发明创造名称：硅晶圆研磨用组合物
外观设计名称：
决定号：187155
决定日：2019-08-15
委内编号：1F268464
优先权日：2014-04-14
申请（专利）号：201580020002.X
申请日：2015-04-07
复审请求人：福吉米株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：闫东
合议组组长：杨子芳
参审员：智月
国际分类号：H01L21/02
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员有动机将该区别技术特征应用于最接近的现有技术中，进而获得该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201580020002.X，名称为“硅晶圆研磨用组合物”的PCT发明专利申请（下称本申请）。申请人为福吉米株式会社。本申请的申请日为2015年04月07日，优先权日为2014年04月14日，公开日为2016年12月14日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月28日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：JP特开2008-91524A，公开日为2008年04月17日；
对比文件2：CN101560373A，公开日为2009年10月21日。
驳回决定认为：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）所述硅晶圆研磨用组合物的pH为9.5以上且低于12.0；（2）R2和R3的限定。其解决的技术问题是：提供一种可选择方案。对于区别技术特征（1），对比文件1公开了研磨用组合物的pH优选为3-12，本申请是在对比文件1公开的大的范围内具体选择了一小的范围，是本领域技术人员的常规选择；对于区别技术特征（2），对比文件1公开了“R2、R3可以为氢原子、烷基、酰基，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况”，而具有取代基是研磨用组合物领域惯用的技术手段，在对比文件1公开的上述内容的基础上，本领域技术人员容易想到对比文件1中的R2、R3具有取代基。此外，对于权利要求1中R1为其他基的并列技术方案，其是对比文件1技术方案的简单变化，权利要求1的其他并列技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件1、2所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于2016年10月14日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-204段，说明书摘要；2018年05月10日提交的权利要求第1-7项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种硅晶圆研磨用组合物，其含有磨粒、硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物及水，所述含酰胺基聚合物在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A，所述磨粒的平均二次粒径为10nm～60nm，所述硅晶圆研磨用组合物的pH为9.5以上且低于12.0，
其中，所述通式(1)中的R1为氢原子、碳数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基；另外，R2、R3相同或不同，均为氢原子、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、碳数2～18的烷醇基、碳数6～60的芳香族基团、或具有取代基的碳数2～18的烷基，所述烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基和芳香族基团包括具有取代基的情况，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况。
2. 根据权利要求1所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均一次粒径为5nm～32nm。
3. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，所述研磨用组合物中所含有的颗粒的体积平均粒径DA为10nm～80nm。
4. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述含酰胺基聚合物为非离子性。
5. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述通式(1)中的R1为氢原子或甲基。
6. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述通式(1) 中的R2、R3相同或不同，均为氢原子、碳数1～4的烷氧基烷基、碳数2～4的烷醇基、或具有取代基的碳数2～4的烷基，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况。
7. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述磨粒为二氧化硅颗粒。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年12月12日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，将权利要求1中的硅晶圆研磨用组合物修改为一种研磨方法，其使用硅晶圆研磨用组合物对硅晶圆进行研磨。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种研磨方法，其使用如下的硅晶圆研磨用组合物对硅晶圆进行研磨，所述硅晶圆研磨用组合物含有磨粒、硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物及水， 所述含酰胺基聚合物在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A， 所述磨粒的平均二次粒径为10nm～60nm，所述硅晶圆研磨用组合物的pH为9.5以上且低于12.0，
