发明创造名称：用于磁体半导体组件组的预模制及其生产方法
外观设计名称：
决定号：187935
决定日：2019-08-22
委内编号：1F235056
优先权日：2013-06-20
申请（专利）号：201410277762.6
申请日：2014-06-19
复审请求人：英飞凌科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：遇抒
合议组组长：陈飚
参审员：孙迎椿
国际分类号：B81C1/00(2006.01)
外观设计分类号：
法律依据：中国专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，该区别技术特征或者被其他现有技术公开，或者属于本领域的常规技术手段，且该区别技术特征的应用并未给该权利要求所要求保护的技术方案带来预料不到的技术效果，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201410277762.6，名称为“用于磁体半导体组件组的预模制及其生产方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为英飞凌科技股份有限公司，申请日为2014年06月19日，优先权日为2013年06月20日，公开日为2014年12月24日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年07月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年06月19日提交的说明书附图图1-3D（即第1-6页）、说明书摘要及摘要附图；2015年04月15日提交的说明书第1-85段（即第1-14页）；2016年10月10日提交的权利要求第1-18项。
驳回决定引用的对比文件如下：
对比文件1：US6200828B1，公告日为2001年03月13日；
对比文件2：CN1527065A，公开日为2004年09月08日；
对比文件3：CN102435962A，公开日为2012年05月02日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法，所述方法包括：
·通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件，
·磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件，
·在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件是三维元件，其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述可永磁化材料包括电传导材料。
4. 根据权利要求3所述的方法，还包括在所述载体结构与所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件之间形成电绝缘层。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括凹陷。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括孔。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件被形成于所述载体结构的第一主表面上并且包括经过所述载体结构向所述载体结构的相反的第二主表面上延伸的部分。
8. 根据权利要求1所述的方法，还包括在所述多个可永磁化元件处布置至少一个半导体芯片。
9. 根据权利要求8所述的方法，还包括：
封装在所述多个可永磁化元件处布置的所述至少一个半导体芯片。
10. 一种用于磁体半导体组件组的预模制阵列，所述预模制阵列包括：
·载体结构，以及
·通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件，
其中所述多个可永磁化元件被形成于所述载体结构的无传感器区域中，
其中所有所述多个可永磁化元件具有相同的磁化。
11. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件是三维元件，其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。
12. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述载体结构是电传导载体结构。
13. 根据权利要求12所述的预模制阵列，还包括在所述电传导载体结构与可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件之间布置的电绝缘层。
14. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是由电传导和电绝缘构成的组中的一种。
15. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是电绝缘的。
16. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是电传导的。
17. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述多个可永磁化元件中的所述至少一个可永磁化元件包括在所述载体结构后面接合的底切。
18. 一种制造磁体半导体组件组的方法，所述方法包括：
·在载体结构上模制可永磁化材料的多个可永磁化元件，
·在可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的一个可永磁化元件处放置半导体芯片，
·磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件，
·在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件。”
