发明创造名称：具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)
外观设计名称：
决定号：189332
决定日：2019-08-22
委内编号：1F273820
优先权日：2014-11-14
申请（专利）号：201580059985.8
申请日：2015-11-13
复审请求人：科磊股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：潘光虎
合议组组长：孙学锋
参审员：刘利芳
国际分类号：H01J43/08
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件公开的技术方案相比存在区别特征，但该区别特征是在对比文件公开内容的基础上容易想到的，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201580059985.8，名称为“具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)”的发明专利申请。申请人为科磊股份有限公司。本申请的申请日为2015年11月13日，优先权日为2014年11月14日，公开日为2017年08月18日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月31日发出驳回决定，驳回了本发明专利申请。驳回决定所依据的文本为：依据专利合作条约第28条或第41条提交的修改的说明书第1-29段；2017年05月04日进入中国国家阶段时提交的说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2017年11月01日提交的权利要求第1-22项。驳回决定所引用的对比文件如下：
对比文件1：CN101101840A，公开日为2008年01月09日。
驳回理由为：独立权利要求1、12相对于对比文件1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；从属权利要求2-8、10、13-18、20-21的附加技术特征被对比文件1公开，因此也不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；从属权利要求9、11、19、22的附加技术特征是本领域的常规技术手段，因此均相对于对比文件1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种端窗式光电倍增管PMT，其包括：
外壳，其具有具窗的顶端、横向侧和底端；
反射光电阴极阵列，其在所述外壳内，所述反射光电阴极中的每一者用于接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光且用于从所述所接收光产生光电子；及
至少一个二次发射极结构，其在所述外壳内且对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增。
2. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述外壳是管。
3. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述反射光电阴极中的每一者是从所述外壳的所述顶端以对角线角度定位。
4. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
5. 根据权利要求4所述的端窗式PMT，其中所述二次发射极被定位成链以使所述光电子在其间通过。
6. 根据权利要求4所述的端窗式PMT，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
7. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的多个所述反射光电阴极的单个二次发射极结构。
8. 根据权利要求7所述的端窗式PMT，其中所述单个二次发射极结构对应于所述阵列中的所有所述反射光电阴极。
9. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构包含对 应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。
10. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述光是以下各项中的一者：
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
11. 根据权利要求10所述的端窗式PMT，其中：
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放，且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
12. 一种用于制造端窗式光电倍增管PMT的方法，其包括：
在具有具窗的顶端、横向侧和底端的外壳内配置反射光电阴极阵列，所述反射光电阴极中的每一者处于能够接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光的位置；及
在所述外壳内设置对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构，所述至少一个二次发射极结构处于能够在所述对应反射光电阴极阵列从所述所接收光产生光电子时接收所述光电子的位置。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中所述外壳是管。
14. 根据权利要求12所述的方法，其中使所述反射光电阴极中的每一者从所述外壳的顶端以对角线角度定位。
15. 根据权利要求12所述的方法，其中所述二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中将所述二次发射极定位成链以使所述光电子在其间通过。
17. 根据权利要求15所述的方法，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的 光电子倍增。
18. 根据权利要求12所述的方法，其中所述光是以下各项中的一者：
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中：
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放，且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
20. 根据权利要求12所述的方法，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的多个所述反射光电阴极的单个二次发射极结构。
21. 根据权利要求10所述的方法，其中所述单个二次发射极结构对应于所述阵列中的所有所述反射光电阴极。
