一种控制单晶环状缺陷的生产工艺-复审决定


发明创造名称:一种控制单晶环状缺陷的生产工艺
外观设计名称:
决定号:186931
决定日:2019-08-16
委内编号:1F249117
优先权日:
申请(专利)号:201510680994.0
申请日:2015-10-20
复审请求人:宁晋松宫电子材料有限公司
无效请求人:
授权公告日:
审定公告日:
专利权人:
主审员:甘雨
合议组组长:刘文霞
参审员:邱晓伟
国际分类号:C30B15/20,C30B29/06
外观设计分类号:
法律依据:专利法第22条第3款
决定要点:在判断创造性时,首先要将权利要求请求保护的技术方案和最接近的现有技术相比较,确定区别特征和发明实际解决的技术问题,进而考察现有技术中是否存在将该区别特征引入到所述最接近的现有技术以解决上述技术问题的启示,如果上述区别特征是本领域技术人员根据现有技术并结合本领域的常规技术手段就能够确定的内容,则该权利要求不具备创造性。
全文:
本复审请求案涉及申请号为201510680994.0、发明名称为“一种控制单晶环状缺陷的生产工艺”的发明专利申请(下称本申请),本申请的申请人为宁晋松宫电子材料有限公司,申请日为2015年10月20日,公开日为2015年12月23日。
经实质审查,国家知识产权局原审查部门于2018年01月19日以权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的审查文本为:申请人于申请日2015年10月20日提交的说明书第1-4页和说明书摘要,以及2017年10月20日提交的权利要求第1项(下称驳回文本)。驳回文本的权利要求书如下:
“1. 一种控制单晶环状缺陷的生产工艺,其特征在于:所述生产工艺包括以下步骤:
a、硅料分检:对硅料进行检测,去除电阻率低于0.5Ω·cm、少子寿命低于2 μS、碳含量大于2×1017atom/cc的硅料;
b、硅料清洗:以氢氟酸与硝酸为原料,配制成体积混合比为氢氟酸:硝酸=1:4~10的硅料清洗液,对硅料进行清洗,清洗完成后进行纯水清洗,将清洗液中酸的残留去除;
c、硅成炉料配制:控制单晶头部掺杂剂的使用量,使其电阻率控制在2.5Ω·cm以上;
d、拉晶:所述拉晶步骤具体为:
1)装料操作,装料过程中,要避免硅料与石墨导流筒的接触,防止碳的混入;
2)引颈操作,控制籽晶的转速:6-9r/min,控制埚转的转速:6-9r/min,控制坩埚上升速度:0mm/min;
3)放肩操作,控制籽晶的转速:6-9r/min,控制埚转的转速:6-9r/min,控制坩埚上升速度:0.05-0.15mm/min;控制放肩速度:0.65mm/min;
4)转肩操作,控制籽晶转速:6-9r/min,控制埚转转速:6-9r/min,控制坩埚上升速度:0.15-0.2mm/min,控制惰性气体流速:30-40L/min;
5)等径操作,控制籽晶转速:6-9r/min,控制埚转的转速:6-9r/min,控制坩埚上升速度:0.15-0.25mm/min;控制惰性气体流速:30-40L/min;
6)收尾操作,控制籽晶转速:6-9r/min,控制埚转的转速:6-9r/min,控制坩埚上升速度:0.15-0.05mm/min;控制惰性气体流速:30-40L/min;
在整个拉晶过程,控制导流筒下沿与硅液表面的距离不得低于30mm;
e、硅棒冷却:拉晶过程结束后,控制籽晶转速:0r/min,控制埚转的转速:6-9r/min,控制坩埚上升速度:0mm/min,控制惰性气体流量:30-40L/min,冷却时间为5小时以上。”
