发明创造名称：螺旋磁电极封装全能脉冲技术
外观设计名称：
决定号：186327
决定日：2019-08-12
委内编号：1F261002
优先权日：
申请（专利）号：201610831464.6
申请日：2016-09-19
复审请求人：深圳市辰驹电子科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张颖
合议组组长：王浩
参审员：薛霏
国际分类号：H01C7/102，H01C1/144
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征为本领域的公知常识且也存在将该公知常识应用到作为最接近现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610831464.6，名称为“螺旋磁电极封装全能脉冲技术”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为深圳市辰驹电子科技有限公司。本申请的申请日为2016年09月19日，公开日为2016年12月21日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年05月25日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由为：权利要求1要求保护一种螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其实质上为一种方法。对比文件2公开了一种高分子热敏元件及其制造方法。权利要求1请求保护的技术方案与对比文件2公开的技术方案相比，区别技术特征在于：螺旋电极封装用于磁电极全能脉冲，当电极通电时，垂直轴向的磁场能约束电子，使原有的电子直线轨迹成为螺旋前进的轨迹，磁场的作用使得电子的运动变为围绕轴向的磁力线做螺旋运动，金属导线螺旋式电极结构在通电情况下形成均匀的电磁场起到了电磁波体积式的从内到外加热的原理，对整个电子元器件加热；螺旋线形电极采用平面等角螺旋线或平面等速螺旋线。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何利用螺旋电极对整个电子元器件加热。而上述区别技术特征是本领域公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件2和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2-7的附加技术特征或进一步被对比文件2公开或为公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2-7也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为申请日2016年09月19日提交的说明书摘要、摘要附图和说明书附图图1-图8，2018年04月20日提交的权利要求1-7，说明书第1-42段。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：该技术为在电子元器件本体上设置有电极，电极呈螺旋线形，当电极通电时，垂直轴向的磁场能约束电子，使原有的电子直线轨迹成为螺旋前进的轨迹，磁场的作用使得电子的运动变为围绕轴向的磁力线做螺旋运动，金属导线螺旋式电极结构在通电情况下形成均匀的电磁场起到了电磁波体积式的从内到外加热的原理，对整个电子元器件加热；所述的螺旋线形电极采用平面等角螺旋线或平面等速螺旋线；所述的螺旋线形电极在电子元器件本体内埋置。
2. 根据权利要求1所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体呈片状，螺旋线形电极固定设置在芯片本体两侧。
3. 根据权利要求1所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体呈柱状，螺旋线形电极固定设置在芯片本体两端。
4. 根据权利要求3所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的螺旋线形电极采用无断开端头的双螺旋线。
5. 根据权利要求1所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体上设有涂银层，螺旋线形电极固定设置在涂银层上。
6. 根据权利要求1至5中任意一项所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体两侧的螺旋线形电极朝向同一方向旋转，或者朝向不同方向旋转。
7. 根据权利要求1至6中任意一项所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的螺旋线形电极采用空心金属螺旋线或者采用扁平金属螺旋引线。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年09月10日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在权利要求1中增加了“所述的螺旋线形电极采用焊接的方式设置在高导电层上，该高导电层为涂银层或导电胶层或超导材料层”，删除了“所述的螺旋线形电极采用平面等角螺旋线或平面等速螺旋线”的特征，将从原权利要求1中删除的特征恢复为从属权利要求3。复审请求人认为：（1）本申请中螺旋线和压敏芯片本体之间有一层银电极层，而对比文件2是螺旋线和热敏芯片本体的直接结合。（2）对比文件2的方案用于普通低速电路，主要利用了螺旋电极的附着力较大的优点，并没有有意识地提高电学性能。（3）本申请明确记载了螺旋引线不仅增加了压敏的散热面积，同时使散热部位更加均匀，从而改善了压敏电阻的热特性。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：该技术为在电子元器件本体上设置有电极，电极呈螺旋线形，当电极通电时，垂直轴向的磁场能约束电子，使原有的电子直线轨迹成为螺旋前进的轨迹，磁场的作用使得电子的运动变为围绕轴向的磁力线做螺旋运动，金属导线螺旋式电极结构在通电情况下形成均匀的电磁场起到了电磁波体积式的从内到外加热的原理，对整个电子元器件加热，所述的螺旋线形电极在电子元器件本体内埋置，所述的螺旋线形电极采用焊接的方式设置在高导电层上，该高导电层为涂银层或导电胶层或超导材料层。
