发明创造名称：监测等离子体工艺制程的装置和方法
外观设计名称：
决定号：198727
决定日：2019-09-04
委内编号：1F285075
优先权日：
申请（专利）号：201510910240.X
申请日：2015-12-10
复审请求人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：罗慧晶
合议组组长：韩冰
参审员：刘天飞
国际分类号：H01J37/32，H01J37/244
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，上述区别技术特征不属于本领域的公知常识，并且包含该区别技术特征的权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510910240.X，名称为“监测等离子体工艺制程的装置和方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人于2019年03月21日由中微半导体设备（上海）有限公司变更为中微半导体设备（上海）股份有限公司，申请日为2015年12月10日，公开日为2017年06月20日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年02月15日发出驳回决定，以权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于2018年06月05日提交的权利要求第1-8项；于2016年01月12日提交的说明书第1-6页；于申请日2015年12月10日提交的说明书附图第1页、说明书摘要及摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，其特征在于，所述监测装置包括：
一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号，所述入射光源为LED光源或激光光源，所述入射光源为单波长光源；
一光谱仪，用于接收等离子体处理装置内发出的光信号，其工作模式设置为脉冲模式；
所述入射光源与所述光谱仪之间设置一同步控制系统，所述同步控制系统控制所述入射光源的脉冲时钟信号和所述光谱仪的脉冲时钟信号具有相同的上升沿。
2. 如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在一个脉冲周期内，所述光谱仪工作的时间大于所述入射光源工作的时间。
3. 如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述光谱仪用于显示等离子体处理装置内光信号的波长和强度。
4. 如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述光谱仪为CCD图像控制器。
5. 一种监测等离子体处理工艺的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将基片放置在一等离子体处理装置内，对所述基片进行等离子体工艺处理；
向所述基片发射一脉冲式入射光信号，所述入射光信号在基片上发生反射，所述入射光源发出的入射光信号为单波长光信号；
用一光谱仪接收基片表面的反射光信号，所述光谱仪为脉冲式工作模式；
所述入射光信号和所述光谱仪具有相同的脉冲时钟上升沿；
所述光谱仪在所述入射光源打开时接收基片表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号，在入射光源关闭时只接收等离子体发出的背景光信号；
所述的光谱仪内进行减法运算，将在所述入射光源打开时接收到的基片表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号减去入射光源关闭时等离子体发出的背景光信号，得到除去背景光信号的反射光信号；
利用减法运算后得到的反射光信号信息计算等离子体处理工艺的速率，进而实现对工艺进程的监测。
6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于：在一个脉冲周期内，所述光谱仪工作的时间大于所述入射光源工作的时间。
7. 如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述减法运算后得到的反射光信号信息至少包括所述反射光信号波长。
8. 如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述光谱仪与一计算机系统相连，并将所述减法运算的结果发送给所述计算机系统。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN1148563C，授权公告日为2004年05月05日。
