发明创造名称：具有波长转换侧面涂层的发光器件
外观设计名称：
决定号：187841
决定日：2019-08-22
委内编号：1F275499
优先权日：2012-03-30
申请（专利）号：201380018279.X
申请日：2013-03-26
复审请求人：亮锐控股有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：熊洁
合议组组长：孙学锋
参审员：刘利芳
国际分类号：H01L33/50
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术的区别技术特征并不是本领域的公知常识，也不是在该最接近的现有技术的基础上容易想到的，并且该区别技术特征使得权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380018279.X、发明名称为“具有波长转换侧面涂层的发光器件”的发明专利申请（下称本申请），申请日为2013年03月26日，优先权日为2012年03月30日，公开日为2014年12月10日，申请人为皇家飞利浦有限公司，后变更为亮锐控股有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月20日发出驳回决定，驳回了本申请，驳回决定所依据的文本为：2014年09月30日进入中国国家阶段时提交的说明书摘要、说明书第1-36段、摘要附图、说明书附图，2018年07月19日提交的权利要求第1-15项。驳回决定中引用了3篇对比文件，分别是:
对比文件1：CN102208521A，公开日为2011年10月05日；
对比文件2：JP2002261325A，公开日为2002年09月13日；
对比文件3：US2009057690A1，公开日为2009年03月05日。
驳回决定的主要理由如下：（1）权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于：区别技术特征在于第一波长转换构件包括第一波长转换材料，第二波长转换构件包括与第一波长转换材料不同的第二波长转换材料，并且第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发；第二波长转换构件为层压在半导体发光器件的片状波长转换材料。对比文件3公开了上述区别技术特征，且其在对比文件3中起到同样的调整发光器件的出光波长及最小化波长转换材料间的相互作用的作用，即对比文件3给出了将上述区别技术特征用于对比文件2以解决其技术问题的启示。此外，将波长转换材料预制为片，通过层压方式将其设置在LED芯片上为本领域常规技术手段，为了提高设置波长转换材料的效率，本领域技术人员容易想到采用上述方式制作波长转换构件。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3以及公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求1不具备创造性。基于同样的理由，独立权利要求8也不具备创造性。（2）从属权利要求2-7、9-11、15的附加技术特征被对比文件3公开；从属权利要求12-14的附加技术特征被对比文件1公开。因此，从属权利要求2-7、9-15也不具备创造性。
驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种结构，包括：
半导体发光器件；
第一波长转换构件，其布置在半导体发光器件的第一表面上，其中第一波长转换构件不宽于第一表面；以及
第二波长转换构件，其被层压在半导体发光器件的侧表面上，其中第二波长转换构件不在第一表面之上延伸；
其中第一波长转换构件包括直接接触第一表面的第一波长转换材料，第二波长转换构件包括与第一波长转换材料不同的第二波长转换材料的片，并且第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。
2. 权利要求1的结构，其中第一波长转换构件包括预制的波长转换构件。
3. 权利要求2的结构，其中第一波长转换构件包括嵌入在透明材料中的磷光体。
4. 权利要求1的结构，其中第一波长转换构件包括陶瓷磷光体。
5. 权利要求1的结构，其中第二波长转换构件包括布置在透明基质中的粉末磷光体。
6. 权利要求1的结构，其中：
第一波长转换构件包括发射绿光或者黄光的波长转换材料；并且
第二波长转换构件包括发射红光的波长转换材料。
7. 权利要求1的结构，其中第二波长转换构件包括散射颗粒。
8. 一种方法，包括：
提供半导体发光器件；
将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上，其中第一波长转换材料局限于不宽于第一表面的区域并且直接接触第一表面；以及
在将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上之后，将第二波长转换材料的片层压在半导体发光器件的侧表面上，其中第二波长转换材料的片不在第一表面之上延伸，并且
其中第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。
9. 权利要求8的方法，其中将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上包括将预制的波长转换构件附接到半导体发光器件的第一表面。
10. 权利要求9的方法，其中第一波长转换材料是陶瓷磷光体。
11. 权利要求9的方法，其中第一波长转换材料是嵌入在玻璃中的磷光体。
12. 权利要求9的方法，其中预制的波长转换构件包括波长转换材料的第一区和透明材料的第二区。
13. 权利要求12的方法，其中将预制的波长转换构件附接到半导体发光器件的第一表面包括附接预制的波长转换构件使得第一区布置在半导体发光器件与第二区之间。
14. 权利要求12的方法，其中将预制的波长转换构件附接到半导体发光器件的第一表面包括附接预制的波长转换构件使得第二区布置在半导体发光器件与第一区之间。
15. 权利要求8的方法，其中第一和第二波长转换材料发射不同颜色的光。”
