发明创造名称：薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置
外观设计名称：
决定号：188503
决定日：2019-08-28
委内编号：1F282460
优先权日：
申请（专利）号：201610133484.6
申请日：2016-03-09
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方显示技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：吕媛
合议组组长：张弘
参审员：马良
国际分类号：H01L21/336，H01L21/311，H01L27/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果发明是所属技术领域的技术人员在现有技术结合的基础上通过有限的试验就可以得到的，并且发明的技术效果是能够预期的，则该发明是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610133484.6，名称为“薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司。申请日为2016年03月09日，公开日为2016年07月06日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月02日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。概括如下：1：权利要求1要求保护一种薄膜晶体管的制造方法，对比文件1（CN105161541A，公开日为2015年12月16日）公开了一种薄膜晶体管的制造方法，该权利要求所要求保护的技术方案和对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：保护层的厚度为4000?。其实际要解决的技术问题是：良好地保护有源层、降低工艺难度。对比文件2（CN104319278A，公开日为2015年01月28日）公开了一种薄膜晶体管的制造方法，光刻胶保护层325大约在300nm-8000nm之间。在对比文件2公开的光刻胶保护层的厚度的基础上，本领域技术人员为了良好地保护有源层、降低工艺难度，通过有限的常规试验手段可以得到合适的保护层厚度，不需要付出创造性劳动，是本领域的常规手段。因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规手段得到权利要求1的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-5的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的常规手段，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。2：权利要求6要求保护一种薄膜晶体管，对比文件1公开了一种薄膜晶体管，因此，在权利要求1-5任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的常规手段不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。3：权利要求7要求保护一种阵列基板的制造方法，对比文件1公开了一种阵列基板的制造方法，因此，在权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制造方法相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的常规手段不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。从属权利要求8-9的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的常规手段，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。4：权利要求10要求保护一种阵列基板，对比文件1公开了一种阵列基板，因此，在权利要求7-9任一项所述的阵列基板的制造方法相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的常规手段不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。5：权利要求11要求保护一种显示装置，对比文件1公开了一种显示装置，因此，在权利要求10所述的阵列基板相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的常规手段不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2016年03月09日提交的说明书第1-80段，说明书附图图1-图12，说明书摘要和摘要附图；2018年07月12日提交的权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在有源层上方形成保护层、源漏金属层，在源漏金属层上涂覆光刻胶并形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中光刻胶保留区域对应待形成源漏电极的区域，光刻胶不保留区域对应其他区域；所述保护层的厚度为 4000?；
刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层，形成源漏电极，露出有源层上方的所述保护层；
同时去除所述保护层和源漏电极上方的光刻胶。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层为正性光刻胶或负性光刻胶。
3. 如权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成有源层的方法包括：
形成半导体层；
在所述半导体层上涂覆光刻胶，并形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，其中所述光刻胶完全保留区域对应待形成的源漏电极之间的区域，所述光刻胶部分保留区域对应有源层上方待形成源漏电极的区域，所述光刻胶不保留区域对应有源层区域以外的区域；
采用刻蚀工艺刻蚀光刻胶不保留区域的半导体层；
采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶。
4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述有源层上方形成欧姆接触层。
5. 如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述有源层之前依次形成位于所述有源层下方的栅极和栅绝缘层。
6. 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管根据权利要 求1-5任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法制造。
7. 一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制造方法。
8. 如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成有源层之前还包括：
依次形成位于所述有源层下方的栅极和栅绝缘层；
在形成所述源漏电极之后还包括：
形成位于所述源漏电极上的钝化层，以及位于所述钝化层上的第一导电层。
9. 如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极在构图工艺中同步形成第二导电层。
10. 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板根据权利要求7-9任一项所述的阵列基板的制造方法制备。
11. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求10所述的阵列基板。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月13日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改权利要求书。复审请求人认为：权利要求1相对对比文件1实际解决的技术问题是：既有效保护有源层，又降低工艺难度。关于该技术问题：（1）对比文件1没有公开保护层的厚度，对比文件1和2均为同一申请人的专利，在申请时没有意识到保护层的厚度会对产品性能产生什么影响。（2）对比文件2保护层的厚度范围为300nm～8000nm，只是一个理论上可行的大致极限范围，而不是带来实质效果的优选范围。一个数值范围的最优性能，通常位于在范围中值附近，例如对比文件2的厚度范围的最优值通常应在4150nm附近，而权利要求1的400nm的厚度，显然与对比文件2的4150nm的中值相差甚远，因而不是常规选择，不是根据有限的试验可得到的，而是必须要付出创造性的劳动才可得到。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1公开了在有源层107上形成第二光刻胶图案112（即保护层），使有源层在刻蚀形成源漏电极时免受刻蚀液的影响，可见第二光刻胶图案112在对比文件1中所起的作用和本申请的保护层所起的作用是相同的。然而，对比文件1没有公开保护层的厚度为4000 埃。而对比文件2公开了在有源层15a上形成光刻胶保护层325，光刻胶保护层325的厚度范围为300nm～8000nm，所起作用和本申请的保护层的作用是相同的，也是使有源层在刻蚀形成源漏电极时免受刻蚀液的影响。因此本领域技术人员有动机将对比文件2应用到对比文件1中。在对比文件2公开的保护层的厚度范围为300nm～8000nm的基础上，本领域技术人员为了兼顾良好地保护有源层以及降低工艺难度，即保护层太薄起不到良好的保护作用，保护层太厚增加保护层的去除工艺难度，而合理设置保护层的厚度为4000埃（400nm），是本领域技术人员通过有限的常规试验手段，从对比文件2公开的300nm～8000nm的数值范围中选择出一个具体数值，该选择并不需要付出创造性劳动，其技术效果可以得到合理预期。一个数值范围的最优性能，并不一定是位于在范围中值附近，对比文件2也并未公开保护层的厚度范围的最优值在4150nm附近，因此申请人所认为的“对比文件2的厚度范围的最优值通常应在4150nm附近”是不成立的。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于 2019年06月24日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求第1-11项不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）具有一定厚度的光刻胶保护层的技术方案已经被对比文件1和2公开了，可见光刻胶保护层的厚度与其保护作用相关已经被公开了，其保护效果也是可以预料的。