驳回决定指出:(1)权利要求1与对比文件1(CN103882512A,公开日为2014年06月25日)公开的控制氧施主单晶的生产工艺方法相比,区别特征在于:①权利要求1限定了硅料分检及其标准,硅料清洗的步骤,以及硅成炉料如何配置;②权利要求1进一步限定了放肩速度、拉晶过程中导流筒与硅液面的距离;③部分细节不同,权利要求1还限定了如何装料、收尾时惰性气流速度不同、硅棒冷却的步骤。权利要求1实际解决的技术问题是如何进一步控制环状缺陷的产生。对于区别特征①,首先,基于本领域的公知常识(参见公知常识性证据1:《超大规模集成电路衬底材料性能及加工测试技术工程》,刘玉岭等编著,冶金工业出版社,2002年08月第1版第1次印刷,第243-245页),本领域技术人员有动机去除硅料中的金属污染物并控制掺杂的杂质含量。其次,采用HF与HNO3的混合酸清洗多晶硅料是本领域公知的(参见公知常识性证据2:《太阳能光伏技术与应用》,沈文忠主编,上海交通大学出版社,2013年10月第1版第1次印刷,第129页);酸的比例以及酸洗后用纯水清洗是本领域的常规选择。第三,本领域技术人员有动机选择控制单晶头部掺杂剂的使用率。第四,硅料的分检及其标准是本领域的常规选择(参见公知常识性证据2,第98-99页)。对于区别特征②,对比文件2(CN104962988A,公开日为2015年10月07日)公开了放肩速度,并教导了放肩速度对拉晶的影响。对比文件3(CN104328495A,公开日为2015年02月04日)教导了导流筒与硅液面间的距离,以及如何影响环状缺陷的产生。对于区别特征③,装料时需避免硅料与石墨导流筒接触是本领域技术人员所熟知的(可参见现有技术CN101956229A、CN102146584A、CN202898592U等)。收尾时晶体主体部分已经长成,本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的惰性气流速度。冷却时,晶体已生长完毕,选择晶转、埚升为0、埚转不变,并选择合适的惰性气体流量以及冷却时间是常规选择。因此,在对比文件1的基础上结合对比文件2和3以及本领域的常规选择得到权利要求1的技术方案是显而易见的,权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。(2)针对申请人的如下意见陈述:①氧施主与环状缺陷不同;②将放肩速度由0.65-0.95 mm/min修改为0.65 mm/min,低于对比文件2,放肩越缓慢,生长越均匀,有利于抑制环状缺陷的产生;③硅棒冷却阶段,控制埚转的转速,可产生多个不同流向的对流,使单晶尾部受热应力的冲击更加稳定,同时减少环状缺陷的产生。驳回决定认为:首先,氧作为最重要的外来杂质,在硅单晶中一般占据间隙位,其聚合体通常以氧沉淀或氧团簇的形式存在,而硅中的氧团簇尺寸较小,在受热时会诱生间隙原子而形成层错,呈环状分布在直拉硅单晶中,通常被称为氧化诱生层错环(即环状缺陷),因此控制氧施主浓度,亦即控制了氧化诱生层错环的形成,即对比文件1的生产工艺也可达到控制环状缺陷的技术效果。其次,对比文件2公开了放肩速度可直接影响头部同心圆(即环状缺陷)出现几率,在此基础上,本领域技术人员可通过有限的试验来调整放肩速度。第三,硅棒冷却阶段,硅棒经收尾后已与硅熔体脱离,晶体生长已结束,本领域通常在此阶段选择晶升、晶转、埚升、埚转均为0,以及选择冷却时间为5小时以上(可参见CN102719883A,CN102260900A,CN102220633A,CN102220634A等)。虽然本申请中冷却阶段埚转不为0,但埚转不影响晶体质量,选择在此阶段继续保持之前的埚转速度仅是本领域技术人员的常规调整,且未获得预料不到的技术效果。
申请人宁晋松宫电子材料有限公司(下称复审请求人)对上述驳回决定不服,于2018年04月17日向国家知识产权局提出复审请求,未对申请文件进行修改。复审请求人认为:(1)环状缺陷是单晶生长过程中结构的一种不完整缺陷,其形成机理不同于对比文件1中的氧施主缺陷,因而采取的技术手段不同;(2)本申请选择了适当的放肩速度范围,使单晶受到的热冲击减小,避免热冲击较大而造成硅原子排列不规则所造成的环状缺陷;并且基于对比文件2给出的技术启示,本领域技术人员应当选择放肩速度高于1.0mm/min;(3)在硅棒冷却阶段,设置埚转速度为6-9r/min,而不是常规的0r/min,可使坩埚中的硅液在继续旋转凝固过程中持续放热,对硅棒的冷却产生缓冲作用,由此消除尾部单晶形成环状缺陷的可能性,因此不是本领域的常规调整。
经形式审查合格后,国家知识产权局于2018年04月23日依法受理了该复审请求,并将其转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
