发明创造名称：ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法
外观设计名称：
决定号：188517
决定日：2019-08-30
委内编号：1F255711
优先权日：
申请（专利）号：201310737277.8
申请日：2013-12-29
复审请求人：北京北方华创微电子装备有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐健
合议组组长：骆素芳
参审员：彭丽娟
国际分类号：H01L33/00,H01L33/42
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，且该区别技术特征一部分被其它对比文件公开，其余部分属于本领域的公知常识，在作为最接近的现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件和本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该项权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201310737277.8，名称为“ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为北京北方华创微电子装备有限公司，申请日为2013年12月29日，公开日为2015年07月01日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年04月08日发出驳回决定，以权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其理由是：权利要求1与对比文件3（CN102832299 A，公开日为2012年12月19日）的区别技术特征为：高氧气流量形成界面层，逐渐降低氧气流量形成渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。上述区别特征部分被对比文件2（CN102804922 A，公开日为 2012年11月28日）公开了，其余部分属于本领域惯用技术手段，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域惯用技术手段得到权利要求1所保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。从属权利要求2-6的附加技术特征部分被对比文件3公开了，其余属于本领域的公知常识，从属权利要求7的附加技术特征部分被对比文件2公开了，其余属于本领域的公知常识，从属权利要求8-9的附加技术特征属于本领域技术人员可以根据实际情况合理选择的，因而也都不具备创造性。权利要求10相对于对比文件3的区别技术特征在于：高氧气流量形成高功函数的界面层，然后逐渐降低氧气流量形成渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。上述区别技术特征部分被对比文件2公开了，其余部分属于本领域的公知常识，因而在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求10所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求10不具备创造性。权利要求1-9所要求保护的制备方法已不具备创造性，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求11所要求保护的由该制备方法制备的产品对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求12相对于对比文件3的区别技术特征为：高氧气流量形成界面层，逐渐降低氧气流量形成渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。上述区别技术特征部分被对比文件2公开了，其余部分属于本领域的公知常识，因而权利要求12不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：于申请日2013年12月19日提交的说明书附图图1-4，说明书摘要，摘要附图，说明书第1-57段，于2017年04月07日提交的权利要求第1-12项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种ITO薄膜的制备方法，所述ITO薄膜包括ITO界面层和ITO电流扩散层，其特征在于，至少包括以下步骤：
步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以采用磁控溅射的方式在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的所述ITO界面层；
步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积渐变结构的所述ITO电流扩散层。
2. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中沉积渐变结构的所述ITO电流扩散层采用磁控溅射、蒸镀或者化学气相沉积的方式沉积。
3. 根据权利要求2所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用磁控溅射方式沉积所述ITO界面层，所述磁控溅射的靶材中In2O3:SnO2＝90％:10％，溅射功率为130W，沉积温度250℃，氧气的气流量为2sccm。
4. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO界面层的预设厚度的范围在1～5nm。
5. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO界面层的功函数为5.2eV。
6. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用磁控溅射方式沉积渐变结构的所述ITO电流扩散层，所述磁控溅射的靶材中In2O3:SnO2＝90％:10％，溅射功率为260W，沉积温度250℃。
7. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于， 在所述步骤S2中，逐渐降低氧气的气流量包括线性降低或者阶梯降低。
8. 根据权利要求7所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述线性降低包括：在500s的时间内，氧气的气流量从2sccm降低至0sccm，所述线性降低的氧气气流量降低速率为0.004sccm/s。
9. 根据权利要求7所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述阶梯降低包括：将氧气的气流量从2sccm降低为1.5sccm，在氧气的气流量为1.5sccm的条件下沉积时间为150s；将氧气的气流量从1.5sccm降低为1sccm，在氧气的气流量为1sccm的条件下沉积时间为150s；将氧气的气流量从1sccm降低为0.5sccm，在氧气的气流量为0.5sccm的条件下沉积时间为150s；将氧气的气流量从0.5sccm降低为0sccm，在氧气的气流量为0sccm的条件下沉积时间为50s。
10. 一种LED芯片的制备方法，所述LED芯片具有ITO薄膜，其特征在于，所述LED芯片的制备方法包括权利要求1-9任意一项所述的ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S10，提供外延片；
步骤S20，对外延片依次进行Mesa光刻和刻蚀处理，以暴露外延片的N-GaN层；
步骤S30，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以采用磁控溅射的方式在外延片的P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的ITO界面层；
步骤S40，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积渐变结构的ITO电流扩散层；
步骤S50，蒸镀P电极和N电极，形成LED COW结构。
11. 一种ITO薄膜，所述ITO薄膜采用权利要求1-9任意一项所述的ITO薄膜的制备方法制成，所述ITO薄膜包括ITO界面层和 ITO电流扩散层，其特征在于，所述ITO界面层为高功函数的界面层，所述ITO电流扩散层为渐变结构的扩展层。
12. 一种LED芯片，所述LED芯片采用权利要求10所述的LED芯片的制备方法制成，其特征在于，所述LED芯片包括
外延片；
沉积在所述外延片的P-GaN层上的具有高功函数的ITO界面层；
沉积在所述ITO界面层上渐变结构的ITO电流扩散层；
蒸镀在渐变结构的所述ITO电流扩散层上的P电极；
蒸镀在暴露的所述外延片的N-GaN层上的N电极。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年07月06日向国家知识产权局提出了复审请求，并未修改申请文件。复审请求人认为：“不进行退火工艺”是权利要求1中隐含的内容，无需将其补入；对比文件2中公开的是在N-GaN上形成高电阻的ITO层，而本申请中是在P-GaN层上形成高电阻ITO层，且对比文件2中高电阻ITO层的作用是为了膜层分层而阻止阴极驱动电压升高，本申请中的高电阻ITO层的作用是降低ITO层与P-GaN的接触电阻；对比文件3中对高功函数ITO层进行退火，增加工艺流程延长工艺时间，降低工艺效率，成分不同的ITO界面层与ITO电流扩散层会引入新的界面电阻，不利于降低驱动电压。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：根据专利法第59条的规定，确定发明或实用新型的保护范围的标准是以其权利要求记载的内容为准，而并非是以说明书记载的内容为准，说明书中记载的内容不能作为确定权利要求保护范围的依据，具体到本申请中，权利要求1中并未记载形成ITO界面层之后是否进行退火工艺，而对ITO层进行退火又是本领域的常规技术手段，因此，在权利要求1中未明示的情况下，本领域技术人员无法准确的确定其必定不经过退火工艺。（2）对比文件3中明确公开了在P-GaN上形成高功函数ITO层/ITO电流扩散层两层结构，而根据本领域普通技术知识可知P-GaN的空穴激活率较低，也就是说其电阻一般较高，因此，对比文件3中高功函数ITO层的作用与本申请中的高电阻的ITO界面层的作用一致，均是为了降低ITO界面层与高电阻的P-GaN之间的接触电阻，另外，对比文件2中则明确公开了形成ITO薄膜的过程中，高氧气流量可以形成高电阻的ITO薄膜，逐渐降低ITO成膜过程的氧气流量，使得上层的ITO层具有更小的电阻，降低欧姆接触电阻，对比文件2也明确给出了采用高氧气流量形成电阻的ITO薄膜，以及逐渐降低氧气流量的方式形成低电阻ITO薄膜的启示，在该启示下，本领域技术人员无需通过创造性劳动即可想到将其应用于对比文件3中。再者，即使复审请求人将“不经过退火”加入权利要求书中，权利要求1-12依然不具备创造性。