发明创造名称：成像装置
外观设计名称：
决定号：188511
决定日：2019-08-13
委内编号：1F276214
优先权日：2013-10-02
申请（专利）号：201410115325.4
申请日：2014-03-26
复审请求人：采钰科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘永欣
合议组组长：韩冰
参审员：马泽宇
国际分类号：H01L27/146
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，其中部分区别技术特征是在其他对比文件给出的技术启示下结合本领域的公知常识容易得到的，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该项权利要求所请求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域的公知常识的结合不具有突出的实质性特点，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410115325.4，名称为“成像装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为采钰科技股份有限公司，申请日为2014年03月26日，优先权日为2013年10月02日，公开日为2015年04月15日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年02月03日发出驳回决定，以本申请权利要求1-8不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2014年03月26日提交的说明书摘要和摘要附图、说明书附图第1页；2017年04月20日提交的说明书第1-8页；2018年09月20日提交的权利要求第1-8项。
驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种成像装置，包括：
基底，包含形成于该基底上的第一光电二极管和第二光电二极管；
光电转换层，由量子点形成，包含设置于该基底上的第一区块和第二区块；
绝缘分隔物，设置于所述光电转换层的第一区块与第二区块之间；
第一电极和第二电极，分别设置于所述光电转换层的第一区块和第二区块之下，其中所述绝缘分隔物不设置在所述第一电极和所述第二电极所在的电极层中；
电性内连接层，设置于所述光电转换层上；以及
彩色滤光片阵列，设置在所述电性内连接层之上，其中所述绝缘分隔物不延伸至所述电性内连接层和所述彩色滤光片阵列中；
其中，所述绝缘分隔物的材料包括具有折射率低于所述光电转换层的折射率的低折射率材料，并且所述绝缘分隔物对于进入所述光电转换层的入射光线构成全反射结构，所述低折射率材料为聚乙烯氧或有机低折射率光阻。
2. 如权利要求1所述的成像装置，其中，所述光电转换层具有第一表面和相对于该第一表面的第二表面，入射光线从该第一表面进入所述光电转换层，并且所述第一电极和第二电极接触所述光电转换层的第二表面。
3. 如权利要求1所述的成像装置，其中，所述电性内连接层的设置于所述光电转换层的第一区块和第二区块上的那些部分电性连接在一起，形成共用电极，在所述电性内连接层上施加第一电压，并在所述第一电极和第二电极上施加第二电压，并且所述第一电压低于所述第二电压。
4. 如权利要求1所述的成像装置，其中，入射光线照射所述光电转换层而产生电子电洞对，并且所述第一电极和第二电极捕捉所述光电转换层中的电子，所述绝缘分隔物阻挡所述光电转换层的第一区块中的电子跨越至所述第二区块。
5. 如权利要求4所述的成像装置，还包括一设置在所述基底与所述光电转换层之间的多层内连线结构，其中，该多层内连线结构包括多层金属层、多层介电层、多层金属层间介电层以及一钝态层，且所述第一电极和第二电极设置在该多层内连线结构中。
6. 如权利要求5所述的成像装置，其中，所述第一电极捕捉的电子经由所述多层内连线结构传送至所述第一光电二极管，所述第二电极捕捉的电子经由所述多层内连线结构传送至所述第二光电二极管。
7. 如权利要求1所述的成像装置，其中，所述光电转换层的第一区块对应至所述第一光电二极管，并且所述光电转换层的第二区块对应至所述第二光电二极管。
8. 如权利要求1所述的成像装置，还包括：
平坦层，设置在所述电性内连接层与所述彩色滤光片阵列之间；以及
微透镜结构，设置在所述彩色滤光片阵列上。”
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：US2010/0060769A1，公开日为2010年03月11日；
对比文件2：CN101997014A，公开日为2011年03月30日。