在前置审查意见书中,国家知识产权局原审查部门认为:(1)本申请通过控制单晶生产工艺的各步骤来降低环状缺陷,对比文件1主要针对拉晶步骤中控制氧施主的浓度来降低环状缺陷,二者均涉及了对拉晶步骤的控制,并均达到了降低环状缺陷的效果;虽然本申请还涉及如原料的准备等其他步骤,但通过控制拉晶前的工艺来降低拉晶过程中的不利因素是本领域公知的或常规技术手段;(2)在对比文件2的教导下,本领域技术人员可通过有限的试验来调整放肩速度;(3)冷却时,不静止反而易生成缺陷,本申请中埚转转速不为0是一种非常规选择,且未获得预料不到的技术效果。因而坚持驳回决定。
随后,国家知识产权局成立合议组,对本申请进行审理,并于2019年04月03日向复审请求人发出复审通知书,指出:(1)权利要求1与对比文件1公开的控制氧施主单晶的生产工艺方法相比,区别特征在于:①权利要求1限定了硅料分检、硅料清洗和配制硅成炉料的步骤;②权利要求1限定了放肩速度,导流筒下沿与硅液表面的距离不同;③权利要求1限定了装料和硅棒冷却的步骤,收尾时惰性气流速不同。权利要求1实际解决的技术问题是提供一种可供替代的控制单晶环状缺陷的方法。对于区别特征①,首先,本领域技术人员知晓太阳能级多晶硅的国家标准(参见公知常识性证据2,第98-99页),采用步骤a限定的硅料是本领域的常规选择。其次,基于本领域的公知常识(参见公知常识性证据1,第244页),本领域技术人员容易想到去除硅料中的金属污染并控制掺杂的杂质含量,清洗用混合酸也是本领域公知的(参见公知常识性证据3,《太阳能电池材料及其应用》,李伟主编,电子科技大学出版社,2014年01月第1版第1次印刷,第78页);酸的用量比以及酸洗之后采用纯水清洗是本领域的常规选择。最后,本领域技术人员有动机选择控制单晶头部掺杂剂的使用量,使其电阻率控制在一定数值以上。对于区别特征②,在对比文件2和3的教导下,对放肩速度以及导流筒下沿与硅液表面间的距离的调整对本领域技术人员而言是显而易见的。对于区别特征③,首先,装料时避免硅料与石墨导流筒接触是本领域技术人员所熟知的。其次,本领域技术人员可以根据实际情况选择收尾阶段的惰性气流速度。第三,籽晶转速、埚转转速、坩埚上升速度、惰性气体流速和冷却时间是本领域的常规选择。因此,在对比文件1的基础上结合对比文件2和3以及本领域的常规选择得到权利要求1的技术方案是显而易见的,权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。(2)对于复审请求人的意见陈述,复审通知书指出:①首先,对比文件1实现了对氧施主浓度的控制,进而可以实现对环状缺陷的控制,其目的与本申请相同,并且也公开了包括引颈、放肩、转肩、等径和收尾步骤在内的拉晶工艺的基本步骤和具体参数,二者采取的技术手段是基本相同的。也就是说,对比文件1的拉晶工艺在降低氧施主的同时,从客观上也应能控制环状缺陷。此外,对比文件3还指出氧是直拉单晶硅中的一种常见杂质,主要集中在头部,若氧量过高,就会造成所谓的“黑芯片”和“黑角片”问题,氧还可以形成热施主及新施主,二者使得单晶硅的电阻率均匀性变差,而本领域公知,热施主和新施主统称为氧施主。可见,控制氧施主与控制环状缺陷具有一定的关联性。②选择与常规的放肩速率0.7mm/min相近的0.65mm/min是本领域的常规选择,且并无证据表明本申请的特定选择能够获得效果上的改进。③在硅棒冷却阶段,单晶硅棒主体生长过程已经结束,也已脱离液体,此时设定埚转速度为6-9r/min或是0r/min,均是在考量了各工艺参数的基础上容易做出的本领域的常规选择,而复审请求人所描述的效果并未记载在原申请文件中,也无相应证据表明冷却阶段选择特定的埚转速度相较于静止而言能够取得效果上的改进。
针对上述复审通知书,复审请求人于2019年05月07日提交了意见陈述书,未对申请文件进行修改。复审请求人陈述了权利要求1具备创造性的理由,所述理由与提交复审请求时的理由实质上相同。
在上述程序的基础上,合议组认为本案事实已经清楚,可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于审查文本
