发明创造名称：单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶
外观设计名称：
决定号：187603
决定日：2019-08-21
委内编号：1F253009
优先权日：2009-01-09
申请（专利）号：201410171993.9
申请日：2010-01-08
复审请求人：住友电气工业株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李燕芳
合议组组长：高晓薇
参审员：郑凯
国际分类号：C30B29/42，C30B11/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：在判断创造性时，首先，应当确定与权利要求所述技术方案最接近的现有技术；继而，将权利要求的技术方案和该最接近的现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的发明相对于最接近的现有技术其实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断由引入这些区别技术特征而得到的技术方案对于本领域技术人员来说是否显而易见。如果现有技术中给出了将上述区别特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，则该权利要求所保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求案涉及申请号为201410171993.9，名称为“单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为住友电气工业株式会社，申请日为2010年01月08日，优先权日为2009年01月09日，公开日为2014年10月22日。本申请是申请号为201080004316.8、名称为“单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶”的PCT发明专利申请的分案申请，分案申请递交日为2014年04月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门以权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由，于2018年03月05日驳回了本申请。驳回决定所依据的文本是：申请人于2017年12月13日提交的权利要求第1-5项，于分案申请递交日2014年04月25日提交的说明书摘要、说明书第1-37页、摘要附图和说明书附图第1-16页（下称驳回文本）。
驳回文本的权利要求书如下：
“1. 一种单晶制造装置(1)，将原料容器(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造单晶，该单晶制造装置的特征在于，具有：
原料容器(4)；
具有底面，包含小径部以及连接到上述小径部上且具有倾斜的侧壁的扩径部，在内部保持上述原料容器的石英安瓿(3)；
具有与上述石英安瓿的底面直接接触的上部表面，支撑上述石英安瓿的上述小径部以及上述扩径部的底座(52)；
用于加热上述原料容器(4)的加热器(5)，
构成在上述底座(52)中至少与上述石英安瓿(3)直接接触的上述上部表面的材料的热膨胀系数是被包含在构成上述石英安瓿(3)的石英的热膨胀系数的±50％以内的范围的值，
上述底座(52)为透明部件，上述透明部件是指对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的材料。
2. 根据权利要求1所述的单晶制造装置(1)，其中，
在上述底座(52)中，在与上述石英安瓿(3)接触的部分的表面形成有防固定层(13、19、20)。
3. 根据权利要求1所述的单晶制造装置(1)，其中，
构成在上述底座(52)中至少与上述石英安瓿(3)接触的部位的材料是石英。
4. 一种单晶的制造方法，使用权利要求1所述的单晶制造装置(1)，该单晶的制造方法的特征在于，具有以下工序：
向上述原料容器(4)插入籽晶及单晶的原料物质的工序(S10、S20)；
通过上述加热器(5)加热上述原料容器(4)，从而熔融上述原料物质的工序(S30)；
使熔融的上述原料物质从上述籽晶侧逐渐凝固，从而制造单晶的工序(S40)。
5. 根据权利要求4所述的单晶的制造方法，其中，
上述单晶由不含作为添加物的硅的砷化镓、或含硅的砷化镓构成，
上述单晶包括：从上述籽晶侧宽度逐渐变大的单晶扩径部；以及与上述单晶扩径部连接，宽度变化率小于上述单晶扩径部的直体部，
上述硅在上述单晶扩径部和上述直体部的边界处的浓度是7×1017cm-3以下。”
