发明创造名称：阵列基板及阵列基板中TFT器件的启动方法
外观设计名称：
决定号：189047
决定日：2019-09-05
委内编号：1F276646
优先权日：
申请（专利）号：201510974140.3
申请日：2015-12-22
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：严嬿婉
合议组组长：周小祥
参审员：周佳凝
国际分类号：G02F1/1362
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：在对比本申请和对比文件的技术特征时，需要结合对比文件公开的技术方案从整体上分析两者的结构和功能，如果其在对比文件中的结构和功能与本申请中的结构和功能存在区别，各自所要解决的技术问题也不相同，则不能简单地认定该特征已经被对比文件所公开。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510974140.3，名称为“阵列基板及阵列基板中TFT器件的启动方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2015年12月22日，申请公布日为2016年05月11日，申请人为武汉华星光电技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局于2018年12月05日针对申请人于2018年05月11日提交的权利要求第1-8项，以及于申请日2015年12月22日提交的说明书第1-53段、说明书附图图1-3、说明书摘要及摘要附图以权利要求1和5不符合专利法第22条第3款的规定做出驳回决定。驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：CN103926726A号中国发明专利申请，申请公布日为2014年07月16日。
驳回决定指出，独立权利要求1与对比文件1的区别在于：遮光金属层包括m/2个并联组合，每个并联组合中包含2排遮光金属块。相对于对比文件1的内容，仅仅是并联组合中遮光金属块的排数量发生了变化，对于本领域技术人员来说，根据实际情况合理调节一个并联组合中遮光金属块的排数，属于本领域技术人员根据实际情况可以做出的常规变形，其带来的技术效果也是可以预料的，因此在对比文件1的基础上结合本领域常规手段得到该权利要求的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。与独立权利要求1的评述相对应，独立权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定的其它说明部分还指出从属权利要求2-4,6-8的附加技术特征或被对比文件1公开或是本领域的常规手段，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人武汉华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年03月15日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的修改替换页，其中将驳回决定所针对文本中的从属权利要求2和6的附加技术特征分别添加至权利要求1和5中，形成新的独立权利要求1和4，并适应性修改其它权利要求的编号。复审请求人提交的新独立权利要求1和4的内容分别如下：
“1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的遮光金属层(10)、及设于所述遮光金属层(10)上的TFT层(20)；
所述遮光金属层(10)包括数个呈矩阵分布的遮光金属块(11)，所述数个遮光金属块(11)被划分为m排，每排中的数个遮光金属块(11)通过导线(13)串联在一起；
所述m排遮光金属块(11)中，以n排为一组，其中，1≤n≤m，采用两根导线(13)将n排遮光金属块(11)的左、右两端分别连接在一起，得到数个并联组合(12)，从而每个并联组合(12)的两端具有两根向外延伸的导线(13)，通过连接该两根导线(13)至电源对所述并联组合(12)进行通电，可使得该并联组合(12)内的多个遮光金属块(11)发热，从而对TFT层(20)进行预热，提高TFT层(20)中TFT器件的启动速度；
所述遮光金属层(10)包括m/2个并联组合(12)，其中，每个并联组合(12)中包含2排遮光金属块(11)；
所述TFT层(20)包括与所述遮光金属层(10)的数个遮光金属块(11)相对应设置的数个TFT(21)，即每个TFT(21)对应设置于一遮光金属块(11)的上方。
4.一种阵列基板中TFT器件的启动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的遮光金属层(10)、及设于所述遮光金属层(10)上的TFT层(20)；
所述遮光金属层(10)包括数个呈矩阵分布的遮光金属块(11)，所述数个遮光金属块(11)被划分为m排，每排中的数个遮光金属块(11)通过导线(13)串联在一起；
