发明创造名称：半导体封装结构和封装方法
外观设计名称：
决定号：186517
决定日：2019-08-14
委内编号：1F265865
优先权日：
申请（专利）号：201410186944.2
申请日：2014-05-05
复审请求人：清华大学
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐小岭
合议组组长：罗崇举
参审员：杨丽丽
国际分类号：H01L23/24，H01L21/50
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，其他对比文件没有公开该区别技术特征，同时该区别技术特征也不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征的引入使得该权利要求的技术方案具备有益的技术效果，那么该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410186944.2，名称为“半导体封装结构和封装方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为清华大学，申请日为2014年05月05日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，以权利要求1、5、6、10不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请，驳回决定中的具体理由是：（1）独立权利要求1与对比文件1（US2002/0100969A1，公开日为2002年08月01日）存在着区别技术特征“①框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上；②该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数”，上述区别技术特征①被对比文件2（US5777847A，公开日为1998年07月07日）公开了，区别技术特征②属于本领域的常规技术手段，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求6与对比文件1存在着区别技术特征“①芯片的上表面上固定框架；②该框架的热膨胀系数小于用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层的热膨胀系数”，上述区别技术特征①被对比文件2公开了，区别技术特征②属于本领域的常规技术手段，因此权利要求6相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）权利要求1的从属权利要求5和权利要求6的从属权利要求10的附加技术特征被对比文件1公开了，因此权利要求5和10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（3）申请人还在驳回决定的“其他说明”部分评述了权利要求2-4、7-9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2014年05月05日提交的说明书第1-82段、说明书摘要、摘要附图、说明书附图1a-9f；于2018年04月25日提交的权利要求第1-10项 。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体封装结构，该封装结构包括基板、位于所述基板上并与该基板电连接的至少一个芯片、以及用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层，其特征在于，该封装结构包括：
框架，所述框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上，其中，该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数，所述框架被容纳在所述封装层中。
2. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述框架具有至少一个接合部分，其中，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上。
3. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架的边缘呈锯齿状，和/或所述框架具有至少一个网孔。
4. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架是通过粘结剂被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上的；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过倒装键合方式电连接的情况下，所述粘结剂为银浆；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过引线键合方式电连接的情况下，所述粘结剂为芯片粘接膜。
5. 根据权利要求1-4中任一权利要求所述的封装结构，其特征在于，所述框架为金属框架。
6. 一种半导体封装方法，其特征在于，该方法包括：
在基板的上表面上布置至少一个芯片，并将所述至少一个芯片与所述基板电连接；
在所述至少一个芯片的上表面上固定框架，其中，该框架的热膨胀系数小于用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层的热膨胀系数；以及
对所述至少一个芯片进行封装，所述框架被容纳在所述封装层中。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述框架具有至少一个接合部分，其中，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上。
8. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述框架的边缘呈锯齿状，和/或所述框架具有至少一个网孔。
9. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，利用粘结剂在所述至少一个芯片的上表面上固定所述框架；
在通过倒装键合方式将所述至少一个芯片与所述基板电连接的情况下，所述粘结剂为银浆；
在通过引线键合方式将所述至少一个芯片与所述基板电连接的情况下，所述粘结剂为芯片粘接膜。
10. 根据权利要求6-9任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述框架为金属框架。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月13日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了修改的权利要求书，其中在申请日提交的权利要求书的基础上，将权利要求3的特征增加到权利要求1中，将权利要求9的特征增加到权利要求7中，并删除了权利要求3和9，并适应性修改了权利要求的编号。复审请求人认为：①框架是通过各个附着有粘结剂的接合部分粘结在相应的芯片的上表面上的，其所起的作用的是为了增加封装结构的对称性，与对比文件2中固定方式和作用均不同；②特征“该框架的热膨胀系数小所述封装层的热膨胀系数”不属于本领域的常规技术手段，对比文件1与权利要求1所针对的热膨胀系数失配的对象不同，对比文件1是针对框架与封装层之间的热膨胀系数失配，而权利要求1中的框架是为了低封装层的热膨胀系数，进而减小封装层与基板之间的热膨胀系数差异。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种半导体封装结构，该封装结构包括基板、位于所述基板上并与该基板电连接的至少一个芯片、以及用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层，其特征在于，该封装结构包括：
框架，所述框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上，其中，该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数；
所述框架具有至少一个接合部分，其中，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上。
2. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架被容纳在所述封装层中。
3. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架的边缘呈锯齿状，和/或所述框架具有至少一个网孔。
4. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架是通过粘结剂被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上的；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过倒装键合方式电连接的情况下，所述粘结剂为银浆；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过引线键合方式电连接的情况下，所述粘结剂为芯片粘接膜。
5. 根据权利要求1-4中任一权利要求所述的封装结构，其特征在于，所述框架为金属框架。
6. 一种半导体封装方法，其特征在于，该方法包括：
在基板的上表面上布置至少一个芯片，并将所述至少一个芯片与所述基板电连接；
在所述至少一个芯片的上表面上固定框架，其中，该框架的热膨胀系数小于用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层的热膨胀系数；以及
对所述至少一个芯片进行封装；
其中，所述框架具有至少一个接合部分，其中，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述框架被容纳在所述封装层中。
8. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述框架的边缘呈锯齿状和/或所述框架具有至少一个网孔。
9. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，利用粘结剂在所述至少一个芯片的上表面上固定所述框架；
在通过倒装键合方式将所述至少一个芯片与所述基板电连接的情况下，所述粘结剂为银浆；
在通过引线键合方式将所述至少一个芯片与所述基板电连接的情况下，所述 粘结剂为芯片粘接膜。
10. 根据权利要求6-9任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述框架为金属框架。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：①对比文件2公开了散热帽层4通过粘接层直接粘附于芯片上的结构，通过直接粘附而非隔着树脂，可以提升散热效率，因此本领域技术人员在此基础上可以想到将对比文件1中的帽层26的中间对应部分通过粘结层与芯片粘接；②对比文件1的说明书第2段明确公开了“芯片通常覆盖有一个散热帽，用于平衡热膨胀系数，以补偿热膨胀系数的不匹配，并导致整个封装布置翘曲”，说明书第3段公开了“补偿封装中各组件之间遇到的热膨胀系数和由此产生的收缩的任何不匹配概念”，帽层-封装材料-基板三者为一互相关联的体系，若封装材料的热膨胀系数偏大，帽层为了平衡由封装材料热膨胀系数过大带来的翘曲，就要小于封装材料的热膨胀系数，申请人的意见陈述将三者的联系割裂，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年03 月08 