在复审阶段,复审请求人未对申请文件进行修改。本复审请求审查决定所针对的审查文本为驳回文本,即:复审请求人于申请日2015年10月20日提交的说明书第1-4页和说明书摘要,以及2017年10月20日提交的权利要求第1项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定:创造性,是指与现有技术相比,该发明具有突出的实质性特点和显著的进步,该实用新型具有实质性特点和进步。
在判断创造性时,首先要将权利要求请求保护的技术方案和最接近的现有技术相比较,确定区别特征和发明实际解决的技术问题,进而考察现有技术中是否存在将该区别特征引入到所述最接近的现有技术以解决上述技术问题的启示,如果上述区别特征是本领域技术人员根据现有技术并结合本领域的常规技术手段就能够确定的内容,则该权利要求不具备创造性。
就本申请而言,权利要求1请求保护一种控制单晶环状缺陷的生产工艺(具体内容参见案由部分)。
对比文件1公开了一种控制氧施主单晶的生产工艺方法(参见说明书第[0005]-[0015]、[0028]段),包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤(对应本申请权利要求1步骤d中的步骤2)-6))和控氧步骤,在上述所有步骤中,单晶炉体内的坩锅内的液面始终保持在高锅位,所述的高锅位为坩锅内的液面与导流屏底部的距离是15~25mm(该距离相当于本申请权利要求1中导流筒下沿与硅液表面的距离);所述的引颈步骤中,籽晶的转速为7~8r/min,坩埚的转速为7~9r/min,坩埚上升的速度为0mm/min;所述的放肩步骤中,籽晶的转速为7~8r/min,坩埚的转速为7~9r/min,坩埚上升的速度为0.05~0.15mm/min;所述的转肩步骤中,籽晶的转速为7~8r/min,坩埚的转速为7~9r/min,坩埚上升的速度为0.15~0.2mm/min;所述的等径步骤中,籽晶的转速为7~8r/min,坩埚的转速为7~9r/min,坩埚上升的速度为0.19~0.25mm/min;所述的收尾步骤中,籽晶的转速为7~8r/min,坩埚的转速为7~9r/min,坩埚上升的速度为0.15~0.05mm/min;所述的控氧步骤为控制单晶炉体内的惰性气体流量,在所述的转肩步骤中,单晶炉体内的惰性气体流量为30~40L/min;在所述的等径步骤中,单晶炉体内的惰性气体流量从40L/min匀速减少到20L/min;在所述的收尾步骤中,单晶炉体内的惰性气体流量为20L/min。
可见,本申请与对比文件1均涉及通过直拉法制备单晶硅的方法,且对比文件1公开了包括引颈、放肩、转肩、等径和收尾步骤在内的拉晶工艺的基本步骤和具体参数。因此,将本申请权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的上述技术内容相比,其区别特征在于:(1)权利要求1限定了硅料分检、硅料清洗和配制硅成炉料的步骤(即,步骤a-c),而对比文件1未限定;(2)权利要求1进一步限定了放肩速度,而对比文件1未限定,并且,拉晶过程中导流筒下沿与硅液表面的距离不同,权利要求1为不得低于30 mm,而对比文件1为15~25 mm;(3)权利要求1限定了装料和硅棒冷却的步骤,而对比文件1未限定,并且,拉晶过程中收尾时惰性气流速不同,权利要求为30-40 L/min,而对比文件1为20 L/min。
合议组查明,根据说明书的记载,本申请的目的在于提供一种控制单晶环状缺陷的生产工艺,它具有操作简便、成本低、见效快等特点(参见说明书第1页第[0003]段);采用本申请的技术方案所产生的有益效果在于:1、分检、清洗工序严格操作,且使用酸洗工序,彻底去除硅料由于过程沾污残存的金属、异物等杂质,金属杂质对单晶环状缺陷的产生起到促进作用;2、清洗工序根据硅料来源不同,适当调节氢氟酸与硝酸的比例,能够有效调节硅料表面的腐蚀力度;3、缓慢放肩工艺,将有利于晶格生长的完整性,有利于抑制环状缺陷的产生;4、控制合适的液面与石墨导流筒距离,在不影响拉晶速度的情况下,将有利于杂质的溢出,减少杂质进入晶格的可能性;5、控制单晶电阻率范围,当单晶头部达到2.5Ω·cm以上时,掺杂剂的总浓度会有所控制,进而有利于对单晶环状缺陷的控制(参见说明书第2页第[0020]-[0025]段)。