驳回决定认为：（1）权利要求1与对比文件1（JP特开2003-206200A，公开日为：2003年07月22日）的区别特征在于：权利要求1限定了底座材料的热膨胀系数是被包含在石英热膨胀系数±50％范围以内的值，且为透明部件。基于区别特征确定权利要求1实际解决的技术问题是如何抑制石英安瓿或底座破损。对于该区别特征，对比文件3（CN1643189A，公开日为：2005年07月20日）公开了一种单晶生长装置，安瓿和与其配套的衬套由相同材料如石英制成，可见，对比文件3给出了通过使相互接近的部件具有相似的热膨胀系数使得其形变同步从而避免部件损坏的技术启示；同时，对比文件2（CN1543518A，公开日为：2004年11月03日）公开了底座为石英材质，而本领域公知透明石英是常用的石英材料，因此，权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2和3的附加技术特征属于本领域常规技术手段或者已被对比文件2公开，因此也不具备创造性。（3）权利要求4与对比文件1的区别特征在于制造装置不同，基于与权利要求1相同的理由，权利要求4也不具备创造性。（4）从属权利要求5的附加技术特征已被对比文件1公开或者属于本领域常规技术手段，因此也不具备创造性。（5）针对申请人的如下意见陈述：对比文件没有公开底座采用透明部件，而本申请采用透明的底座可使单晶生长过程中固液界面向熔融材料一侧突出，从而抑制结晶不良的产生；并且实施例2可证明采用透明底座没有底座破损。驳回决定认为：首先，透明材质底座并未取得抑制结晶不良产生的技术效果，反而相对于不透明底座效果变差；其次，抑制底座破损的技术效果实质在于选择与石英安瓿热膨胀系数相近的底座材料，从而避免由于因热膨胀量的差而导致安瓿或底座破损，而对比文件2、3均给出了采用石英或具有相似热膨胀系数的材质以避免部件破损的技术启示，该技术效果与底座是否透明无关；如本申请实施例2的底座2、4采用非透明石英，亦未发生破损。因此，申请人的意见陈述不具备说服力。
申请人住友电气工业株式会社（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年05月30日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：（1）本申请说明书记载了采用透明底座的作用和效果是抑制结晶不良（线性老化）产生；而对比文件2没有公开坩埚支座选择透明部件，也没有理由将支座整体材料替换成石英等其他材料；对比文件3的单晶制备装置中没有底座这一结构，也无需考虑散热等问题；（2）本申请采用透明部件构成底座能够促进散热，使作为熔融材料（液相）和凝固的单晶（固相）的界面的固液界面变为向液相一侧突出的形状，抑制界面向固相突出时产生的单晶的缺陷；并且本申请说明书中的实施方式4证明了透明石英时没有底座破损。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年06月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
国家知识产权局原审查部门在前置审查意见书中认为，（1）对比文件1公开了与权利要求1相同结构的单晶制造装置，本领域技术人员在此基础上能够结合对比文件2和3的技术启示，选择与石英安瓿热膨胀系数相近乃至相同的材质如石英作为底座材质；而透明石英是本领域常用的石英材料（参见《简明材料词典》，郑昌琼，第338页第2段，科学出版社，公开日为：2002年04月30日），对其选择效果可以预期。（2）本申请说明书中没有说明为何向下方的辐射导致散热促进就能获得凸形界面，本领域公知的是：凸形界面的获得来源于中心和四周散热速度的不同，中心散热快、四周散热慢则会产生凸形界面，然而透明底座同时促进了中心和四周向下的辐射散热，并不会产生中心和四周散热速度的差异，因而并不会有益于凸形界面的获得，也就无法抑制结晶不良。（3）本申请记载了不透明底座可抑制结晶不良，也记载了透明底座可抑制结晶不良，二者的解释相互矛盾；并且通过对本申请实施例的分析可知，透明底座相对于不透明底座，结晶质量变差；本申请没有记载底座的热膨胀系数对固液界面和结晶质量有何关系，其仅是为了抑制底座破损；对比文件2和3均给出了采用石英或具有相似热膨胀系数的材质以避免部件破损的技术启示，本申请采用非透明石英的实施例也没有破损。可见本申请限定的底座为透明部件相对于不透明部件并未产生更优的技术效果。综上，申请人的意见陈述不具有说服力，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月17日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1与对比文件1的区别特征在于：权利要求1限定了底座材料的热膨胀系数是被包含在石英热膨胀系数±50％范围以内的值，且为相对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的透明部件。基于上述区别特征确定本申请实际解决的技术问题是如何抑制石英安瓿或底座破损。对于该区别特征，对比文件3公开了一种单晶生长装置，并给出了通过使相互接近的部件具有相同的热膨胀系数使得其形变同步从而避免部件损坏的技术启示，本领域技术人员容易想到在选择相互接触而具有直接作用的热部件时，更需要使其具有相似或相同的热膨胀系数从而避免损坏部件。另外，石英材料由于其良好的热稳定性和强度等而成为本领域常用的热结构部件材质，对比文件2公开了用于垂直梯度凝固法生长砷化镓晶体的装置，其中的底座材料为石英，而具体选择透明的石英则属于本领域的常规选择。