聚偏氟乙烯基聚合物和透明或半透明的第二种材料,该聚偏氟乙烯基聚合物在施加某种刺激时具有变化的折射率,在未施加所述刺激时具有一个基准折射率,所述第二种材料具有一个不随所述刺激而改变的恒定折射率,其中,该光学元件包括一种主客体结构,所述主客体结构包括呈连续相分布的主体成分和嵌入在主体成分中的客体成分,该主体成分包括所述聚偏氟乙烯基聚合物,该客体成分包括所述第二种材料,所述第二种材料是一种恒定折射率在1.35到1.80范围内的有机材料,其选自聚硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸酯、含氟聚合物中的一种或多种,或者所述第二种材料是一种恒定折射率在1.31到2.80范围内的无机材料,其选自氟化物、氧化物、氮化物、硫化物中的一种或多种。
2. 根据权利要求1所述的光控装置,该聚偏氟乙烯基聚合物包括偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。
3. 根据权利要求1所述的光控装置,还包括至少一对位于所述光学元件两侧的电极,用于向所述光学元件施加电场刺激,从而改变所述聚偏氟乙烯基聚合物的折射率。
4. 根据权利要求1所述的光控装置,该第二种材料的恒定折射率与所述聚偏氟乙烯基聚合物的基准折射率相同。
5. 根据权利要求1所述的光控装置,该客体成分是多个粒径在10纳米到500纳米范围内的颗粒。
6. 根据权利要求1所述的光控装置,该光学元件包括一个薄膜,该薄膜包括所述主客体结构,该薄膜厚度在1微米到100微米范围内。
7. 根据权利要求6所述的光控装置,包括两个或多个并列排布的光学元件。
8. 一种灯具,包括:
至少一个可以产生光束的光源;以及
一个如权利要求1~7任一项所述的光控装置,用于调节所述光束的至少一种光学输出特性。
9. 根据权利要求8所述的灯具,该聚偏氟乙烯基聚合物包括偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。
10. 根据权利要求8所述的灯具,该光源包括至少一个发光二极管(LED)。
复审请求人认为修改后的权利要求1-10具备创造性,主要意见陈述如下:对比文件2中限定的块34A和微粒34B都具有非常光折射率和寻常光折射率,折射率不固定,其中微粒34B主要包括液晶材料,具有很多缺点,而本申请权利要求1中的客体成分具有不随刺激而改变的恒定折射率,并且避免使用液晶材料,因此本申请权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步,具备创造性。
在此基础上,合议组认为本案事实已经清楚,可以作出审查决定。
二、决定的理由
(一)关于审查文本
复审请求人于2019年08月09日提交了权利要求书全文的修改替换页。经审查,上述修改文本符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条的规定。因此,本决定所针对的审查文本为:复审请求人于2019年08月09日提交的权利要求第1-10项、于申请日2014年11月28日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-24段和说明书附图图1-图3b。
(二)关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定:创造性,是指与现有技术相比,该发明具有突出的实质性特点和显著的进步,该实用新型具有实质性特点和进步。
1、关于权利要求1
权利要求1请求保护一种光控装置,对比文件2公开了一种照明装置和显示装置,二者均属于照明技术领域。对比文件2具体公开了如下内容(参见说明书[0073]段、[0087]段、[0094]段、[0096]段、[0099]段、[0100段]、第[0103]段、[0157]段、图1B、图8-10):如图1B所示,光调制元件30例如设置有透明基板31、底部电极32、配向膜33、光调制层34、配向膜35、顶部电极36和透明基板37,它们从设置反射器40的一侧开始顺序设置;光调制层34是包括块34A(第二区域)和分散在块34A中的多个微粒34B(第一区域)的复合层;块34A的寻常光折射率与微粒34B的寻常光折射率彼此相等,并且块34A的非常光折射率与微粒34B的非常光折射率彼此相等,当在底部电极32和顶部电极36之间没有施加电压时,如图8B所示,在包括正面方向和倾斜方向的所有方向上几乎没有任何折射率的差异,由此获得高透明性,隐含公开光调制层中的块34A和分散在块34A中的多个微粒34B为透明或半透明层材料,如图8C所示,在正面方向上行进的光L1和在倾斜方向上行进的光L2透射过光调制层34,而没有在光调制层34中被散射;当在底部电极32和顶部电极36之间施加电压时,在光调制层34中,折射率差在包括正面方向和倾斜方向的所有方向上增加,由此获得高散射特性,从而如图9C所示,例如,在正面方向上行进的光L1和在倾斜方向上行进的光L2在光调制层34中被散射;块34A 具有不响应电场的条状结构或多孔结构;微粒34B主要包括液晶材料;混合寻常光折射率为1.5且非常光折射率为1.65的液晶和寻常光折射率为1.5且非常光折射率为1.65的液晶单体,液晶光轴和通过聚合液晶单体所形成的聚合物的光轴彼此一致;具有聚合特性和液晶特性的材料被用于单体材料,优选从丙烯酸酯基、异丁烯酸酯基、丙烯酰氧基、异丁烯酰氧基、乙烯醚官能团和环氧基的组中选择至少一种官能团用作可聚合的官能团;由说明书附图1B可知,调制层34的结构相当于主客体结构,即包括呈连续相分布的主体成分块34A和分散在主体成分中的客体成分微粒34B。
