发明创造名称：一种厚胶光刻工艺
外观设计名称：
决定号：188569
决定日：2019-08-28
委内编号：1F248547
优先权日：2015-08-24
申请（专利）号：201610432046.X
申请日：2016-06-17
复审请求人：北京中科紫鑫科技有限责任公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：段瑞玲
合议组组长：陈雯菁
参审员：姚文杰
国际分类号：G03F7/16,G03F7/20
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征是本领域技术人员在最接近的现有技术的基础上容易想到的技术手段，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610432046.X，名称为“一种厚胶光刻工艺”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为北京中科紫鑫科技有限责任公司。本申请的申请日为2016年06月17日，优先权日为2015年08月24日，公开日为2016年08月17日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年01月11日以权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定引用如下对比文件：
对比文件1：CN105204290A，公开日为2015年12月30日。
驳回决定所依据的审查文本为：申请日2016年06月17日提交的说明书摘要，2016年07月08日提交的说明书第1-6页，以及2017年11月27日提交的权利要求第1项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种厚胶光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）匀胶；
①将SU8滴加到基板中心；
②将基板以加速度500rpm/min2从静止加速到700rpm/min，持续30s；
③以加速度4000rpm/min2加速到1900rpm/min，持续15s；
④以加速度1200rpm/min2加速到2100rpm/min，持续40s；
⑤以加速度1000rpm/min2加速到2300rpm/min，持续40s；
⑥以加速度-300rpm/min2降速到1000rpm/min，持续15s；
⑦逐步降速，终止甩胶；
（2）前烘：将悬涂有SU8薄膜的基板放置在热板上前烘，环境温度为80℃，时长为60min；
（3）曝光：采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为12min；
（4）后烘：将曝光后的SU8和基板放置在热板上后烘，环境温度为90℃，时长为20min；
（5）降温：放入洁净环境中降至室温；
（6）显影：使用CD-26显影14min。”
驳回决定具体指出：权利要求1要求保护一种厚胶光刻工艺，权利要求1相对于对比文件1而言，其区别技术特征在于：（1）匀胶步骤中某些参数有差别，具体为：权利要求1中步骤②中从静止加速到700rpm/min，而对比文件1中从静止加速到600rpm/min；权利要求1中步骤③中加速到1900rpm/min，而对比文件1中加速到1800rpm/min；权利要求1中步骤④以加速度1200rpm/min2加速到2100rpm/min，而对比文件1中以加速度1000-3000rpm/min2加速到2000rpm/min；权利要求1中步骤⑤加速到2300rpm/min，而对比文件1中加速到2200rpm/min；权利要求1中步骤⑥降速到1000rpm/min，而对比文件1中降速到800rpm/min；（2）前烘、后烘中的部分参数不同，权利要求1中的前烘的环境温度为80℃，时长为60min，而对比文件1中前烘分成：第一阶段为60℃，7-8min，第二阶段为90℃，8-10min；权利要求1中的后烘环境温度为90℃，时长为20min，而对比文件1中后烘分两个阶段：70℃，40-50s，90℃，7-8min；（3）曝光工序具体参数：采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为12min；（4）显影具体条件：使用CD-26显影14min；基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：调节厚胶光刻工艺参数。
