发明创造名称：镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件
外观设计名称：
决定号：187666
决定日：2019-08-23
委内编号：1F262413
优先权日：2010-04-23
申请（专利）号：201510666924.X
申请日：2011-04-22
复审请求人：奥米加股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：崔震
合议组组长：陈龙
参审员：牛文婧
国际分类号：B32B15/04,C04B41/90,C04B41/52,B44C1/26,G04B19/18
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：尽管权利要求所要保护的技术方案与最接近的现有技术间存在有区别技术特征，但如果该区别技术特征是本领域技术人员在现有技术的基础上仅仅通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验便可以得到并且该区别技术特征的加入也未给所要保护的技术方案带来预料不到的技术效果的话，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510666924.X，名称为“镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为奥米加股份有限公司。本申请的申请日为2011年4月22日，优先权日为2010年4月23日，公开日为2016年1月27日。本申请为分案申请，母案申请号为201110102928.7。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年6月11日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-12相对于对比文件1（CN1637663A,公开日为2005年7月13日）不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为2015年10月15日提交的权利要求第1-12项、说明书第1-53段、说明书附图、摘要附图以及说明书摘要。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种用于制造镶嵌陶瓷元件(10)的方法(21)，该方法包括以下步骤：
a)形成(22)陶瓷体部(11)；
b)在陶瓷体部(11)的一个面(F)中通过激光蚀刻(23)至少一个凹部(12)，所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物(13)的造型并且具有100μm的最小深度(P)；
c)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(24、25)大约50nm的第一层(14)，
d)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(26)大约50nm的第二导电层(15)，以便覆盖第一层(14)；
e)从所述第二导电层(15)流电沉积(27)金属材料(16)，以便完全填充所述至少一个凹部；
f)除了所述至少一个凹部的空腔之外，从陶瓷体部(11)的表面去除(28)所有沉积物(14、15、16)，
其中，所述至少一个凹部(12)中的每一个包括不具有棱边的内表面，并且具有至少部分倒圆角的表面(R)，以便有助于实施步骤e)。
2. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤a)通过烧结实现。
3. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，陶瓷体部(11)基于氧化锆。
4. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤c)通过无电镀实现。
5. 根据权利要求4的方法(21)，其特征在于，第一层(14)包含镍-磷。
6. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤c)通过气相沉积实现。
7. 根据权利要求6的方法(21)，其特征在于，第一层(14)是Cr、Cr2N、TiN、TiW、Ni、NiP、Cu、Ti或Zr层。
8. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤d)通过气相沉积实现。
9. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，第二导电层(15)包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍，以便优化第二导电层的附着性和良好导电性，以及提供接近于流电镀层(16)的颜色。
10. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，在步骤e)期间沉积的金属材料(16)包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍。
11. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，该方法包括用于沉积(29)基本透明的层(18)的最终步骤g)，以保护装饰物(13)免于老化。
