发明创造名称：半导体器件
外观设计名称：
决定号：188460
决定日：2019-08-29
委内编号：1F278796
优先权日：2013-09-03
申请（专利）号：201410441444.9
申请日：2014-09-01
复审请求人：瑞萨电子株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：朱科
合议组组长：赵致民
参审员：裴亚芳
国际分类号：H01L23/488，H01L23/31
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点：如果修改超范围的技术方案已删除，则该修改超范围的缺陷得到克服；如果修改后的技术方案可以由原说明书和权利要求书的记载直接地、毫无疑义地确定，则该修改符合专利法第33条的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410441444.9，名称为“半导体器件”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为瑞萨电子株式会社，申请日为2014年09月01日，优先权日为2013年09月03日，公开日为2015年03月18日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月29日发出驳回决定，以权利要求9和10的修改不符合专利法第33条的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年10月29日提交的权利要求第1-15项，申请日2014年09月01日提交的说明书第1-10页、说明书附图第1-9页、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求8-15的内容如下：
“8. 一种半导体器件，包括：
衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
基本上矩形的半导体芯片，具有第一主表面、与所述第一主表面相对的第二主表面和在所述第一主表面上的边，并且所述半导体芯片被安装在所述衬底上使得所述第二主表面分别面朝所述衬底的所述第一表面；
多个电极焊盘，形成在所述半导体芯片的所述第一主表面上并且在沿着所述第一主表面上的所述边的第一方向上布置；
绝缘膜，形成在所述半导体芯片的所述第一主表面之上并且具有分别定位在所述电极焊盘之上的开口；
所述多个电极焊盘包括与所述半导体芯片的所述边的一端最接近的第一电极焊盘；
所述开口包括形成在所述第一电极焊盘上的第一开口；
所述第一电极焊盘具有在基本上正交于所述第一方向的第二方向上延伸的第一边和与所述第一电极焊盘的所述第一边相对的第二边；以及
所述第一开口具有在所述第二方向上延伸的第一边和与所述第一开口的所述第一边相对的第二边，
其中所述第一电极焊盘的所述第一边被布置为在平面图中比所述第一电极焊盘的所述第二边更接近所述半导体芯片的所述边的一端，
其中所述第一开口的所述第一边被布置为在平面图中比所述第一开口的所述第二边更接近所述半导体芯片的所述边的一端，以及
其中在所述第一方向上从所述第一电极焊盘的所述第一边到所述第一开口的所述第一边的长度大于从所述第一电极焊盘的所述第二边到所述第一开口的所述第二边的长度。
9. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中所述多个电极焊盘包括布置在所述第一电极焊盘和最接近于所述半导体芯片的所述边的另一端的第三电极焊盘之间的第二电极焊盘，
其中所述第二电极焊盘具有在所述第二方向上延伸的第一边和与所述第二电极焊盘的所述第一边相对的第二边，
其中所述开口包括形成在所述第二电极焊盘上的第二开口，并且所述第二开口具有在所述第二方向上延伸的第一边和与所述第二开口的所述第一边相对的第二边，
其中所述第二电极焊盘的所述第一边被布置为在平面图中比所述第二电极焊盘的所述第二边更接近所述半导体芯片的所述边的一端，
其中所述第二开口的所述第一边被布置为在平面图中比所述第二开口的所述第二边更接近所述半导体芯片的所述边的一端，以及
其中在所述第一方向上从所述第一电极的所述第一边到所述第一开口的所述第一边的长度不小于从所述第二电极焊盘的所述第一边到所述第二开口的所述第一边的长度。
10. 根据权利要求9所述的半导体器件，
其中在所述第一方向上从所述第一开口的所述第一边至所述第一电极焊盘的第一边的长度在不小于5μm并且不大于20μm的范围内，从所述第二开口的第一边至所述第二电极焊盘的第一边的长度在不小于1μm并且不大于5μm的范围内，并且在所述第一方向上从所述第一开口的第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm并且不大于5μm的范围内，并且所述第二开口的第二边至所述第二电极焊盘的第二边的长度在不小于1μm并且不大于5μm的范围内。
11. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中所述第一电极焊盘在从所述半导体芯片的所述第一主表面到所述半导体芯片的所述第二主表面的方向上具有1.2μm或更多的厚度。
12. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中在从所述半导体芯片的所述第一主表面到所述半导体芯片的所述第二主表面的方向上所述绝缘膜的厚度大于所述电极焊盘的厚度。
13. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中所述第一电极焊盘具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边；
