发明创造名称：在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层
外观设计名称：
决定号：186759
决定日：2019-08-15
委内编号：1F263345
优先权日：2015-07-13
申请（专利）号：201610511090.X
申请日：2016-06-30
复审请求人：格罗方德半导体公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：韩冰
合议组组长：树奇
参审员：李发喜
国际分类号：H01L21/02，H01L21/306
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征被现有技术的其它对比文件公开，并且所起的作用与在本申请中的作用相同，另一部分区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员在该最接近的现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件以及本领域的公知常识而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，则该项权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610511090.X，名称为“在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为格罗方德半导体公司，申请日为2016年06月30日，优先权日为2015年07月13日，公开日为2017年01月25日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年07月04日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：2017年12月21日提交的权利要求第1-11项；申请日2016年06月30日提交的说明书第1-6页、说明书附图第1-6页、说明书摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
在硅(Si)晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：
通过蚀刻形成锥体在该硅晶圆的该上表面中，其中该锥体具有小于300纳米的高度以及具有硅＜111＞表面；
在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层，其中该低温晶种层外延生长在该硅晶圆的该非平坦表面或该V型凹槽表面的沟槽中；
沉积应力松弛缓冲(SRB)层在该低温晶种层上方；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中该平坦化包括：
以化学机械研磨(CMP)平坦化该应力松弛缓冲层的该上表面。
3. 根据权利要求1所述的方法，还包括：
外延生长该低温晶种层至10纳米至40纳米的厚度。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，该锥体具有低于200纳米的深度。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，该低温晶种层包括锗(Ge)、磷化铟(InP)或砷化镓(GaAs)。
6. 根据权利要求1所述的方法，还包括：
在该低温晶种层上方以200至500纳米的厚度外延生长该应力松弛缓冲层，其中该应力松弛缓冲层包含硅锗(SixGe1-x)、砷化铟镓(InGaAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：
形成平行的V型凹槽在该硅晶圆的该上表面中。
8. 一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
形成非平坦表面在硅晶圆的上表面中，其中该非平坦表面包含硅＜111＞表面；
外延生长低温晶种层在该硅晶圆的该非平坦表面上，其中该低温晶种层外延生长在该硅晶圆的该非平坦表面或V型凹槽表面的沟槽中，该低温晶种层包括锗、磷化铟或砷化镓；
在该低温晶种层上方以200纳米至300纳米的厚度外延生长应力松弛缓冲层，其中该应力松弛缓冲层包括硅锗(SiGe)、砷化铟镓(InxGa1-xAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。
9. 根据权利要求8所述的方法，还包括：
外延生长该低温晶种层至10纳米至40纳米的厚度。
10. 根据权利要求8所述的方法，其中该平坦化包括：
使用化学机械研磨平坦化该应力松弛缓冲的该上表面。
11. 根据权利要求8所述的方法，其中，形成该非平坦表面在该硅晶圆的该上表面上的步骤包含：
形成锥体或平行的V型凹槽在该硅晶圆的该上表面中。”
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：CN104600070A，公开日为2015年05月06日；
对比文件2：CN102130224A，公开日为2011年07月20日。