其中，所述通式(1)中的R1为氢原子、碳数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基；另外，R2、R3相同或不同，均为氢原子、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、碳数2～18的烷醇基、碳数6～60的芳香族基团、或具有取代基的碳数2～18的烷基，所述烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基和芳香族基团包括具有取代基的情况，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况。
2. 根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述磨粒的平均一次粒径为5nm～32nm。
3. 根据权利要求1或2所述的研磨方法，所述研磨用组合物中所含有的颗粒的体积平均粒径DA为10nm～80nm。
4. 根据权利要求1或2所述的研磨方法，其中，所述含酰胺基聚合物为非离子性。
5. 根据权利要求1或2所述的研磨方法，其中，所述通式(1)中的R1为氢原子或甲基。
6. 根据权利要求1或2所述的研磨方法，其中，所述通式(1)中的R2、R3相同或不同，均为氢原子、碳数1～4的烷氧基烷基、碳数2～4的烷醇基、或具有取代基的碳数2～4的烷基，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况。
7. 根据权利要求1或2所述的研磨方法，其中，所述磨粒为二氧化硅颗粒。
8. 一种研磨用组合物，其为权利要求1～7中任一项所述的研磨方法中使用的研磨用组合物。”
复审请求人认为：本申请中研磨对象是“硅晶圆”，解决的技术问题是“降低硅晶圆表面的雾度”。对比文件1中研磨对象是“包含金属配线和层间绝缘层的面”，解决的技术问题为“不易在金属配线和层间绝缘层之间形成沟槽”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月24日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）复审请求人修改了权利要求1-7的主题，这样的修改不符合专利法实施细则第六十一条第一款的规定；（2）基于驳回理由，修改后的权利要求8不具备创造性。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年03 月21 日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）组合物的pH为9.5以上且低于12.0；（2）由R2、R3的具体限定构成聚合物和组合物。其解决的技术问题是：降低硅晶圆表面的雾度。对于区别技术特征（1），对比文件1公开了研磨用组合物的pH为3-12，因而本领域技术人员容易得到技术启示进行pH为9.5以上且低于12.0的常规技术选择；对于区别技术特征（2），对比文件1公开了R2、R3为氢原子、烷基、酰基，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况，由此本领域技术人员容易想到使用与R2、R3上述限定的聚合物性质相类似的一类聚合物、即权利要求1中对R2、R3所作限定的聚合物来形成研磨用组合物，而对于同样的组合物本领域技术人员能够得出其能够用于研磨硅晶圆并能够降低硅晶圆表面的雾度的性质，因而权利要求1不具备创造性。对于权利要求1中R1为其它限定的并列技术方案，本领域技术人员容易想到使用与氢原子、甲基、羟甲基、三氟甲基、羟乙基、苯基、苄基所限定的聚合物性质相类似的一类聚合物来形成权利要求1中R1为其它限定的并列技术方案，而对于同样的组合物本领域技术人员能够得出其能够用于研磨硅晶圆并能够降低硅晶圆表面的雾度的性质，因而不具备创造性。2、权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件1、2所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年04 月30 日提交了意见陈述书和修改的权利要求书的全文替换页（包括权利要求第1-7项），在驳回决定所针对的文本的基础上，将R2限定为碳数2-18的烷醇基。
此次修改的权利要求书为：
“1. 一种硅晶圆研磨用组合物，其含有磨粒、硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物及水，所述含酰胺基聚合物在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A，所述磨粒的平均二次粒径为10nm～60nm，所述硅晶圆研磨用组合物的pH为9.5以上且低于12.0，
其中，所述通式(1)中的R1为氢原子、碳数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基；另外，R2为碳数2～18的烷醇基，R3为氢原子、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、碳数2～18的烷醇基、碳数6～60的芳香族基团、或具有取代基的碳数2～18的烷基，所述烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基和芳香族基团包括具有取代基的情况。
2. 根据权利要求1所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均一次粒径为5nm～32nm。
3. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，所述研磨用组合物中所含有的颗粒的体积平均粒径DA为10nm～80nm。
4. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述含酰胺基聚合物为非离子性。
5. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述通式(1)中的R1为氢原子或甲基。
6. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述通式(1)中的R2、R3相同或不同，均为氢原子、碳数1～4的烷氧基烷基、碳数2～4 的烷醇基、或具有取代基的碳数2～4的烷基，但不包括R2、R3这两者为氢原子的情况。
7. 根据权利要求1或2所述的硅晶圆研磨用组合物，其中，所述磨粒为二氧化硅颗粒。”