理由如下：根据本领域普通技术知识可知，ITO层退火过程中，氧会脱附形成氧空位，而对比文件2中则教导氧空位浓度的增加会降低ITO层的电阻，因此，对比文件3中在形成P-GaN层上形成的ITO层需要在氧气气氛下进行退火，也就是为了防止氧空位浓度的增加，ITO层电阻的降低。另外，对ITO层进行退火或者不退火均是本领域的一种常规选择，为了防止在P-GaN层上形成的ITO层在退火过程中氧空位浓度增加而选择对其进行不退火处理也仅是本领域的惯用技术手段，其所取得的得到电阻较高的ITO层的技术效果也是本领域技术人员可以预期的。（3）根据本领域普通技术知识，成分相同的ITO层，其功函数是相同的，成分不同的ITO层，其功函数一般也不同，本申请中ITO界面层与ITO电流扩散层的功函数互不相同，上述两者之间也会形成界面电阻，这一点与对比文件3中公开的功函数不同的ITO层并无二致。综上，复审请求人的意见陈述不具备说服力，不能被接受，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月29日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-12不符合专利法第22条第3款的规定。复审通知书的具体理由是：权利要求1与对比文件3的区别技术特征在于：高氧气流量形成高功函数的界面层，然后逐渐降低氧气流量形成渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。部分上述区别技术特征被对比文件2公开了，其余部分属于本领域的公知常识，因而在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-6的附加技术特征部分被对比文件3公开了，其余属于本领域的公知常识，从属权利要求7的附加技术特征部分被对比文件2公开了，其余属于本领域的公知常识，从属权利要求8-9的附加技术特征属于本领域技术人员可以根据实际情况合理选择的，因而也都不具备创造性。权利要求10相对于对比文件3的区别技术特征在于：高氧气流量形成高功函数的界面层，然后逐渐降低氧气流量形成渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。部分上述区别技术特征被对比文件2公开了，其余部分属于本领域的公知常识，因而在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求10所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求10不具备创造性。权利要求1-9所要求保护的制备方法已不具备创造性，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求11所要求保护的由该制备方法制备的产品对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对比文件3中公开了LED芯片包括，外延片，沉积在所述外延片的P-GaN层上的具有高功函数的ITO界面层，沉积在所述ITO界面层上的ITO电流扩散层，蒸镀在所述ITO电流扩散层上的P电极，蒸镀在暴露的所述外延片的N-GaN层上的N电极。由此可见，在其引用的权利要求10不具备创造性的前提下，权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件2中明确公开了在形成ITO薄膜的过程中，高氧气流量可以形成高电阻（由于氧含量较高，因而形成的ITO层的氧缺陷较少，从而ITO层的电阻率和功函数都较高）的ITO薄膜（相当于ITO界面层），逐渐降低ITO成膜过程的氧气流量，使得上层的ITO层具有更小的电阻，降低欧姆接触电阻，由此可见，对比文件2公开了通过溅射方式形成ITO高功函数界面层和然后降低氧流量形成电流扩散层的技术方案，由此能够减少工艺流程，提高工艺质量，且并没有引入新的界面电阻，因而对比文件2给出了将其上述技术特征用于对比文件3的技术启示，且其也无需通过退火工艺。因而，合议组认为复审请求人的意见陈述没有说服力，不予接受。
复审请求人于2019年05月07日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-12项，其中具体限定了电流扩展层具有“电阻渐变结构”。复审请求人认为：权利要求1与对比文件3的区别技术特征在于“步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以采用磁控溅射的方式在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的所述ITO界面层； 步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积具有电阻渐变结构的所述ITO电流扩散层。”借助步骤S1可以降低ITO薄膜与GaN层之间的界面势垒，借助步骤S2,可以避免ITO薄膜引入新的界面电阻，由此能够降低LED的驱动电压。对比文件3并未公开上述区别技术特征，对比文件2也未公开上述区别技术特征，对比文件2仅公开了电阻率逐渐减小的叠层电极，并未公开在叠层电极之前是否具有高功函数层，因而对比文件2未公开上述区别技术特征也未给出技术启示。对比文件3仅关注了功函数，并未设置具有电阻渐变结构的电流扩展层，而对比文件2仅设置了具有电阻渐变结构的叠层电极，并未设置功函数层，本申请同时考虑了功函数和电阻率。本领域技术人员在将对比文件3和对比文件2结合时无法得知高功函数层与电阻率逐渐减小的叠层电极的制造顺序，因而对比文件3与对比文件2无法结合。因而权利要求1-12具备创造性。答复复审通知书时提交的权利要求书如下：
“1. 一种ITO薄膜的制备方法，所述ITO薄膜包括ITO界面层和ITO电流扩散层，其特征在于，至少包括以下步骤：