因此，权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2和3的附加技术特征属于本领域常规技术手段或者已被对比文件2公开，因此也不具备创造性。（3）权利要求4与对比文件1的区别特征在于限定了底座材料的热膨胀系数是被包含在石英热膨胀系数±50％范围以内的值，且为相对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的透明部件。基于与权利要求1相同的理由，权利要求4也不具备创造性。（4）从属权利要求5的附加技术特征属于本领域常规技术手段或根据对比文件1能够确定的内容，因此权利要求5也不具备创造性。（5）针对复审请求人在复审请求书中提出的理由，合议组认为：①对比文件1公开了与权利要求1具有相同结构的单晶制造装置，没有公开构成底座的材料，对比文件3给出了与安瓿配套的部件具有相同的热膨胀系数使二者形变同步从而避免损坏的技术启示，对比文件2公开了坩埚支座可以选用石英材料，在此基础上选择合适的底座材质时，能够结合对比文件2和3的技术启示，其技术效果可以预期。②首先，本申请的实施例并没有证明采用透明的底座具有抑制结晶不良的技术效果；并且，实施例中不透明石英透光率的测试方法与权利要求1所限定的透明石英底座的含义并不相同，导致实施例的数据无法证明权利要求1所限定透过率的技术效果；其次，根据对本申请实施例的分析，权利要求1中限定的底座的热膨胀系数的选择能够起到抑制底座破损的技术效果；透明材质起不到抑制结晶不良的技术效果；本申请并没有证明选择透明的底座相对于不透明底座能够产生更优的技术效果，因此，复审申请人的意见陈述不具有说服力。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年08月02日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（共2页，5项）。相对于驳回文本，在权利要求1中增加了如下技术特征：“以及连接到上述扩径部之上且宽度基本恒定的直体部”、“上述原料容器(4)具有沿着上述石英安瓿(3)的内周表面的形状，当生长的单晶和熔融的上述原料的固液界面(17)到达上述直体部的高度时，能够使固液界面(17)变为向熔融的上述原料一侧突出的形状”。修改后的权利要求1如下：
“1. 一种单晶制造装置(1)，将原料容器(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造单晶，该单晶制造装置的特征在于，具有：
原料容器(4)；
具有底面，包含小径部、连接到上述小径部上且具有倾斜的侧壁的扩径部以及连接到上述扩径部之上且宽度基本恒定的直体部，在内部保持上述原料容器的石英安瓿(3)；
具有与上述石英安瓿的底面直接接触的上部表面，支撑上述石英安瓿的上述小径部以及上述扩径部的底座(52)；
用于加热上述原料容器(4)的加热器(5)，
构成在上述底座(52)中至少与上述石英安瓿(3)直接接触的上述上部表面的材料的热膨胀系数是被包含在构成上述石英安瓿(3)的石英的热膨胀系数的±50％以内的范围的值，
上述底座(52)为透明部件，上述透明部件是指对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的材料，
上述原料容器(4)具有沿着上述石英安瓿(3)的内周表面的形状，当生长的单晶和熔融的上述原料的固液界面(17)到达上述直体部的高度时，能够使固液界面(17)变为向熔融的上述原料一侧突出的形状。”
复审请求人在意见陈述书中认为：修改后的权利要求1通过具备“以及连接到上述扩径部之上且宽度基本恒定的直体部”、“上述原料容器(4)具有沿着上述石英安瓿(3)的内周表面的形状，当生长的单晶和熔融的上述原料的固液界面(17)到达上述直体部的高度时，能够使固液界面(17)变为向熔融的上述原料一侧突出的形状”这样的结构，从而实现“可抑制直体部的下部附近的结晶不良（线性老化）产生”这样特有的技术效果，上述结构在各个对比文件中均未公开，且不容易想到；因此，权利要求1及其从属权利要求具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年08月02日提交了权利要求书的全文修改替换页（共2页，5项）。经审查，该修改符合专利法实施细则第60条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定针对的文本是：复审请求人于2019年08月02日提交的权利要求第1-5项，于分案申请递交日2014年04月25日提交的说明书摘要、说明书第1-37页、摘要附图、说明书附图第1-16页（下称复审决定文本）。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
在判断创造性时，首先，应当确定与权利要求所述技术方案最接近的现有技术；继而，将权利要求的技术方案和该最接近的现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的发明相对于最接近的现有技术其实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断由引入这些区别技术特征而得到的技术方案对于本领域技术人员来说是否显而易见。如果现有技术中给出了将上述区别特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，则该权利要求所保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具备创造性。