驳回决定认为：（1）独立权利要求1与对比文件1的区别在于：（A）入射光源为LED光源或激光光源，入射光源为单波长光源。而上述区别属于本领域的公知常识。（2）独立权利要求5与对比文件1的区别在于：（B）减法运算在光谱仪内进行，以及入射光源发出的入射光信号为单波长光信号。而上述区别属于本领域的公知常识。（3）从属权利要求2-4、6-8的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识。综上，权利要求1-8不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年06月03日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了修改后的权利要求书全文替换页（包括权利要求第1-8项）。其中，对权利要求1、5的主要修改为：在独立权利要求1中加入技术特征“所述光谱仪用于执行减法运算，所述减法运算为光谱仪工作时在入射光源打开时接收到的反射光信号和背景光信号之和减去入射光源关闭时接收到的背景光信号”和“同一脉冲周期所述光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿迟于所述入射光源的脉冲时钟信号的下降沿”；在权利要求5中加入技术特征“同一脉冲周期所述光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿迟于所述入射光源的脉冲时钟信号的下降沿”。
复审请求人提复审请求时新修改的权利要求1、5内容如下：
“1. 一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，其特征在于，所述监测装置包括：一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号，所述入射光源为LED光源或激光光源，所述入射光源为单波长光源；
一光谱仪，用于接收等离子体处理装置内发出的光信号，其工作模式设置为脉冲模式，所述光谱仪用于执行减法运算，所述减法运算为光谱仪工作时在入射光源打开时接收到的反射光信号和背景光信号之和减去入射光源关闭时接收到的背景光信号；
所述入射光源与所述光谱仪之间设置一同步控制系统，所述同步控制系统用于控制所述入射光源的脉冲时钟信号和所述光谱仪的脉冲时钟信号具有相同的上升沿，同一脉冲周期所述光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿迟于所述入射光源的脉冲时钟信号的下降沿。”
“5. 一种监测等离子体处理工艺的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将基片放置在一等离子体处理装置内，对所述基片进行等离子体工艺处理；
向所述基片发射一脉冲式入射光信号，所述入射光信号在基片上发生反射，所述入射光源发出的入射光信号为单波长光信号；
用一光谱仪接收基片表面的反射光信号，所述光谱仪为脉冲式工作模式；
所述入射光信号和所述光谱仪具有相同的脉冲时钟上升沿，同一脉冲周期所述光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿迟于所述入射光源的脉冲时钟信号的下降沿；
所述光谱仪在所述入射光源打开时接收基片表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号，在入射光源关闭时只接收等离子体发出的背景光信号；
所述的光谱仪内进行减法运算，将在所述入射光源打开时接收到的基片表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号减去入射光源关闭时等离子体发出的背景光信号，得到除去背景光信号的反射光信号；
利用减法运算后得到的反射光信号信息计算等离子体处理工艺的速率，进而实现对工艺进程的监测。”
复审请求人认为：（1）本申请中光谱仪和入射光源在每个周期内同时打开却不同时关闭。（2）在对比文件1中，数据处理和算法展开都在装置50内进行，而本申请中，减法运算在光谱仪中进行。本申请适合入射光源在各种频率的脉冲模式，特别的，当入射光源的开关频率较大时，本申请的效果尤为显著。（3）对比文件1强调闪光灯产生的是宽带光，具有多个波长。而本申请入射光源发出的入射光信号为单波长光信号。对比文件1并未公开上述区别技术特征，也未给出获得上述区别技术特征的技术启示，本申请的技术方案能够准确消除等离子体发出的背景光信号对终点监测的影响，降低计算机的运算负载，具有突出的实质性特点和显著的进步，具有创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年06月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1中实质公开了减法运算为在入射光源打开时接收到的反射光信号和背景光信号之和减去入射光源关闭时接收到的背景光信号，区别在于减法运算在光谱仪中进行；对比文件1中也是在开和关的状况下进行检测，鉴于对比文件1中的光源为脉冲光源，而背景光的强度可能随着时间出现变动，为了准确的获得入射光源的光信号，本领域技术人员有动机对每次进行入射光光照后同时都进行背景光信号检测，从而防止由于时间的变化导致的背景光信号强度的变化，以提高入射光信号的准确性，从而在每个周期对入射光信号进行检测后，紧接着通过光谱仪对背景光进行检测，这是本领域的公知常识；再者，本申请实质只是把两个功能模块分开设置，而对比文件1中是在计算机中统一完成，统一完成的一体结构具有结构紧凑的优点，而分离结构功能在两个模块中进行，具有干扰小和负载小的优点，上述两种方式是常规的两种计算方式，各自具有优缺点，本领域技术人员有动机根据实际需要选择合适的一体结构或分离结构，从而在光谱仪中进行减法运算以减小负载和降低干扰也是公知常识。