（2）对比文件2公开了光刻胶保护层的厚度范围为300nm～8000nm或者小于或等于即将形成的源漏金属层的厚度（源漏金属层的厚度在100nm-700nm之间），可见，光刻胶保护层的厚度是有具体的限定范围的，而厚度调整所起的作用也是可以预料的，即太薄起不到良好的保护作用，太厚会增加保护层的去除工艺难度，因而本领域技术人员通过有限的试验而得到保护层合理的厚度，也是在具体限定范围内进行试验，相应厚度的光刻胶保护层的技术效果也可以在进行有限的试验过程中进行合理的预期，并不需要付出创造性劳动。同时，对比文件2也没有说明保护层的最优性能就是在在范围中值附近，复审请求人认为“对比文件2的厚度范围的最优值通常应在4150nm附近”没有依据。
复审请求人于2019年08月01日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：（1）本申请明确指出“当保护层的厚度小于3000?时，会在刻蚀形成源漏电极时由于保护层太薄而无法起到良好的保护作用，使刻蚀液对有源层造成一定程度的腐蚀；当保护层的厚度过大于4500?时，对去除保护层的工艺以及相关参数，如时间、温度等要求较高，从而增加了工艺难度。优选的，当保护层的厚度为400O?时，可以良好的保护有源层，工艺的难度也比较合适”，即本申请的权利要求1相对对比文件1实际解决的技术问题是“有效保护有源层，同时降低工艺难度”。对比文件1没有公开保护层的厚度。（2）对比文件2中虽然公开了保护层的厚度，但是范围非常大，不能带来预想不到的有益效果的优选范围；且对比文件2仅提及保护层有保护作用，未意识到与工艺难度的关系，没有给出降低工艺难度的技术启示；尤其是一个工艺参数的最优值通常应对应其可行范围的中值或在值附近，而申请权利要求1中的厚度，显然与对比文件2中厚度范围的中值相差甚远（实际接近该范围的最小值）。以上区别技术特征中的厚度不是本领域的常规选择，不是根据有限次试验可得到的，需要创造性的意识到厚度最优值是在其可行范围的最小值附近。（3）对比文件1和对比文件2都是复审请求人的专利，在申请对比文件1和对比文件2时，并未意识到其中保护层的厚度范围会产生什么有益效果，以上区别技术特征也不是本领域的公知常识，故本申请的权利要求1是非显而易见的。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时以及答复复审通知书时均未提交申请文件的修改替换页。因此，本复审决定针对的文本与驳回决定针对的文本相同，即：复审请求人于申请日2016年03月09日提交的说明书第1-80段，说明书附图图1-图12，说明书摘要和摘要附图；2018年07月12日提交的权利要求第1-11项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果发明是所属技术领域的技术人员在现有技术结合的基础上通过有限的试验就可以得到的，并且发明的技术效果是能够预期的，则该发明是显而易见的，不具备创造性。
在本复审决定书中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中的对比文件相同，即：
对比文件1：CN105161541A，公开日为2015年12月16日
对比文件2：CN104319278A，公开日为2015年01月28日。
2.1独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求1请求保护一种薄膜晶体管的制造方法。对比文件1公开了一种薄膜晶体管的制造方法(参见对比文件1的说明书第2-81段、附图 1-14)：在有源层104上方形成第二光刻胶图案112、源漏电极薄膜1050（相当于保护层、源漏金属层），如图7所示，在该源漏电极薄膜1050上形成第三光刻胶图案113，该第三光刻胶图案113覆盖源漏电极薄膜1050中待形成源漏电极的区域，暴露其余区域（相当于在源漏金属层上涂覆光刻胶并形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中光刻胶保留区域对应待形成源漏电极的区域，光刻胶不保留区域对应其他区域）；如图8所示，以第三光刻胶图案113为掩模对源漏电极薄膜1050进行刻蚀，形成源极105和漏极106，并露出形成在沟道区107对应位置处的第二光刻胶图案112（相当于刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层，形成源漏电极，露出有源层上方的所述保护层）；如图9所示，将第二光刻胶图案112和第三光刻胶图案113剥离（相当于同时去除所述保护层和源漏电极上方的光刻胶）。
独立权利要求1与对比文件1的区别特征在于：保护层的厚度为4000 ?。基于该区别特征，本申请实际所要解决的技术问题在于：如何提高保护有源层的效果并控制工艺难度。