其中所述第一开口具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边，
其中所述第一开口的所述第三边被布置为比所述第一开口的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边，以及
其中在所述第二方向上从所述第一电极焊盘的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第一电极焊盘的所述第四边到所述第一开口的第四边的长度；
其中所述第一电极焊盘的所述第三便被布置为比所述第一电极焊盘的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边。
14. 根据权利要求13所述的半导体器件，
其中所述第二电极焊盘具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的所述第四边，
其中所述第二开口具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边，
其中所述第二开口的所述第三边被布置为比所述第二开口的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边，以及
其中在所述第二方向上从所述第一电极的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第二电极焊盘的所述第四边到所述第二开口的所述第四边的长度；
其中所述第二电极焊盘的所述第三边被布置为比所述第二电极焊盘的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边。
15. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中多个电极沿着所述半导体芯片的所述第一边布置并形成在所述衬底上，
其中所述电极经由接线与所述半导体芯片上的电极焊盘连接，以及
其中封装树脂体封装所述衬底、所述半导体芯片和所述接线。”
驳回决定认为：（1）权利要求9中限定“在所述第一方向上从所述第一电极的所述第一边到所述第一开口的所述第一边的长度不小于从所述第二电极的所述第一边到所述第二开口的所述第一边的长度”，即限定了“α1≥β1”的技术方案，该技术方案超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。（2）权利要求10限定“从所述第二开口的第一边至所述第二电极焊盘的第一边的长度在不小于1μm并且不大于5μm的范围内……并且所述第二开口的第二边至所述第二电极焊盘的第二边的长度在不小于1μm并且不大于5μm的范围内”，即限定了“β1在不小于1μm并且不大于5μm的范围内……并且β2在不小于1μm并且不大于5μm的范围内”，其包含了β1≠β2的技术方案，超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年04月10日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括14项权利要求），其中删除从属权利要求9，将从属权利要求10的附加技术特征修改为“其中从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内，并且从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度与从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度相同”，适应性修改权利要求的序号和引用关系。复审请求人认为：权利要求10的附加技术特征可由说明书第[0033]-[0034]段直接地、毫无疑义地确定，符合专利法第33条的规定。
复审请求时新修改的权利要求9、12-13的内容如下：
“9. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内，并且从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度与从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度相同。”
“12. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中所述第一电极焊盘具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边；
其中所述第一开口具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边，
其中所述第一开口的所述第三边被布置为比所述第一开口的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边，以及
其中在所述第二方向上从所述第一电极焊盘的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第一电极焊盘的所述第四边到所述第一开口的第四边的长度；
其中所述第一电极焊盘的所述第三便被布置为比所述第一电极焊盘的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边。
13. 根据权利要求12所述的半导体器件，
其中所述第二电极焊盘具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的所述第四边，
其中所述第二开口具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边，