最后，在本领域中，使用宽波长具有较多的优点，但是其计算相对复杂，而单波长方法具有结构简单，但是数据和误差更大；对比文件1中虽然使用的是宽波长，但是其追求的是获得更多的数据量以及更小的误差，而在本领域中，在实际工艺监测的过程中，如果面对高精度工艺监测，常采用对比文件1中的宽波长方式，而面对一些精度要求不高的情况，则采用单波长测量，根据实际需要，本领域技术人员有动机选择合适的监测方式，更具体选择结构简单和计算容易的LED光源或激光光源形式的单波长监测方式，这是本领域面对不同工艺要求时做出的常规选择。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
经过仔细阅卷并充分合议，本案合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年06月03日提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-8项），经审查，所作修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：复审请求人于2019年06月03日提交的权利要求第1-8项；于2016年01月12日提交的说明书第1-6页；于申请日2015年12月10日提交的说明书附图第1页、说明书摘要及摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，上述区别技术特征不属于本领域的公知常识，并且包含该区别技术特征的权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与驳回决定中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN1148563C，授权公告日为2004年05月05日。
2-1、权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种监测工艺制程的等离子体处理装置。对比文件1公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置，并具体公开了（参见说明书第4页第2段-第7页倒数第2段，以及图1-3）：如图1-3所示，包括有等离子体处理腔室以及用于监测晶片74的处理制程的多波长照射系统30（相当于包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置），多波长照射系统30包括照射组件33，照射组件33包括用于向等离子体处理腔室内部的晶片74表面发射脉冲光信号的闪光灯35（相当于一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号）；包括有多通道光谱摄制仪40，用于接收等离子体处理腔室内发出的光信号，多通道光谱摄制仪40仅在来自闪光灯的段输出脉冲期间记录数据，减小光谱摄制仪的积分时间，也就是说，多通道光谱摄制仪40也是脉冲工作模式（相当于一光谱仪，用于接收等离子体处理装置内发出的光信号，其工作模式设置为脉冲模式）；还包括有闪光灯35与多通道光谱摄制仪40之间的同步器和总线接口45（相当于入射光源与光谱仪之间设置一同步控制系统），同步器和总线接口45把一个周期性触发信号发送给电源37，造成闪光灯35产生一个宽带脉冲以与光谱摄制仪40的数据采集周期同步地照射晶片74（相当于同步控制系统控制入射光源的脉冲时钟信号和光谱仪的脉冲时钟信号具有相同的上升沿）；同步器和总线接口45还可以使光谱摄制仪检测在闪光灯35不照射74时从晶片74反射的等离子体发射光谱（说明书第6页第3段）；同步器和总线接口45把来自模数转换器43的数字信号记录在第一数据文件47中，把晶片74不被照射时的第二数字信号记录在第二数据文件49中，块50使用第二数据文件49中存储的信息以从照射的光谱测量信号中减去等离子体发射信号，然后块50使用该信息和存储在第一数据文件47的信息来计算晶片74上膜的厚度以及刻蚀或淀积速率（相当于减法运算为光谱仪工作时在入射光源打开时接收到的反射光信号和背景光信号之和减去入射光源关闭时接收到的背景光信号）（说明书第6页第4段、第6段）；闪光灯45为一个具有小弧尺寸的氙闪光灯，具有更近似于一个点光源，可以有效的与光学系统耦合（参见说明书第7页第2段）。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）入射光源为LED光源或激光光源，入射光源为单波长光源；（2）光谱仪用于执行减法运算，同一脉冲周期光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿迟于入射光源的脉冲时钟信号的下降沿。
基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际要解决的技术问题是：（1）提高光源光强并使计算方便；（2）降低计算机系统的负载以及实时消除背景光变化的影响。