对于该区别特征，对比文件2公开了一种薄膜晶体管的制造方法（参见对比文件2的说明书第37-90段，附图2-3h）：在有源层的沟道区域正上方形成的光刻胶保护层325大约在300nm-8000nm之间，或小于或等于即将形成的源漏金属层的厚度，而源漏金属层17的厚度在100nm-700nm之间；保护层的厚度过薄时无法达到避免沟道区在蚀刻时被腐蚀的效果，厚度过厚又会增加去除的难度，为了提高保护有源层的效果并控制工艺难度，通过有限的试验而得到合适的保护层厚度对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2并通过有限的试验得到该权利要求的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2从属权利要求2-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
从属权利要求2对独立权利要求1进行了进一步限定，对本领域技术人员而言，正性光刻胶或负性光刻胶是本领域常规的光刻胶类型，属于本领域的公知常识。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到该权利要求的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求3对权利要求1或2进行了进一步限定，对比文件1公开了（参见对比文件1的说明书第41-81段，附图1-5）：形成有源层的方法包括： 形成一层有源层薄膜1040，该有源层薄膜1040可以为氧化物半导体薄膜（相当于形成半导体层）；如图2所示，在有源层薄膜1040上形成光刻胶薄膜1110，如图3所示，形成第一光刻胶图案111，该第一光刻胶图案111覆盖有源层薄膜1040中待形成有源层104(图3中未示出，请参见图4)的区域（相当于在半导体层上涂覆光刻胶，并形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域），第一光刻胶图案111包括两种不同厚度的光刻胶区域：第一厚度光刻胶1111和第二厚度光刻胶1112，第一厚度光刻胶1111的厚度大于第二厚度光刻胶1112的厚度，第一厚度光刻胶1111对应有源层薄膜中待形成沟道区的区域，即第一厚度光刻胶1111对应待形成的源漏电极之间的区域，第二厚度光刻胶1112对应有源层上方待形成源漏电极的区域，光刻胶不保留区域对应有源层区域以外的区域（相当于其中光刻胶完全保留区域对应待形成的源漏电极之间的区域，所述光刻胶部分保留区域对应有源层上方待形成源漏电极的区域，所述光刻胶不保留区域对应有源层区域以外的区域）；如图4所示，以第一光刻胶图案111为掩模对有源层薄膜1040进行刻蚀，形成有源层104（相当于采用刻蚀工艺刻蚀光刻胶不保留区域的半导体层）；如图5所示，对第一光刻胶图案111中第二厚度光刻胶1112进行灰化处理（相当于采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶）。对比文件1公开了该从属权利要求的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求4对权利要求3进行了进一步限定，其附加技术特征是该从属权利要求与对比文件1的区别特征，其实际解决的技术问题是：如何降低接触电阻。然而，对本领域技术人员而言，为了降低接触电阻，在有源层上方形成欧姆接触层，是本领域技术人员的惯用手段，属于本领域的公知常识。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到该权利要求的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求5对权利要求3进行了进一步限定，对比文件1公开了（参见说明书第2-81段、附图 1-14）：在形成有源层1040之前依次形成位于所述有源层1040下方的栅极102和栅绝缘层103。对比文件1公开了该从属权利要求的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3独立权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求6要求保护一种薄膜晶体管，其根据权利要求1-5任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法得到，而对比文件1公开了一种薄膜晶体管（参见对比文件1的说明书第2-81段、附图 1-14），参照前述评述，在其引用的权利要求1-5任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法不具备创造性的情况下，该独立权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4独立权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求7要求保护一种阵列基板的制造方法，其包括权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法，而对比文件1也公开了一种阵列基板的制造方法（参见对比文件1的说明书第2-81段、附图 1-14），参照前述评述，在其引用的权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法不具备创造性的情况下，该独立权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5从属权利要求8-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