亮锐控股有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月05日向国家知识产权局提出了复审请求，并对权利要求书进行了以下修改：将权利要求1中的“其被层压在半导体发光器件的侧表面上”修改为“其在半导体发光器件的侧表面上”，将“第二波长转换构件包括与第一波长转换材料不同的第二波长转换材料的片”修改为“第二波长转换构件与第一波长转换材料不同”；将权利要求8中的“将第二波长转换材料的片层压在半导体发光器件的侧表面上”修改为“将第二波长转换材料层压在半导体发光器件的侧表面上”。
复审请求人认为：对比文件3至少没有公开修改后的权利要求1中的以下技术特征：（a）第二波长转换构件，其在半导体发光器件的侧表面上；（b）其中第一波长转换构件包括直接接触第一表面的第一波长转换材料；（c）第二波长转换构件与第一波长转换材料不同；以及（d）第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。在对比文件2中，直接接触半导体发光器件的顶表面并且被包括在第一波长转换构件中的波长转换材料与第二波长转换构件是相同的。因此，对比文件2并未公开直接接触顶表面的波长转换材料102不同于设置在LED 84的侧表面上的波长转换材料102。因此，权利要求1具备创造性。同理，权利要求8也具备创造性。从属权利要求2-7、9-15也具备创造性。
经形式审查合格后，国家知识产权局受理了此复审请求，于2019年03月13日向复审请求人发出复审请求受理通知书，并于2019年03月08日向国家知识产权局原审查部门发出前置审查通知书。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件2公开了（参见图6f）在LED芯片侧面及上表面上设置荧光层102，在荧光层102上再设置荧光层104，其中荧光层104可以为黄色荧光粉（说明书95段），荧光层102可以为红色荧光粉（说明书93段）。对比文件2公开了区别技术特征，即公开了上表面和侧面的荧光粉的波长关系。基于对比文件2公开的内容，本领域技术人员在设置对比文件2中不同荧光树脂层的波长关系时，容易想到如本申请一样的设置方式。基于上述原因，坚持驳回决定。
在此基础上，国家知识产权局成立合议组对本案进行审查。
经审查，合议组认为本案事实已清楚，可以依法作出本复审请求审查决定。
二、决定的理由
(一)本决定依据的文本
复审请求人在提出复审请求时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定，因此本复审决定依据的文本是：复审请求人于2014年09月30日提交的说明书摘要、说明书第1-36段、摘要附图、说明书附图，2019年03月05日提交的权利要求第1-15项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
在判断一项权利要求所要求保护的技术方案是否具备创造性时，首先应当确定与该权利要求所要求保护的技术方案最接近的现有技术，然后将该权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术进行技术特征对比分析，找出二者的区别技术特征，并根据该区别技术特征所能达到的技术效果确定发明实际所要解决的技术问题，如果该区别技术特征并不是本领域的公知常识，也不是在该最接近的现有技术的基础上很容易想到的，并且该区别技术特征使得权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN102208521A，公开日为2011年10月05日；
对比文件2：JP2002261325A，公开日为2002年09月13日；
（3）对比文件3：US2009057690A1，公开日为2009年03月05日。
1.权利要求1请求保护一种结构。对比文件2公开了一种发光装置及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第26-37段，图1-15）：发光装置包括半LED芯片4，覆盖LED芯片4出光面上的荧光树脂层6D，荧光树脂层6D与LED芯片4的上表面直接接触，覆盖LED芯片4的侧表面上的荧光树脂层6L，其中荧光树脂层6D的宽度不超过LED芯片4的出光面，荧光树脂层6L不在LED芯片4的出光面上延伸。
由此可见，权利要求1与对比文件2相比，区别技术特征在于：第二波长转换构件，其在半导体发光器件的侧表面上，且第二波长转换构件与第一波长转换材料不同，并且第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。
基于上述区别技术特征，权利要求1实际所要解决的技术问题为：如何调整发光器件的出光波长及最小化波长转换材料间的相互作用，以及如何提高设置波长转换材料的效率。
对于上述区别技术特征，对比文件3公开了一种发光二极管器件及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第89-100段，图6a-8b）：发光二极管器件包括LED芯片82，在LED芯片82顶面设置第一转换层102，该第一转换层102与LED芯片82的顶面接触，在第一转换层102上形成有第二转换层104，从图6H可以明显看出：第一转换层102和第二转换层104的宽度均不超过LED芯片82的顶表面；在LED芯片82侧面设置第一转换层102，并且第一转换层102可以包含红色波长转换材料，第二转换层104包括黄色波长转换材料。
驳回决定中认为：对比文件3公开了：在LED芯片82顶面设置第二转换层104，其宽度不超过LED芯片82的顶表面；在LED芯片82侧面设置第一转换层102，其不在LED芯片82的顶表面延伸，并且第一转换层102可以包含红色波长转换材料，第二转换层104包括黄色波长转换材料，且由第二波长转换层104发出的黄色光可被第一转换层102再吸收。由此可见，对比文件3公开了上述区别技术特征，且其在对比文件3中起到同样的调整发光器件的出光波长及最小化波长转换材料间的相互作用的作用，即对比文件3给出了将上述区别技术特征用于对比文件2以解决其技术问题的启示。此外，将波长转换材料预制为片，通过层压方式将其设置在LED芯片上为本领域常规技术手段，为了提高设置波长转换材料的效率，本领域技术人员容易想到采用上述方式制作波长转换构件。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3以及公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的。