（1）就本申请而言，权利要求1要求保护一种单晶制造装置（具体参见案由部分）。对比文件1公开了一种用于VB法生长单晶的装置，其包括：石英成长容器1（即石英安瓿），结晶成长容器3（即原料容器），底座4，加热装置5（参见说明书第[0023]段及附图1），并且由说明书附图1可知：石英成长容器1（即石英安瓿）具有底面，包含小径部以及连接到上述小径部上且具有倾斜的侧壁的扩径部，底座4具有与上述石英安瓿的底面直接接触的上部表面，支撑上述石英安瓿的上述小径部以及上述扩径部。由对比文件1的图1还可以看出，扩径部之上有宽度基本恒定的直体部，结晶成长容器3具有沿石英成长容器1的内周表面的形状。对于权利要求1中的如下特征“当生长的单晶和熔融的上述原料的固液界面(17)到达上述直体部的高度时，能够使固液界面(17)变为向熔融的上述原料一侧突出的形状”，其属于效果特征，由于效果是由结构和/或组成带来的，合议组分析了产生该效果的结构因素，首先，对于底座是否透明这一结构特征而言，本申请说明书记载了（参见说明书第3页第3段，第11页第2段，第22页第2段），不透明底座可使该固液界面17为平坦的形状或向熔融材料16一侧突出的形状。其结果是，在获得的单晶15中可抑制结晶不良发生；同时，本申请还记载了（参见说明书第19页第3-4段，第27页最后1段）：透明底座可使固液界面17变为向熔融材料16一侧突出的形状；结果在形成的单晶15中，可抑制直体部33的下部附近的结晶不良（线性老化）产生，可见，不管是透明还是非透明的底座，均可达到上述突出的形状这一效果；其次，根据上述对比文件1公开的内容可知，本申请权利要求1与对比文件1的单晶制造装置均具有包含原料容器、底面、底座、加热器等部件以及“原料容器具有沿着上述石英安瓿的内周表面的形状”的结构；因此，对比文件1的单晶制造装置也可以达到上述效果。
综上所述，权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1的区别特征在于：权利要求1限定了底座材料的热膨胀系数是被包含在石英热膨胀系数±50％范围以内的值，且为相对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的透明部件。
根据本申请说明书的记载（参见说明书第2页第3-4段），本申请要解决的是单晶制造过程中制造装置的底座会产生变形和破损，进而影响单晶品质的技术问题，为此，本申请采用热膨胀系数在石英安瓿的热膨胀系数±50%范围内的材料作为底座，从而抑制产生因该热膨胀量的差而使石英安瓿或底座破损（参见说明书第5页第3-5段）；使用透明部件作为底座能够促进从加热的坩埚及安瓿经由透明的底座向下方的辐射导致的散热，抑制单晶形成时由固液界面向固相一侧突出所产生的缺陷（参见说明书第27页最后一段）。
对比文件1要解决的技术问题是提供具有平均位错密度低于100cm-2的p-型砷化镓GaAs结晶及其制备方法（参见说明书第[0007]段）。采用的技术手段是，通过掺杂中性原子，杂质固化效应可以被提升，并且p型GaAs的平均位错密度低于1000cm-2（参见说明书第[0008-0010]段）。对比文件1没有公开单晶制造装置中底座材料的种类和性质。
合议组进一步分析了本申请的实施例，其中不透明石英透光率的测试方法与权利要求1所限定的透明石英底座的含义并不相同，在实施例中，制作和底座所使用的不透明石英相同材质的厚4mm的试验片，使用分光光度计进行透光率的测定，结果确认在波长1600～2400nm的波长区域中透光率为10％以下（参见说明书第29页第2段），而权利要求1限定的是“底座(52)为透明部件，上述透明部件是指对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的材料”，可见，波长和单位长度的不一致导致实施例的数据无法证明权利要求1所限定透过率的技术效果；其次，本申请的表1中使用透明底座的实施例10、11、21和28相对于采用不透明底座的实施例2-8、12-12、23-26，制备的单晶仍然有线性老化产生，并且肩部的散乱体个数较多，可见，选择透明底座较不透明底座并没有取得更好的结晶效果。对于底座材料的热膨胀系数，本申请说明书实施例2采用具有不同热膨胀系数的材料作为底座制造单晶，确认其耐久性，根据表4的结果可以看出，底座1和5材料的热膨胀系数不在石英安瓿热膨胀系数±50％范围以内，石英安瓿或底座的破损个数较多，反之，底座2-4材料的热膨胀系数在石英安瓿热膨胀系数±50％范围以内，石英安瓿或底座的破损个数为10个中0个，即没有破损。可见，对于抑制底座破损的技术效果，其实质在于选择与石英安瓿热膨胀系数相近的底座材料，从而避免由于因热膨胀量的差而导致安瓿或底座破损，与底座是否透明无关，如本申请实施例2（表4）的底座2、4采用非透明石英，也没有发生破损。因此，基于上述区别特征确定本申请相对于对比文件1实际解决的技术问题是如何抑制石英安瓿或底座破损。