从属权利要求8对独立权利要求7进行了进一步限定，对比文件1公开了（参见对比文件1的说明书第2-81段，附图1-11）：在形成有源层1040之前还包括依次形成位于所述有源层下方的栅极102和栅绝缘层103；在形成源极 105和漏极106之后还包括： 形成位于源极 105和漏极106上的钝化层108，以及位于所述钝化层108上的像素电极109（相当于第一导电层）。对比文件1公开了该从属权利要求的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求9对权利要求8进行了进一步限定，对比文件2公开了（参见对比文件2的说明书第3段，附图1a-11m）：在形成栅极13a的同时形成有另一导电层。可见对比文件2公开了该从属权利要求的附加技术特征，因此在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6独立权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求10要求保护一种阵列基板，其根据权利要求7-9任一项所述的阵列基板的制造方法得到，而对比文件1公开了一种阵列基板（参见对比文件1的说明书第2-81段、附图 1-14），参照前述评述，在其引用的权利要求7-9任一项所述的阵列基板的制造方法不具备创造性的情况下，该独立权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7独立权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求11要求保护一种显示装置，其包括如权利要求10所述的阵列基板，而对比文件1公开了一种显示装置（参见对比文件1的说明书第2-81段、附图 1-14），参照前述评述，在其引用的权利要求10所述的阵列基板不具备创造性的情况下，该独立权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
合议组认为：（1）对比文件1和对比文件2均公开了采用光刻胶用于保护层的技术方案，且对比文件2还公开光刻胶的厚度范围，可见光刻胶保护层的厚度与其保护作用相关已经被公开了，增加其厚度以提高保护效果是可以预料的；而曝光结束后除去光刻胶是本领域公知的光刻过程，光刻胶厚度越大，对除胶工艺的要求就会越高，光刻胶的厚度会影响除胶工艺的难度，如除胶的时间、温度等参数，本领域技术人员考虑到除胶的难度，必然会控制光刻胶的厚度，不希望其过厚，所以本领域技术人员有动机去改进光刻胶的厚度，以求达到既能保证保护有源层的效果，又便于后续去除的效果，即本申请所要解决的技术问题也是本领域技术人员在选择光刻胶的厚度时必然要考虑的技术问题，而对比文件1和对比文件2已经公开了光刻胶用于保护层，就是考虑了其保护有源层的效果，而结合光刻步骤要进行后续除胶的工艺，本领域技术人员必然需要考虑光刻胶的厚度和除胶工艺参数的关系，因而，光刻胶厚度的选择条件和所要达到的技术效果均是本领域技术人员需要考虑的，是本领域技术人员容易想到的选择厚度参数的条件。
（2）对比文件2公开了光刻胶保护层的厚度范围为300nm～8000nm或者小于或等于即将形成的源漏金属层的厚度（源漏金属层的厚度在100nm-700nm之间），可见，光刻胶保护层的厚度是有具体限定范围的，本领域技术人员容易想到光刻胶层太薄起不到良好的保护作用，即不能低于300nm，因而，从300nm的厚度出发，增加光刻胶的厚度以逐步提高保护层对有源层的保护效果是本领域技术人员容易想到的起点，而后在具体光刻步骤中，对光刻胶层厚度进行相应的调整，光刻胶不同厚度对后续除胶工艺的影响也是光刻过程必然要考虑的参数，胶的厚度对除去工艺的时间、温度等参数的影响也是在预料范围内的，本领域技术人员容易想到光刻胶层太厚会增加去除工艺的难度，因此，在保证保护层效果的同时逐渐增加光刻胶层的厚度，并控制其厚度对后续除胶工艺的影响的基础上，本领域技术人员从对比文件2公开的范围的最小值附近进行调整，并不需要付出创造性的劳动。即本领域技术人员通过有限的试验而得到保护层合理的厚度，也是在具体限定范围内进行试验，相应厚度的光刻胶保护层的技术效果也可以在进行有限的试验过程中进行合理的预期，不会产生预料不到的技术效果，在对比文件2所公开的厚度范围内选择出400nm的数值并不需要付出创造性劳动。同时，对比文件2也没有说明保护层的最优性能就是在范围中值附近，复审请求人认为“需要创造性的意识到厚度最优值是在其可行范围的最小值附近”也是在对比文件2已经公开的范围内进行的预期，并没有超出预料不到的范畴。
（3）虽然对比文件1和2均是复审请求人之前的专利，即便上述对比文件中并未具体阐述其中光刻胶保护层的厚度会产生什么有益效果，但是对比文件1和对比文件2已经公开了光刻胶用于保护层的技术方案，且对比文件2公开的光刻胶的厚度范围包含了本申请请求保护的保护层的厚度，且如前所述本领域技术人员在现有的数值范围内经过有限的试验能够得到光刻胶保护层的厚度所产生的具体作用，则本领域技术人员在对比文件2公开的光刻胶的厚度范围内进行有限的试验可以得到本申请保护层的厚度，这对本领域技术人员来说是显而易见的，并且该厚度产生的有益效果也是本领域技术人员经由简单逻辑分析即能够预期到的，并不会产生任何预料不到的技术效果，因此所限定的该保护层厚度并不能使得相应权利要求具备创造性。
综上所述，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月02日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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