驳回决定认为：独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）衬底为晶圆，其表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：藉由蚀刻形成锥体在该硅晶圆的该上表面中，其中该锥体具有小于300纳米的高度以及具有硅＜111＞表面；该低温晶种层外延生长在该硅晶圆的该非平坦表面或该V型凹槽表面的沟槽中；（2）缓冲层使用沉积方法形成；以及平坦化应力松弛缓冲层的上表面。独立权利要求8与对比文件1的区别技术特征为：（1?）衬底为晶圆，形成非平坦表面在硅晶圆的上表面中，其中该非平坦表面包含硅＜111＞表面；该低温晶种层外延生长在该硅晶圆的该非平坦表面或该V型凹槽表面的沟槽中，并包括锗、磷化铟或砷化镓；（2?）缓冲层使用外延生长方法形成并具有200纳米至300纳米的厚度；以及平坦化应力松弛缓冲层；缓冲层还可包括砷化铟镓(InxGa1-xAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)。上述区别技术特征（1）、（1?）部分被对比文件2公开并且所起作用与在本申请中的相同，其他区别技术特征属于本领域的公知常识。因此，权利要求1和8不具备创造性。从属权利要求2-7、9-11也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月19日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-9项），其中对独立权利要求1和8进行了修改，删除了从属权利要求7和11，适应性修改了权利要求的序号及引用关系。修改后的独立权利要求1和7内容如下：
“1. 一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
在硅(Si)晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：
通过蚀刻随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中；
在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层；
沉积应力松弛缓冲(SRB)层在该低温晶种层上方；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。”
“7. 一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
形成非平坦表面在硅晶圆的上表面中，其中该非平坦表面包含硅＜111＞表面；
外延生长低温晶种层在该硅晶圆的该非平坦表面上，其中该低温晶种层包括锗、磷化铟或砷化镓；
在该低温晶种层上方以200纳米至300纳米的厚度外延生长应力松弛缓冲层，其中该应力松弛缓冲层包括硅锗(SiGe)、砷化铟镓(InxGa1-xAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面，
其中，形成该非平坦表面在该硅晶圆的该上表面上的步骤包含：
随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中。”
复审请求人认为：本申请中，在硅晶圆101的上表面形成多个锥体形状201，使其具有非平坦的上表面，该锥体是通过蚀刻制程随机形成的。对比文件1为不具有锥体的硅晶圆上表面；对比文件2仅教示硅衬底的锥状表面必须透过对形成图形化掩膜层380后，经蚀刻程序方能形成的规律结构，但并非是随机产生。对比文件2与本申请在锥状结构形成技术上明显不相同，由此无法得到本申请的“通过蚀刻随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中”的区别技术特征。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月24日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为，虽然对比文件2未公开椎体是随机形成的，但是根据本申请说明书第[0004]-[0006]段的记载，本申请形成凹槽和在凹槽中提供＜111＞表面是为了降低在其上外延生长的膜层中的缺陷。对比文件2形成凹槽的作用与在本申请中的作用相同，即对比文件2给出了在衬底表面形成凹槽的技术启示；而是否随机形成并没有对上述效果产生影响，即并不能使权利要求取得预料不到的技术效果。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-9相对于对比文件1与对比文件2及本领域的公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见，指出：本领域技术人员公知，在使用例如KOH的蚀刻液从硅片的（100）面开始蚀刻时，由于KOH对硅片各晶面的蚀刻速度（110）＞（100）＞（111），且（111）面的蚀刻速度是（100）面的1／400，因此（111）面可以认为是KOH刻蚀的阻挡面，因此在不存在掩膜的情形下，通过蚀刻即可获得不规则的具有（111）表面的锥体结构，即本领域技术人员根据公知常识容易获得本申请的随机形成的锥体。
复审请求人于2019年04月30日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-9项），其中在独立权利要求1和7中增加了技术特征“于温度范围在400℃及700℃之间”，修改后的独立权利要求1和7内容如下：
“1. 一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
在硅(Si)晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：
通过蚀刻随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中；