对于区别技术特征（1），在本领域中，通常基于光学厚度的监控包括有单波长间接监控法和宽光谱间接监控法，两者各有优缺点，在此基础上，根据实际需要的要求选择入射光源为单波长光源以简化计算，以及为了提高出射光强以提高信号强度，且具体选择入射光源为LED光源或激光光源，这对于本领域技术人员来说是惯用技术手段，为本领域的公知常识。
对于区别技术特征（2），首先，本申请公开了一种监测等离子体工艺制程的装置和方法，解决的技术问题为如何降低计算机系统的运算负载。所采用的技术手段为：将同一脉冲周期光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿设置为迟于入射光源的脉冲时钟信号的下降沿，光谱仪接受入射光源在工作和关闭两种状态下的光信息后直接进行减法运算并将运算结果发送给计算机系统中进行后续计算。
相应的，对比文件1也公开了一种监测等离子体工艺制程的装置和方法，其监测与计算的原理与本申请相同，都是将入射光源在工作和关闭两种状态下得到的光信息做减法，然后根据运算的结果进行监测计算。不同之处在于：对比文件1没有公开在每一个光源脉冲后均进行背景光的采集，也没有公开减法的运算是在光谱仪内进行。对比文件1公开的是，可以在光谱摄制仪检测在闪光灯35不照射74时从晶片74反射的等离子体发射光谱（参见说明书第6页第3段）；每一次采集的信号均记录在数据文件47或者49中，然后在数据处理和算法展开块50中进行减法运算，之后块50还会根据得到的信息来进一步计算晶片上的膜的厚度以及淀积速率（参见说明书第6页第6段）。可见，对比文件1并没有公开本申请的上述技术构思以及具体的技术手段。
本领域技术人员在对比文件1已经公开了可以减去背景光影响的基础上，不会容易地想到在每一次入射光源脉冲之后均对光谱仪的脉冲下沿做一个延迟，并且在光谱仪中直接进行减法运算，也就是说本领域技术人员从对比文件1出发，无法意识到本申请的技术问题，进而选择相应的技术手段去解决上述技术问题。
而且，上述区别技术特征（2）也不属于本领域的公知常识，且包含该区别技术特征（2）的权利要求1的技术方案取得了如下的有益效果：计算机运算效率得到了提高，实时消除了背景光变化的影响。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识不能够显而易见地得出权利要求1的技术方案，并且权利要求1的技术方案具有有益的技术效果。因此，权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求2-4具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2-4均引用权利要求1，由于权利要求1具备创造性，因此，权利要求2-4也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求5具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求5请求保护一种监测等离子体处理工艺的方法。对比文件1公开了一种监测等离子体处理工艺的方法，并具体公开了（参见说明书第4页第2段-第7页倒数第2段，以及图1-3）：将晶片74放置在等离子体处理腔室内，对晶片进行等离子体刻蚀工艺（相当于将基片放置在一等离子体处理装置内，对基片进行等离子体工艺处理），使用照射组件33中的闪光灯35向等离子体处理腔室内部的晶片74表面发射脉冲光信号，入射光信号在晶片74表面发射反射（相当于向基片发射一脉冲式入射光信号，入射光信号在基片上发生反射），使用多通道光谱摄制仪40接收等离子体处理腔室内发出的光信号，多通道光谱摄制仪40仅在来自闪光灯的段输出脉冲期间记录数据，减小光谱摄制仪的积分时间，也就是说，多通道光谱摄制仪40也是脉冲工作模式（相当于用一光谱仪接收基片表面的反射光信号，光谱仪为脉冲式工作模式），同步器和总线接口45把一个周期性触发信号发送给电源37，造成闪光灯35产生一个宽带脉冲以与光谱摄制仪40的数据采集周期同步地照射晶片74（相当于入射光信号和光谱仪具有相同的脉冲时钟上升沿），多通道光谱摄制仪40在来自闪光灯的段输出脉冲期间记录数据，接收的信号包括有晶片74表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号（相当于光谱仪在入射光源打开时接收基片表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号），在闪光灯35关闭时记录等离子体强度（相当于在入射光源关闭时只接收等离子体发出的背景光信号），并从在闪光灯打开状态下记录的信号中减去所检测的信号（相当于进行减法运算），该减去过程在数据处理和算法展开块50中进行，减小等离子体发射对测量的影响（相当于将在入射光源打开时接收到的基片表面的反射光信号和等离子体发出的背景光信号减去入射光源关闭时等离子体发出的背景光信号，得到除去背景光信号的反射光信号），从而利用减法运算后得到的反射光信号信息计算等离子体处理工艺的速率，进而实现对工艺进程的监测。
权利要求5与对比文件1的区别技术特征在于：（1）入射光源为单波长光源；（2）光谱仪用于执行减法运算，同一脉冲周期光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿迟于入射光源的脉冲时钟信号的下降沿。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际要解决的技术问题是：（1）提高光源光强并使计算方便；（2）降低计算机系统的负载以及消除背景光变化的影响。