步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以采用磁控溅射的方式在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的所述ITO界面层；
步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积具有电阻渐变结构的所述ITO电流扩散层。
2. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中沉积渐变结构的所述ITO电流扩散层采用磁控溅射、蒸镀或者化学气相沉积的方式沉积。
3. 根据权利要求2所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用磁控溅射方式沉积所述ITO界面层，所述磁控溅射的靶材中In2O3:SnO2＝90％:10％，溅射功率为130W，沉积温度250℃，氧气的气流量为2sccm。
4. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO界面层的预设厚度的范围在1～5nm。
5. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO界面层的功函数为5.2eV。
6. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用磁控溅射方式沉积渐变结构的所述ITO电流扩散层，所述磁控溅射的靶材中In2O3:SnO2＝90％:10％，溅射功率为260W，沉积温度250℃。
7. 根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于， 在所述步骤S2中，逐渐降低氧气的气流量包括线性降低或者阶梯降低。
8. 根据权利要求7所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述线性降低包括：在500s的时间内，氧气的气流量从2sccm降低至0sccm，所述线性降低的氧气气流量降低速率为0.004sccm/s。
9. 根据权利要求7所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述阶梯降低包括：将氧气的气流量从2sccm降低为1.5sccm，在氧气的气流量为1.5sccm的条件下沉积时间为150s；将氧气的气流量从1.5sccm降低为1sccm，在氧气的气流量为1sccm的条件下沉积时间为150s；将氧气的气流量从1sccm降低为0.5sccm，在氧气的气流量为0.5sccm的条件下沉积时间为150s；将氧气的气流量从0.5sccm降低为0sccm，在氧气的气流量为0sccm的条件下沉积时间为50s。
10. 一种LED芯片的制备方法，所述LED芯片具有ITO薄膜，其特征在于，所述LED芯片的制备方法包括权利要求1-9任意一项所述的ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S10，提供外延片；
步骤S20，对外延片依次进行Mesa光刻和刻蚀处理，以暴露外延片的N-GaN层；
步骤S30，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以采用磁控溅射的方式在外延片的P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的ITO界面层；
步骤S40，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积具有电阻渐变结构的ITO电流扩散层；
步骤S50，蒸镀P电极和N电极，形成LED COW结构。
11. 一种ITO薄膜，所述ITO薄膜采用权利要求1-9任意一项所述的ITO薄膜的制备方法制成，所述ITO薄膜包括ITO界面层和 ITO电流扩散层，其特征在于，所述ITO界面层为高功函数的界面层，所述ITO电流扩散层为具有电阻渐变结构的扩展层。
12. 一种LED芯片，所述LED芯片采用权利要求10所述的LED芯片的制备方法制成，其特征在于，所述LED芯片包括
外延片；
沉积在所述外延片的P-GaN层上的具有高功函数的ITO界面层；
沉积在所述ITO界面层上具有电阻渐变结构的ITO电流扩散层；
蒸镀在具有电阻渐变结构的所述ITO电流扩散层上的P电极；
蒸镀在暴露的所述外延片的N-GaN层上的N电极。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年05月07日答复复审通知书时提交了权利要求书的修改替换页，包括权利要求第1-12项。经审查，所作修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因而，本复审请求审查决定针对的文本为：于申请日2013年12月19日提交的说明书附图图1-4，说明书摘要，摘要附图，说明书第1-57段，于2019年05月07日提交的权利要求第1-12项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，且该区别技术特征一部分被其它对比文件公开，其余部分属于本领域的公知常识，在作为最接近的现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件和本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该项权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件和驳回决定以及复审通知书所引用的对比文件相同，即：