22. 根据权利要求12所述的方法，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月15日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文替换页（共包括20项权利要求），其中对权利要求书所作修改为：将原从属权利要求3的附加技术特征加入原权利要求1中，将原从属权利要求14的附加技术特征加入到原独立权利要求12中，删除了原权利要求3和14，并相应修改了权利要求的编号和引用关系。复审请求人认为：上述修改符合专利法第33条的规定；对比文件1并没有公开技术特征“所述反射光电阴极中的每一者是从所述外壳的所述顶端以对角线角度定位”，同时在审查意见中也没有提供其为公知常识的任何证据。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种端窗式光电倍增管PMT，其包括：
外壳，其具有具窗的顶端、横向侧和底端；
反射光电阴极阵列，其在所述外壳内，所述反射光电阴极中的每一者用于接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光且用于从所述所接收光产生光电子；及
至少一个二次发射极结构，其在所述外壳内且对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增；
其中所述反射光电阴极中的每一者是从所述外壳的所述顶端以对角线角度定位。
2. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述外壳是管。
3. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
4. 根据权利要求3所述的端窗式PMT，其中所述二次发射极被定位成链以使所述光电子在其间通过。
5. 根据权利要求3所述的端窗式PMT，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
6. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的多个所述反射光电阴极的单个二次发射极结构。
7. 根据权利要求6所述的端窗式PMT，其中所述单个二次发射极结构对应于所述阵列中的所有所述反射光电阴极。
8. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。
9. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述光是以下各项中的一者：
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
10. 根据权利要求9所述的端窗式PMT，其中：
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放，且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
11. 一种用于制造端窗式光电倍增管PMT的方法，其包括：
在具有具窗的顶端、横向侧和底端的外壳内配置反射光电阴极阵列，所述反射光电阴极中的每一者处于能够接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光的位置；及
在所述外壳内设置对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构，所述至少一个二次发射极结构处于能够在所述对应反射光电阴极阵列从所述所接收光产生光电子时接收所述光电子的位置；
其中使所述反射光电阴极中的每一者从所述外壳的顶端以对角线角度定位。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中所述外壳是管。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中所述二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
14. 根据权利要求13所述的方法，其中将所述二次发射极定位成链以使所述光电子在其间通过。
15. 根据权利要求13所述的方法，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
16. 根据权利要求11所述的方法，其中所述光是以下各项中的一者：
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中：
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放，且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
18. 根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的多个所述反射光电阴极的单个二次发射极结构。
19. 根据权利要求11所述的方法，其中所述单个二次发射极结构对应于所述阵列中的所有所述反射光电阴极。
20. 根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：本领域技术人员根据对比文件1的记载，采用反射型光电阴极阵列替代透射型光电阴极，本领域技术人员可以依据本领域公知的设置方式进行安装配置，从而得到本申请的技术方案，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月03日向复审请求人发出复审通知书，引用驳回决定中引用的对比文件1，复审通知书指出：（1）权利要求1、11中的“其中所述反射光电阴极中的每一者是从外壳的所述顶端以对角线角度定位”不清楚，权利要求19中的“单个二次发射结构”无引用基础，导致权利要求1、11、19保护范围不清楚；（2）即使将“其中所述反射光电阴极中的每一者是从外壳的所述顶端以对角线角度定位”理解为反射光电阴极的每一个都与顶端存在一定倾斜角度，将权利要求19修改为引用权利要求18，所有权利要求仍然不符合专利法第22条第2款或第3款的规定：权利要求1-6、11-15、18相对于对比文件1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求7-10、16-17、19-20相对于对比文件1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年07月17日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页（共包括14项权利要求），其中对权利要求书所作修改为：将原权利要求1和11和说明书中的“对角线角度”修改为“倾斜角度”，将原权利要求8、20的附加技术特征分别增加至原权利要求1、11，删除原权利要求6-8、18-20，并相应修改了权利要求的编号和引用关系。复审请求人认为：对比文件1没有公开技术特征“其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构”，且对比文件1教导了与修改后的权利要求相反的技术方案，因此修改后的独立权利要求1、8相对于对比文件1具备新颖性和创造性，从属权利要求2-7、9-14也具备新颖性和创造性。修改后的权利要求如下：