驳回决定认为：（1）权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：1）其中所述绝缘分隔物不延伸至所述电性内连接层和所述彩色滤光片阵列中；其中所述绝缘分隔物不设置在所述第一电极和所述第二电极所在的电极层中；2）光电转换层，由量子点形成；3）所述绝缘分隔物的材料包括具有折射率低于所述光电转换层的折射率的低折射率材料，并且所述绝缘分隔物对于进入所述光电转换层的入射光线可以构成全反射结构，所述低折射率材料为聚乙烯氧或有机低折射率光阻。上述区别技术特征1）中的部分技术特征被对比文件2公开且作用相同，其余技术特征也是在对比文件1、对比文件2公开内容的基础上容易得到的，上述区别技术特征2）是本领域的公知常识，上述区别技术特征3）是在对比文件2给出的技术启示下结合本领域的公知常识容易得到的。因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2-8也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月13日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页（共8项权利要求）。其中，复审请求人在独立权利要求1中增加了技术特征“所述量子点由化合物半导体奈米结晶核心以及核心材料的氧化物形成在核心的外表面上而构成”。提交复审请求时修改的独立权利要求1的内容如下：
“1. 一种成像装置，包括：
基底，包含形成于该基底上的第一光电二极管和第二光电二极管；
光电转换层，由量子点形成，包含设置于该基底上的第一区块和第二区块，所述量子点由化合物半导体奈米结晶核心以及核心材料的氧化物形成在核心的外表面上而构成；
绝缘分隔物，设置于所述光电转换层的第一区块与第二区块之间；
第一电极和第二电极，分别设置于所述光电转换层的第一区块和第二区块之下，其中所述绝缘分隔物不设置在所述第一电极和所述第二电极所在的电极层中；
电性内连接层，设置于所述光电转换层上；以及
彩色滤光片阵列，设置在所述电性内连接层之上，其中所述绝缘分隔物不延伸至所述电性内连接层和所述彩色滤光片阵列中；
其中，所述绝缘分隔物的材料包括具有折射率低于所述光电转换层的折射率的低折射率材料，并且所述绝缘分隔物对于进入所述光电转换层的入射光线构成全反射结构，所述低折射率材料为聚乙烯氧或有机低折射率光阻。”
在复审请求书中，复审请求人认为：（1）对比文件1分别孤立地公开了分隔物11采用铝、钨等导电材料以及分隔物11采用非导电材料的方案，不涉及在采用非导电材料的情形下形成全反射结构来避免光学串音干扰的问题，因而对比文件1无法获得同时避免电性串音干扰和光学串音干扰的技术效果。（2）对比文件2没有公开绝缘分隔物对于入射光线构成全反射的结构，而构成全反射需要很多特定条件。（3）本申请中构成量子点的材料在高效地实现光电转换的同时，又具有特定的折射率，从而与构成绝缘分隔物的聚乙烯氧或有机低折射率光阻的另一特定折射率相配合，满足全反射的特定折射率关系以构成全反射结构，该全反射结构的形成是基于本申请中明确限定的光电转换层和绝缘分隔物的具有特定折射率和特定折射率关系的具体材料（由化合物半导体奈米结晶核心以及核心材料的氧化物形成在核心的外表面上而构成的量子点和聚乙烯氧或有机低折射率光阻）来说的。因而，修改后的权利要求1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月04日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年07月15日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（共8项权利要求）。其中，复审请求人在独立权利要求1中增加了技术特征“其中所述半导体奈米结晶核心为PbS，所述氧化物为PbSO3”。答复复审通知书时修改的独立权利要求1的内容如下：
“1. 一种成像装置，包括：
基底，包含形成于该基底上的第一光电二极管和第二光电二极管；
光电转换层，由量子点形成，包含设置于该基底上的第一区块和第二区块，所述量子点由化合物半导体奈米结晶核心以及核心材料的氧化物形成在核心的外表面上而构成，其中所述半导体奈米结晶核心为PbS，所述氧化物为PbSO3；
绝缘分隔物，设置于所述光电转换层的第一区块与第二区块之间；
第一电极和第二电极，分别设置于所述光电转换层的第一区块和第二区块之下，其中所述绝缘分隔物不设置在所述第一电极和所述第二电极所在的电极层中；
电性内连接层，设置于所述光电转换层上；以及
彩色滤光片阵列，设置在所述电性内连接层之上，其中所述绝缘分隔物不延伸至所述电性内连接层和所述彩色滤光片阵列中；
其中，所述绝缘分隔物的材料包括具有折射率低于所述光电转换层的折射率的低折射率材料，并且所述绝缘分隔物对于进入所述光电转换层的入射光线构成全反射结构，所述低折射率材料为聚乙烯氧或有机低折射率光阻。”