对比文件2：CN102804922 A，公开日为2012年11月28日；
对比文件3：CN102832299 A，公开日为2012年12月19日；
其中对比文件3为最接近的现有技术。
2.1. 权利要求1不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1所请求保护的是一种ITO薄膜的制备方法，对比文件3中公开了一种ITO薄膜的制备方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0024-0040段、说明书附图1），至少包括以下步骤：向反应腔室内输送氧气，以采用溅射的方式在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的ITO界面层（接触层），以在ITO界面层上形成ITO电流扩散层。由此可见，权利要求1相对于对比文件3而言，其区别技术特征为：高氧气流量形成高功函数的界面层，然后逐渐降低氧气流量形成具有电阻渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。
基于上述区别技术特征，该权利要求所实际要解决的技术问题是：如何选择形成高功函数的界面层和低电阻的电流扩散层。
关于上述区别技术特征，对比文件2公开了一种ITO薄膜的制备方法，并具体公开了在形成ITO薄膜的过程中，首先高氧气流量可以形成高电阻的ITO薄膜，然后逐渐降低ITO成膜过程的氧气流量，使得上层的ITO层具有更小的电阻，降低欧姆接触电阻（参见说明书0043段、第0049-50段、说明书附图5）。在对比文件2中，在高氧流量中形成氧缺陷较少的ITO层，其中的高电阻率ITO层也具有高功函数，并形成了高电阻率的ITO界面层。由此可见，对比文件2公开了采用高氧气流量形成高电阻率ITO薄膜（也具有高功函数），然后逐渐降低氧气流量的方式形成低电阻ITO薄膜的技术方案，且其也是用于通过溅射方式形成，无需通过退火工艺对ITO薄膜进行退火；而磁控溅射工艺为本领域常用的层沉积技术，属于本领域公知常识，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，因而权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2. 权利要求2不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2是权利要求1的从属权利要求，对比文件3中公开了ITO电流扩散层采用溅射、蒸镀的方式形成，而采用化学气相沉积沉积的方式形成ITO电流扩散层则是本领域惯用技术手段，因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3. 权利要求3-6不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求3-6是权利要求1的从属权利要求，对比文件3中公开了ITO界面层厚度为5nm，而上述权利要求限定的磁控溅射ITO的其他反应参数，如靶材中各成分的比例，功函数数值均是本领域惯用技术手段，因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3-6要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4. 权利要求7不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求7是权利要求1的从属权利要求，对比文件2中公开了逐渐降低氧气的气流量包括线性降低（参见说明书0043段、第0049-50段、说明书附图5），而采用阶梯降低方式降低仅是本领域惯用技术手段。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求7要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5. 权利要求8-9不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求8-9是权利要求7的从属权利要求，本领域技术人员可以根据实际情况合理选择逐渐降低氧气流量的速率、降低方式，其所取得的技术效果也是本领域技术人员可以预期的，因此，当其引用的权利要求7不具备创造性时，权利要求8-9要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6. 权利要求10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求10请求保护一种LED的制备方法，对比文件3公开了一种LED的制备方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0024-0040段、说明书附图1），所述LED芯片具有ITO薄膜，包括以下步骤：提供外延片，对外延片依次进行Mesa光刻和刻蚀处理，以暴露外延片的N-GaN层，向反应腔室内输送氧气，以采用溅射的方式在外延片的P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的ITO界面层（接触层），在ITO界面层上沉积ITO电流扩散层，蒸镀P电极和N电极，形成LED COW结构。
由此可见，权利要求10相对于对比文件3的区别技术特征在于：高氧气流量形成高功函数的界面层，然后逐渐降低氧气流量形成具有电阻渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。基于该区别特征，上述权利要求所要求保护的技术方案实际要解决的技术问题为：如何选择形成高功函数的界面层和低电阻的电流扩散层。