驳回决定认为，独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：①模制材料为可永磁化材料，其形成多个可磁化元件以构成磁体半导体组件组，②磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件，③在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件。然而，区别技术特征①的部分技术特征和区别技术特征②的全部技术特征已被对比文件2公开，而一次性在载体结构上制备多个可永磁化元件，从而得到对应的磁体半导体组件组，属于本领域批量化生产的常规工艺选择；区别技术特征③属于本领域的常规技术手段，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求2-9的附加技术特征或者被对比文件1、3公开或者属于本领域的常规技术选择，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求10与对比文件1的区别技术特征为：所述元件为由可永磁化材料组成的可磁化元件，多个可磁化元件构成磁体半导体组件组的阵列，所有所述多个可永磁化元件具有相同的磁化。然而，上述区别技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域的常规技术手段，因此权利要求10相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求11-17的附加技术特征或者被对比文件1公开或者属于本领域的常规技术手段，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求18与对比文件1的区别技术特征为：①所述元件为由可永磁化材料组成的可永磁化元件，多个可永磁化元件构成磁体半导体组件的组，②磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件，③在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件。然而，区别技术特征①的部分技术特征和区别技术特征②的全部技术特征已被对比文件2公开，而一次性在载体结构上制备多个可永磁化元件，从而获得多个磁体半导体组件，属于本领域批量化生产的常规工艺选择；区别技术特征③属于本领域的常规技术手段，因此权利要求18相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人英飞凌科技股份有限公司（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2017年10月20日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1没有公开对磁体半导体组件组的逐批次的制造方法，也没有公开“在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件”。对比文件1实质上要求对芯片逐个进行封装，因而提供了对批量制造的相反的技术启示。对比文件1的方案在形成模制材料之后根本不需要单一化步骤，对比文件2和3也都没有公开磁化步骤和单一化步骤的先后顺序。
经形式审查合格，国家知识产权局于2017年11月13日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，本领域技术人员公知的是：晶片被切割成多个单一芯片后，其封装可以是单一芯片的逐个封装，也可以是先将多个单一芯片分别放置在相连的多个封装结构中，然后进行批量封装，最后再进行封装结构的单一化如切割成单一的芯片封装结构；对比文件1虽然没有公开半导体组件组的逐批次的制造方法，但也未明确指出其是“对芯片逐个进行封装”，因此对比文件1并未提供相反的技术启示。并且对比文件1已经公开了半导体组件的预模制工艺，其与本申请的区别仅仅在于模制材料不是可永磁化的模制材料，因此当要采用预模制工艺制备磁体半导体组件时，只需将模制材料选为可永磁化的模制材料即可，不存在任何技术障碍。最后，半导体组件的批量化制备和单一化已经是本领域中非常成熟的工艺，为了提高生产效率，同时减小各可永磁化元件之间的差异，采用批量化生产方法来制备磁体半导体组件，并在磁化后进行单一化操作以获得单个可用的元件，属于本领域的常规技术手段，且其技术效果可以预期，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年10月11日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1与对比文件2的区别技术特征为：（1）通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件；（2）磁化之后单一化多个可永磁化元件。然而，区别技术特征（1）为从对比文件1的技术启示中可得出的常规技术选择；区别技术特征（2）属于本领域的常规技术手段，因此权利要求1相对于对比文件2、对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求2-9的附加技术特征或者为从对比文件1的技术启示中得出的常规技术手段、或者被对比文件3公开或者属于本领域的常规技术选择，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求10与对比文件2的区别技术特征为：（1）预模制阵列包括通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件；（2）所有所述多个可永磁化元件具有相同的磁化。