基于对比文件2公开的上述内容可知,光调制层34、配向膜33和配向膜35相当于权利要求1中的光学元件;光调制层34中的呈连续相分布的主体成分块34A和分散在主体成分中的客体成分微粒34B相当于权利要求1中的该光学元件包括一种主客体结构,所述主客体结构包括呈连续相分布的主体成分和嵌入在主体成分中的客体成分,包括一种透明或半透明的第一种材料和透明或半透明的第二种材料;客体成分微粒34B主要包括液晶材料,相当于权利要求1中的该第一种材料在施加某种刺激时具有变化的折射率,在未施加所述刺激时具有一个基准折射率;主体成分块34A相当于权利要求1中的第二种材料具有一个不随所述刺激而改变的恒定折射率;混合寻常光折射率为1.5且非常光折射率为1.65的液晶和寻常光折射率为1.5且非常光折射率为1.65的液晶单体,即聚合物材料的折射率落入权利要求1中限定的有机材料的恒定折射率在1.35到1.80的范围;优选从丙烯酸酯基、异丁烯酸酯基、丙烯酰氧基、异丁烯酰氧基、乙烯醚官能团和环氧基的组中选择至少一种官能团用作可聚合的官能团,相当于权利要求1中的选择聚丙烯酸酯类作为第二种材料。
本申请权利要求1与对比文件2相比,其区别技术特征在于:(1)本申请中的呈连续相分布的主体成分为第一种材料聚偏氟乙烯基聚合物,嵌入在主体成分中的客体成分为具有恒定折射率的第二种材料,而对比文件2中的主体成分块34A为具有恒定折射率的第二种材料,客体成分微粒34B为液晶材料;(2)所述第二种材料选自聚硅氧烷、聚碳酸酯、含氟聚合物中的一种或选自聚硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸酯、含氟聚合物中的多种,或者所述第二种材料是一种恒定折射率在1.31到2.80范围内的无机材料,其选自氟化物、氧化物、氮化物、硫化物中的一种或多种,而对比文件2仅公开了选择选择聚丙烯酸酯类作为第二种材料,未公开其余技术特征。
基于上述区别技术特征,权利要求1请求保护的技术方案实际所要解决的技术问题是如何利用聚偏氟乙烯基聚合物和第二种材料构成光学元件实现对入射光的散射和透射。
对于区别技术特征(1),对比文件1公开了一种基于PVDF三元共聚物的可调谐光学滤波器,其与本申请和对比文件2属于相近的技术领域,并具体公开了如下内容(参见说明书第1页第2、3段,第2页第6、7段、图1-2):由于响应慢、温度依赖性强和本身流动的液晶介质状态,使其光谱调谐范围窄,实际应用有限;聚合物可以通过各种途径加工成膜,有很好的化学、力学性质和热稳定性;所述的压电聚合物薄膜的成膜材料为P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFE)或P(VDF-TrFE-CDFE),本发明为基于PVDF(聚偏氟乙烯)三元共聚物的两种可调谐光学滤波器,第二种可调谐滤波器为新型的透射型法布里-珀罗腔滤波器,在这种结构的F-P腔中,压电聚合物薄膜本身作为F-P腔腔内介质,薄膜厚度方向的电致形变在改变F-P腔腔长的同时,也引起聚合物薄膜折射率的改变而带来的电光效应;也就是说压电聚合物薄膜在施加电压时折射率会发生改变,即弛豫铁电聚偏氟乙烯基聚合物在施加某种刺激时具有变化的折射率,在未施加所述刺激时具有一个基准折射率。上述技术特征在对比文件1中所起的作用与其在本申请中的作用相同,都是利用聚偏氟乙烯基聚合物在施加电压时折射率改变这一光学特性以及稳定的力学性质和热稳定性,将其制成薄膜,从而实现对入射光的调制,也就是说对比文件1给出了将上述技术特征应用于对比文件2中以解决其技术问题的启示。
对比文件2中光调制层的主体成分和客体成分在未施加电压时两种材料的折射率相同没有折射率差从而使入射光呈现高透性,在施加电压时其中一种材料的折射率会发生改变从而出现折射率差引起入射光的散射,本领域技术人员根据对比文件2中光调制层的结构及光学原理可知,主体成分和客体成分在施加电压时满足其中一种材料发生折射率改变就能够产生折射率差从而实现对入射光的散射,而对于主体成分和客体成分的材料、浓度、形状以及分布方式等,可以根据散射要求进行合理的选择。因此,选择对比文件1中的弛豫铁电聚偏氟乙烯基聚合物呈连续相分布作为主体成分和选择不随刺激改变折射率的第二种材料呈嵌入分布作为客体成分是本领域技术人员的常规选择,其效果也是可以预期的,不能给本申请带来突出的实质性特点和显著的进步。