12. 根据权利要求11的方法(21)，其特征在于，保护层(18)包含氮化硅。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年10月10日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书。复审请求人认为：即使本领域技术人员知晓这样的技术手段如激光蚀刻以及在凹部中形成倒圆角的表面，他也不会有动机将这些技术手段应用到对比文件1中去，因为对比文件1给出了相反的教导。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种用于制造镶嵌陶瓷元件(10)的方法(21)，该方法包括以下步骤：
a)通过烧结形成(22)陶瓷体部(11)；
b)在烧结之后在陶瓷体部(11)的一个面(F)中通过激光蚀刻(23)至少一个凹部(12)，所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物(13)的造型并且具有100μm的最小深度(P)；
c)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(24、25)大约50nm的第一层(14)，
d)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(26)大约50nm的第二导电层(15)，以便覆盖第一层(14)；
e)从所述第二导电层(15)流电沉积(27)金属材料(16)，以便完全填充所述至少一个凹部；
f)除了所述至少一个凹部的空腔之外，从陶瓷体部(11)的表面去除(28)所有沉积物(14、15、16)，
其中，所述至少一个凹部(12)中的每一个包括不具有棱边的内表面，并且具有至少部分倒圆角的表面(R)，以便有助于实施步骤e)。
2. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，陶瓷体部(11)基于氧化锆。
3. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤c)通过无电镀实现。
4. 根据权利要求3的方法(21)，其特征在于，第一层(14)包含镍-磷。
5. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤c)通过气相沉积实现。
6. 根据权利要求5的方法(21)，其特征在于，第一层(14)是Cr、Cr2N、TiN、TiW、Ni、NiP、Cu、Ti或Zr层。
7. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤d)通过气相沉积实现。
8. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，第二导电层(15)包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍，以便优化第二导电层的附着性和良好导电性，以及提供接近于流电镀层(16)的颜色。
9. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，在步骤e)期间沉积的金属材料(16)包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍。
10. 根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，该方法包括用于沉积(29)基本透明的层(18)的最终步骤g)，以保护装饰物(13)免于老化。
11. 根据权利要求10的方法(21)，其特征在于，保护层(18)包含氮化硅。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年3 月26 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-11相对于对比文件1以及本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年5 月8 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：1）、对比文件1公开了在陶瓷底座中用激光蚀刻而成的洞的深度不能超过50um，否则陶瓷底座会断裂。因此，对比文件1的教导背离了权利要求1的步骤b)，甚至给出了关于步骤b)的相反的教导。2）、对比文件1公开了粘结层3仅沉积在洞2的底部和衬底1的顶面上，即并不是沉积在包括所述至少一个凹槽的整个表面上。3）、对比文件1要求粘结层3和第二层4的厚度均大于100nm，即大于本申请权利要求1所限定的厚度的两倍。4）、对比文件1完全没有涉及技术特征“所述至少一个凹部（12）中的每一个包括不具有棱边的内表面，并且具有至少部分倒圆角的表面（R），以便有助于实施步骤e)”。事实上，对比文件1明确公开了从凹槽2的底部看侧部2a必须是基本垂直的。因此，对比文件1的教导背离了权利要求1的上述技术特征，甚至给出了关于上述技术特征相反的教导。5）、复审请求人针对复审意见回应时主要认为从对比文件1不可能获得启示采用激光进行蚀刻。此外，对于合议组认定的所有区别，复审请求人认为缺少相应的证据支持。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时未修改申请文件，故本复审请求审查决定所针对的文本为：复审请求人于2018年10月10日提交的权利要求第1-11项，2015年10月15日提交的说明书第1-53段、说明书附图、说明书摘要及摘要附图。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
