发明创造名称：有机发光显示器件及其有机发光显示器
外观设计名称：
决定号：188679
决定日：2019-09-02
委内编号：1F270382
优先权日：
申请（专利）号：201310751847.9
申请日：2013-12-31
复审请求人：北京维信诺科技有限公司 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵中琴
合议组组长：梁素平
参审员：刘婧
国际分类号：H01L51/50,H01L51/54
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，但其中一部分区别技术特征是根据上述对比文件和本领域常用技术手段容易想到的，另一部分区别技术特征被其它对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征是本领域的常用技术手段，则该权利要求不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310751847.9，名称为“有机发光显示器件及其有机发光显示器”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为北京维信诺科技有限公司和昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，申请日为2013年12月31日，公开日为2014年05月14日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年10月09日发出驳回决定，以权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年04月11日提交的权利要求第1-8项、2014年03月18日提交的说明书第1-10页、申请日2013年12月31日提交的说明书附图第1页、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种有机发光显示器件，其结构包括：
阳极；
阴极；
在阳极与阴极之间的发光层，
在发光层与阴极之间的电子传输层，
其特征在于，所述电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物，使得所述阴极为厚度为12-18nm的透明金属阴极。
2. 根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20-50nm。
3. 根据权利要求2所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为30-40nm。
4. 根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述透明金属阴极的材料为Ag或Mg/Ag合金。
5. 如权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，在电子传输层与阴极之间还包括一层电子注入层。
6. 根据权利要求5所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述电子注入层材料为碱金属、碱土金属与Ag的合金。
7. 据权利要求5或6所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为0.5-3nm。
8. 一种采用了权利要求1～7中任意一项所述有机发光显示器件的有机发光显示装置。”
驳回决定中引用了以下2篇对比文件：
对比文件1：CN 101891673A，公开日为2010年11月24日；
对比文件3：CN 203288658U，授权公告日为2013年11月13日。
驳回决定认为：（1）权利要求1与对比文件3的区别技术特征是：（ⅰ）阴极厚度为12-18nm；（ⅱ）电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物。本领域技术人员根据对比文件3和本领域常用技术手段容易想到区别技术特征（ⅰ），区别技术特征（ⅱ）被对比文件1公开且作用相同。权利要求1相对于对比文件3、对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2的附加技术特征被对比文件1和对比文件3公开；从属权利要求3的附加技术特征是根据对比文件3和对比文件1容易想到的；从属权利要求4的部分附加技术特征被对比文件3公开，其余部分附加技术特征是根据对比文件3容易想到的；从属权利要求5-7的附加技术特征是本领域的常用技术手段。因此，从属权利要求2-7相对于对比文件3、对比文件1和本领域常用技术手段的结合也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）当权利要求1-7不具备创造性时，引用权利要求1-7中的任一的权利要求8相对于对比文件3、对比文件1和本领域常用技术手段的结合也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月04日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：（1）本申请解决的技术问题是提供一种既可以保证阴极的透明度，又可以保证阴极的连续性以降低其电阻，以提高显示性能的有机发光显示器件。也就是说，本申请解决的技术问题是在保证阴极透光性的同时降低接触电阻，而不是电子传输。