对此，合议组认为：从对比文件3的图6H可以明显看出：直接接触LED芯片84的顶表面的波长转换材料是第一波长转换层102，而不是第二波长转换层104，设置在LED芯片84的侧表面上的也是第一波长转换层102，二者是相同的材料。因此，对比文件3并未公开“第二波长转换构件”，也没有公开“第二波长转换构件，其在半导体发光器件的侧表面上，且第二波长转换构件与第一波长转换材料不同，并且第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发”，即对比文件3并未公开上述区别技术特征。
综上所述，对比文件3并没有公开上述区别技术特征，也没有证据表明上述区别技术特征为本领域的公知常识，并且上述区别技术特征使得权利要求1具有以下有益的技术效果：最小化波长转换材料之间的相互作用，改善发光结构的效率，降低或者消除使用结构中的散射颗粒的需要，可以降低成本或结构的复杂性，降低由结构发射的光中颜色关于角度的变化（参见本申请说明书第0035段）。
因此，权利要求1相对于对比文件2、3和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.关于权利要求8
权利要求8请求保护一种方法。对比文件2公开了一种发光装置及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第26-37段，图1-15）：发光装置包括半LED芯片4，覆盖LED芯片4出光面上的荧光树脂层6D，荧光树脂层6D与LED芯片4的上表面直接接触，覆盖LED芯片4的侧表面上的荧光树脂层6L，其中荧光树脂层6D的宽度不超过LED芯片4的出光面，荧光树脂层6L不在LED芯片4的出光面上延伸。
由此可见，权利要求8与对比文件2相比，区别技术特征在于：在将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上之后，将第二波长转换材料的片层压在半导体发光器件的侧表面上，其中第二波长转换材料的片不在第一表面之上延伸，并且其中第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。
基于上述区别技术特征，权利要求8实际所要解决的技术问题为：如何调整发光器件的出光波长及最小化波长转换材料间的相互作用，以及如何提高设置波长转换材料的效率。
对于上述区别技术特征，对比文件3公开了一种发光二极管器件及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第89-100段，图6-8）：发光二极管器件包括LED芯片82，在LED芯片82顶面设置第一转换层102，该第一转换层102与LED芯片82的顶面接触，在第一转换层102上形成有第二转换层104，从图6H可以明显看出：第一转换层102和第二转换层104的宽度均不超过LED芯片82的顶表面；在LED芯片82侧面设置第一转换层102，并且第一转换层102可以包含红色波长转换材料，第二转换层104包括黄色波长转换材料。
从对比文件3的图6H可以明显看出：直接接触LED芯片84的顶表面的波长转换材料是第一波长转换层102，而不是第二波长转换层104，设置在LED芯片84的侧表面上的也是第一波长转换层102，二者是相同的材料。因此，对比文件3并未公开“第二波长转换构件”，也没有公开“第二波长转换构件，其在半导体发光器件的侧表面上，且第二波长转换构件与第一波长转换材料不同，并且第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发”，即对比文件3并未公开上述区别技术特征。
综上所述，对比文件3并没有公开上述区别技术特征，也没有证据表明上述区别技术特征为本领域的公知常识，并且上述区别技术特征使得权利要求8具有以下有益的技术效果：最小化波长转换材料之间的相互作用，改善发光结构的效率，降低或者消除使用结构中的散射颗粒的需要，可以降低成本或结构的复杂性，降低由结构发射的光中颜色关于角度的变化（参见本申请说明书第0035段）。
因此，权利要求8相对于对比文件2、3和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.关于从属权利要求2-7、9-11、15
从属权利要求2-7直接或间接引用独立权利要求1，从属权利要求9-11、15直接或间接引用独立权利要求8，在权利要求1、8相对于对比文件2、3和公知常识的结合具备创造性的前提下，从属权利要求2-7、9-11、15相对于对比文件2、3和公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于从属权利要求12-14
从属权利要求12-14直接或间接引用独立权利要求8。对比文件1公开了一种用于发光器件的发光陶瓷，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第29段，图5）：发光陶瓷可以包括陶瓷层50a、50b，其中陶瓷层50a和50b中一层包括磷光体，另一层为透明层，在将发光陶瓷贴附在器件52上时，可以为包括磷光体的一层与器件52相邻，或者为透明层与器件52相邻。从属权利要求12-14均直接或间接引用独立权利要求8，包括了独立权利要求8的所有技术特征。由于对比文件1仍然没有公开权利要求8与对比文件2的上述区别技术特征，在独立权利要求8相对于对比文件2、3和公知常识的结合具备创造性的前提下，从属权利要求12-14相对于对比文件1、2、3和公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
本复审决定仅针对驳回理由及证据进行了审查，至于本申请是否还存在其他不符合专利法及实施细则有关规定的缺陷，均留待后续程序继续审查。
基于上述理由，本案合议组作出如下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月20日对第201380018279.X号发明专利申请作出的驳回决定。
由国家知识产权局原审查部门以于2014年09月30日提交的说明书摘要、说明书第1-36段、摘要附图、说明书附图，于2019年03月05日提交的权利要求第1-15项为基础，继续审查程序。
复审请求人对本决定不服的，可根据专利法第41条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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