2. 根据权利要求1所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体呈片状，螺旋线形电极固定设置在芯片本体两侧。
3. 根据权利要求2所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的螺旋线形电极采用平面等角螺旋线或平面等速螺旋线。
4. 根据权利要求1所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体呈柱状，螺旋线形电极固定设置在芯片本体两端。
5. 根据权利要求4所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的螺旋线形电极采用无断开端头的双螺旋线。
6. 根据权利要求1所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体上设有涂银层，螺旋线形电极固定设置在涂银层上。
7. 根据权利要求1至6中任意一项所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的电子元器件本体两侧的螺旋线形电极朝向同一方向旋转，或者朝向不同方向旋转。
8. 根据权利要求1至6中任意一项所述的螺旋磁电极封装全能脉冲技术，其特征是：所述的螺旋线形电极采用空心金属螺旋线或者采用扁平金属螺旋引线。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年09月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，补入的技术特征属于本领域公知常识，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月28日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-8不具备创造性。且在压敏电阻表面设置涂银层并焊接引线是本领域公知常识（参见《低压电器技术手册》，尹天文，第759页右栏第3段，机械工业出版社，2014年9月）。使用螺旋电极必然会产生如本申请所述的技术效果，其原理是本领域公知的。
复审请求人于2019年04月12日和2019年05月29日分别提交了内容相同的意见陈述书，同时修改了权利要求书。将独立权利要求1的主题名称更改为“一种螺旋磁电极封装方法”，将从属权利要求2-8所保护的主题名称进行适应性修改，删除独立权利要求1中“该技术为”和“金属导线螺旋式电极结构在通电情况下形成均匀的电磁场起到了电磁波体积式的从内到外加热的原理，对整个电子元器件加热”，删除权利要求7中“或者朝向不同方向旋转”。复审请求人认为：（1）对比文件2公开的盘绕金属导线的电极是夹装在高分子热敏元件基体与基体之间的，而本申请的螺旋线形电极是固定设置在电子元器件本体上的高导电层上的。对比文件2公开的电极位置与本申请要求保护的电极位置不同。（2）对比文件2公开的技术方案，通过螺旋结构加强引线的附着力是公知方法，但只适用于低频低压电路，将其应用于高压大电流的方案是不恰当的。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（1）审查文本的认定
复审请求人在提交意见陈述书时修改了权利要求书，经过审查，该修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：复审请求人于2019年05月29日提交的权利要求第1-8项，2018年04月20日提交的说明书第1-42段，申请日2016年09月19日提交的说明书附图图1-8，说明书摘要以及摘要附图。
（2）具体理由的阐述
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征为本领域的公知常识且也存在将该公知常识应用到作为最接近现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
本复审决定引用原审查部门在驳回决定和复审通知书中引用的对比文件2作为现有技术，即：
对比文件2：CN1197276A 公开日为1998年10月28日