本工艺方法从硅料分检为源头开始,一直到拉晶过程结束,针对环状缺陷效率低为突破口,选择行之有效的硅料使用方法,清洗工艺,找到了各环节需注意的关键控制点,设置合理的关键控制点,不仅有利于提高控制单晶的环状缺陷,造成反切的损失,同时将对拉晶过程的不利因素降低到最低限度,从而有效抑制环状缺陷的产生(参见说明书第2页第[0026]段)。本申请说明书还指出:较传统工艺相比,本生产工艺可降低单晶因环状缺陷单晶反切长度20mm左右,使得单晶成品率提高2个百分点(参见第2页第[0027]段)。本申请具体实施方式部分详细记载了一组完整的生产工艺,与权利要求1限定的生产工艺几乎完全相同,区别仅在于实施例中:放肩操作中控制放肩速度为0.65-0.95 mm/min,而权利要求1中将放肩速度限定为0.65 mm/min。对于放肩操作,本申请说明书实施例指出,过快将不利于晶格生长的完整性,过慢会造成OSF环的产生,都将对单晶头部的效率产生不利影响。
对比文件1的目的在于提供一种减少生产中产生氧施主单晶的、提高单晶质量的控制氧施主单晶的生产工艺方法。通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进,减少单晶处于氧施主产生空间的时间,达到降低氧施主的目的。其中记载了具体实施例1-3,并在实施例3中指出:通过以上步骤将氧施主单晶从1.2%降低至0.6%左右,减少了生产中产生的氧施主单晶并且提高了单晶质量(参见说明书第[0003]、[0028]、[0062]段)。
合议组认为,首先,本申请说明书中记载了,放肩速度过慢会造成OSF环的产生;本领域公知,出现在直拉硅单晶(或称为CZ硅单晶)中的OSF或OISF常呈环状,又称为体层错;在每个OISF的中心常可发现板状的氧沉淀,板状氧沉淀被认为是促进OISF的成核中心;而氧施主有可能形成棒状、片状或多面体的氧沉淀(参见公知常识性证据1,第243-244页;公知常识性证据2,第129页)。可见,氧施主是形成环状缺陷的原因之一,换言之,对比文件1主要通过对拉晶步骤的工艺参数的选择实现了对氧施主浓度的控制,进而实现了对环状缺陷的控制,其目的与本申请相同。退言之,即便认为环状缺陷不同于氧施主,但对比文件1公开了与本申请相同的拉晶过程的主要步骤和参数,本领域技术人员知晓,拉晶过程是晶体生长的主要阶段,环状缺陷亦主要形成于此阶段,进而对比文件1客观上也能够实现对环状缺陷的控制。其次,环状缺陷出现的位置集中在单晶头部,现行控制方法是将单晶头部进行反切,本申请虽然记载了较传统工艺相比,其可降低单晶因环状缺陷单晶反切长度20mm左右,使得单晶成品率提高2个百分点。然而,本申请并未指明传统工艺的具体操作条件,同时尚无证据表明采用了对比文件1未披露的工艺步骤a-c和e,以及对工艺参数进行选择或调整后所得的权利要求1限定的生产工艺较对比文件1而言能够获得效果上的改进。因此,基于上述区别特征所能达到的技术效果可以确定,本申请权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是提供一种可供替代的控制单晶环状缺陷的方法。
对于区别特征(1),首先,对于硅料分检,本领域技术人员知晓,太阳能级多晶硅(即用于生产太阳能电池的硅材料)的国家标准(GB/T25074-2010)中,较低的标准(3级晶)也需满足:基磷电阻率≥20Ω?cm,基硼电阻率≥100Ω?cm,少数载流子寿命≥30μs,氧浓度≤1.5×1017atoms/cm3,碳浓度≤4.5×1016atoms/cm3(参见公知常识性证据2,第98-99页)。因此,本领域技术人员有动机去除不能满足上述标准的多晶硅料,采用权利要求1步骤a限定的硅料是本领域的常规选择。其次,本领域公知,在晶体的生长过程中,金属污染的引入很容易促进OISF的生成,OISF的生长与杂质浓度等因素相关(参见公知常识性证据1,第244页),因此,本领域技术人员容易想到去除硅料中的金属污染并控制掺杂的杂质含量以控制环状缺陷。并且,本领域公知,在单晶生长之前,对多晶硅料通过HF与HNO3的混合酸对其清洗以去除可能的金属杂质(参见公知常识性证据3,第78页);而两种酸的用量比以及酸洗之后采用纯水清洗是本领域的常规选择。最后,对于掺杂剂的使用量,掺杂量越低电阻率越高,因此本领域技术人员有动机选择控制单晶头部掺杂剂的使用量,使其电阻率控制在一定数值以上,而将电阻率控制在2.5Ω·cm以上是本领域的常规选择。