日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性：①独立权利要求1和6与对比文件1存在着区别技术特征“所述框架具有至少一个接合部分，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应，每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上”，上述区别技术特征属于本领域的常用技术手段，因此权利要求1和6相对于对比文件1和本领域的常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；②权利要求1的从属权利要求2-5和权利要求6的从属权利要求7-10的附加技术特征或者被对比文件1公开了，或者属于本领域的常用技术手段，因此权利要求2-5和7-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年04 月22 日提交了意见陈述书和权利要求书，其中在权利要求1和6中增加了特征“所述接合部分从所述框架中突出或与所述框架处于同一平面，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”；复审请求人于2019年07月29日主动补正时提交了权利要求书，其中将权利要求1和6中的特征“所述接合部分从所述框架中突出或与所述框架处于同一平面”修改为“所述接合部分从所述框架中突出”。复审请求人认为：①对比文件1的框架为水平板状，其整个表面都附有与芯片的上表面结合的粘结剂，粘结剂的面积大于芯片的上表面的面积，因此没有公开特征“所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”，同时对比文件2也没有公开上述特征；②框架接合部分突出于框架，可以改变框架和芯片之间的空间，便于在对芯片进行封装时封装层材料在框架与芯片之间流动，并提高封装材料在框架与芯片之间的均匀性，进而减小封装结构的内应力，也可以避免框架与键合引线的接触。因此权利要求1具备创造性。
复审请求人于2019年07月29日提交的权利要求书如下：
“1. 一种半导体封装结构，该封装结构包括基板、位于所述基板上并与该基板电连接的至少一个芯片、以及用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层，其特征在于，该封装结构包括：
框架，所述框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上，其中，该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数；
所述框架具有至少一个接合部分，所述接合部分从所述框架中突出，其中，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积。
2. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架被容纳在所述封装层中。
3. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架的边缘呈锯齿状，和/或所述框架具有至少一个网孔。
4. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架是通过粘结剂被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上的；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过倒装键合方式电连接的情况下，所述粘结剂为银浆；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过引线键合方式电连接的情况下，所述粘结剂为芯片粘接膜。
5. 根据权利要求1-4中任一权利要求所述的封装结构，其特征在于，所述框架为金属框架。
6. 一种半导体封装方法，其特征在于，该方法包括：
在基板的上表面上布置至少一个芯片，并将所述至少一个芯片与所述基板电连接；
在所述至少一个芯片的上表面上固定框架，其中，该框架的热膨胀系数小于用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层的热膨胀系数；以及
对所述至少一个芯片进行封装；
其中，所述框架具有至少一个接合部分，所述接合部分从所述框架中突出，其中，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述框架被容纳在所述封装层中。
8. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述框架的边缘呈锯齿状和/或所述框架具有至少一个网孔。
9. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，利用粘结剂在所述至少一个芯片的上表面上固定所述框架；
在通过倒装键合方式将所述至少一个芯片与所述基板电连接的情况下，所述 粘结剂为银浆；
在通过引线键合方式将所述至少一个芯片与所述基板电连接的情况下，所述粘结剂为芯片粘接膜。
10. 根据权利要求6-9任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述框架为金属框架。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年07月29日主动补正时提交了修改的权利要求书，其中修改了权利要求1和6，经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审决定依据的文本为：复审请求人于申请日2014年05月05日提交的说明书第1-82段、说明书摘要、摘要附图、说明书附图1a-9f，于2019年07月29日提交的权利要求第1-10项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，其他对比文件没有公开该区别技术特征，同时该区别技术特征也不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征的引入使得该权利要求的技术方案具备有益的技术效果，那么该权利要求具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定相同，即：