在答复复审通知书的意见陈述书中，除了提交复审请求时所提出的意见陈述外，复审请求人进一步认为：本申请说明书中记载的“在一些实施例中，光电转换层113可由量子点形成。在一实施例中，量子点可由化合物半导体奈米结晶核心（例如PbS）以及核心材料的氧化物（例如PbSO3）形成在核心的外表面上而构成。”并非泛泛地列举，而是选择特定的材料与绝缘分隔物的特定的材料选择相配合以同时满足全反射和电隔离的难以预期的技术效果。通过在权利要求1中加入“其中所述半导体奈米结晶核心为PbS，所述氧化物为PbSO3”的技术特征进一步确保能够实现上述根据对比文件1和对比文件2难以预期的技术效果。因此，修改后的权利要求1具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年07月15日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页（共8项权利要求），经审查，所作修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本是：复审请求人于申请日2014年03月26日提交的说明书摘要和摘要附图、说明书附图第1页；2017年04月20日提交的说明书第1-8页；2019年07月15日提交的权利要求第1-8项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，其中部分区别技术特征是在其他对比文件给出的技术启示下结合本领域的公知常识容易得到的，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该项权利要求所请求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域的公知常识的结合不具有突出的实质性特点，因而不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2010/0060769A1，公开日为2010年03月11日；
对比文件2：CN101997014A，公开日为2011年03月30日。
2.1、权利要求1请求保护一种成像装置。对比文件1公开了一种成像装置，并具体公开了（说明书第[0029]-[0064]段、图1）其包括：基底1，包含形成于基底1上的对应于RGB像素的多个光电二极管2（R像素的光电二极管2相当于第一光电二极管，G像素的光电二极管2相当于第二光电二极管）；光电转换层7，包含设置于基底1上的R像素的第一区块和G像素的第二区块；R像素的下电极6（相当于第一电极）和G像素的下电极6（相当于第二电极），分别设置在光电转换层7的第一区块和第二区块之下；上电极8（相当于电性内连接层），设置于光电转换层7上；成像装置还包括RGB像素的彩色滤光片10（相当于彩色滤光片阵列），其设置于上电极8之上。
可见权利要求1的技术方案与对比文件1公开的内容，其区别技术特征是：（1）绝缘分隔物，设置于所述光电转换层的第一区块与第二区块之间，其中所述绝缘分隔物不设置在所述第一电极和所述第二电极所在的电极层中，所述绝缘分隔物不延伸至所述电性内连接层和所述彩色滤光片阵列中，所述绝缘分隔物的材料包括具有折射率低于所述光电转换层的折射率的低折射率材料，并且所述绝缘分隔物对于进入所述光电转换层的入射光线可以构成全反射结构，所述低折射率材料为聚乙烯氧或有机低折射率光阻；（2）光电转换层，由量子点形成，所述量子点由化合物半导体奈米结晶核心以及核心材料的氧化物形成在核心的外表面上而构成，其中所述半导体奈米结晶核心为PbS，所述氧化物为PbSO3。
基于该区别技术特征，确定权利要求1的技术方案实际解决的技术问题是：（1）如何在光电转换层中避免光学和电性的串音干扰；（2）如何形成光电转换层。
对于该区别技术特征（1），对比文件2公开了一种固体摄像器件（即成像装置），并具体公开了（说明书第[0016]-[0097]段、图1-11B）：如图1A所示，在由半导体基板11形成的有源层12中形成有多个像素21，像素21包括将入射光转换为电信号的光电转换部(诸如光电二极管)22。在固体摄像器件1中，在半导体基板11的背面侧上形成有具有透光性的绝缘膜(未图示)。此外，在该绝缘膜上(图中的上表面侧)形成有第一电极41。在与像素21之间对应的第一电极41之间形成有电极隔离区域42。也就是说，第一电极41被独立地形成为与各像素对应（结合图1b，与不同像素对应的第一电极41分别相当于第一电极和第二电极）。在第一电极41和电极隔离区域42上形成有有机光电转换膜44（结合图1b，其包括第一区块和第二区块，并分别与前述第一电极和第二电极对应设置）。在有机光电转换膜44中与像素21之间对应的位置处形成有隔离区域45。因此，隔离区域45沿着像素21的上侧周边形成。也就是说，有机光电转换膜44被隔离区域45分割，从而对应于各像素21。该隔离区域45（相当于绝缘分隔物，其设置于所述光电转换层的第一区块与第二区块之间）由具有绝缘性并反射入射光的杂质区域形成。