复审请求人认为：对比文件1中对于修改后权利要求1中R2、R3的限定没有记载和启示，也没有研究R2、R3的变化对研磨效果的影响，本领域技术人员无法容易地想到R2、R3的限定及其技术效果，本申请能够获得良好的雾度降低效果和硅晶圆浸润性，是本领域技术人员无法预料的。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年04月30日答复复审通知书时提交了修改后的权利要求书替换页，包括权利要求第1-7项。经审查，复审请求人对权利要求书的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：复审请求人于2016年10月14日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-204段，说明书摘要；2019年04月30日提交的权利要求第1-7项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员有动机将该区别技术特征应用于最接近的现有技术中，进而获得该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：JP特开2008-91524A，公开日为2008年04月17日；
对比文件2：CN101560373A，公开日为2009年10月21日。
2.1权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种硅晶圆研磨用组合物，对比文件1公开了一种半导体器件中金属研磨用组合物，其中具体公开了（参见说明书第[0020]-[0036]、[0073]-[0078]段）：其含有磨粒、碱性化学试剂（即研磨促进剂）、具有通式（I）的水溶性聚合物（即含酰胺基聚合物）和水；磨粒的平均二次粒径为20nm-50nm (参见说明书第[0023]、[0095]段)，研磨用组合物的pH为3-12（参见说明书第[0076]段），通式（I）为：
其中，通式(I)中的R1为氢原子、甲基、羟甲基、三氟甲基、苯基、苄基；R2、R3为氢原子、烷基、酰基。对于权利要求1中的用途限定“硅晶圆研磨用”，其并没有对权利要求1所要求保护的组合物本身带来任何影响，因此对要求保护的组合物没有限定作用。权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）组合物的pH为9.5以上且低于12.0；（2）由R2、R3的具体限定构成聚合物和组合物。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：降低硅晶圆表面的雾度。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了研磨用组合物的pH为3-12（参见说明书第[0076]段），因而本领域技术人员容易得到技术启示进行pH为9.5以上且低于12.0的常规技术选择。
对于区别技术特征（2），对比文件1公开了R2、R3为氢原子、烷基、酰基，由此本领域技术人员容易想到使用与R2、R3上述限定的聚合物性质相类似的一类聚合物、即权利要求1中对R2、R3所作限定的聚合物来形成研磨用组合物，而对于同样的组合物本领域技术人员能够得出其能够用于研磨硅晶圆并能够降低硅晶圆表面的雾度的性质。因而权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
此外，对于权利要求1中R1为其它限定的并列技术方案，本领域技术人员容易想到使用与氢原子、甲基、羟甲基、三氟甲基、羟乙基、苯基、苄基所限定的聚合物性质相类似的一类聚合物来形成权利要求1中R1为其它限定的并列技术方案，而对于同样的组合物本领域技术人员能够得出其能够用于研磨硅晶圆并能够降低硅晶圆表面的雾度的性质。因而权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.2权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件1(参见说明书第[0095]段)公开了：磨粒的平均一次粒径为16.6nm。因而在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2不具备创造性。
2.3权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件1（参见说明书第[0023]段）公开了颗粒的体积平均粒径为20nm-50nm。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求3不具备创造性。
2.4权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件2（参见说明书第9页倒数第2段）公开了一种氧化硅用研磨剂，并公开了：多晶硅膜研磨抑制剂是非离子系水溶性高分子，其原因是多晶硅膜表面较容易被非离子系水溶性高分子所附着，并且其作用与在本申请中的相同，都是用于对硅晶圆的研磨。因而权利要求4不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.5权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件1（参见说明书第[0021]段）公开了R1为氢原子或甲基。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求5不具备创造性。
2.6权利要求6、7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6、7附加技术特征中的技术手段，为本领域技术人员根据实际需要所做出的常规技术选择。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求6、7不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在意见陈述中认为：对比文件1中对于修改后权利要求1中R2、R3的限定没有记载和启示，也没有研究R2、R3的变化对研磨效果的影响，本领域技术人员无法容易地想到R2、R3的限定及其技术效果，本申请能够获得良好的雾度降低效果和硅晶圆浸润性，是本领域技术人员无法预料的。
对此，合议组认为：对比文件1公开了R2、R3为氢原子、烷基、酰基，本申请权利要求1中R2、R3的限定在形成通式（I）后的性质与对比文件1公开的R2、R3为氢原子、烷基、酰基的性质相近或相似，因而是本领域技术人员容易想到的，并且由于其性质相近或相似，其所取得的技术效果也是本领域技术人员能够预料的，因而本申请不具备创造性，复审请求人意见陈述的理由不成立，合议组不予支持。
综上，本案事实清楚，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月28日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