对比文件1：US2002100969A1，公开日为2002年08月01日；
对比文件2：US5777847A，公开日为1998年07月07日。
1、权利要求1的创造性
权利要求1要求保护一种半导体封装结构。对比文件1公开了一种半导体封装结构，具体公开了如下特征（参见说明书第0002段至第0048段，附图1-7）：半导体芯片封装10，包括：电路基板12、位于电路基板12上并与电路基板12通过焊球16实现电连接的半导体芯片14、以及对半导体芯片14进行封装的电介质粘结剂22（相当于封装层）；盖层结构20（相当于框架），盖层结构20通过电介质粘结剂22固定在半导体芯片14的上表面，其朝向半导体芯片14的下表面设有穿孔或凹槽，电介质粘结剂22可以填充到穿孔（参见附图3-5）或凹坑（参见附图6和7）中。其中盖层结构20的材料为钢或依照本发明可以适用的其他金属材料（参见说明书第0046段）。在说明书第0020段中记载，依据本发明的实施例，盖层的穿孔或凹槽中填充环氧树脂粘结剂或粘结材料，可以提高盖层和芯片之间的机械锁闭互联能力，由此可以确定电介质粘结剂22可为环氧树脂。而环氧树脂的热膨胀系数大于钢或其他金属的热膨胀系数。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1相比，其区别特征在于：①所述框架具有至少一个接合部分，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应，每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上；②所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①选择合适的方法来将框架固定在封装层中；②提高封装层在框架与芯片之间的均匀性，以及防止框架与引线键合接触。
对于区别技术特征①，本申请为了减小由于封装层和基板材料之间存在热膨胀系数差别引起的封装结构的翘曲，在封装层中设置了框架106，框架106的热膨胀系数小于封装层的热膨胀系数，利用框架106来减小整个封装层的膨胀，来平衡基板和封装层之间的热膨胀系数差，同时框架106为金属材料时可以增加散热效率。而对比文件1公开了在半导体芯片14的上表面的粘结剂22中固定盖层结构20，粘结剂22的材料可为环氧树脂，盖层结构20的材料为钢或其他合适的金属，环氧树脂的热膨胀系数大于钢或其他金属。带有穿孔的盖层结构主要的作用为通过平衡器件叠加层之间的热膨胀来阻止翘曲，还可以作为器件的散热板（参见说明书第0017段）。对比文件1公开了在粘结剂22中固定热膨胀系数小于粘结剂材料的盖层结构20，来平衡器件叠层之间的热膨胀系数的失配来减小封装结构的翘曲，且盖层结构22还可以起到散热板的作用。而将框架设置在封装层中常用的方法包括：a，先将框架固定在芯片上然后填充封装层材料；b，在填充封装层材料同时将框架固定在半导体芯片上；c，先利用封装层材料封装芯片，然后将框架压到封装材料层中。对于方法b，可以使用封装模具，方法c在形成封装层后将框架嵌入其中，均不需要使用粘结剂将框架与芯片粘结。对于方法a，为了防止框架移动和便于操作，会利用粘结剂将框架的接合部分粘结到芯片的表面然后再形成封装层材料，如果有多个芯片，每个芯片与相对应的框架接合部分均利用粘结剂粘结，是本领域的常用技术手段。同时，如果框架作为散热板使用，使用导热胶将芯片和散热板粘结提高散热效率也是本领域的常用技术手段。
对于区别技术特征②，对比文件1公开了在半导体芯片14的上表面的粘结剂22中固定盖层结构20，盖层结构20可以平衡器件叠层之间的热膨胀系数的失配来减小封装结构的翘曲，还可以起到散热板的作用。盖层结构20通过作为封装层的粘结剂22固定在芯片14的上方，其为镶嵌在粘结剂中，不存在与芯片14接合的部分。同时盖层结构20为平板状，不存在突出的部分，因此也不具有突出框架的接合部分，因此对比文件1没有公开特征“所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”。对比文件2公开了一种半导体封装，其中为了平衡基板的刚性和进行散热，在半导体芯片402上通过导电性树脂501粘结盖层405，同时利用盖层保护柱406将盖层405固定在基板401上，其中盖层405为平板状，不存在突出框架的接合部，同时从附图9中也可以看出，导电性树脂501边缘超出芯片402的边缘，因此也没有公开特征“粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”，即对比文件2也没有公开特征“所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”。因此，对比文件1和对比文件2均没有区别技术特征②，同时上述特征也不属于本领域的公知常识，且本申请由于采用了上述技术手段，获得了“便于在对芯片进行封装时封装层材料在框架与芯片之间流动，并提高封装材料在框架与芯片之间的均匀性，也可以避免框架与键合引线的接触”的有益技术效果。
因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2-5的创造性
从属权利要求2-5为权利要求1的从属权利要求，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性，则对其作进一步限定的从属权利要求2-5相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求6的创造性