作为形成对光进行光学反射的隔离区域45的杂质，例如可以是氢(H)、氦(He)、氧(O)和氮(N)，并且当注入至少一种上述杂质时，可形成折射率比有机光电转换膜44低的隔离区域45。因此，在有机光电转换膜44和隔离区域45之间的界面上发生光学反射。此外，为了形成发生光学反射的界面，杂质浓度分布优选为尽可能陡峭。此外，作为形成光学反射光的隔离区域45的杂质，还可以是诸如钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)或钨(W)等具有高反射率的金属离子元素。接着，在给予电绝缘性的杂质中，可具有当被注入到有机光电转换膜44中时变为电绝缘材料的杂质，例如氧(O)和氮(N)。当形成给予光吸收或反射特性的隔离区域的杂质和形成给予电绝缘性的隔离区域的杂质都被注入有机光电转换膜44中时，由此可以形成进行光隔离和电隔离的隔离区域45。虽然隔离区域45形成为与电极隔离区域42重叠，但隔离区域45的宽度和电极隔离区域42的宽度不必相等，隔离区域45的位置也不必与电极隔离区域42的位置一致，参见图1A-1B，该隔离区域45仅设置在光电转换膜44中，即该隔离区域45不设置在其他结构层中，相当于绝缘分隔物不设置在第一电极和第二电极所在的电极层中，也不延伸至电性内连接层和彩色滤光片阵列中。在有机光电转换膜44上隔着绝缘的阻挡膜46形成有第二电极47。用于形成阻挡膜46的材料可使用形成第二电极47的透明电极材料（此时阻挡膜和第二电极的组合结构相当于电性内连接层，其设置于光电转换层上）。可见该区别技术特征（1）中的大部分技术特征已被对比文件2公开，而且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是在光电转换层中避免光学和电性的串音干扰，也就是说对比文件2给出了仅在光电转换层中设置绝缘分隔物的技术启示。对于绝缘分隔物构成全反射结构及低折射率材料的选择，参见前述，对比文件2已经给出了选择折射率比光电转换层的折射率低的材料且形成高反射率的隔离区域的技术启示，在此基础上，本领域技术人员容易想到设计绝缘分隔物对于进入光电转换层的入射光线可以构成全反射结构，而选择聚乙烯氧或有机低折射率光阻也只是本领域中对低折射率材料的常规选择。
对于该区别技术特征（2），对于光电转换层的具体组分及其构成形式，其是本领域中构成光电转换层的常规技术手段。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求1所请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2引用权利要求1。对比文件1公开了（参见图1）：光电转换层7具有上表面和下表面，入射光线从上表面进入光电转换层7，并且R像素的下电极6（相当于第一电极）和G像素的下电极6（相当于第二电极）接触光电转换层7的下表面。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求3引用权利要求1。对比文件1公开了（参见说明书第[0005]、[0033]段、图2）：图像传感器的上电极8（相当于电性内连接层）被施加偏执电压（对应于第一电压），光电转换层7产生电荷载流子并向下部转移，下电极6的电压相当于第二电压，由此可以直接地、毫无疑义地得出第一电压低于第二电压，对比文件1说明书第[0033]段还公开了上电极8可以整体上作为各个像素的共用电极（相当于电性内连接层的设置于光电转换层的第一区块和第二区块上的那些部分电性连接在一起，形成共用电极），或独立地设置于各个像素之上。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求4引用权利要求1。对比文件1公开了（参见说明书第[0044]段）：入射光经由RGB滤光片分别照射RGB像素单元的光电转换层7而产生电子电洞对，R和G像素的下部电极6（相当于第一电极和第二电极）捕捉光电转换层7中的电子。对比文件2（参见说明书第94段、图1B）公开了：由于进行光隔离和电隔离的隔离区域45形成在有机光电转换膜44中与像素21之间对应的位置处，因而能够防止入射到一个像素上的光直接泄露到相邻像素。此外，还可防止一个像素上所产生的载流子(例如电子e)泄漏到相邻像素。也就是说，隔离区域45具有光隔离(反射)功能以及电绝缘性（结合图1B，相当于入射光线照射光电转换层而产生电子电洞对，并且第一电极和第二电极捕捉光电转换层中的电子，绝缘分隔物阻挡光电转换层的第一区块中的电子跨越至所述第二区块）。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求5引用权利要求4。对比文件1公开了（参见图1）：设置在基底1和光电转换层7之间的下电极6、金属插塞5和电路4相当于多层内连线结构，R像素的下电极6和G像素的下电极6（对应于第一电极和第二电极）设置在多层内连线结构中。