对于区别技术特征(2),本领域技术人员均知,聚硅氧烷、聚碳酸酯、含氟聚合物为本领域常用的有机材料,选择其中的一种或选择聚硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸酯、含氟聚合物中的多种作为第二种材料,并且能够满足与第一种材料折射率相同的要求,这是本领域的常规技术选择,其效果也是可以预期的;对本领域技术人员而言,选择与第一种材料折射率相同并且折射率恒定在1.31到2.80范围内的无机材料为第二种材料,具体为选择具有恒定折射率的氟化物、氧化物、氮化物、硫化物中的一种或多种作为第二种材料,并且能够满足与第一种材料折射率相同的要求,这是本领域的常规技术选择,其效果也是可以预期的。
从而,在对比文件2的基础上结合对比文件1和本领域技术人员的常规选择得到权利要求1所要求保护的这一技术方案,对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此,权利要求1所要求保护的技术方案相对于对比文件2、对比文件1和本领域技术人员的常规选择的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步,不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人认为:对比文件2中限定的块34A和微粒34B都具有非常光折射率和寻常光折射率,折射率不固定,其中微粒34B主要包括液晶材料,具有很多缺点,而本申请权利要求1中的客体成分具有不随刺激而改变的恒定折射率,并且避免使用液晶材料,因此权利要求1具备创造性。
对此,合议组认为:本申请权利要求1与对比文件2中的技术方案所应用的光学调制原理是一样的,即主体成分和客体成分在未施加电压时两种材料的折射率相同没有折射率差从而使入射光呈现高透性,在施加电压时其中一种材料的折射率会发生改变从而出现折射率差引起入射光的散射,对比文件2中的块34A和微粒34B对电场具有相互不同的响应速率,块34A具有不响应电场的条状结构或多孔结构,也就是说在施加电压时,微粒34B的折射率发生变化,块34A的折射率不发生变化,从而与微粒34B出现折射率差引起入射光的散射,相当于本申请权利要求1所限定的第二种材料具有恒定折射率;本领域技术人员公知,液晶材料具有光学各向异性,折射率的改变会伴随较强的光学各向异性改变,这一改变在某些应用中不希望出现,对比文件1中记载了液晶介质状态由于其响应慢、温度依赖性强和本身流动的特性,使其光谱调谐范围窄,实际应用有限,而聚合物可以通过各种途径加工成膜,有很好的化学、力学性质和热稳定性,且对比文件1进一步公开了利用聚偏氟乙烯基聚合物在施加电压时折射率改变这一光学特性以及稳定的力学性质和热稳定性,将其制成薄膜,从而实现对入射光的调制。基于液晶材料制成的光调制器件存在上述缺陷及对比文件1公开的由聚偏氟乙烯基聚合物制成的薄膜具有的上述优点,本领域技术人员有动机对对比文件2中的技术方案进行改进,把对比文件1中公开的将聚偏氟乙烯基聚合物制成薄膜这一技术特征结合到对比文件2中,并结合本领域的常规技术选择,从而得到本申请权利要求1的技术方案,由此克服由于液晶材料带来的光学各向异性改变及光照不稳定等缺点,实现对入射光的稳定调制,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,合议组对于复审请求人的意见不予支持。
2、关于权利要求2
权利要求2是权利要求1的从属权利要求,其附加技术特征为:聚偏氟乙烯基聚合物包括偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。对比文件1还公开了如下内容(参见说明书第3页具体实施方式第3段):压电聚合物薄膜4的成膜材料为P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFE)或P(VDF-TrFE-CDFE)。可见,对比文件1公开了权利要求2的附加技术特征。因此,在引用的权利要求1不具备创造性时,从属权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求3
权利要求3是权利要求1的从属权利要求,其附加技术特征为:包括至少一对位于所述光学元件两侧的电极,用于向所述光学元件施加电场刺激,从而改变所述聚偏氟乙烯基聚合物的折射率。对比文件2还公开了如下内容(参见说明书第[0096段]):在底部电极32和顶部电极36之间施加电压。可见,对比文件2公开了权利要求3的附加技术特征。因此,在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下,权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于权利要求4