其中所述第二开口的所述第三边被布置为比所述第二开口的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边，以及
其中在所述第二方向上从所述第一电极的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第二电极焊盘的所述第四边到所述第二开口的所述第四边的长度；
其中所述第二电极焊盘的所述第三边被布置为比所述第二电极焊盘的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月18日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：（1）权利要求9中未对“第二开口”、“第二开口的所述第二边”、“第二电极焊盘”、“第二电极焊盘的所述第二边”的位置作出具体限定，包含了在任意位置的技术方案，超出了原申请记载的范围；权利要求9包括“从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度与所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度相等”即“β2=α2”的技术方案，然而在其原申请中并没有直接的文字记载，也不能从附图中直接地且毫无疑义地得到。（2）权利要求13未对“第二电极焊盘”、“第二开口”的位置进行限定，包含了在任意位置的技术方案，超出了原申请记载的范围；权利要求13限定“其中在所述第二方向上从所述第一电极焊盘的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第一电极焊盘的所述第四边到所述第一开口的第四边的长度”，即α3＞β4，然而，本申请记载了“α3＞α4”和“α3=β3或α4=β4”，虽然由此可以得到“α3＞β4”，但不满足“α3=β3或α4=β4”而仅包含α3＞β4的技术方案在本申请中没有记载。因此，上述修改超出了原申请记载的范围，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求9和13的修改不符合专利法第33条的规定，具体为：（1）权利要求9限定“从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度与从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度相同”，即β2=α2，该技术方案超出了原说明书和权利要求书记载的范围；权利要求13的附加技术特征中未对“第二电极焊盘”和“第二开口”的位置进行具体限定，而“第二电极焊盘”和“第二开口”在原说明书限定的半导体器件中具有确定的位置，权利要求13的技术方案包含了除了上述特定位置的“第二电极焊盘”和“第二开口”之外的所有情形，超出了原说明书和权利要求书记载的范围。（2）对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：本申请说明书第[0033]-[0034]段仅记载了α1>α2、α3>α4、β1=β2、β3>β4、β3=α3、β4=α4，并未记载β2=α2，本领域技术人员也不能直接地、毫无疑义的确定β2=α2，因而上述修改不符合专利法第33条的规定。
复审请求人于2019年07月23日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括14项权利要求），其中将权利要求9的附加技术特征“从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度与从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度相同”修改为“其中从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内”，在权利要求13中新增附加技术特征“其中在与所述衬底的拐角最接近的所述第一电极焊盘和位于所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置不同于在所述多个电极焊盘中的、与所述半导体芯片的所述边的中心最接近的所述第二电极焊盘和位于所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置”。
复审请求人认为：权利要求9的修改可由本申请说明书附图8及其相关描述直接地、毫无疑义地确定，权利要求13的修改可由说明书第[0031]段直接地、毫无疑义地确定，因而上述修改符合专利法第33条的规定。
复审请求人新修改的权利要求9和13的内容如下：
“9. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内，并且
其中从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内。”
“13. 根据权利要求12所述的半导体器件，
其中所述第二电极焊盘具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的所述第四边，
其中所述第二开口具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边，
其中所述第二开口的所述第三边被布置为比所述第二开口的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边，以及
其中在所述第二方向上从所述第一电极的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第二电极焊盘的所述第四边到所述第二开口的所述第四边的长度；