所述m排遮光金属块(11)中，以n排为一组，其中，1≤n≤m，采用两根导线(13)将n排遮光金属块(11)的左、右两端分别连接在一起，得到数个并联组合(12)，从而每个并联组合(12)的两端具有两根向外延伸的导线(13)；
步骤2、通过连接每个并联组合(12)两侧的导线(13)至电源，对所述并联组合(12)进行通电，使得所述并联组合(12)内的多个遮光金属块(11)发热，从而对TFT层(20)进行预热，之后对TFT层(20)进行通电，启动TFT层(20)中的TFT器件；
步骤3、待TFT层(20)中的TFT器件启动后，断开所述并联组合(12)两侧的导线(13)与电源的连接，停止对所述并联组合(12)进行供电；
所述遮光金属层(10)包括m/2个并联组合(12)，其中，每个并联组合(12)中包含2排遮光金属块(11)；
所述TFT层(20)包括与所述遮光金属层(10)的数个遮光金属块(11)相对应设置的数个TFT(21)，即每个TFT(21)对应设置于一遮光金属块(11)的上方。”
复审请求人认为：权利要求1与对比文件1相比，具有以下区别技术特征：（1）遮光金属层包括m/2个并联组合，其中，每个并联组合中包含2排遮光金属块，每排中的数个遮光金属块通过导线串联在一起；（2）所述TFT层包括与所述遮光金属层的数个遮光金属块相对应设置的数个TFT，即每个TFT对应设置于一遮光金属块的上方。对于区别技术特征（2），请求人认为对比文件1的加热金属部与本申请中的遮光金属层具有不同的功能和结构，且对比文件1要解决的技术问题于本申请不同，也未给出任何解决本申请的技术问题的启示。因此，权利要求1具备专利法第22条第3款所规定的创造性。基于类似的理由，权利要求4也具备专利法第22条第3款所规定的创造性。权利要求1和4各自的从属权利要求2-3,5-6相应地也具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原实质审查部门进行前置审查。
原实质审查部门在前置审查意见书中指出：（1）对比文件1的加热金属部用于为液晶层加热的同时，客观上会对TFT器件起到加热作用；（2）对比文件1的加热金属部同样也能起到光屏蔽的作用；（3）本申请仅记载了TFT设置于遮光金属块的上方，而对比文件1中TFT也位于加热金属部275的上方，实质上本申请并无更进一步的限定将其与对比文件1中相应的特征区分开。因此，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组依法对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提出复审请求时提交了权利要求书的修改替换页，经审查，所做修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定，因此本次复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于2019年03月15日提交的权利要求第1-6项，以及于申请日2015年12月22日提交的说明书第1-53段、说明书附图图1-3、说明书摘要及摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
2.1 关于权利要求1-3的创造性
权利要求1要求保护一种阵列基板，对比文件1公开了一种液晶显示面板，并且具体公开了（参见说明书第0002-0008，0025-0062段，图1-5B）以下内容：
如图1所示，传统带有加热功能的液晶显示模组10一般由背光板100、加热板105、液晶显示面板110三大组件构成。加热板105包括以A/K标示的加热电极对。在结构上，加热板105通常放置在液晶显示面板110与背光板100之间，加热时，通过加热电极对A/K加电，加热板105发出的热量传导给液晶显示面板110，从而起到对其中的液晶加热的作用。传统的加热板具有如下的缺点，例如加热板与液晶相隔较远，加热效果差，加热板相对于液晶显示面板为一个独立的器件，具有一定的厚度，组合在LCM内增加了整个模组的高度，不利于LCM的薄化设计。
为了解决现有技术的问题，本发明的液晶显示面板20（如图2）包括多个加热金属部，其是设置在某一层上的一层金属，用于为液晶层215加热。在第一实施例中，该加热金属部可以形成在TFT阵列基板205上。
图3A为TFT阵列基板205的俯视图。TFT阵列基板205包括显示区域220 以及位于显示区域之外的边框区域222。显示区域220由3条扫描线225和4条数据线230围成的6个子像素单元组成，扫描线225和数据线230分别从显示区域220延伸到边框区域222，进而连接到外部的数据线驱动电路和扫描线驱动电路上。图3B为沿图3A中线XX’的截面图，在玻璃基板255上形成TFT开关240和像素电极245以及围绕TFT开关240和像素电极245的数据线230和扫描线。各层之间的绝缘用绝缘层实现。加热金属部可形成在附图标记260示出的某个层中。加热金属部设置在部分或每个像素单元的至少一侧处。图4D中，子像素单元400、405和410分别表示不同的颜色，构成一个像素单元。加热金属部475包围每一个像素单元，连接电极对480为加热金属部475提供电压。在一个示例中，加热金属部位于数据线230和/或扫描线225下层，在透光方向上，所述数据线230和/或扫描线225覆盖所述加热金属部。在另一示例中，所述子像素单元内还包括公共电极，所述加热金属部位于所述公共电极下方，在透光方向上，所述公共电极覆盖所述加热金属部。