关于上述区别技术特征，对比文件2公开了一种ITO薄膜的制备方法，并具体公开了在形成ITO薄膜的过程中，高氧气流量可以形成高电阻的ITO薄膜，逐渐降低ITO成膜过程的氧气流量，使得上层的ITO层具有更小的电阻，降低欧姆接触电阻（参见说明书0043段、第0049-50段、说明书附图5）。在对比文件2中，在高氧流量中形成氧缺陷较少的ITO层，其中的高电阻率ITO层也具有高功函数，并形成了高电阻率的ITO界面层。由此可见，对比文件2公开了采用高氧气流量形成高电阻率ITO薄膜（也具有高功函数），然后逐渐降低氧气流量的方式形成低电阻ITO薄膜的技术方案，且其也是用于通过溅射方式形成，无需通过退火工艺对ITO薄膜进行退火；而磁控溅射工艺为本领域常用的层沉积技术，属于本领域公知常识，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求10所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，因而权利要求10要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7. 权利要求11不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求11请求保护一种采用权利要求1-9任意一项所述的ITO薄膜的制备方法制成的ITO薄膜，对比文件3中公开了一种ITO薄膜（参见说明书第0024-0040段、说明书附图1），且公开了所述ITO薄膜包括ITO界面层和ITO电流扩散层，所述ITO界面层为高功函数的界面层，所述ITO电流扩散层为低氧组分的扩展层，而对比文件2中公开了电阻渐变结构的ITO电流扩散层（参见说明书0043段、第0049-50段、说明书附图5）。因此，在其所采用的权利要求1-9所述方法相对于对比文件3与对比文件2及公知常识的结合不具备创造性的情况下，在对比文件3的基础上结合对比文件2及本领域公知常识得到权利要求11所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求11要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8. 权利要求12不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求12请求保护一种LED芯片，对比文件3中公开了一种LED芯片，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0024-0040段、说明书附图1），所述LED芯片包括，外延片，沉积在所述外延片的P-GaN层上的具有高功函数的ITO界面层，沉积在所述ITO界面层上的ITO电流扩散层，蒸镀在所述ITO电流扩散层上的P电极，蒸镀在暴露的所述外延片的N-GaN层上的N电极。由此可见，在其引用的权利要求10不具备创造性的前提下，权利要求12要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在答复复审通知书时认为：权利要求1与对比文件3的区别技术特征在于“步骤S1，向反应腔室内输送高气流量的氧气，以采用磁控溅射的方式在P-GaN层上预先沉积预设厚度的具有高功函数的所述ITO界面层； 步骤S2，逐渐降低向反应腔室内输送的氧气的气流量，以在ITO界面层上沉积具有电阻渐变结构的所述ITO电流扩散层。”借助步骤S1可以降低ITO薄膜与GaN层之间的界面势垒，借助步骤S2，可以避免ITO薄膜引入新的界面电阻，由此能够降低LED的驱动电压。对比文件3并未公开上述区别技术特征，对比文件2也未公开上述区别技术特征，对比文件2仅公开了电阻率逐渐减小的叠层电极，并未公开在叠层电极之前是否具有高功函数层，因而对比文件2未公开上述区别技术特征也未给出技术启示。对比文件3仅关注了功函数，并未设置具有电阻渐变结构的电流扩展层，而对比文件2仅设置了具有电阻渐变结构的叠层电极，并未设置功函数层，本申请同时考虑了功函数和电阻率。本领域技术人员在将对比文件3和对比文件2结合时无法得知高功函数层与电阻率逐渐减小的叠层电极的制造顺序，因而对比文件3与对比文件2无法结合。因而权利要求1-12具备创造性。
对此，合议组认为：对比文件3公开了首先形成具有高功函数的ITO界面层，然后形成ITO电流扩散层的技术方案；权利要求1相对于对比文件3的区别技术特征为：高氧气流量形成高功函数的界面层，然后逐渐降低氧气流量形成具有电阻渐变结构的电流扩散层；选择磁控溅射作为溅射方式。而对比文件2公开了在形成ITO薄膜的过程中，首先高氧气流量可以形成高电阻的ITO薄膜，然后逐渐降低ITO成膜过程的氧气流量，使得上层的ITO层具有更小的电阻，即形成了电阻渐变的ITO薄膜，由此能够降低欧姆接触电阻。由于ITO界面层和ITO电流扩散层采用的材料基本相同，其区别在于层中的氧浓度不同，本领域技术人员在对比文件2公开的技术方案的基础上，容易想到在形成ITO界面层和ITO电流扩散层时，可以根据工艺需要在通过高氧气流量形成界面层后通过渐变的调整氧浓度来形成渐变的电流扩散层，从而使得界面层与电流扩散层具有渐变的界面电阻，这不需要付出创造性的劳动就可以得到，且也没有取得预料不到的技术效果。因而，复审请求人的意见陈述并不具备说服力。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年04月08日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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