（2）对比文件1虽然公开了电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物，但对比文件1仅是因该材料具有高电子迁移率的特性而认为其适宜作为电子传输材料，并没有意识到该材料可以改善金属阴极的电阻；对比文件1以Al作为阴极，厚度仍达150nm；本申请采用薄层透明金属阴极时，仍能获得较低的方阻，突破了“只有较厚的金属层才能取得较低的方阻”的技术常识，对所属技术领域的技术人员来说，取得了预料不到的技术效果。因此，权利要求1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月22日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件3公开了：有机电致发光器件包括：阳极、阴极、在阳极与阴极之间的有机发光层、在有机发光层与阴极之间的电子传输层，当其为顶发光结构时，阴极层为Mg/Ag（即透明金属阴极），厚度为10nm。本申请与其不同主要在于“电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物”，而对比文件1公开了用于电子传输层的上述物质，其有较高的电子迁移率。在上述基础上，本领域技术人员有动机采用对比文件1公开的电子传输层材料代替对比文件3中的电子传输层材料以改进其电子传输性能。（2）对比文件1公开了电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物，其上具有金属阴极。虽然金属阴极较厚，但在对比文件1中金属阴极作为反射电极，其需要较大的厚度以获得高反射率，并非因为较薄的金属阴极导致方阻太高。另外，对比文件1公开了：含有苯基吡啶基的化合物是典型的缺电子体系，具有良好的接受电子能力。本申请在稠环体系基础上引入苯环与缺电子的苯基吡啶基相连，在空间立体上形成一定程度曲扭，增加其成膜性。本领域技术人员可以确定在成膜性较好的层上形成的金属电极具有较低的薄膜方阻，降低了接触电阻。而对比文件3公开了可以采用较薄的透明金属电极，当采用对比文件1公开的电子传输层材料代替对比文件3中的电子传输层材料时，其必然具有较低的方阻，这是由相关层的特性决定的，未取得预料不到的技术效果。故申请人的意见陈述不成立。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月14日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件3的区别技术特征是：（ⅰ）阴极厚度为12-18nm；（ⅱ）电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物。本领域技术人员根据对比文件3和本领域常用技术手段容易想到区别技术特征（ⅰ）；区别技术特征（ⅱ）的部分区别技术特征被对比文件1公开，且作用相同，其余区别技术特征是根据对比文件1容易想到的。权利要求1相对于对比文件3、对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2的附加技术特征被对比文件3公开；从属权利要求3的附加技术特征是根据对比文件3容易想到的；从属权利要求4的部分附加技术特征是根据对比文件3的公开内容能够想到的，其余附加技术特征是本领域常用技术手段；从属权利要求5-7的附加技术特征是本领域的常用技术手段。因此，从属权利要求2-7相对于对比文件3、对比文件1和本领域常用技术手段的结合也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）当权利要求1-7不具备创造性时，引用权利要求1-7中的任一的权利要求8相对于对比文件3、对比文件1和本领域常用技术手段的结合也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对于意见（1）：对比文件3公开了：有机发光器件包括阳极，阴极，在阳极与阴极之间的有机发光层，在有机发光层与阴极之间的电子传输层，当其为顶发光结构时，阴极层为Mg/Ag（即透明金属阴极），厚度为10nm。也就是说其已经公开了阴极较薄（厚度为10nm，和本申请权利要求1的12-18nm厚度相差不多），其具有较好的发光效率和透明性。基于本申请权利要求1与对比文件3的区别技术特征，可以确定其实际要解决的技术问题是降低电阻。对于意见（2）：首先，对比文件1公开了：电子传输层含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物。电子传输层的新型有机材料具有良好的热稳定性、高电子迁移率，具有良好的接受电子能力，增加其成膜性。对于本领域技术人员来讲，该材料具有高电子迁移率，则意味着其能降低电阻。对比文件1给出了使用含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物的电子传输层可以降低电阻的技术启示。基于此，本领域技术人员容易想到使用对比文件1的电子传输层来代替对比文件3的电子传输层，从而得到权利要求1的技术方案，由此降低电阻。其次，虽然对比文件1公开的阴极Al层厚度为150nm，但是这并不影响对比文件1所给出的使用含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物的电子传输层可以降低电阻的技术启示。再者，对于本领域技术人员来讲，对比文件1的电子传输层使用含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物，该稠环芳烃的平面性较强，其可保证分子的有序性，能够形成高致密性的薄膜，这是由含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物的属性带来的效果。当将这样的电子传输层代替对比文件3的电子传输层时，由于对比文件3的阴极厚度较薄（10nm），那么在电子传输层上形成的较薄的阴极金属层的金属原子可以有序、紧密排列，形成完整膜层；因此，即保证了较薄的阴极带来的良好的透光性，也实现了降低电阻，也能使方阻得以降低。本申请并没有带来预料不到的技术效果。因此，本申请不具备创造性。