对于上述区别特征（1），对比文件1已经公开了匀胶步骤1）-7），并公开了通过加速度和速度的设定来进行匀胶，尽管部分的加速度、速度参数存在差别，但是本领域技术人员在对比文件1的基础上，有动机对加速度、速度等影响匀胶均匀性的参数进行设计和调整，这是本领域技术人员通过常规实验手段和有限的试验即可获得的，并不需要付出创造性的劳动，也没有产生预料不到的技术效果；对于上述区别特征（2），前烘和后烘阶段的温度和时间都是常规的工艺设计参数，该工艺参数可以通过常规的实验手段例如对照实验、正交实验和有限次的试验的基础上加以确定，并且可以在适当的范围内进行调整，此时的技术效果基本相同或相近，因此尽管本申请权利要求1和对比文件1中的上述参数略有区别，但是在对比文件1的基础上结合上述本领域的常规技术手段容易得到权利要求1中的前烘、后烘参数条件，这并不需要付出创造性的劳动，并且也没有产生预料不到的技术效果；对于上述区别特征（3）-（4），对比文件1已经公开了曝光和显影步骤，并且在实施例1-4中都具体公开了采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min；使用CD-26，显影4min，对于显影时间则可以根据需要进行调整，这是本领域的常规技术手段。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人北京中科紫鑫科技有限责任公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年02月27日向国家知识产权局提出了复审请求，将权利要求1由开放式修改为封闭式，也即将“一种厚胶光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤”修改为“一种厚胶光刻工艺，其特征在于，由以下步骤组成”，并陈述了修改后的权利要求1具有创造性的理由。复审请求人认为：第一，本申请解决的技术问题是提供一种厚胶光刻工艺来解决现有厚胶光刻技术容易产生厚度不均、光学性能不均一的问题。而对比文件1发明内容和实施例均没有提及厚度不均匀问题，也没有相关数据。为此，申请人提供了对比文件1实施例1-4的相关实验数据，也即SU8涂层成膜的平均厚度、厚度差和厚度偏差率，并与本申请实施例4给出的实验数据进行了对比，进而得出结论“对同一种光刻胶SU8，光刻工艺不同，得到的光刻胶膜厚度和厚度均匀度有较大差别，而且本申请的厚度偏差率明显小于对比文件1各实施例的厚度偏差率，因此本申请的光刻胶胶膜的厚度均匀性更好”；第二，本申请与对比文件1的区别特征在于：（1）本申请技术方案的6个步骤中，每个步骤的参数与对比文件1都不相同；（2）本申请在基板上涂膜，而对比文件1需要在光纤面板上；（3）本申请的降温环境为放入洁净环境中降至室温，对比文件1需要在氦气柜中降温；（4）本申请到显影步骤结束，对比文件1有甩干步骤。对于区别特征（1），光刻工艺各个步骤的工艺条件的改变影响着光刻胶胶膜的厚度均匀性，光刻工艺各个步骤的工艺条件的改变对光刻胶胶膜的厚度均匀性的影响也并不是本领域普通技术人员可以预料得到的，而且前烘、后烘、曝光和显影的时间和温度对最终的光刻胶有非常大的影响。另外，在一定范围内调整操作参数确实是属于本领域的常规技术手段，但是同时调整匀胶速度，前烘、后烘的温度时间，显影、曝光时间等多个参数，仅仅通过正交实验、对照实验是无法根据光刻工艺的需要确定上述技术参数，各个步骤的工艺参数对于最终实验结果的影响是异常明显的。对于区别特征（2）-（4）：本申请在基板上涂膜极大地简化了涂膜的条件，基板比光纤面板成本低，而且最终的厚度均匀度好；对比文件1也未给出在洁净环境中降温的技术启示；本申请是一个封闭式的工艺步骤，到显影步骤就结束，而对比文件1有甩干步骤，相对对比文件1的步骤得到了简化，每一个步骤的增加都会增加工作量，对比文件1也没有给出可以不需要甩干步骤的技术启示。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种厚胶光刻工艺，其特征在于，由以下步骤组成：
(1)匀胶：
①将SU8滴加到基板中心；
②将基板以加速度500rpm/min2从静止加速到700rpm/min，持续30s；
③以加速度4000rpm/min2加速到1900rpm/min，持续15s；
④以加速度1200rpm/min2加速到2100rpm/min，持续40s；
⑤以加速度1000rpm/min2加速到2300rpm/min，持续40s；