“1. 一种端窗式光电倍增管PMT，其包括：
外壳，其具有具窗的顶端、横向侧和底端；
反射光电阴极阵列，其在所述外壳内，所述反射光电阴极中的每一者用于接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光且用于从所述所接收光产生光电子；及至少一个二次发射极结构，其在所述外壳内且对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增；
其中所述反射光电阴极中的每一者是从所述外壳的所述顶端以倾斜角度定位，且其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。
2. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述外壳是管。
3. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述至少一个二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
4. 根据权利要求3所述的端窗式PMT，其中所述二次发射极被定位成链以使所述光电子在其间通过。
5. 根据权利要求3所述的端窗式PMT，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
6. 根据权利要求1所述的端窗式PMT，其中所述光是以下各项中的一者：
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
7. 根据权利要求6所述的端窗式PMT，其中：
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放，且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
8. 一种用于制造端窗式光电倍增管PMT的方法，其包括：
在具有具窗的顶端、横向侧和底端的外壳内配置反射光电阴极阵列，所述反射光电阴极中的每一者处于能够接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光的位置；及
在所述外壳内设置对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构，所述至少一个二次发射极结构处于能够在所述对应反射光电阴极阵列从所述所接收光产生光电子时接收所述光电子的位置；
其中使所述反射光电阴极中的每一者从所述外壳的顶端以倾斜角度定位，且其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中所述外壳是管。
10. 根据权利要求8所述的方法，其中所述二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中将所述二次发射极定位成链以使所述光电子在其间通过。
12. 根据权利要求10所述的方法，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
13. 根据权利要求8所述的方法，其中所述光是以下各项中的一者：
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
14. 根据权利要求13所述的方法，其中：
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每 一者则是以第一角度安放，且当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时，所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年07月17日答复复审通知书时提交了权利要求书和说明书的全文替换页，经审查，该修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审通知书所依据的文本为：2017年05月04日提交的说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2019年07月17日提交的说明书第1-29段、权利要求1-14项。
关于专利第26条第4款
专利法第26条第4款规定，权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
复审请求人根据中国国家阶段的PCT申请的外文公布，根据原始提交的国际申请文件记载的英文词“diagonal angle”，将“对角线角度”修改为“倾斜角度”，修改后权利要求1、8保护范围清楚，同时删除了原权利要求19从而克服原权利要求19的不清楚问题，因此权利要求1、8、19克服了不清楚的问题，符合专利法第26条第4款的规定。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件公开的技术方案相比存在区别特征，但该区别特征是在对比文件公开内容的基础上容易想到的，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定使用的对比文件与驳回决定和复审通知书所使用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN101101840A，公开日为2008年01月09日。
2.1、权利要求1不符合专利法第22条第3款的规定。
对比文件1（参见说明书第37-46页，图27）公开了一种端窗式光电倍增管BB60，包括外壳，其具有玻璃面板BB61（相当于具窗的顶端）、真空容器BB62（相当于横向侧和底端）；光电阴极BB1，其在外壳内；光电阴极可以设置为反射型，也可以使用排列多个光电阴极BB1而成的光电阴极阵列；当光通过玻璃面板61后入射到光电阴极1后，光电阴极BB1的光吸收层BB6吸收光后产生光电子；多个倍增器电极BB66（相当于二次发射极结构），在外壳内，对应于光电阴极BB1以使由光电阴极BB1产生的光电子而产生二次光电子，实现倍增。对比文件1虽然没有明确记载反射光电阴极的每一个都与顶端存在一定倾斜角度，但是对比文件1公开了光电阴极BB1可以为反射型光电阴极，本领域技术人员在此基础上，为了实现将反射出的光电子出射到后面的倍增器电极BB66上，其必然要将反射型光电阴极与玻璃面板BB61倾斜一定角度，也就是说，本领域技术人员根据对比文件1的记载的内容可以直接地毫无意义的确定出反射型光电阴极与顶端存在一定倾斜角度。
权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。基于此区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是如何减小光电倍增管尺寸且提高电子倍增和灵敏度问题。本领域技术人员都知晓，电子倍增效果和灵敏度，与二次发射极结构与光电阴极的结构有关；对于反射光电阴极，当二次发射极结构与光电阴极一一对应时，光电倍增管尺寸较小、灵敏度较高、电子倍增效果较好，当多个二次发射极结构与同一光电阴极对应时，光电倍增管尺寸较大、灵敏度较低、电子倍增管较差。在对比文件1的基础上，当本领域技术人员在面临如何减小光电倍增管尺寸且提高电子倍增和灵敏度问题时容易想到使“所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构”的技术方案，这并不需付出创造性的劳动。