权利要求1不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1请求保护一种螺旋磁电极封装方法，对比文件2公开了一种高分子热敏元件及其制造方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第1页倒数第1段-第2页第4段，附图1-2）：高分子热敏元件由高分子热敏元件基体（相当于电子元器件本体）和金属电极组成，其电极是由金属导线盘绕而成（相当于呈螺旋线形）。电极制备工序是将金属导线盘绕成其形状与基体相似、面积略小于基体的电极，且其导线的外端作为电极引线。基体和电极结合工序采用热压模塑法进行，将两个或两个以上电极分别夹装在基体与基体之间（相当于电子元器件本体上设置电极，螺旋线形电极在电子元器件本体内埋置），然后装入模具中成型。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件2公开的技术方案相比，其区别特征在于：（1）该螺旋电极封装用于磁电极全能脉冲，当电极通电时，垂直轴向的磁场能约束电子，使原有的电子直线轨迹成为螺旋前进的轨迹，磁场的作用使得电子的运动变为围绕轴向的磁力线做螺旋运动；（2）螺旋线电极采用焊接的方式设置在高导电层上，该高导电层为涂银层或导电胶层或超导材料层。基于该区别特征，可以确定权利要求1请求保护的技术方案实际要解决的技术问题是：如何利用螺旋电极对整个电子元器件加热。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了螺旋电极的技术方案，且其设置的位置与本申请螺旋电极位置相同，将其用于磁电极全能脉冲时必然能产生权利要求1记载的效果。而将压敏电阻用于磁电极脉冲是本领域常见应用，属于公知常识。
对于区别技术特征（2），电阻表面设置涂银层再焊接引线是本领域公知常识。
由此可知，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。
权利要求2不符合专利法第22条第3款的规定。
从属权利要求2和4对权利要求1中的电子元器件本体形状作了进一步限定，权利要求2的附加技术特征也已经被对比文件2公开（参见说明书第3页第3-5段，附图1）：基体的制备工序：裁制成直 径为6.5mm的圆片状基体1（相当于本体）；基体和电极结合工序：将两个电极2分别夹装（相当于固定设置）在三个基体1（相当于芯片本体）之间（即中间的一个基体1的两侧）。权利要求3的附加技术特征构成了相对于对比文件2的进一步的区别技术特征。然而，柱状也是本领域常见的电子元器件本体结构形态，本领域技术人员很容易想到将对比文件2中的螺旋电极用于呈柱状的电子元器件本体，此时螺旋线形电极固定设置在芯片本体两端。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求3不符合专利法第22条第3款的规定。
螺旋线形电极形状，无论是平面等角螺旋线还是平面等速螺旋线，都是螺旋线圈的基本常见形态，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求3也不具备创造性。
权利要求5不符合专利法第22条第3款的规定。
从属权利要求5对权利要求4中的螺旋线形电极作了进一步限定，其附加技术特征构成了相对于对比文件2的进一步的区别技术特征。然而，无断开端头的双螺旋线也是螺旋线圈的基本形态。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该从属权利要求也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求6不符合专利法第22条第3款的规定。
从属权利要求6对权利要求1作了进一步限定，其附加技术特征构成了相对于对比文件2的进一步的区别技术特征。然而，由于银是本领域常用的优良导电材料，在电子元器件本体上设置涂银或镀银层并将电极固定设置在该银层上属于本领域的惯用技术手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该从属权利要求也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求7不符合专利法第22条第3款的规定。
从属权利要求7对权利要求1至6中任意一项作了进一步限定，其部分附加技术特征也已经被对比文件2公开（参见附图1）：从图1中可看出中间的基体1两侧的螺旋线形朝向不同方向旋转。在对比文件2公开了反方向旋转的启示下，本领域技术人员很容易想到也可以朝向同一方向旋转，其技术效果是类似的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该从属权利要求也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求8不符合专利法第22条第3款的规定。
从属权利要求8对权利要求1至7中任意一项作了进一步限定，其附加技术特征构成了相对于对比文件2的进一步的区别技术特征。然而，空心金属线和扁平金属线都是本领域常用的电极材料，本领域技术人员很容易想到采用它们制作螺旋线形电极。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该从属权利要求也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
（3）对复审请求人相关意见的评述
1.对比文件2中电极与本体的位置结构，其与本申请的电极与本体结构之间的差别在于高导电层，而合议组已将高导电层列为区别技术特征之一，而设置高导电层是本领域公知常识。根据本申请说明书记载，本申请所要解决的技术问题是通过采用螺旋线形电极，解决L形电极带来的各种问题，其关键点在于电极的形状，而对比文件2公开了这种螺旋形的电极，其客观上必定可以解决本申请所要解决的技术问题。
2.本申请的申请文件中并没有记载如意见陈述中所述的属于高频、高压电路，因此，复审请求人的意见不能被认可。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年05月17日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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