其中所述第二电极焊盘的所述第三边被布置为比所述第二电极焊盘的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边；
其中在与所述衬底的拐角最接近的所述第一电极焊盘和位于所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置不同于在所述多个电极焊盘中的、与所述半导体芯片的所述边的中心最接近的所述第二电极焊盘和位于所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置。”
复审请求人于2019年08月09日再次提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括14项权利要求），其中在权利要求9和13的附加技术特征中新增技术特征“其中所述多个电极焊盘包括与所述半导体芯片的边的中心最接近的第二电极焊盘；其中所述开口包括在所述第二电极焊盘上形成的第二开口”和“其中在所述多个电极焊盘中最接近所述衬底的角部的第一电极焊盘与所述开口中定位在所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置，不同于在所述多个电极焊盘中最接近所述半导体芯片的边的所述中心的所述第二电极焊盘与所述开口中定位在所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置”，删除权利要求13的部分附加技术特征“其中在与所述衬底的拐角最接近的所述第一电极焊盘和位于所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置不同于在所述多个电极焊盘中的、与所述半导体芯片的所述边的中心最接近的所述第二电极焊盘和位于所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置”。
复审请求人新修改的权利要求9和13的内容如下：
“9. 根据权利要求8所述的半导体器件，
其中所述多个电极焊盘包括与所述半导体芯片的边的中心最接近的第二电极焊盘；
其中所述开口包括在所述第二电极焊盘上形成的第二开口；
其中从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内，
其中从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内；并且
其中在所述多个电极焊盘中最接近所述衬底的角部的第一电极焊盘与所述开口中定位在所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置，不同于在所述多个电极焊盘中最接近所述半导体芯片的边的所述中心的所述第二电极焊盘与所述开口中定位在所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置。”
“13. 根据权利要求12所述的半导体器件，
其中所述多个电极焊盘包括与所述半导体芯片的边的中心最接近的第二电极焊盘；
其中所述开口包括在所述第二电极焊盘上形成的第二开口；
其中所述第二电极焊盘具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的所述第四边，
其中所述第二开口具有在所述第一方向上延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边，
其中所述第二开口的所述第三边被布置为比所述第二开口的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边，以及
其中在所述第二方向上从所述第一电极的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第二电极焊盘的所述第四边到所述第二开口的所述第四边的长度；
其中所述第二电极焊盘的所述第三边被布置为比所述第二电极焊盘的所述第四边更接近所述半导体芯片的所述边；
其中在所述多个电极焊盘中最接近所述衬底的角部的第一电极焊盘与所述开口中定位在所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置，不同于在所述多个电极焊盘中最接近所述半导体芯片的边的所述中心的所述第二电极焊盘与所述开口中定位在所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年08月09日提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括14项权利要求。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于2019年08月09日提交的权利要求第1-14项，申请日2014年09月01日提交的说明书第1-10页、说明书附图第1-9页、说明书摘要和摘要附图。
关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
如果修改超范围的技术方案已删除，则该修改超范围的缺陷得到克服；如果修改后的技术方案可以由原说明书和权利要求书的记载直接地、毫无疑义地确定，则该修改符合专利法第33条的规定。
驳回决定中指出权利要求9的修改不符合专利法第33条的规定，由于权利要求9的技术方案已删除，因而该缺陷已克服。