然而，区别技术特征（1）为从对比文件1的技术启示中可得出的常规技术选择；区别技术特征（2）属于本领域的常规技术手段，因此权利要求10相对于对比文件2、对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求11-17的附加技术特征或者为从对比文件1的技术启示中得出的常规技术选择或者属于本领域的常规技术手段，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求18与对比文件2的区别技术特征为：（1）本申请制造磁体半导体组件组的方法包括先在载体结构上模制多个可永磁化元件，然后放置芯片；而对比文件2是将放置好芯片的引线框架放在模制材料中封装。（2）磁化之后单一化所述多个可永磁化元件。然而，区别技术特征（1）为从对比文件1的技术启示中可得出的常规技术选择；区别技术特征（2）属于本领域的常规技术手段，因此权利要求18相对于对比文件2、对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组指出：“批量化制备”和“单一化步骤”是一个有机整体，不可分割，只有在“批量化制备”的基础上才有“单一化”的需求，因此两者是相互关联的。对本领域技术人员来说，半导体组件的批量化制备和单一化已经是本领域中非常成熟的工艺，如芯片的晶圆级封装，就是在整个晶圆上一次性地批量封装多个芯片，然后通过切割获得单个封装好的芯片。因此为减小各可永磁化元件之间的差异，同时提高生产效率，采用一次性在载体结构上制备多个可永磁化元件的批量化生产属于本领域的常规技术手段，并未带来预料不到的技术效果。进一步地，封装作业后，利用切割等常规方式使相邻单元彼此分离以完成封装结构单体化同样属于本领域技术人员的常规技术手段，无需花费创造性劳动。并且为了提高生产效率和制造产品的稳定性，先对所有半导体组件进行相同的操作“磁化”，然后进行单一化操作，属于本领域的常规技术手段。
复审请求人于2018年11月26日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的修改替换页，以2018年10月11日发出的复审通知书所针对的权利要求书为基础，在独立权利要求1、10中增加技术特征“没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处”；将独立权利要求18中的技术特征“在可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的一个可永磁化元件处放置半导体芯片”修改为“在所述载体结构的无传感器区域中，在可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的一个可永磁化元件处放置半导体芯片，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处”。复审请求人认为：对比文件2没有公开权利要求1的技术特征“在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件”，对比文件2教导了在载体结构的传感器区域中而不是无传感器区域中形成所谓的可永磁化元件，请求人认为对比文件2与对比文件1进行结合以获得上述技术特征并非显而易见，修改后的权利要求1具备创造性。
复审请求人于2018年11月26日提交的权利要求书如下：
“1. 一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法，所述方法包括：
·通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处，
·磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件，以及
·在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件是三维元件，其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述可永磁化材料包括电传导材料。
4. 根据权利要求3所述的方法，还包括在所述载体结构与所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件之间形成电绝缘层。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括凹陷。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括孔。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件被形成于所述载体结构的第一主表面上并且包括经过所述载体结构向所述载体结构的相反的第二主表面上延伸的部分。
8. 根据权利要求1所述的方法，还包括在所述多个可永磁化元件处布置至少一个半导体芯片。
9. 根据权利要求8所述的方法，还包括：
封装在所述多个可永磁化元件处布置的所述至少一个半导体芯片。
10. 一种用于磁体半导体组件组的预模制阵列，所述预模制阵列包括：
·载体结构，以及
·通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件，
其中所述多个可永磁化元件被形成于所述载体结构的无传感器区域中，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处，以及
其中所有所述多个可永磁化元件具有相同的磁化。
11. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件是三维元件，其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。
12. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述载体结构是电传导载体结构。
13. 根据权利要求12所述的预模制阵列，还包括在所述电传导载体结构与可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件之间布置的电绝缘层。
14. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是由电传导和电绝缘构成的组中的一种。
15. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是电绝缘的。
16. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是电传导的。
17. 根据权利要求10所述的预模制阵列，其中所述多个可永磁化元件中的所述至少一个可永磁化元件包括在所述载体结构后面接合的底切。
18. 一种制造磁体半导体组件组的方法，所述方法包括：
·在载体结构上模制可永磁化材料的多个可永磁化元件，
·在所述载体结构的无传感器区域中，在可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的一个可永磁化元件处放置半导体芯片，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处，
·磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件，以及
·在所述磁化之后，单一化所述多个可永磁化元件。”
合议组于2019年03月29日再次向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1与对比文件2的区别技术特征为：（1）通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处；（2）磁化之后单一化多个可永磁化元件。然而，区别技术特征（1）为从对比文件1的技术启示中可得出的常规技术选择；区别技术特征（2）属于本领域的常规技术手段，因此权利要求1相对于对比文件2、对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求2-9的附加技术特征或者为从对比文件1的技术启示中得出的常规技术手段、或者被对比文件3公开或者属于本领域的常规技术选择，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求10与对比文件2的区别技术特征为：（1）预模制阵列包括通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件，可永磁化元件被形成于载体结构的无传感器区域中，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处；（2）所有所述多个可永磁化元件具有相同的磁化。然而，区别技术特征（1）为从对比文件1的技术启示中可得出的常规技术选择；区别技术特征（2）属于本领域的常规技术手段，因此权利要求10相对于对比文件2、对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求11-17的附加技术特征或者为从对比文件1的技术启示中得出的常规技术选择或者属于本领域的常规技术手段，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求18与对比文件2的区别技术特征为：（1）本申请制造磁体半导体组件组的方法包括先在载体结构上模制多个可永磁化元件，然后在载体结构的无传感器区域中的一个可永磁化元件处放置芯片；而对比文件2是将放置好芯片的引线框架放在模制材料中封装。（2）磁化之后单一化所述多个可永磁化元件。然而，区别技术特征（1）为从对比文件1的技术启示中可得出的常规技术选择；区别技术特征（2）属于本领域的常规技术手段，因此权利要求18相对于对比文件2、对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组指出：对比文件2虽未公开技术特征“通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件”，但是对比文件1中相应公开了封装时首先选择一模制材料，对导线架进行模制操作，使得在导线架的其中一侧，形成一窗口，之后将已切割好的晶片固定于焊接区中的晶片座上。可见对比文件1与本申请采用了相似的预模制方法，都是在向载体结构上放置芯片之前完成预模制操作，即进行预模制操作时是在无晶片区域上或无晶片区域处，在此基础上，当制造磁体半导体组件组时，在载体结构的无传感器区域中模制多个可永磁化元件是本领域技术人员容易想到的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。
复审请求人于2019年04月29日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件2是通过树脂混合磁粉末的模制材料对传感器进行模制，随后对模制材料的一部分进行磁化，其目的是提供尺寸和错位减小的磁传感器，即对比文件2教导了在载体结构的传感器区域中而不是无传感器区域中形成所谓的可永磁化元件，对比文件1教导了一种预模制方法，但是本领域技术人员没有动机根据对比文件1的教导来修改对比文件2。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2018年11月26日提交了权利要求书的修改替换页。经审查，上述修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：申请日2014年06月19日提交的说明书附图第1-6页、说明书摘要及摘要附图；2015年04月15日提交的说明书第1-14页；以及2018年11月26日提交的权利要求第1-18项。
（二）关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求1-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