在另一示例中，如图5A所示，所述子像素单元在TFT 阵列基板205一侧还包括光屏蔽金属部270，所述光屏蔽金属部270设置在TFT 开关240下层，在透光方向上与TFT开关240相对应，用于屏蔽光以免其进入 TFT开关240中而影响开关性能。可选的，加热金属部275与光屏蔽金属部270形成在同一层中。在制造工艺上，例如可在玻璃基板255上沉积一层金属材料，并图案化该金属材料层从而形成光屏蔽金属部270以及加热金属部275。加热金属部275与现有普通TFT产品的光屏蔽金属部270共用同一层金属，在制作光屏蔽金属部270的同时也完成了加热金属部的制作，不仅对TFT阵列基板205制作周期没有影响，对后端的LCM组装更不会有任何影响。在存在光屏蔽金属层270的情况下，可选地，连接电极对280和加热金属部275与光屏蔽金属层270可以形成在同一层中，如图5A所示。在制造工艺上，例如可在玻璃基板255上沉积一层金属材料，并图案化该金属材料层从而形成光屏蔽金属部270以及加热金属部275和连接电极对280。
本发明的第一实施方式通过使得加热金属部置于液晶盒内部，更确切地说形成在TFT阵列基板内侧，减小了加热板与液晶之间的距离，从而改善了加热效果，可使得液晶层的温度上升迅速，且功耗低。
比较权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容：对比文件1公开了一种TFT阵列基板，其中玻璃基板255相当于本申请的衬底基板。由图5A和5B可以看出，在玻璃基板255上设置有包含有光屏蔽金属部270的光屏蔽金属层，及设于光屏蔽金属层上的TFT层，TFT层上包含有多个TFT开关240，并且每个TFT开关对应设置于光屏蔽金属部270的上方，光屏蔽金属部270在透光方向上与TFT开关240相对应，用于屏蔽光以免其进入TFT开关240中而影响开关性能，相当于公开了本申请中设于所述衬底基板上的遮光金属层、及设于所述遮光金属层上的TFT层，所述TFT层包括与所述遮光金属层的数个遮光金属块相对应设置的数个TFT，即每个TFT对应设置于一遮光金属块的上方。由于光屏蔽金属部270与TFT开关对应设置，而由图2和3A所示，多个TFT开关呈矩阵分布，因此本领域技术人员据此可以直接地、毫无疑义地确定光屏蔽金属层包括数个光屏蔽金属部270且光屏蔽金属部270呈矩阵分布，相当于公开了本申请中遮光金属层包括数个呈矩阵分布的遮光金属块。
由此可见，该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：本专利权利要求1限定了“所述数个遮光金属块被划分为m排，每排中的数个遮光金属块通过导线串联在一起，所述m排遮光金属块中，以n排为一组，其中，1≤n≤m，采用两根导线(13)将n排遮光金属块(11)的左、右两端分别连接在一起，得到数个并联组合(12)，从而每个并联组合(12)的两端具有两根向外延伸的导线(13)，通过连接该两根导线(13)至电源对所述并联组合(12)进行通电，可使得该并联组合(12)内的多个遮光金属块(11)发热，从而对TFT层(20)进行预热，提高TFT层(20)中TFT器件的启动速度；所述遮光金属层(10)包括m/2个并联组合(12)，其中，每个并联组合(12)中包含2排遮光金属块(11)”，即本申请的遮光金属块通过特定电连接结构能够实现对TFT层进行预热，提高TFT层中TFT器件的启动速度，而对比文件1未公开光屏蔽金属部具有上述电连接结构，且光屏蔽金属部仅实现对TFT遮光，而无法对TFT层进行预热。基于上述区别技术特征，可以确定本申请相对于对比文件1实际解决的技术问题是如何提高TFT层中TFT器件的启动速度。
驳回决定认为：对比文件1中的加热金属部相当于本申请的遮光金属块，而且已经公开了上述遮光金属块通过n排为一组并联组合的连接结构对TFT层进行预热的特征，因为对比文件1中加热金属部如图3B、4D所示对应每个像素单元，呈矩阵分布，划分为多排，实质上公开了本申请的连接结构；加热金属部为不透光金属，TFT开关240是位于加热金属部和液晶层之间的，加热金属部要对液晶层进行加热，其产生的热量必然会经过TFT开关中的各层，且如附图5A、5B所示，加热金属部与TFT开关240也存在交叠部分，因此本领域技术人员可以确定对比文件1公开的加热金属部必然具备对TFT开关240进行预热的功能，从而客观上能提高TFT的启动速度。
对此，合议组经审查认为：