复审请求人于2019年07月15日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括8项权利要求），具体修改内容如下：在权利要求1中增加了“所述有机发光显示器在阳极和发光层之间还包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料为MTDATA”。并陈述了修改后的权利要求1具备创造性的理由。
复审请求人新修改的的独立权利要求1的内容如下：
“1. 一种有机发光显示器件，其结构包括：
阳极；
阴极；
在阳极与阴极之间的发光层，
在发光层与阴极之间的电子传输层，
其特征在于，所述电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物，使得所述阴极为厚度为12-18nm的透明金属阴极；所述有机发光显示器在阳极和发光层之间还包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料为MTDATA。”
复审请求人在意见陈述书中认为：（1）修改后的权利要求1相对于对比文件3具有区别技术特征（ⅰ）、
（ⅱ）和区别特征（ⅲ）：空穴注入层的材料不同。权利要求1基于区别特征（ⅰ）、（ⅱ）所实际解决的技术问题是降低透明金属阴极的电阻。该实际解决的技术问题有赖于区别特征（ⅱ）的技术效果而实现。首先，区别特征（ⅱ）在对比文件1中所起的作用是提高电子传输材料的电子迁移率，这仅能说明区别特征（ⅱ）材料的电子载流子迁移能力强，能降低其自身电阻；与在本申请中降低金属阴极的薄膜方阻且降低其与阴极的接触电阻的技术作用完全不同。对比文件1没有给出与对比文件3结合得到权利要求1的技术启示。对比文件1没有与阴极金属的电阻有关的记载；本技术领域并不存在“电子传输材料的电子迁移率”与“阴极金属的电阻”相关的技术内容。其次，复审通知书中关于“稠环芳烃的平面性较强，能够形成高致密性的薄膜，薄层金属可形成完整膜层”是“事后诸葛亮”的做法。再者，本领域技术人员从对比文件1仅能够得出对比文件1可以满足电子传输材料的成膜性要求；对比文件1并没有揭示可以利用该电子传输材料的成膜性得到连续完整的金属薄膜。最后，对比文件1是复审请求人做出的发明创造，在当时并没有意识到该电子传输材料可以降低阴极金属的电阻，不然在实施例中不会蒸镀150nm厚度的金属阴极层。创造性应从技术方案的整体上来考量，不应将各特征割裂开来进行简单拼凑替换，把对比文件1的电子传输层材料替换到对比文件3的OLED器件中，阴极厚度也需要适应性调整，本领域技术人员自然的会将对比文件1的阴极材料及厚度一并结合到对比文件3中，而不是保持对比文件3的阴极厚度不变而仅仅调整电子传输层材料。因此，本申请具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年07月15日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，2019年07月15日所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：2019年07月15日提交的权利要求第1-8项，2014年03月18日提交的说明书第1-10页、申请日2013年12月31日提交的说明书附图第1页、说明书摘要和摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，但其中一部分区别技术特征是根据上述对比文件和本领域常用技术手段容易想到的，另一部分区别技术特征被其它对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征是本领域的常用技术手段，则该权利要求不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN 101891673A，公开日为2010年11月24日；
对比文件3：CN 203288658U，授权公告日为2013年11月13日。
权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性，理由如下：
2.1、权利要求1要求保护一种有机发光显示器件。对比文件3公开了一种有机电致发光器件，并具体（参见说明书第[0004]-[0027]段，附图1）公开了：该器件包括：阳极，阴极，在阳极与阴极之间的有机发光层，在有机发光层与阴极之间的电子传输层，当其为顶发光结构时，阴极层为Mg/Ag（即透明金属阴极），厚度为10nm。在阳极层和发光层之间还包括空穴注入层。该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件3的区别技术特征是：（1）阴极厚度为12-18nm；（2）电子传输层含有苯基吡啶基取代或吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物；（3）所述空穴注入层的材料为MTDATA。基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是降低电阻和选择可替换的具体的空穴注入层材料。
关于区别技术特征（1）：对比文件3（参见说明书第[0016]-[0027]段）公开了：阴极厚度为10nm。对于本领域技术人员来讲，10nm 和12-18nm均属于本领域常规的较薄的数值范围，在此基础上，本领域技术人员选择阴极厚度为12-18nm，这是本领域技术人员常用的技术手段。