于温度范围在400℃及700℃之间在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层；
沉积应力松弛缓冲(SRB)层在该低温晶种层上方；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。”
“7. 一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
形成非平坦表面在硅晶圆的上表面中，其中该非平坦表面包含硅＜111＞表面；
于温度范围在400℃及700℃之间外延生长低温晶种层在该硅晶圆的该非平坦表面上，其中该低温晶种层包括锗、磷化铟或砷化镓；
在该低温晶种层上方以200纳米至300纳米的厚度外延生长应力松弛缓冲层，其中该应力松弛缓冲层包括硅锗(SiGe)、砷化铟镓(InxGa1-xAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面，
其中，形成该非平坦表面在该硅晶圆的该上表面上的步骤包含：
随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中。”
复审请求人认为：对比文件1的晶种层仅形成在平坦的衬底上；对比文件2的硅衬底与缓冲层之间并无任何外延生长低温晶种层的可能。因此，对比文件1及对比文件2皆未披露本申请修改后权利要求1中“于温度范围在400℃及700℃之间在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层”的技术特征，更无法得到本申请“完全松弛的应力松弛缓冲层的快速形成”的技术效果。据此，本申请修改后权利要求具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时对权利要求书进行了修改，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于2019年04月30日提交的权利要求第1-9项；于申请日2016年06月30日提交的说明书第1-6页、说明书附图第1-6页、说明书摘要及摘要附图。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征被现有技术的其它对比文件公开，并且所起的作用与在本申请中的作用相同，另一部分区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员在该最接近的现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件以及本领域的公知常识而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，则该项权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN104600070A，公开日为2015年05月06日；
对比文件2：CN102130224A，公开日为2011年07月20日。
2-1、权利要求1请求保护一种制造半导体装置的方法，对比文件1（参见说明书第[0058]-[0069]段，附图1、6）公开了一种衬底结构的制造方法，并具体公开了以下技术内容：在硅衬底10（对应于硅晶圆）的表面上形成晶种层20，并将缓冲层30形成在晶种层20上面；设置缓冲层30以减小由于衬底10与随后生长的一层之间的晶格常数差异导致的位错；缓冲层也可有助于抑制由于衬底10与将生长的一层之间的热膨胀系数差异导致的开裂；缓冲层可具有包括锗(Ge)、SiGe或GeSn的至少一层，其必然是通过沉积方法形成（相当于沉积应力松弛缓冲(SRB)层在晶种层上方）；缓冲层的厚度可以为120nm。可见权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）在硅晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：通过蚀刻随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中；于温度范围在400℃及700℃之间在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层；（2）平坦化应力松弛缓冲层的上表面。基于上述区别技术特征可以确定权利要求1实际解决的技术问题是：进一步降低在硅衬底表面形成其他膜层的缺陷，利于后续膜层的生长。
对于上述区别技术特征（1），对比文件2（参见说明书第[0019]-[0033]段，附图2-4）公开了一种发光二极管的制造方法，并具体公开了如下技术特征：提供(100)晶面的硅衬底300，在所述硅衬底300上形成图形化掩膜层380，以所述图形化掩膜层380为掩膜，湿法刻蚀所述硅衬底300，将所述硅衬底300的一部分转变为（111）晶面，从而使得所述硅衬底300表面呈锥形；所述硅衬底表面呈锥形，可提高硅衬底与其它膜层的晶格匹配度，减小形成于硅衬底上的膜层的晶体缺陷，释放应力并减少位错，提高发光二极管的内量子效率，并可确保器件不易破裂。可见上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用相同，都是用于降低在硅衬底表面形成其他膜层的缺陷，即对比文件2给出了将上述技术特征用于对比文件1的技术启示。此外，在将对比文件2公开的表面呈锥形的衬底用于对比文件1的结构时，形成在衬底上的晶种层自然形成在该非平坦表面，并且温度范围在400℃及700℃之间的外延生长低温晶种层是本领域的常规技术手段。