而将多层内连线结构包括多层金属层、多层介电层、多层金属层间介电层以及一钝态层是本领域的惯用手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求6引用权利要求5。对比文件1公开了（参见说明书第[0044]-[0045]段）：RGB像素的下电极6捕捉的电子分别经由各个像素的金属插塞5分别传送至RGB像素的各个光电二极管2（对应于第一电极捕捉的电子经由多层内连线结构传送至第一光电二极管，第二电极捕捉的电子经由多层内连线结构传送至第二光电二极管）。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求7引用权利要求1。对比文件1公开了（参见对比文件1说明书第[0044]-[0045]段）：R像素的光电转换层7（第一区块）对应于R像素的光电二极管2（第一光电二极管），G像素的光电转换层7（第二区块）对应于G像素的光电二极管2（第二光电二极管）。对比文件2公开了（参见说明书第[0044]段、图1A）在由半导体基板11形成的有源层12中形成有多个像素21，像素21包括将入射光转换为电信号的光电转换部(诸如光电二极管)22，在有机光电转换膜44中与像素21之间对应的位置处形成有隔离区域45。因此，隔离区域45沿着像素21的上侧周边形成。也就是说，有机光电转换膜44被隔离区域45分割，从而对应于各像素21（结合图1A，各个像素分别对应于不同的光电转换层的区块以及不同的光电二极管，即公开了光电转换层的第一区块对应至所述第一光电二极管，并且所述光电转换层的第二区块对应至所述第二光电二极管）。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、权利要求8引用权利要求1。对比文件1公开了（参见图1）：保护层9（相当于平坦层），设置在上电极8和彩色滤光片10之间；微透镜结构13，设置在彩色滤光片10阵列上。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的答复：
对于复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
（1）、引用对比文件1的技术内容不涉及在光电转换层中设置分隔物11的技术方案，而仅在光电转换层中设置绝缘分隔物的技术方案被对比文件2公开。此外，对比文件2已经给出了选择合适的材料使得在有机光电转换膜44和隔离区域45之间的界面上发生高光学反射的技术启示。对于全反射结构，本领域技术人员知晓当光从光密介质射到光疏介质时，入射角大于等于临界角时，会发生全反射，反之光从光疏介质到光密介质时，则不会发生全反射，而入射光的入射角度有各种情况，因此当光从光密介质光电转换层入射到光疏介质绝缘分隔物时光的入射角大于临界角时，本领域技术人员可以预期所述绝缘分隔物对于进入所述光电转换层的入射光线可以构成全反射结构。因而，在对比文件2给出的选择低折射率和高反射率的绝缘分隔物材料的基础上，本领域技术人员有能力设置绝缘分隔物的材料，使得入射光的角度满足条件时，在光电转换层和绝缘分隔物的界面位置发生全反射。
（2）、本申请说明书第[0044]段记载了“在一些实施例中，光电转换层113可由量子点形成。在一实施例中，量子点可由化合物半导体奈米结晶核心（例如PbS）以及核心材料的氧化物（例如PbSO3）形成在核心的外表面上而构成。”。可见，权利要求中记载的光电转换层的构成方式只是列举的常规构成方式，本申请说明书中没有记载该光电转换层的构成方式与绝缘分隔物的材料选择之间具有特定的联系，而对于本领域技术人员而言，上述光电转换层的构成方式也只是本领域中构成光电转换层的常规技术手段，无需付出创造性的劳动。
（3）、根据本申请说明书第[0044]、[0047]段的记载，本申请中对于光电转换层以及绝缘分隔物的材料的选择是分别记载在不同的优选实施例中，本申请说明书中没有记载上述光电转换层以及绝缘分隔物的材料的特定的配合关系及相应的技术效果，且本申请说明书第[0047]段明确记载了“在一些实施例中，绝缘分隔物115可以使用低折射率材料制成，使得绝缘分隔物115的折射率低于光电转换层113的折射率，使用低折射率材料制成的绝缘分隔物115可以对进入光电转换层113的入射光线125构成全反射结构，因此使用低折射率材料制成的绝缘分隔物115可以在光电转换层113的任两个相邻区块之间提供较佳的光学隔绝”，可见，在本申请说明书中记载的上述技术内容的含义已经清楚表明本申请中对于构成全反射结构的绝缘分隔物的材料的选择仅需考虑使用低折射率材料即可，并没有考虑其他因素。
综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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