对于区别特征，其是关于遮光金属层为实现对其上的TFT加热而专门设置有特定电连接结构方面的相关限定，而对比文件1中的加热金属部并不能相当于本申请的遮光金属块，原因为：首先，本申请中的遮光金属块与对比文件1的加热金属部相对于TFT的位置关系不同，本申请中，遮光金属块对应设置于TFT下方，而对比文件1中，虽然按照制作工艺，其中的加热金属部与光屏蔽金属部相同，也可由不透光的金属构成，具有屏蔽光的特性，然而根据对比文件1说明书第0048-0049段或附图5A、5B记载，加热金属部可以设置在数据线/扫描线下方，也可设置在公共电极下方等TFT下方的已配有光屏蔽金属部之外的其他位置，显然，对比文件1明显排除了将加热金属部直接设置于TFT下方位置的可能。其次，本申请中的遮光金属块与对比文件1的加热金属部的功能不同。本申请的遮光金属块既用于屏蔽光以免其进入上方的 TFT开关中而影响TFT开关性能，又用于预热TFT层，提高TFT器件的启动速度，而对比文件1的加热金属部仅用于加热液晶层，两者加热的主要对象不同。尽管驳回决定指出，加热金属部在对液晶层加热的同时可能客观上会实现对TFT开关的加热，但是由于本申请和对比文件1解决的技术问题不同，两者加热的时机、时长及对象存在不同。本申请要解决的技术问题是低温下电子在LTPS-TFT器件中载流子运动速率减慢，导致了迟滞现象，为此其利用遮光金属块在开机时对其上方的TFT器件进行预加热，提高TFT器件的启动速度，并且在TFT器件启动后停止加热供电，因此在显示的过程中，本申请不需要一直对TFT器件进行加热，仅需要在开机时对TFT器件进行预加热即可。而对比文件1要解决的技术问题是现有的液晶显示面板采用独立的加热板对液晶层加热，加热效果差，具有一定的厚度，不利于薄化设计等，为此其在TFT基板上除TFT下方位置外的其他位置设置加热金属部以替代加热板对液晶层加热，改善加热效果，且功耗低。对比文件1虽没有明确公开对液晶加热的时机和时长，但在本领域中考虑到液晶所具有的偏振特性和发挥出的光阀作用，加热板常常用于解决液晶在低温下响应时间长导致显示画质劣化的问题，在这种情况下需要使用加热板一直在每帧显示开始前对液晶进行加热，以提高液晶在电场作用下的偏振反应速度，发挥其应有的光阀功能，这显然与本申请的加热时机和时长是不相符的。退一步讲，即便对比文件1中的加热时机或时长相同于本申请，因对比文件1中的加热金属部并非如本申请那样直接设置于TFT下方，其加热液晶时，虽会对非正上方的TFT间接地进行加热，但相对于本申请设置于TFT下方的遮光金属块直接对TFT进行加热而言，会因时延长、热效低等因素而不满足对TFT进行预热的相关要求，失去对TFT进行预热的作用，或者作用甚微，根本达不到如本申请中所述的效果。再次，因为对比文件1要解决的技术问题与本申请不同，改进的手段也存在不同，所以基于对比文件1，本领域技术人员也无法获得任何改进的启示。如上分析，由于在位置结构上，对比文件1在TFT开关下方已经对应设置有光屏蔽金属部，其与加热金属部属于两个独立的部件，由图5A和5B无法看出两者存在交叠，并且光屏蔽金属部已经解决了TFT开关的光屏蔽问题，本领域技术人员无法从对比文件1获得启示将加热金属部改为设置于TFT开关下方来替代光屏蔽金属部；在功能上，考虑到对比文件1的加热对象、时机和时长，因为对比文件1根据显示要求需要加热金属部对液晶层加热，如果将其改为如本申请那样只在启动时对液晶进行预热，则无法实现液晶快速响应的目的。因此，上述区别在对比文件1既没实质公开，也没任何启示，且也没任何证据能够证明上述区别为本领域中的公知常识，而本申请基于上述区别，使TFT器件在低温环境下能够实现快速启动，取得了显著的进步。综上所述，对比文件1没有公开上述区别特征，也无法指导本领域技术人员对对比文件1进行改进实现权利要求1的技术方案。因此，权利要求1所要求保护的技术方案相对于对比文件1和公知常识具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在此基础上，引用权利要求1的从属权利要求2-3同样也具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
2.2关于权利要求4-6的创造性
权利要求4要求保护一种阵列基板中TFT器件的启动方法，其限定的特征与权利要求1请求保护的一种阵列基板的特征相对应，基于与权利要求1相同的理由，本申请权利要求4也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在此基础上，引用权利要求4的从属权利要求5-6同样也具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
基于上述事实和理由，合议组做出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年12月05日对本申请做出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审决定所针对文本的基础对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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