权利要求4是权利要求1的从属权利要求,其附加技术特征为:该第二种材料的恒定折射率与所述聚偏氟乙烯基聚合物的基准折射率相同。对比文件2还公开了如下内容(参见说明书[0094]段):块34A的寻常光折射率与微粒34B的寻常光折射率彼此相等,并且块34A的非常光折射率与微粒34B的非常光折射率彼此相等;即未施加电压时两种材料的折射率相同。因此,在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下,权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、关于权利要求5
权利要求5是权利要求1的从属权利要求,其附加技术特征为:客体成分是多个粒径在10纳米到500纳米范围内的颗粒。对本领域技术人员而言,根据对入射光的散射要求,将颗粒的粒径设定在合理的范围,例如选择颗粒粒径为10纳米到500纳米,是本领域的常规技术手段,其效果也是可以预期的。因此,在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下,权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、关于权利要求6
权利要求6是权利要求1的从属权利要求,其附加技术特征为:光学元件包括一个薄膜,该薄膜包括所述主客体结构,该薄膜厚度在1微米到100微米范围内。对比文件1(参见说明书第3页具体实施方式第3段)还公开了如下内容:压电聚合物薄膜4的厚度为0.1μm~100μm;即对比文件1公开了权利要求6的部分附加技术特征,而对于该薄膜为主客体结构这一技术特征已经在权利要求1中做了评述,参见上述权利要求1的评述。因此,在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下,权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、关于权利要求7
权利要求7是权利要求6的从属权利要求,其附加技术特征为:包括两个或多个并列排布的光学元件。对本领域技术人员而言,将两个或多个光学元件并列排布实现对入射光的调制是本领域的常规技术手段,其效果也是可以预期的。因此,在其引用的权利要求6不具备创造性的情况下,权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、关于权利要求8
权利要求8请求保护一种灯具,其包括一个如权利要求1~7任一项所述的光控装置,用于调节所述光束的至少一种光学输出特性,如上所述,权利要求1~7任一项所述的光控装置不具备创造性,对比文件2还公开了如下内容(参见说明书[0071]段):光源20是线状光源;即公开了权利要求8中的包括至少一个可以产生光束的光源。从而,在对比文件2的基础上结合对比文件1和本领域的常规技术手段得到权利要求8所要求保护的这一技术方案,对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此,权利要求8所要求保护的技术方案相对于对比文件2、对比文件1和本领域的常规技术手段的结合不具有突出的实质性特点和显著进步,不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、关于权利要求9
权利要求9是权利要求8的从属权利要求,其附加技术特征为:聚偏氟乙烯基聚合物包括偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。对比文件1还公开了(参见说明书第3页具体实施方式第3段):压电聚合物薄膜4的成膜材料为P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFE)或P(VDF-TrFE-CDFE)。可见,对比文件1公开了权利要求9的附加技术特征。因此,在引用的权利要求8不具备创造性时,从属权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、关于权利要求10
权利要求10是权利要求8的从属权利要求,其附加技术特征为:光源包括至少一个发光二极管(LED)。对比文件2还公开了如下内容(参见说明书[0071]段):光源20是线状光源,其例如可以为设置为线的多个LED或者其他适当的发光器。可见,对比文件2公开了权利要求10的附加技术特征。因此,在引用的权利要求8不具备创造性时,从属权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述,本申请权利要求1-10均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月24日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。

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