1.权利要求1请求保护一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法。对比文件2公开了一种磁传感器的制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见对比文件2的说明书第4页第16行至第8页第13行，附图1）：磁传感器1包括磁传感器芯片2，引线框架3（相当于本申请的载体结构）和模制材料5，模制材料5的一部分被磁化用作产生偏磁场的偏磁6。磁传感器芯片2被放置在引线框架3上的期望位置，使用粘合剂材料4将其安装在所述位置上，然后利用引线L电连接至引线框架3，然后将具有其上安装了磁传感器芯片2的引线框架3放置在具有预定形状的模子内以便通过在模制材料5中压模来封装，随后对模制材料5的预定部分磁化，混合有诸如铁酸盐的磁粉末的PPS(聚苯硫醚)的耐热树脂用作模制材料5。
权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征是：（1）通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处；（2）磁化之后单一化多个可永磁化元件。基于上述区别技术特征可以确定权利要求1相对于对比文件2实际要解决的技术问题是：如何获得易于执行且允许磁体半导体组件组高产量的预模制。
针对区别技术特征（1），对比文件1公开了一种可变封装结构的制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见对比文件1的说明书第3栏第32行至第4栏第59行，附图2A-2D）：封装包括一导线架10（相当于本申请的载体结构），导线架10主要由两部分组成，即晶片座16和导脚22，其中晶片座16用以承载晶片。封装时首先选择一模制材料26，对导线架10进行模制操作，使得在导线架10的其中一侧，形成一窗口12，窗口12暴露出一焊接区14；之后将已切割好的晶片20固定于焊接区14中的晶片座16上。可见对比文件1与本申请采用了相似的预模制方法，都是在向载体结构上放置芯片之前完成预模制操作，即进行预模制操作时是在无晶片区域上或无晶片区域处，且上述技术特征在对比文件1中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相似，即在芯片封装工艺中提供一种简单高效的预模制方法。在此基础上，当制造磁体半导体组件时，采用在载体结构上涂敷可永磁化的模制材料在载体结构的无传感器区域中进行预模制操作是本领域技术人员容易想到的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。
针对区别技术特征（2），对本领域技术人员来说，为减小各可永磁化元件之间的差异，同时提高生产效率，采用一次性在载体结构上制备多个可永磁化元件的批量化生产属于本领域的常规技术手段，并未带来预料不到的技术效果。进一步地，封装作业后，利用切割等常规方式使相邻单元彼此分离以完成封装结构单体化同样属于本领域技术人员的常规技术手段，无需花费创造性劳动。
综上所述，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域的常规技术选择，得出该权利要求1的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2. 权利要求2是权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开了模制元件为三维元件（参见对比文件1的说明书附图2A），在此基础上，采用可永磁化元件时，对元件各个维度具体尺寸的限定属于本领域技术人员根据半导体组件的具体尺寸需求可进行的常规选择。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3. 权利要求3是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征“可永磁化材料包括电传导材料”属于本领域技术人员根据实际需求进行的常规选择，通常可永磁化材料包括金属材料（即电传导材料）和金属化合物材料，因此选择可永磁化的金属材料并未带来预料不到的技术效果。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4. 权利要求4是权利要求3的从属权利要求，其附加技术特征“在所述载体结构与所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件之间形成电绝缘层”属于本领域技术人员的常规技术手段，本领域技术人员容易想到为了实现载体结构与可永磁化元件之间的电绝缘而在两者之间设置电绝缘层。因此，在其引用的权利要求3不具备创造性时，该从属权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5. 权利要求5是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征“多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括凹陷”属于本领域的常规设置，本领域技术人员容易想到出于放置芯片的需要而在承载结构上设置相应凹陷。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6. 权利要求6是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征为“多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括孔”，但对比文件3公开了一种磁传感器的偏置场生成，并具体公开了以下特征（参见对比文件3的说明书第[0033]段至第[0038]段，附图1H）：偏置场生成器，用于为磁传感器提供偏置场，所述偏置场生成器包括由永磁材料或可磁化材料形成的主体102（相当于本申请的可永磁化元件），主体102上具有开口104，开口104在垂直方向上穿透整个主体102以在主体102中形成洞。