⑥以加速度-300rpm/min2降速到1000rpm/min，持续15s；
⑦逐步降速，终止甩胶；
(2)前烘：将悬涂有SU8薄膜的基板放置在热板上前烘，环境温度为80℃，时长为60min；
(3)曝光：采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为12min；
(4)后烘：将曝光后的SU8和基板放置在热板上后烘，环境温度为90℃，时长为20min；
(5)降温：放入洁净环境中降至室温；
(6)显影：使用CD-26显影14min。”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年04月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月20日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）本申请所要求的优先权不成立，由于在先申请的公开日早于本申请的申请日，故构成本申请的现有技术，用于评述本申请的创造性；（2）权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：（1）在匀胶步骤中，利要求1步骤②从静止加速到700rpm／min，而对比文件1从静止加速到600 rpm／min；权利要求1步骤③加速到1900 rpm／min，而对比文件1加速到1800 rpm／min；权利要求1步骤④以加速度1200 rpm／min2加速到2100rpm／min，而对比文件1以加速度1000-3000 rpm／min2加速到2000rpm／min；权利要求1步骤⑤加速到2300 rpm／min，而对比文件1加速到2200 rpm／min；权利要求1步骤⑥降速到1000 rpm／min，而对比文件1降速到8OO rpm／min；（2）前烘的环境温度为80℃，时长为6Omin；后烘的时长为2Omin；曝光时间为12min；显影14min。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：通过调节厚胶光刻工艺各步骤参数使得匀胶后的膜厚均匀性更好。
对于上述区别技术特征（1），对比文件1已公开了匀胶过程包括步骤1）-7），而且对比文件1公开的步骤2）-6）的各速度与权利要求1中的相应各步骤的速度较接近，步骤4）给出的加速度范围1000-3000 rpm／min2包括了本申请步骤4）的加速度1200 rpm／min2。进一步，对比文件1给出了匀胶方法中通过加速度和速度的设定能够改善SU8薄膜的均匀性的技术启示，在此基础上，本领域技术人员有动机对加速度、速度等影响匀胶均匀性的参数进行优化设计和调整以使得匀胶后的SU8膜厚均一、无胶边。至于调整后的具体数值则是本领域技术人员通过常规实验手段和有限的试验可获得的，无需付出创造性的劳动，也没有产生预料不到的技术效果。对于上述区别技术特征（2），由于前烘、曝光、后烘、显影的步骤已被对比文件1所公开，而且本领域技术人员熟知，前烘的作用主要是去除光刻胶中的溶剂，提高光刻胶的粘附性和均匀性，后烘的目的主要是促进光刻胶的化学反应，提高光刻胶的粘附性。进而，无论前烘和后烘阶段，温度和时间都是常规的工艺设计参数，该工艺参数可以通过常规的实验手段例如对照实验、正交实验和有限次的试验的基础上加以确定，并且可以在适当的范围内进行调整，此时的技术效果基本相同或相近；至于曝光时间和显影时间则也是本领域技术人员根据所需膜厚特性进行具体选择的参数。可见，尽管权利要求1和对比文件1中的上述参数略有区别，但是在对比文件1的基础上结合上述本领域的常规技术手段容易得到权利要求1中的前烘、后烘、曝光、显影等参数条件，并不需要付出创造性的劳动，并且也没有产生预料不到的技术效果。因此，权利要求1的技术方案相对于对比文件1和本领域常规技术手段的结合是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年06月04日提交了意见陈述书，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：
第一，本申请解决的技术问题是提供一种厚胶光刻工艺来解决现有厚胶光刻技术容易产生厚度不均、光学性能不均一的问题，而对比文件1的发明内容和实施例均没有提及厚度不均匀问题，也没有相关数据。为此，申请人提供了对比文件1实施例1-4的相关实验数据，也即SU8涂层成膜的平均厚度、厚度差和厚度偏差率，并与本申请实施例4给出的实验数据进行了对比，进而得出结论“对同一种光刻胶SU8，光刻工艺不同，得到的光刻胶膜厚度和厚度均匀度有较大差别，而且本申请的厚度偏差率明显小于对比文件1各实施例的厚度偏差率，因此本申请的光刻胶胶膜的厚度均匀性更好”；