因此本领域技术人员在对比文件1的基础上获得权利要求1所请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-5不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2-5为权利要求1的从属权利要求。对比文件1公开了：外壳是管，多个倍增器电极BB66，倍增器电极BB66被定位成链以使光电子在其间通过，每一个倍增器电极使其所接收的光电子倍增，多个倍增器电极的第一个对应于光电阴极BB1（参见说明书第37-39，43-46页，图27）。即对比文件1公开了权利要求2-5的附加技术特征。因此在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2-5同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求6-7不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求6引用权利要求1，权利要求7引用权利要求6。在本领域中，设置为光以一角度入射到光电阴极阵列或者垂直地入射到发射光电阴极阵列是本领域的常规技术手段；本领域技术人员可以根据实际需要任意设置光电阴极的安放角度从而更有利于接受入射光，这并不需付出创造性的劳动。因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求6-7同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求8不符合专利法第22条第3款的规定。
对比文件1（参见说明书第37-46页，图27）公开了一种端窗式光电倍增管的制造方法，包括在具有玻璃面板BB61（相当于具窗的顶端）、真空容器BB62（相当于横向侧和底端）的外壳内配置光电阴极BB1；光电阴极可以设置为反射型，也可以使用排列多个光电阴极BB1而成的光电阴极阵列；所述光电阴极中的每一者处于能够接收通过外壳的顶端的所述窗以进入外壳的光的位置；在外壳内设置对应于所述光电阴极阵列的多个倍增器电极BB66（相当于二次发射极结构），所述倍增器电极BB66处于能够在所述光电阴极BB1从所述所接收光产生光电子时接收所述光电子的位置。对比文件1虽然没有明确记载反射光电阴极的每一个都与顶端存在一定倾斜角度，但是对比文件1公开了光电阴极BB1可以为反射型光电阴极，本领域技术人员在此基础上，为了实现将反射出的光电子出射到后面的倍增器电极BB66上，其必然要将反射型光电阴极与玻璃面板BB61倾斜一定角度，也就是说，本领域技术人员根据对比文件1的记载的内容可以直接地毫无意义的确定出反射型光电阴极与顶端存在一定倾斜角度。
权利要求8与对比文件1相比，其区别技术特征为：所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。基于此区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是如何减小光电倍增管尺寸且提高电子倍增和灵敏度问题。本领域技术人员都知晓，电子倍增效果和灵敏度与二次发射极结构与光电阴极的结构有关；对于反射光电阴极，当二次发射极结构与光电阴极一一对应时，光电倍增管尺寸较小、灵敏度较高、电子倍增效果较好，当多个二次发射极结构与同一光电阴极对应时，光电倍增管尺寸较大、灵敏度较低、电子倍增管较差。在对比文件1的基础上，当本领域技术人员在面临如何减小光电倍增管尺寸且提高电子倍增和灵敏度问题时容易想到使“所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构”的技术方案，这并不需付出创造性的劳动。
因此本领域技术人员在对比文件1的基础上获得权利要求8所请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求8不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求9-12不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求9-12为权利要求8的从属权利要求。对比文件1公开了：外壳是管，多个倍增器电极BB66，倍增器电极BB66被定位成链以使光电子在其间通过，每一个倍增器电极使其所接收的光电子倍增，多个倍增器电极的第一个对应于光电阴极BB1（参见说明书第37-39，43-46页，图27）。即对比文件1公开了权利要求9-12的附加技术特征。因此在权利要求8不具备创造性的基础上，权利要求9-12同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求13-14不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求13引用权利要求8，权利要求14引用权利要求13。在本领域中，设置为光以一角度入射到光电阴极阵列或者垂直地入射到发射光电阴极阵列是本领域的常规技术手段；本领域技术人员可以根据实际需要任意设置光电阴极的安放角度从而更有利于接受入射光，这并不需付出创造性的劳动。因此，在权利要求8不具备创造性的基础上，权利要求13-14同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：（1）对比文件1中，为了提高检测灵敏度时减小光电倍增管的尺寸以达到小型化的目的，本领域技术人员不会想到为每一个光电阴极设置单独的二次发射极结构，因为这无可避免地会增加光电倍增管的尺寸；（2）对比文件1也并没有教导或暗示如何将反射光电阴极阵列应用到包含“透明光电阴极”的技术方案中。
对此，合议组认为：（1）对于反射式光电阴极，二次发射极结构中的首个二次发射极必须要设置在光电阴极反射面正面的一侧，光电阴极在轴向的投影下不能设置二次发射极结构中的首个二次发射极，因此如果一个光电阴极对应多个二次发射极结构，光电阴极的面积会增大，其轴向的投影必然会增加，因此一个光电阴极对应多个二次发射极结构会增加光电倍增管的尺寸，而一个光电阴极设置单独的二次发射极结构可以减小尺寸，因此复审请求人的理由不成立；（2）本申请仅仅记载了使用反射光电阴极阵列的技术方案，没有明确记载反射光电阴极阵列以及二次发射极结构具体如何设置在外壳内的技术方案，因此本领域技术人员无法将本申请请求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案区分开来；在对比文件1公开的光电阴极可以为反射式的情况下，本领域技术人员可以根据实际需要设置光电阴极的安放方式从而更有利于接受入射光，更有利于反射的光电子出射到倍增器电极上。
因此，复审请求人意见陈述不予接受。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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