对于“随机形成”的区别技术特征，首先，关于V型凹槽的形成，本申请的说明书给出了两种方式（参见本申请说明书第[0030]-[0032]段）：a）通过蚀刻随机形成；b）对该硅晶圆101进行遮罩及方向选择性的V型凹槽蚀刻，如附图3所示。可见，本申请也给出了与对比文件2同样的通过掩膜形成规则凹槽的实施方式，并且本申请的说明书并未记载随机形成的凹槽相对于通过掩膜形成的规则凹槽具有何预料不到的技术效果。而根据本申请说明书的记载，本申请技术方案的关键点在于通过V型凹槽提供＜111＞表面，从而缺陷可以被局部地限制或捕捉在非平坦硅表面上的10纳米的晶种外延厚度内，而凹槽是随机形成还是规则形成，对于其所要解决的技术问题并无影响，因此，“通过蚀刻随机形成锥体”仅仅是本领域技术人员根据需要的一种常规选择，该选择也未产生任何预料不到的技术效果。其次，对比文件2指出（参见说明书第[0031]、[0034]段）：不论掩模图形如何，(100)晶面的硅衬底经过一段时间的湿法刻蚀后，得到的边界均是由(111)晶面组成。为了进一步改善硅衬底300与氮化镓材料之间的晶格常数失配及应力问题，在(111)晶面硅衬底302上形成缓冲层310，所述缓冲层310完全覆盖(111)晶面硅衬底302。从对比文件2公开的上述内容可以看出，为解决其技术问题，其技术方案的核心在于将硅衬底300的一部分转变为（111）晶面，而该（111）晶面并不依赖于掩膜的图形，虽然其一实施例中给出了规则排列的锥形结构，但是本领域技术人员可以理解，其仅仅是一种示例，并不是对锥形图形的绝对限制。再次，本领域技术人员公知，在使用例如KOH的蚀刻液从硅片的（100）面开始蚀刻时，由于KOH对硅片各晶面的蚀刻速度（110）＞（100）＞（111），且（111）面的蚀刻速度是（100）面的1／400，因此（111）面可以认为是KOH刻蚀的阻挡面，因此在不存在掩膜的情形下，通过蚀刻即可获得不规则的具有（111）表面的锥体结构，即本领域技术人员根据公知常识容易获得本申请的随机形成的锥体。
对于上述区别技术特征（2），为了利于后续膜层的生长而对衬底表面进行平坦化属于本领域的惯用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求7请求保护一种制造半导体装置的方法，其包括多个并列的技术方案，对于低温晶种层包括锗、应力松弛缓冲层包括硅锗(SiGe)的技术方案，对比文件1（参见说明书第[0058]-[0069]段，附图1、6）公开了一种衬底结构的制造方法，并具体公开了以下技术内容：在硅衬底10（对应于硅晶圆）的表面上形成晶种层20，晶种层可具有包括硼(B)和/或磷(P)的至少一层。例如，晶种层20可具有包括硼(B)、BGe、BSiGe、P、PGe、PSiGe、B:Ge、B:SiGe、P:Ge或P:SiGe的至少一层；并将缓冲层30形成在晶种层20上面；设置缓冲层30以减小由于衬底10与随后生长的一层之间的晶格常数差异导致的位错；缓冲层也可有助于抑制由于衬底10与将生长的一层之间的热膨胀系数差异导致的开裂；缓冲层可具有包括锗(Ge)、SiGe或GeSn的至少一层（相当于沉积应力松弛缓冲(SRB)层在该低温晶种层上方）；缓冲层可具有0-2微米的厚度，例如可以为120nm。可见权利要求7的上述技术方案与对比文件1的区别技术特征为：（1）形成非平坦表面在硅晶圆的上表面中，其中该非平坦表面包含硅＜111＞表面；于温度范围在400℃及700℃之间外延生长低温晶种层在该硅晶圆的该非平坦表面上；其中，形成该非平坦表面在该硅晶圆的该上表面上的步骤包含：随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中；（2）以200纳米至300纳米的厚度外延生长应力松弛缓冲层，平坦化应力松弛缓冲层的上表面。基于上述区别技术特征可以确定权利要求7实际解决的技术问题是：进一步降低在硅衬底表面形成其他膜层的缺陷，利于后续膜层的生长。
对于上述区别技术特征（1），对比文件2（参见说明书第[0019]-[0033]段，附图2-4）公开了一种发光二极管的制造方法，并具体公开了如下技术特征：提供(100)晶面的硅衬底300，在所述硅衬底300上形成图形化掩膜层380，以所述图形化掩膜层380为掩膜，湿法刻蚀所述硅衬底300，将所述硅衬底300的一部分转变为（111）晶面，从而使得所述硅衬底300表面呈锥形；所述硅衬底表面呈锥形，可提高硅衬底与其它膜层的晶格匹配度，减小形成于硅衬底上的膜层的晶体缺陷，释放应力并减少位错，提高发光二极管的内量子效率，并可确保器件不易破裂。可见上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用相同，都是用于降低在硅衬底表面形成其他膜层的缺陷，即对比文件2给出了将上述技术特征用于对比文件1的技术启示。此外，在将对比文件2公开的表面呈锥形的衬底用于对比文件1的结构时，形成在衬底上的晶种层自然形成在该非平坦表面，并且温度范围在400℃及700℃之间的外延生长低温晶种层是本领域的常规技术手段。对于“随机形成”的区别技术特征，首先，关于V型凹槽的形成方式，本申请的说明书给出了两种方式（参见本申请说明书第[0030]-[0032]段）：a）通过蚀刻随机形成；b）对该硅晶圆101进行遮罩及方向选择性的V型凹槽蚀刻，如附图3所示。可见，本申请也给出了与对比文件2同样的通过掩膜形成规则凹槽的实施方式，并且本申请的说明书并未记载随机形成的凹槽相对于通过掩膜形成的规则凹槽具有何预料不到的技术效果。