对于区别技术特征（1），在本领域中，通常基于光学厚度的监控包括有单波长间接监控法和宽光谱间接监控法，两者各有优缺点，在此基础上，根据实际需要的要求选择入射光源为单波长光源以简化计算，这对于本领域技术人员来说是惯用手段，为公知常识。
对于区别技术特征（2），首先，本申请公开了一种监测等离子体工艺制程的装置和方法，解决的技术问题为如何降低计算机系统的运算负载。所采用的技术手段为：将同一脉冲周期光谱仪的脉冲时钟信号的下降沿设置为迟于入射光源的脉冲时钟信号的下降沿，光谱仪接受入射光源在工作和关闭两种状态下的光信息后直接进行减法运算并将运算结果发送给计算机系统中进行后续计算。
相应的，对比文件1也公开了一种监测等离子体工艺制程的装置和方法，其监测与计算的基本原理与本申请相同，都是将入射光源在工作和关闭两种状态下得到的光信息做减法，然后根据运算的结果进行监测与计算。不同之处在于：对比文件1没有公开在每一个光源脉冲后均进行背景光的采集，也没有公开减法的运算是在光谱仪内进行。对比文件1公开的是，可以在光谱摄制仪检测在闪光灯35不照射74时从晶片74反射的等离子体发射光谱（参见说明书第6页第3段）；每一次采集的信号均记录在数据文件47或者49中，然后在数据处理和算法展开块50中进行减法运算，之后块50还会根据得到的信息来进一步计算晶片上的膜的厚度以及淀积速率（参见说明书第6页第6段）。可见，对比文件1并没有公开本申请的上述技术构思以及具体的技术手段。
本领域技术人员在对比文件1已经公开了可以减去背景光影响的基础上，不会容易地想到在每一次入射光源脉冲之后均对光谱仪的脉冲下沿做一个延迟，并且在光谱仪中直接进行减法运算，也就是说本领域技术人员从对比文件1出发，无法意识到本申请的技术问题，进而选择相应的技术手段去解决上述技术问题。
而且，上述区别技术特征（2）也不属于本领域的公知常识，且包含该区别技术特征（2）的权利要求5的技术方案取得了如下的有益效果：计算机运算效率得到了提高，实时消除了背景光变化的影响。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识不能够显而易见地得出权利要求5的技术方案，并且权利要求5的技术方案具有有益的技术效果。因此，权利要求5具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、权利要求6-8具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6-8均引用权利要求5，由于权利要求5具备创造性，因此，权利要求6-8也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对驳回决定和前置审查意见书中相关意见的评述
驳回决定及前置审查意见书中认为：
（1）背景光的强度可能随着时间出现变动，为了准确的获得入射光源的光信号，本领域技术人员有动机对每次进行入射光光照后同时都进行背景光信号检测，从而防止由于时间的变化导致的背景光信号强度的变化，以提高入射光信号的准确性，从而在每个周期对入射光信号进行检测后，紧接着通过光谱仪对背景光进行检测，这是本领域的公知常识；为了提高运算精度，通过降低传输时间，从而在接收数据的单元直接进行运算，也是本领域的公知常识。
（2）光谱仪中的减法过程实质也是需要类似计算机的模块进行计算，本申请实质只是把两个功能模块分开设置，而对比文件1中是在计算机中统一完成，统一完成的一体结构具有结构紧凑的优点，而分离结构功能在两个模块中进行，具有干扰小和负载小的优点，上述两种方式是常规的两种计算方式，各自具有优缺点，本领域技术人员有动机根据实际需要选择合适的一体结构或分离结构，从而在光谱仪中进行减法运算以减小负载和降低干扰也是公知常识。
对此，合议组认为：
首先，光谱仪接收光信息后直接进行减法运算的相关技术特征以及技术效果，在本申请的有益效果、实施例等部分均进行了说明和阐释，是作为发明构思的一部分存在的技术内容，在缺乏证据和充分理由的情况下，不宜将上述内容评述为公知常识，进而否定相应技术方案的创造性。
第二，具体而言，从对比文件1的技术方案出发，其已经完成了背景光噪音的消除的问题，其无法意识到还需要在每一个脉冲后进行一个背景光的采集，而且对比文件1中数据处理和算法展开块50负责所有的数据处理和计算，其所公开的技术内容和启示均是将运算在块50中进行集成的处理，包括有光源的光信息，无光源的光信息，后续的计算等等，本领域技术人员，也没有动机将其中的一部分计算分割给光谱仪，然后将另一部分继续留在原有的位置进行计算。
在上述工作的基础上，合议组依法作出如下决定。
至于本申请是否存在其他不符合专利法和专利法实施细则规定的问题，由后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019 年02 月15 日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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