第二，本申请与对比文件1的区别特征在于：（1）本申请技术方案的6个步骤中，每个步骤的参数与对比文件1都不相同；（2）本申请在基板上涂膜，而对比文件1需要在光纤面板上；（3）本申请的降温环境为放入洁净环境中降至室温，对比文件1需要在氦气柜中降温；（4）本申请到显影步骤结束，对比文件1有甩干步骤。
对于区别特征（1），光刻工艺各个步骤的工艺条件的改变影响着光刻胶胶膜的厚度均匀性，光刻工艺各个步骤的工艺条件的改变对光刻胶胶膜的厚度均匀性的影响也并不是本领域普通技术人员可以预料得到的，而且前烘、曝光、后烘和显影的时间和温度这些条件均与对比文件1不同，时间长短的设置和温度对最终的光刻胶有非常大的影响。另外，在一定范围内调整操作参数确实是属于本领域的常规技术手段，但是在各个因素之间的作用关系不确定的基础上，本领域技术人员不能确定哪种条件下制备得到的膜更均匀，仅仅通过正交实验、对照实验是无法根据光刻工艺的需要确定匀胶速度，前烘、后烘的温度时间，显影、曝光时间等多个参数的，因此任何一个步骤有差错或者任何一个参数不恰当都不能得到高质量厚度均匀度高的光刻胶。
对于区别特征（2）-（4）：本申请在基板上涂膜极大地简化了涂膜的条件，基板比光纤面板成本低，而且最终的厚度均匀度好；本申请的“洁净环境”不属于对比文件1的“氦气柜”的上位概念，对比文件1在氦气柜环境中进行降温，强调的是气氛为氦气氛围，不代表氦气柜为洁净环境，得到的产品不能暴露在空气中进行降温。而本申请在洁净环境中降温，强调的是环境洁净，可以暴露在空气中降温；本申请到显影步骤就结束，而对比文件1有甩干步骤，相对对比文件1的步骤得到了简化，每一个步骤的增加都会增加工作量，而且不同的晾干方式会不同程度的影响膜的厚度差，对于不同厚度的膜要采用不同干燥方式才能保证膜的均匀性良好。对比文件1也没有给出可以不需要甩干步骤的技术启示。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在复审阶段于2018年02月27日提交了权利要求书全文修改替换页，经核实，上述修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定依据的审查文本为：复审请求人于申请日2016年06月17日提交的说明书摘要，2016年07月08日提交的说明书第1-6页，以及2018年02月27日提交的权利要求第1项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征是本领域技术人员在最接近的现有技术的基础上容易想到的技术手段，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
审查指南第二部分第八章第4．6．2节规定了优先权核实的一般原则，其中在核实第（1）项“作为要求优先权的基础的在先申请是否涉及与要求优先权的在后申请相同的主题”时，明确指出“即判断在后申请中各项权利要求所述的技术方案是否清楚地记载在上述在先申请的文件（说明书和权利要求书，不包括摘要）中。”
作为要求优先权基础的中国在先申请（CN201510521819.7、 申请日2015年08月24日）记载了一种SU8列阵式微反应池的制备方法（参见权利要求1-8，说明书全文）。经比较，（1）本申请权利要求1中的“基板”与该在先申请中记载的“光纤面板”不同；（2）本申请权利要求1中步骤②一⑥的各转速“700 rpm／min、1900 rpm／min、2100 rpm／min、2300 rpm／min、1000 rpm／min”与在先申请记载的步骤1）-步骤6）中的各转速“600 rpm／min、1800 rpm／min、2000 rpm／min、2200 rpm／min、800 rpm／min”均不同；（3）本申请权利要求1中“前烘”、“后烘”的环境温度和时间均与在先申请的温度和时间不同；（4）本申请权利要求1的“曝光”、“显影”时间均与在先申请的时间不同；（5）本申请权利要求1的“降温”在“洁净环境”而在先申请的“降温”在“氦气柜”。可见，本申请权利要求1的技术方案没有完全记载在作为要求优先权的基础的上述中国在先申请中，同时也不能根据上述在先申请的内容直接和毫无疑义地确定，因此，该在先申请不能作为本申请权利要求1要求优先权的基础，本申请所要求的优先权不成立。由于上述在先申请的公开日为2015年12月30日，早于本申请的申请日2016年06月17日，故构成本申请的现有技术，用于评述本申请的创造性，具体评述如下：