可见，权利要求6的附加技术特征已被对比文件3公开，并且上述特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于产生特殊形状和应用的磁体组件。因此在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7. 从属权利要求7-9分别对其引用的权利要求进行了进一步限定，但对比文件1公开了元件被形成于所述引线框架10的第一主表面上并且包括经过所述引线框架10向所述引线框架10的相反的第二主表面上延伸的部分，将已切割好的晶片20固定于焊接区14中的晶片座16上，利用封装材料28覆盖焊接区14（参见对比文件1的说明书第3栏第32行至第4栏第59行，附图2A-2D），在此基础上，采用可永磁化元件时，对元件的设置、数量及芯片种类进行相应限定属于本领域技术人员的常规技术选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8.权利要求10请求保护一种用于磁体半导体组件组的预模制阵列。对比文件2公开了一种磁传感器，并具体公开了如下技术特征（参见对比文件2的说明书第4页第16行至第8页第13行，附图1）：磁传感器1包括磁传感器芯片2，引线框架3（相当于本申请的载体结构）和模制材料5，模制材料5的一部分被磁化用作产生偏磁场的偏磁6。磁传感器芯片2被放置在引线框架3上的期望位置，使用粘合剂材料4将其安装在所述位置上，然后利用引线L电连接至引线框架3，然后将具有其上安装了磁传感器芯片2的引线框架3放置在具有预定形状的模子内以便通过在模制材料5中压模来封装，随后对模制材料5的预定部分磁化，混合有诸如铁酸盐的磁粉末的PPS(聚苯硫醚)的耐热树脂用作模制材料5。
权利要求10所要求保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征是：（1）预模制阵列包括通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件，可永磁化元件被形成于载体结构的无传感器区域中，没有传感器存在于所述无传感器区域上或所述无传感器区域处；（2）所有所述多个可永磁化元件具有相同的磁化。基于上述区别技术特征可以确定权利要求10相对于对比文件2实际要解决的技术问题是：如何获得易于执行且允许磁体半导体组件组高产量的预模制阵列。
针对区别技术特征（1），对比文件1公开了一种可变封装结构，并具体公开了如下技术特征（参见对比文件1的说明书第3栏第32行至第4栏第59行，附图2A-2D）：封装包括一导线架10（相当于本申请的载体结构），导线架10主要由两部分组成，即晶片座16和导脚22，其中晶片座16用以承载晶片。封装时首先选择一模制材料26，对导线架10进行模制操作，使得在导线架10的其中一侧，形成一窗口12，窗口12暴露出一焊接区14；之后将已切割好的晶片20固定于焊接区14中的晶片座16上。可见对比文件1与本申请采用了相似的预模制方法，都无需粘合剂即可在载体结构上完成预模制操作，且进行预模制操作时是在无晶片区域上或无晶片区域处，且上述技术特征在对比文件1中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相似，即在芯片封装工艺中提供一种简单高效的预模制方法。在此基础上，当制造磁体半导体组件组时，采用无粘合剂过程形成在载体结构的无传感器区域中的可永磁化材料的多个可永磁化元件是本领域技术人员容易想到的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。针对区别技术特征（2），对本领域技术人员来说，当批量化生产磁体半导体组件时，为了获得具有相同性能的磁体半导体组件，而对组件组中的各个可永磁化元件进行相同的磁化属于本领域的常规技术选择，无需花费创造性劳动，且其技术效果可以预期。
综上所述，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域的常规技术选择，得出该权利要求10的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求10不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9. 权利要求11是权利要求10的从属权利要求，对比文件1公开了模制元件为三维元件（参见对比文件1的说明书附图2A），在此基础上，采用可永磁化元件时，对元件各个维度具体尺寸的限定属于本领域技术人员根据半导体组件的具体尺寸需求可进行的常规选择。因此，在其引用的权利要求10不具备创造性时，该从属权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10. 权利要求12是权利要求10的从属权利要求，其附加技术特征“载体结构是电传导载体结构”属于本领域技术人员根据实际需求进行的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。因此，在其引用的权利要求10不具备创造性时，该从属权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11. 权利要求13是权利要求12的从属权利要求，其附加技术特征“在所述电传导载体结构与可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件之间布置的电绝缘层”属于本领域技术人员的常规技术手段，本领域技术人员容易想到为了实现载体结构与可永磁化元件之间的绝缘而在两者之间设置电绝缘层。因此，在其引用的权利要求12不具备创造性时，该从属权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12. 从属权利要求14-16分别对其引用的权利要求进行了进一步限定，但其附加技术特征属于本领域的常规技术手段，本领域技术人员可根据实际需求选择可永磁化材料的特性为电绝缘的或电传导的，因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13. 