对于上述区别特征，对比文件3公开了一种单晶生长装置，其通过使安瓿和与其配套的衬套由相同材料如石英制成，使其具有相同的热膨胀系数，从而避免了两者在加热冷却过程中由于热膨胀系数不同而产生应力导致损坏（参见说明书第3页第5段、第4页第2段及第6页第3段）。虽然对比文件3中限定热膨胀系数的是衬套，且安装时衬套与安瓿并不接触，但是其提出了相互接近、配合的热部件在加热过程中会由于热膨胀系数的差异导致器件损坏这一技术问题，且给出了通过使相互接近的部件具有相同的热膨胀系数使得其形变同步从而避免部件损坏的技术启示，本领域技术人员由此容易想到在选择相互接触而具有直接作用的热部件时，更需要使其具有相似或相同的热膨胀系数从而避免损坏部件。另外，石英材料由于其良好的热稳定性、强度等而成为本领域常用的热结构部件材质，对比文件2公开了一种用于垂直梯度凝固法生长砷化镓晶体的装置，其包括：坩埚支座2000（即底座），安瓿4000，坩埚3000（即原料容器），加热元件1010，并且，安瓿4000可以由石英制成，坩埚支座2000的基本结构可对应加以变化，以适应该不同形状，其由导热材料制成的，该材料最好是石英（参见说明书第6页第3、5段，第7页第2段，第8页第2段及附图6）。可见，石英是本领域常用的底座材料，对比文件2也给出了采用石英作为底座材料的技术启示，因此，本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2和3，容易想到选择与安瓿热膨胀系数相同的材质石英作为底座材质，而具体选择透明石英则属于本领域的常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和3得到该权利要求要求保护的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）从属权利要求2进一步限定了底座与安瓿接触表面形成防固定层，然而在晶体生长领域，为了避免晶体生长过程中高温导致不同部件如坩埚、安瓿、支座等产生粘黏固定，在其互相接触的表面经过处理形成防固定层是本领域的惯用手段；从属权利要求3进一步限定了底座材料，而对比文件2中已公开底座材料最好为石英，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求2和3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求4要求保护一种单晶制造方法，对比文件1公开了一种单晶制造方法，包括：在结晶生长容器（即原料容器）内装入籽晶和单晶原料，加热结晶生长容器使原料熔融，使原料物质从籽晶侧逐渐凝固（参见说明书第[0030]段）。因此，权利要求4要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别特征在于：权利要求4限定了底座材料的热膨胀系数是被包含在石英热膨胀系数±50％范围以内的值，且为相对于波长2000nm的光的单位长度1cm的透过率为90以上的透明部件。对于该区别特征，参见上述对权利要求1的评述可知，因此，在权利要求1要求保护的装置相对于对比文件1与对比文件2、3的结合不具有创造性的情况下，权利要求4要求保护的制造方法相对于对比文件1与对比文件2、3的结合也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）从属权利要求5进一步限定了单晶材质、形状以及硅浓度，对比文件1进一步公开：其所生长的砷化镓单晶，在0.4固化率下硅的浓度为0.7×1018cm-3（即7×1017cm-3），平均位错密度为280cm-2（参见说明书第[0030-0032]段、表2及附图1）。并且根据附图1并结合实施例1公开的技术内容，本领域技术人员能够确定：对比文件1中的砷化镓单晶具有从籽晶侧宽度逐渐变大的单晶扩径部，以及与上述单晶扩径部连接，宽度变化率小于上述单晶扩径部的直体部；此外，对比文件1中采用VB法制备，由硅浓度自然凝固方式下从肩部向尾部递增可知：其单晶扩径部和直体部的边界，在与单晶的生长轴方向垂直的面内的硅的平均浓度将是7×1017cm-3或更小。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）关于复审请求人的意见陈述（具体参见案由部分）
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：尽管修改后的权利要求1中增加了技术特征，然而，参见针对权利要求1的评述，上述增加的特征中，对于结构的限定特征已被对比文件1公开；对于“当生长的单晶和熔融的上述原料的固液界面(17)到达上述直体部的高度时，能够使固液界面(17)变为向熔融的上述原料一侧突出的形状”这一效果限定是由其结构决定的，而对比文件1已经公开了其所限定的结构，因此，不构成权利要求1与对比文件1的区别。综上，复审请求人的主张，合议组不予支持。
根据以上事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年03月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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