权利要求1请求保护一种厚胶光刻工艺，对比文件1公开了一种SU8列阵式微反应池的制备方法，具体公开了以下技术特征（参见权利要求1-8，说明书第5-17段），包括以下步骤：
（1）甩胶（相当于步骤（1）匀胶）：
1）将光刻胶滴加到光纤面板中心， 由于对比文件1公开的是一种SU8列阵式微反应池的制备方法，其采用的光刻胶即为SU8，而且光纤面板可以认定为“基板”的下位概念（相当于步骤①“将SU8滴加到基板中心”）；
2）将光纤面板以恒定加速度从静止加速到600 rpm／min，持续25-30s，加速度为500-600 rpm／min2（公开了步骤②中的加速度、持续30s）；
3）以恒定加速度加速到1800rpm／min，持续13-15s，加速度为4000 rpm／min2（公开了步骤③中的加速度、持续15s）；
4）以恒定加速度加速到2000rpm／min，持续35-40s，加速度为1000-3000 rpm／min2（公开了步骤④中的持续40s）；
5）以恒定加速度加速到2200rpm／min，持续30-40s，加速度为1000-3000 rpm／min2（公开了步骤⑤中加速度、持续40s）；
6）以恒定减速度降速到800rpm／min，持续15s，减速度为300 rpm／min2（公开了步骤⑥中加速度、持续15s）；
7）逐步降速，终止甩胶（公开了步骤⑦）；
（2）前烘：将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘（公开了步骤（2）的将悬涂有SU8薄膜的基板放置在热板上前烘），第一阶段60℃，7-8min，第二阶段为90℃，8-10min；
（3）曝光：采用紫外光曝光，所述紫外光为365nm，曝光剂量为155mJ／cm2（公开了步骤（3）的采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ／cm2），曝光时间为6min；
（4）后烘：将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘（公开了步骤（4）中的将曝光后的SU8和基板放置在热板上后烘），所述后烘分两个阶段：70℃，40-50s，90℃，7-8min（公开了环境温度为90℃）；
（5）降温：放入氦气柜中降至室温（公开了步骤（5））；
（6）显影：使用显影液显影，所述显影液为CD-26，显影4min（公开了步骤（6）的使用CD-26显影）；由于对比文件1公开的步骤（1）-（6）的制备方法即为SU8胶的光刻工艺，因此对比文件1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法即对应于权利要求1中的厚胶光刻工艺。
可见，权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：（1）在匀胶步骤中，权利要求1步骤②从静止加速到700rpm／min，而对比文件1从静止加速到600 rpm／min；权利要求1步骤③加速到1900 rpm／min，而对比文件1加速到1800 rpm／min；权利要求1步骤④以加速度1200 rpm／min2加速到2100rpm／min，而对比文件1以加速度1000-3000 rpm／min2加速到2000rpm／min；权利要求1步骤⑤加速到2300 rpm／min，而对比文件1加速到2200 rpm／min；权利要求1步骤⑥降速到1000 rpm／min，而对比文件1降速到8OO rpm／min；（2）前烘的环境温度为80℃，时长为6Omin；后烘的时长为2Omin；曝光时间为12min；显影14min。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：通过调节厚胶光刻工艺各步骤参数使得匀胶后的膜厚均匀性更好。
对于上述区别技术特征（1），对比文件1已公开了匀胶过程包括步骤1）-7），而且对比文件1公开的步骤2）-6）的各速度与权利要求1中的相应各步骤的速度较接近，步骤4）给出的加速度范围1000-3000 rpm／min2包括了本申请步骤4）的加速度1200 rpm／min2。进一步，对比文件1给出了匀胶方法中通过加速度和速度的设定能够改善SU8薄膜的均匀性的技术启示，在此基础上，本领域技术人员有动机对加速度、速度等影响匀胶均匀性的参数进行优化设计和调整以使得匀胶后的SU8膜厚均一、无胶边。至于调整后的具体数值则是本领域技术人员通过常规实验手段和有限的试验可获得的，无需付出创造性的劳动，也没有产生预料不到的技术效果。