尽管权利要求所要保护的技术方案与最接近的现有技术间存在有区别技术特征，但如果该区别技术特征是本领域技术人员在现有技术的基础上仅仅通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验便可以得到并且该区别技术特征的加入也未给所要保护的技术方案带来预料不到的技术效果的话，则该权利要求不具备创造性。
（1）权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求1要求保护一种用于制造镶嵌陶瓷元件的方法，对比文件1公开了一种表壳体用陶瓷部件的制造工艺（即方法），并具体公开了以下技术特征（参见权利要求1-13、说明书第4页第2-25行，附图1-8）：图1说明了由ZrO2、Al2O3或者两种的混合物所制造而成的烧结衬底1（即公开了步骤a），形成陶瓷体部，其中洞2通过在衬底被烧结之前移除材料的机械操作而制成；这样的操作使得可以获得洞2，其侧壁2a基本垂直于衬底1的可见表面la；在烧结之后，此衬底被安置在真空淀积腔中，其中被称为复合薄膜粘结层3的第一层通过使用磁控管溅射的PVD（物理气相淀积）技术而淀积，这使得能够保证复合薄膜粘结层3比不使用磁控管的PVD技术所获得的粘结层3具有更大的粘结性；此外， 由于磁控管溅射，衬底1的温度在淀积的操作的过程中可以保持较低，大大低于100℃；在保持淀积腔中的真空时，第二层4通过使用Au、Ag、Pt、Pd、TiN、CrN或者Ni类型的靶子（target）由磁控管溅射而形成。此第二层的厚度至少是500nm，并优选地在500nm和15μm之间。在此第二层4的淀积之后，衬底从淀积腔移出，层3和4的可见表面la通过磨削而剥落（通过抛光或者金刚石研磨），以裸露衬底1的陶瓷，并给予所需表面的表面光洁度，使得淀积层3、4现在只保留在洞2中；在此工艺的变化中， 由图6进行显示，在第二层4被淀积之后，图6所显示的操作被执行，这包括用贵金属或者贵金属合金6通过电铸而填充所述洞2，接着进行抛光操作，这从衬底1的表面la上移除层3、4和6。
权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别在于：1）凹部是在陶瓷体部烧结之后通过激光蚀刻形成的，且凹部具有100μm的最小深度；
2）第一层以及第二导电层的厚度分别是大约50nm；
3）所述至少一个凹部（12）中的每一个包括不具有棱边的内表面，并且具有至少部分倒圆角的表面（R），以便有助于实施步骤e）。
关于区别技术特征1），对比文件1公开的所述洞即权利要求1中的所述凹部，是用来放置零件，需要根据零件的尺寸来限定所述凹部的尺寸；并且对比文件1的说明书第4页第20-22行进一步公开了“洞最小的深度在粘结层沉积之前是0.08mm；最大的深度主要依赖于衬底1的深度，衬底越厚，洞的深度可以越深”，可见对比文件1给出了相应凹部深度的启示，因此本领域技术人员在考虑镶嵌零件的尺寸的同时考虑所述陶瓷体的厚度，可以调整所述凹部的深度进而“具有100μm的最小深度”，这是无需付出创造性劳动的；而对于“凹部通过激光蚀刻形成”，对比文件1虽然公开了凹部的形成是机械操作的结果，但是用激光蚀刻是实现陶瓷体表面形成凹部的常规技术手段（这点也被对比文件1的背景技术第5段所佐证），具有更高的蚀刻精度，这些都是所属领域技术人员所熟知的，至于是在烧结之前还是烧结之后形成完全是本领域技术人员根据实际情况而定，并且其产生的各种问题也是可以预见到的。
关于区别技术特征2），“第一层以及第二导电层的厚度分别是大约50nm”是结合凹部的深度并通过有限试验的分析对比可以获得的具有良好附着性的各层适合厚度，无需付出创造性的劳动。
关于区别技术特征3）为了避免填充缺陷，防止填充死角产生而使凹部内表面不具有棱边，并且具有至少部分倒圆角的表面（R），以便有助于实施步骤e)是容易想到和做到的。
由此可知，在对比文件1的基础上结合本领域中常规技术手段以获得该权利要求所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员而言是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2、3、5、7均引用权利要求1，对比文件1中已经公开了（参见权利要求1-13、说明书第4页第2-25行，附图1-8）：图1说明了由ZrO2、Al2O3或者两种的混合物所制造而成的烧结衬底1（即公开了“陶瓷体部（11）基于氧化锆”）；在烧结之后，此衬底被安置在真空淀积腔中，其中被称为复合薄膜粘结层3的第一层通过使用磁控管溅射的PVD（物理气相淀积）技术而淀积（即公开了“步骤c）通过无电镀实现”、“步骤c）通过气相沉积实现”），这使得能够保证复合薄膜粘结层3比不使用磁控管的PVD技术所获得的粘结层3具有更大的粘结性；第二层4通过使用Au、Ag、Pt、Pd、TiN、CrN或者Ni类型的靶子（target）由磁控管溅射而形成（即公开了“步骤d）通过气相沉积实现”）。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求4引用权利要求3，权利要求6引用权利要求5。