权利要求6要求保护一种半导体封装方法。对比文件1公开了一种半导体封装结构的封装方法，具体公开了如下特征（参见说明书第0002段至第0048段、权利要求19，附图1-7）：在电路基板12上设置半导体芯片14，半导体芯片14通过焊球16与电路基板12电连接；提供热传导盖层结构20，其具有朝向半导体芯片14的下表面设有穿孔或凹槽，盖层结构20的下表面耦合到半导体芯片14的上表面；利用电介质粘结剂22将半导体芯片14和盖层结构20的下表面和侧面封装。电介质粘结剂22可以填充到穿孔（参见附图3-5）或凹坑（参见附图6和7）中。其中盖层结构20的材料为钢或依照本发明可以适用的其他金属材料（参见说明书第0046段）。在说明书第0020段中记载，依据本发明的实施例，盖层的穿孔或凹槽中填充环氧树脂粘结剂或粘结材料，由此在可以提高盖层和芯片之间的机械锁闭互联能力，由此可以确定电介质粘结剂22可为环氧树脂。而环氧树脂的热膨胀系数大于钢或其他金属的热膨胀系数。
权利要求6要求保护的技术方案与对比文件1相比，其区别特征在于：①所述框架具有至少一个接合部分，接合部分的数量与该框架所固定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片的分布相对应，每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接合部分被固定在相应的芯片的上表面上；②所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①选择合适的方法来将框架固定在封装层中；②提高封装层在框架与芯片之间的均匀性，以及防止与引线键合接触。
对于区别技术特征①，本申请为了减小由于封装层和基板材料之间存在热膨胀系数差别引起的封装结构的翘曲，在封装层中设置了框架106，框架106的热膨胀系数小于封装层的热膨胀系数，利用框架106来减小整个封装层的膨胀，来平衡基板和封装层之间的热膨胀系数差，同时框架106为金属材料时可以增加散热效率。而对比文件1公开了在半导体芯片14的上表面的粘结剂22中固定盖层结构20，粘结剂22的材料可为环氧树脂，盖层结构20的材料为钢或其他合适的金属，环氧树脂的热膨胀系数大于钢或其他金属。带有穿孔的盖层结构主要的作用为通过平衡器件叠加层之间的热膨胀来阻止翘曲，还可以作为器件的散热板（参见说明书第0017段）。对比文件1公开了在粘结剂22中固定热膨胀系数小于粘结剂材料的盖层结构20，来平衡器件叠层之间的热膨胀系数的失配来减小封装结构的翘曲，且盖层结构22还可以起到散热板的作用。而将框架设置在封装层中常用的方法包括：a，先将框架固定在芯片上然后填充封装层材料；b，在填充封装层材料同时将框架固定在半导体芯片上；c，先利用封装层材料封装芯片，然后将框架压到封装材料层中。对于方法b，可以使用封装模具，方法c在形成封装层后将框架嵌入其中，均不需要使用粘结剂将框架与芯片粘结。对于方法a，为了防止框架移动和便于操作，会利用粘结剂将框架的接合部分粘结到芯片的表面然后再形成封装层材料，如果有多个芯片，每个芯片与相对应的框架接合部分均利用粘结剂粘结，是本领域的常用技术手段。同时，如果框架作为散热板使用，使用导热胶将芯片和散热板粘结提高散热效率也是本领域的常用技术手段。
对于区别技术特征②，对比文件1公开了在半导体芯片14的上表面的粘结剂22中固定盖层结构20，盖层结构20可以平衡器件叠层之间的热膨胀系数的失配来减小封装结构的翘曲，还可以起到散热板的作用。盖层结构20通过作为封装层的粘结剂22固定在芯片14的上方，其为镶嵌在粘结剂中，不存在与芯片14接合的部分。同时盖层结构20为平板状，不存在突出的部分，因此也不具有突出框架的接合部分，因此对比文件1没有公开特征“所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”。对比文件2公开了一种半导体封装，其中为了平衡基板的刚性和进行散热，在半导体芯片402上通过导电性树脂501粘结盖层405，同时利用盖层保护柱406将盖层405固定在基板401上，其中盖层405为平板状，不存在突出框架的接合部，同时从附图9中也可以看出，导电性树脂501边缘超出芯片402的边缘，因此也没有公开特征“粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”，即对比文件2也没有公开特征“所述接合部分从所述框架中突出，且所述粘结剂的面积小于所述芯片的上表面的面积”。因此，对比文件1和对比文件2均没有区别技术特征②，同时上述特征也不属于本领域的公知常识，且本申请由于采用了上述技术手段，获得了“便于在对芯片进行封装时封装层材料在框架与芯片之间流动，并提高封装材料在框架与芯片之间的均匀性，也可以避免框架与键合引线的接触”的有益效果。
因此权利要求6相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求7-10的创造性
从属权利要求7-10为权利要求6的从属权利要求，权利要求6相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性，则对其作进一步限定的从属权利要求7-10相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
基于上述理由，合议组依法作出以下复审请求审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018 年08 月03 日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在复审请求人于申请日2014年05月05日提交的说明书第1-82段、说明书摘要、摘要附图、说明书附图1a-9f，于2019年07月29日提交的权利要求第1-10项的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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