对于上述区别技术特征（2），由于前烘、曝光、后烘、显影的步骤已被对比文件1所公开，而且本领域技术人员熟知，前烘的作用主要是去除光刻胶中的溶剂，提高光刻胶的粘附性和均匀性，后烘的目的主要是促进光刻胶的化学反应，提高光刻胶的粘附性。进而，无论前烘和后烘阶段，温度和时间都是常规的工艺设计参数，该工艺参数可以通过常规的实验手段例如对照实验、正交实验和有限次的试验的基础上加以确定，并且可以在适当的范围内进行调整，此时的技术效果基本相同或相近；至于曝光时间和显影时间则也是本领域技术人员根据所需膜厚特性进行具体选择的参数。可见，尽管权利要求1和对比文件1中的上述参数略有区别，但是在对比文件1的基础上结合上述本领域的常规技术手段容易得到权利要求1中的前烘、后烘、曝光、显影等参数条件，并不需要付出创造性的劳动，并且也没有产生预料不到的技术效果。
因此，权利要求1的技术方案相对于对比文件1和本领域常规技术手段的结合对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：
第一，对比文件1的说明书第4段中明确记载了“本申请匀胶方法中加速度和速度的设定能够改进SU8薄膜的均匀性。普通匀胶过程得到的SU8薄膜存在胶边，并且其终止过程的加速度对SU8薄膜产生较大的扭力，造成了中心漩涡，严重影响SU8薄膜厚度的均一性”。可见，对比文件1中提及了SU8厚度不均匀的问题，并且给出了解决该技术问题的技术手段。尽管各实施例中没有给出最终的实验数据，但是在对比文件1给出通过加速度和速度的设定来改进SU8薄膜的均匀性的技术启示下，本领域技术人员可以根据所需的薄膜厚度来设定相应的速度和加速度，那么不同参数的选择必然会导致胶膜均匀性有所差异，这也是本领域技术人员可以预料到的，这种厚度偏差率的差异带来的效果变化在“量”或“质”上都不会达到预料不到的程度。
第二，对于复审请求人声称的上述区别技术特征（1），尽管权利要求1相对于对比文件1在匀胶过程中设定的转速、加速度上有部分参数略有不同，但是如前所述，对比文件1已明确公开了对匀胶方法中加速度和速度的设定能够改进SU8薄膜均匀性的发明构思。可见，对比文件1明确公开了速度和加速度对SU8薄膜厚度的均匀性有重要影响，在此基础上，本领域技术人员有动机对加速度、速度等影响匀胶均匀性的参数通过常规实验手段进行设计和调整，以获得所需的胶膜均匀性；至于前烘温度和时间、后烘温度和时间、曝光时间、显影时间等参数与对比文件1存在差异的问题，由于前烘、曝光、后烘、显影均是光刻工艺的常规步骤，上述各步骤中的所需的温度和时间也是光刻工艺中的常规技术参数，而且本领域技术人员熟知前烘、曝光、后烘、显影各阶段的时间长短和温度对获得的产品性能的影响，以及各因素之间的相互作用关系，能够通过常规的实验手段和有限次的试验来确定各项工艺参数，并且可以在适当的范围内进行调整以获得膜厚均匀度高的光刻胶，此时的技术效果基本相同或相近，而且上述各参数的差异并没有给本申请带来预料不到的技术效果。对于上述区别技术特征（2）-（4），首先，权利要求1中记载的“基板”是一个范围非常大的概念，其包含了对比文件1公开的“光纤面板”，而且权利要求1仅记载了“将SU8滴加到基板中心”，对比文件1也仅公开了“将光刻胶滴加到光纤面板中心”，由此并不能体现权利要求1极大简化了涂膜的条件；其次，权利要求1降温步骤公开的“洁净环境”是一个范围较大的概念，其包括暴露和不暴露在空气中的任何环境，而对比文件1公开的“氦气柜”本身属于一种应用环境，只是其为不暴露在空气中的环境。而且由于氦气柜中的气氛为氦气，一般在使用过程中应当保持其处于洁净状态，进而可以认定为属于洁净环境；最后，尽管本申请到显影步骤结束，但本领域技术人员熟知显影后的光刻胶是需要干燥的，对于获得的不同厚度的膜采用不同的干燥方式是本领域技术人员根据实际需要的常规选择，这对于本领域技术人员无需付出创造性劳动。
基于上述理由，复审请求人关于本申请具备创造性的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于 2018年01月11日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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