驳回决定中指出权利要求10（对应于目前的权利要求9）的修改不符合专利法第33条的规定，复审通知书和前置审查意见中指出权利要求9的修改不符合专利法第33条的规定。目前的权利要求9的附加技术特征限定“其中从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内，并且其中从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内”，原说明书第[0033]段记载了“从第一电极焊盘PD1的另一长边(或者在图的下侧的长边)到第一开口OP1的另一边缘的距离α2……而距离α2是在例如既不小于1μm也不大于5μm的范围中”，结合附图4A可知，权利要求9中的从所述第一开口的所述第二边至所述第一电极焊盘的所述第二边的长度即为α2，其值在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内；原说明书第[0034]段记载了“第二电极焊盘PD2的中心在沿着第一边SID1的方向(在图的方向Y)上，基本上叠置的第二开口OP2的中心之上。详细地说，从第二电极焊盘PD2的两个长边到第一开口OP1的边缘的相应距离β1和β2彼此相等。距离β1是在例如既不小于1μm 也不大于5μm的范围中”，结合附图4B可知，β1和β2是指从第二电极焊盘PD2的两个长边到第二开口OP2的边缘的相应距离，权利要求9中限定的从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度即为β2，而β2与β1相等，β1在既不小于1μm 也不大于5μm的范围中，由此可以确定从所述第二开口的所述第二边至所述第二电极焊盘的所述第二边的长度即β2在不小于1μm、并且不大于5μm的范围内；对于权利要求9中新增的技术特征“其中所述多个电极焊盘包括与所述半导体芯片的边的中心最接近的第二电极焊盘；其中所述开口包括在所述第二电极焊盘上形成的第二开口”和“其中在所述多个电极焊盘中最接近所述衬底的角部的第一电极焊盘与所述开口中定位在所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置，不同于在所述多个电极焊盘中最接近所述半导体芯片的边的所述中心的所述第二电极焊盘与所述开口中定位在所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置”，原说明书第[0031]段记载了“在电极焊盘PD中最接近衬底SUB角部的电极焊盘PD(以下称为“第一电极焊盘PD1”)与定位在该电极焊盘之上的开口OP(以下称为“第一开口OP1”)之间的相对位置，不同于在电极焊盘PD中最接近衬底各边中心的电极焊盘PD(以下称为“第二电极焊盘PD2”)与定位在该电极焊盘之上的开口OP(以下称为“第二开口OP2”)之间的相对位置”，结合附图2可知，半导体芯片SC设置于衬底SUB上，最接近衬底的边的中心即为最接近半导体芯片的边的中心，据此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定上述新增的技术特征。由此可见，权利要求9的技术方案可以由原说明书和权利要求书的记载直接地、毫无疑义地确定，因而权利要求9的修改符合专利法第33条的规定。
复审通知书和前置审查意见中指出权利要求13的修改不符合专利法第33条的规定，目前的权利要求13的附加技术特征中限定“其中所述多个电极焊盘包括与所述半导体芯片的边的中心最接近的第二电极焊盘；其中所述开口包括在所述第二电极焊盘上形成的第二开口”和“其中在所述多个电极焊盘中最接近所述衬底的角部的第一电极焊盘与所述开口中定位在所述第一电极焊盘之上的所述第一开口之间的相对位置，不同于在所述多个电极焊盘中最接近所述半导体芯片的边的所述中心的所述第二电极焊盘与所述开口中定位在所述第二电极焊盘之上的所述第二开口之间的相对位置”，原说明书第[0031]段记载了“在电极焊盘PD中最接近衬底SUB角部的电极焊盘PD(以下称为“第一电极焊盘PD1”)与定位在该电极焊盘之上的开口OP(以下称为“第一开口OP1”)之间的相对位置，不同于在电极焊盘PD中最接近衬底各边中心的电极焊盘PD(以下称为“第二电极焊盘PD2”)与定位在该电极焊盘之上的开口OP(以下称为“第二开口OP2”)之间的相对位置”，结合附图2可知，半导体芯片SC设置于衬底SUB上，最接近衬底的边的中心即为最接近半导体芯片的边的中心，据此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定上述技术特征；对于权利要求13的附加技术特征“其中在所述第二方向上从所述第一电极的所述第三边到所述第一开口的所述第三边的长度大于从所述第二电极焊盘的所述第四边到所述第二开口的所述第四边的长度”，即α3＞β4，原说明书第[0033]段记载了“从第一电极焊盘PD1的短边中的更接近第一边SID1的一个短边到开口OP1的另一边缘的距离α3，大于从第一电极焊盘PD1的另一短边到第一开口OP1的另一边缘的距离α4”，即α3＞α4，原说明书第[0034]段还记载了“从第二电极焊盘PD2的短边中的更接近第二边SID2的一个短边到第二开口OP2的边缘的距离β3，大于从第二电极焊盘PD2的另一短边到第二开口OP2的另一边缘的距离β4。距离β3和距离β4分别基本上等于距离α3和距离α4。”，即α4=β4，因而可以确定α3＞β4。权利要求13的技术方案可以由原说明书和权利要求书的记载直接地、毫无疑义地确定，因而权利要求13的修改符合专利法第33条的规定。
由此可见，驳回决定、前置审查意见和复审通知书中所指出的修改超范围的缺陷已克服。至于本申请是否存在不符合专利法及其实施细则规定的其它缺陷，由实质审查部门继续审查。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年12月29日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门在本复审请求审查决定所针对的审查文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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