关于区别技术特征（2）：对比文件1公开了一种有机电致发光器件，并具体（参见说明书第[0003]-[0159]段）公开了：该器件包括：阳极，阴极，在阳极与阴极之间的有机发光层，在有机发光层与阴极之间的电子传输层，电子传输层含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物，阴极可以采用金属及其混合物结构，如Mg:Ag等。电子传输层的新型有机材料具有良好的热稳定性、高电子迁移率，具有良好的接受电子能力，增加其成膜性。由此可见，对比文件1给出了在电子传输层含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物来提高电子迁移率、降低电阻的技术启示。另外，吡啶基苯基取代与苯基吡啶基取代是相似的，本领域技术人员根据对比文件1公开的“苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物”能想到采用“吡啶基苯基取代的稠环芳烃衍生物”。也就是说对比文件1给出了将上述技术特征用于对比文件3中以解决其技术问题的启示。
对于区别技术特征（3），对于本领域技术人员来讲，MTDATA为常见的空穴注入层的材料。基于此，本领域技术人员容易想到采用MTDATA作为对比文件3的空穴注入层。
由此可见，在对比文件3的基础上结合对比文件1和本领域常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2对权利要求1作进一步限定，权利要求3对权利要求2作进一步限定。对比文件3（参见说明书第[0004]-[0027]段，附图1）还公开了：电子传输层可为20nm。在此基础上，本领域技术人员可以通过有限的试验合理的选择电子传输层的厚度，如30-40nm。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2、3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求4对权利要求1作进一步限定。对比文件3（参见说明书第[0004]-[0027]段，附图1）还公开了：阴极可以为Mg/Ag。对于本领域技术人员来讲，Mg/Ag合金是常见的Mg/Ag存在形式；另外，Ag也是用作有机发光显示器件的常见的阴极材料。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求5对权利要求1作进一步限定，权利要求6对权利要求5作进一步限定，权利要求7对权利要求5或6作进一步限定。对于本领域技术人员来讲，在电子传输层与阴极之间设置一层电子注入层是本领域技术人员常用的技术手段，而且碱金属、碱土金属与Ag的合金也是本领域常用的电子注入层材料。本领域技术人员能够经过有限的试验、合理选择电子注入层的厚度，如0.5-3nm。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求5-7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求8要求保护一种采用了权利要求1-7中任意一项所述有机发光显示器件的有机发光显示装置。对比文件3（参见说明书第[0002]段）在背景技术公开了：有机电致发光发光显示器（即有机发光显示装置）。参见对权利要求1-7的评述可知，权利要求1-7中任意一项所述有机发光显示器件不具备创造性。因此，权利要求8要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对复审请求人答复复审通知书的相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：
（1）对于本领域技术人员来讲，材料具有高电子迁移率，则意味着其能降低电阻，这是本领域的公知常识。例如：《新世纪 新科技 新北京》——2001年北京科技交流学术月论文集，其中第224页记载“提高电子迁移率，降低了电阻率，进而使方块电阻降低”。
（2）对于本领域技术人员来讲，含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物，其在稠环体系基础上引入苯环与缺电子的苯基吡啶基相连，在空间立体上形成一定程度扭曲，增加其成膜性，这是材料本身的属性。对比文件1已经公开电子传输材料应具有成膜性好以及空间立体上形成一定程度扭曲；那么该材料的成膜性好，能够使得在后续形成金属薄膜时可以利用该电子传输材料的成膜性得到连续完整的金属薄膜。这是经过合理分析能够得到的。
（3）关于阴极层的厚度，对比文件3公开了厚度是10nm，属于很薄的厚度。对于本领域技术人员来讲，10nm 和12-18nm均属于本领域常规的较薄的数值范围，在此基础上，本领域技术人员选择阴极厚度为12-18nm，这是本领域技术人员常用的技术手段。而且，对比文件1给出了使用含有苯基吡啶基取代的稠环芳烃衍生物作为电子传输材料的技术启示，基于此，本领域技术人员容易想到使用其代替对比文件3的电子传输材料。至于厚度是否改变，本领域技术人员可以根据需要来进行试验调整，正如对比文件3的阴极厚度可以厚（150nm）、也可以薄（10nm），该厚度值可以根据需要进行改变。
（4）关于空穴注入层材料，对于本领域技术人员来讲，MTDATA、HATCN等均是常见的空穴注入层材料，本领域技术人员容易想到使用MTDATA作为对比文件3的空穴注入层材料。
基于上述理由，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，本案合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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