对于区别特征(2),首先,关于放肩速度,对比文件2公开了一种降低硅棒同心圆的硅棒制作方法(参见说明书第[0005]-[0009]、[0019]段),其包括化料、转埚、引颈、放肩等步骤,放肩时,提升速度为0.8-1.0mm/min(与本申请实施例中的0.65-0.95mm/min部分重叠);并教导了在放肩步骤将提升速度由0.7mm/min提升到0.8mm/min-1mmm/min,提高放肩时晶体的上升速度,可以大大降低放肩结晶的速度,降低液面温度,使单晶转肩后尽快稳步生长减少拉动波动,从而降低单晶位错和拉速、温度波动造成单晶头部同心圆(即环状缺陷)出现几率。尽管对比文件2教导了将放肩速度由常规的0.7mm/min提升到0.8mm/min-1mmm/min具有好的效果,但是,由于影响单晶质量的因素有多种,综合考量对比文件2公开的信息并基于本领域技术人员所掌握的普通技术知识,本领域技术人员仍然有动机选用与常规的放肩速率0.7mm/min相接近的0.65mm/min,且并无证据表明选择0.65-0.95mm/min这一范围内的特定点值0.65mm/min时,能使本申请的生产工艺获得效果上的改进。其次,关于拉晶过程中导流筒下沿与硅液表面的距离,对比文件3公开了一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法(参见说明书第[0007]和[0011]段),在放肩步骤中,调整埚位使得硅液液面距导流筒的距离为28~32mm(与权利要求1中的“不得低于30mm”部分重叠);正常情况下石英埚中的氧元素在高温下会生成氧化硅随气流排出,但是部分氧化硅会再次融入硅液,导致单位时间内进入单晶体内的氧元素增加,氧含量升高,而使用本方法后,埚位由以前距导流筒15mm左右改变为距导流筒30mm左右,加大了导流筒和液面之间的距离,减少了氧元素进入单晶的几率,从而降低了单晶中的氧含量,减少了因氧含量过多带来的黑芯片(即环状缺陷)和黑角片问题。综上,在对比文件2和3的教导下,对放肩速度以及导流筒下沿与硅液表面间的距离的调整对本领域技术人员而言是显而易见的。
对于区别特征(3),首先,本领域公知,碳是硅晶体中另一种重要的轻元素杂质,它来自硅原料、晶体炉内剩余气体、石英坩埚与石墨加热件的反应等,因此装料时避免硅料与石墨导流筒接触是本领域技术人员所熟知的。其次,收尾是指在单晶硅棒生长结束时,生长速度再次加快,同时升高硅熔体的温度,使得晶体硅的直径不断缩小,形成圆锥体,最终离开液面,生长完成的阶段,此阶段中,本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的惰性气流速度。第三,硅棒冷却时,单晶硅棒已脱离液体,此时,为获得较好的冷却效果并出于控制生产成本等因素,籽晶转速、埚转转速、坩埚上升速度、惰性气体流速和冷却时间是本领域的常规选择。
综上可见,在对比文件1的基础上结合对比文件2和3的教导以及本领域的常规技术手段从而获得权利要求1请求保护的技术方案,对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此,权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步,不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见
由于复审请求人针对权利要求1具备创造性所陈述的理由与提出复审请求时实质上相同,对于该意见,复审通知书中已作出回应,在此不再赘述。
根据以上事实和理由,合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年01月19对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。


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