权利要求17是权利要求10的从属权利要求，对比文件1公开了模制元件包括在所述引线框架10的后面接合的底切（参见对比文件1的说明书附图2A），在此基础上，预模制可永磁化元件时，对元件具体结构及设置的限定属于本领域技术人员的常规技术选择。因此，在其引用的权利要求10不具备创造性时，该从属权利要求17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14. 权利要求18请求保护一种制造磁体半导体组件组的方法。对比文件2公开了一种磁传感器的制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见对比文件2的说明书第4页第16行至第8页第13行，附图1）：磁传感器1包括磁传感器芯片2，引线框架3（相当于本申请的载体结构）和模制材料5，模制材料5的一部分被磁化用作产生偏磁场的偏磁6。磁传感器芯片2被放置在引线框架3上的期望位置，使用粘合剂材料4将其安装在所述位置上，然后利用引线L电连接至引线框架3，然后将具有其上安装了磁传感器芯片2的引线框架3放置在具有预定形状的模子内以便通过在模制材料5中压模来封装，随后对模制材料5的预定部分磁化，混合有诸如铁酸盐的磁粉末的PPS(聚苯硫醚)的耐热树脂用作模制材料5。
权利要求18所要求保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征是：（1）本申请制造磁体半导体组件组的方法包括先在载体结构上模制多个可永磁化元件，然后在载体结构的无传感器区域中的一个可永磁化元件处放置芯片；而对比文件2是将放置好芯片的引线框架放在模制材料中封装。（2）磁化之后单一化所述多个可永磁化元件。基于上述区别技术特征可以确定权利要求18相对于对比文件2实际要解决的技术问题是：如何获得易于执行且允许磁体半导体组件组高产量的预模制。
针对区别技术特征（1），对比文件1公开了一种可变封装结构的制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见对比文件1的说明书第3栏第32行至第4栏第59行，附图2A-2D）：封装包括一导线架10（相当于本申请的载体结构），导线架10主要由两部分组成，即晶片座16和导脚22，其中晶片座16用以承载晶片。封装时首先选择一模制材料26，对导线架10进行模制操作，使得在导线架10的其中一侧，形成一窗口12，窗口12暴露出一焊接区14；之后将已切割好的晶片20固定于焊接区14中的晶片座16上。可见对比文件1与本申请采用了相似的预模制方法，都是在向载体结构上放置芯片之前完成预模制操作，即进行预模制操作时是在无晶片区域上或无晶片区域处。在此基础上，当制造磁体半导体组件组时，在载体结构的无传感器区域中模制多个可永磁化元件是本领域技术人员容易想到的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。针对区别技术特征（2），对本领域技术人员来说，为减小各可永磁化元件之间的差异，同时提高生产效率，采用一次性在载体结构上制备多个可永磁化元件的批量化生产属于本领域的常规技术手段，并未带来预料不到的技术效果。进一步地，封装作业后，利用切割等常规方式使相邻单元彼此分离以完成封装结构单体化同样属于本领域技术人员的常规技术手段，无需花费创造性劳动。
综上所述，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域的常规技术选择，得出该权利要求18的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求18不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在意见陈述书中认为：对比文件2是通过树脂混合磁粉末的模制材料对传感器进行模制，随后对模制材料的一部分进行磁化，其目的是提供尺寸和错位减小的磁传感器，从而提供改进的检测精确度，即对比文件2教导了在载体结构的传感器区域中而不是无传感器区域中形成所谓的可永磁化元件，对比文件1教导了一种预模制方法，但是本领域技术人员没有动机根据对比文件1的教导来修改对比文件2，因此本申请具备创造性。
对此，合议组认为：在公知的芯片封装工艺中，会采用模制材料包覆芯片以保护芯片和引线不受外界灰尘、潮气和机械冲击等的影响，保证电连接的可靠性。同时，简化工艺、降低成本、提高生产效率是芯片封装工艺中要解决的公知技术问题。对比文件2公开了一种磁传感器的制造方法，将其上安装有磁传感器芯片的引线框架放置在模子内以便通过在模制材料中压模来封装。由于在形成封装之后，常常难以检测通过引线键合的芯片形成的电互连的任何问题，且即使在模制封装中检测到缺陷引线键合，也不再能够重新加工该芯片，可见对比文件2的磁传感器制造方法客观上存在浪费材料、增加生产成本的问题。而对比文件1中公开了封装时首先选择一模制材料，对导线架进行模制操作，使得在导线架的其中一侧，形成一窗口，之后将已切割好的晶片固定于焊接区中的晶片座上，可见对比文件1与本申请采用了相似的预模制方法，都是在向载体结构上放置芯片之前完成预模制操作，即进行预模制操作时是在无晶片区域上或无晶片区域处。在此基础上，当制造磁体半导体组件组时，为了降低成本、提高生产效率，本领域技术人员有动机将对比文件1的预模制操作应用于对比文件2的磁传感器制造工艺中以实现加工方便、低成本的磁体半导体封装，上述结合是本领域技术人员容易想到的，并未带来预料不到的技术效果。
综上所述，合议组对复审请求人的主张不予以支持。
基于上述理由，本案合议组作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年07月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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