而根据本申请说明书的记载，本申请技术方案的关键点在于通过V型凹槽提供＜111＞表面，从而缺陷可以被局部地限制或捕捉在非平坦硅表面上的10纳米的晶种外延厚度内，而凹槽是随机形成还是规则形成，对于其所要解决的技术问题并无影响，因此，“通过蚀刻随机形成锥体”仅仅是本领域技术人员根据需要的一种常规选择，该选择也未产生任何预料不到的技术效果。其次，对比文件2指出（参见说明书第[0031]、[0034]段）：不论掩模图形如何，(100)晶面的硅衬底经过一段时间的湿法刻蚀后，得到的边界均是由(111)晶面组成。为了进一步改善硅衬底300与氮化镓材料之间的晶格常数失配及应力问题，在(111)晶面硅衬底302上形成缓冲层310，所述缓冲层310完全覆盖(111)晶面硅衬底302。从对比文件2公开的上述内容可以看出，为解决其技术问题，其技术方案的核心在于将硅衬底300的一部分转变为（111）晶面，而该（111）晶面并不依赖于掩膜的图形，虽然其一实施例中给出了规则排列的锥形结构，但是本领域技术人员可以理解，其仅仅是一种示例，并不是对锥形图形的绝对限制。再次，本领域技术人员公知，在使用例如KOH的蚀刻液从硅片的（100）面开始蚀刻时，由于KOH对硅片各晶面的蚀刻速度（110）＞（100）＞（111），且（111）面的蚀刻速度是（100）面的1／400，因此（111）面可以认为是KOH刻蚀的阻挡面，因此在不存在掩膜的情形下，通过蚀刻即可获得不规则的具有（111）表面的锥体结构，即本领域技术人员根据公知常识容易获得本申请的随机形成的锥体。
对于上述区别技术特征（2），对比文件1已经公开了缓冲层可具有120nm的厚度，即已经公开了铺设薄的应力缓冲层，而对衬底表面进行平坦化以利于后续膜层的生长是本领域的惯用技术手段，本领域技术人员容易选择先形成200纳米至300纳米的厚度的应力松弛缓冲层，然后通过平坦化获得需要的薄的应力缓冲层。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求7请求保护的上述技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求7请求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求7的其他并列技术方案：磷化铟或砷化镓是本领域常用的晶种层材料，砷化铟镓(InxGa1-xAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)是本领域常用的缓冲层材料；使用上述材料作为晶种层和缓冲层属于本领域技术人员的常规选择。在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求7请求保护的上述其他并列技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求7请求保护的上述其他并列技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求2，9：化学机械研磨(CMP)是本领域惯用的平坦化的方法；
权利要求3，8：对比文件1公开了晶种层的厚度可以为10nm（参见说明书第[0069]段，附图6）；
权利要求4：本领域技术人员从降低在硅衬底表面形成其他膜层的缺陷的目的出发，通过有限的常规试验即可确定合适的锥体深度，不需要付出创造性的劳动；
权利要求5：对比文件1公开了（参见说明书第[0059段]：晶种层20可具有包括硼(B)、BGe、BSiGe、P、PGe、PSiGe、B:Ge、B:SiGe、P:Ge或P:SiGe的至少一层。此外，本领域技术人员能够根据所要形成的外延层，以及晶格匹配特性选择适合的晶种材料，例如选用磷化铟(InP)或砷化镓(GaAs)的材料作为低温晶种层。
权利要求6：对比文件1公开了（参见说明书第[0065]、[0069]段）：形成在晶种层上方的缓冲层的厚度可以为120nm或400nm，缓冲层可包括递变层，诸如递变的Six2Ge1-x2(其中0＜x2＜1)层。此外，砷化铟镓(InGaAs)或磷砷化镓铟(GaxIn1-xAsyP1-y)也是本领域惯用的缓冲层的材料。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2-6、8-9请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、 针对复审请求人意见陈述的答复
对于复审请求人在答复复审通知书时所陈述的意见，合议组认为：对比文件1公开了在硅衬底10的表面上形成晶种层20，并将缓冲层30形成在晶种层20上面。对比文件2公开了硅衬底300表面呈锥形，并且公开了其作用是提高硅衬底与其它膜层的晶格匹配度，减小形成于硅衬底上的膜层的晶体缺陷，释放应力并减少位错。可见，对比文件2已经给出了硅衬底表面的锥形结构具有释放应力的技术启示。本领域技术人员在对比文件2给出的技术教导下，有动机对对比文件1的技术方案进行改进，将对比文件1的硅衬底10形成为锥形的表面，然后再形成晶种层20和缓冲层30。同时，成膜工艺的低温化要求已经是本领域的普遍技术需求，其中的低温化学气相沉积技术是其典型的代表，在上述的成膜方法中，400℃-700℃是典型的低温CVD的成膜温度。因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组现作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月04日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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