对比文件1中已经公开了（参见权利要求10、说明书第4页第2-25行，附图1-8）：第一层包含Ti、Ta、Cr或Th，在此基础上，第一层“包含镍-磷” 或者第一层是 “Cr2N、TiN、TiW、Ni、NiP、Cu、Ti或Zr层” 则是本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到的常规替换。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）权利要求8引用权利要求1，对比文件1中已经公开了（参见权利要求10、说明书第4页第2-25行以及附图1-8）：第二导电层4包含Au、Pt、Ag、Cr、Pd、TiN、CrN、ZrN或者Ni。可见对比文件1已经公开了该权利要求的部分技术方案，至于“第二导电层包含铜或铟”以及“金、铜、银、铟、铂、钯、镍”中的两种以上的组合则是本领域技术人员在对比文件1的基础上对第二导电层材料的常规替换，容易想到利用上述材料制成以便优化第二导电层的附着性和良好导电性，以及提供接近于流电镀层的颜色。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）权利要求9引用权利要求1。对比文件1中公开了（参见权利要求10、说明书第4页第2-25行以及附图1-8）：在步骤e)期间沉积的金属材料为贵金属或贵金属合金。在该对比文件的基础上，本领域技术人员能够想到进一步选择“金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍”，上述材料仅是常规的装饰物材料。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（6）权利要求10引用权利要求1，权利要求11引用权利要求10。为了保护装饰物免于老化，本领域技术人员容易想到使“该方法包括用于沉积基本透明的层的最终步骤g)”，并进一步选择“保护层包含氮化硅”的技术手段，这是对保护层材料的简单选择。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
合议组经审查后认为：对于1），虽然对比文件1的背景技术部分给出了激光蚀刻形成所述洞的陈述，并且对洞的深度进行限定，但首先要求所述深度是“防止弱化该部分和在没有断裂危险的情况下不再能够夹紧固定它”，也就是说，深度太大容易造成元件弱化，而所述弱化并非激光蚀刻技术本身造成的，即使不使用激光蚀刻，使用机械加工所述洞也存在类似的问题，因而可以认为并非对比文件1给出了激光无法蚀刻更深洞的反向教导；对于2），无论是对比文件1的层3和4，还是本申请的层14和15，其沉积的方法是相同的，并且由附图中可以看出两者也同时沉积在洞2或凹部12的周围。在采用相同的沉积方式的情况下要么本申请同对比文件1一样仅沉积在洞的底部而不沉积在洞或凹部的侧壁上，要么对比文件1也同本申请一样在整个洞或凹部的表面上均有沉积。退一步讲，即便如复审请求人所述本申请是在凹部的整个表面进行沉积而对比文件1仅在底部而不在侧壁进行沉积，这也仅说明两者在这一点上略有不同而已，由于本申请和对比文件1设置两层的作用是相同的并且上面的金属材料主要是与底部的层进行附着，因此，上述的些许区别并不能使本申请具有创造性；对于3），至于层厚度的问题已在前面创造性的评述中进行了阐述，具体选择多大的厚度完全是根据实际情况而确定的；对于4），尽管对比文件1未公开上述技术特征，但并不意味着本领域技术人员不能从现有技术中去寻求解决问题的方法和手段，更谈不上什么相反的教导。采用倒圆角等方式是最常规的避免填充缺陷的技术手段，因此，它并不能给本申请的技术方案带来创造性；对于5），合议组必须重申：无论对比文件1还是本申请中都没有证据表明激光蚀刻和机械加工所述洞或凹部除了二者精度不同之外存在着实质的区别，即使对比文件1中确实存在激光蚀刻洞超过0.05mm时会造成基材易断裂的问题，可以预测本申请中激光蚀刻至少100nm以上的洞也会存在所述问题，但本申请说明书中并没有记载具体激光蚀刻的工艺参数来如何避免所述问题，因此没有证据表明本申请的激光蚀刻能避免所述基材易断裂的问题。复审请求人认为合议组应该按照审查指南规定的三步法来进行创造性的判断。对此，合议组认为，从上面对权利要求的评述过程可以明显看出，合议组完全是按照三步法的方式进行的评述，在评述过程中合议组充分考虑了本申请和对比文件1公开的全部技术内容，并没有因为对比文件1背景技术中提到激光蚀刻存在问题缺陷而简单的否定这项技术就不能用于陶瓷部件的加工，而复审请求人从根本上并没有回答合议组提出的上述质疑。关于举证，合议组对于区别特征已经进行了非常充分的说理，有些区别是要根据生产的实际情况进行调整，例如凹部的深度的大小，第一和第二导电层厚度的大小。而有些区别特征完全属于本领域的公知技术，例如陶瓷的烧结、激光蚀刻以及机械蚀刻等。由于本申请也没有针对这些现有技术本身提出改进的技术方案，例如激光蚀刻在本申请是如何使用的？采用怎样的手段就能克服现有激光蚀刻的缺陷？因此，合议组也只能将其理解为普通的激光蚀刻，无需对此再进行举证。此外，从本申请说明书第0051和0052段也可以看出，有些技术手段是可以选择的或相互替代的，例如在0052段中提到可以采用纯机械蚀刻替代激光蚀刻。
综上，合议组对于复审请求人的主张不予支持。
基于上述事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年6 月11 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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