发明创造名称：用于量子和光学应用的合成金刚石材料及其制作方法
外观设计名称：
决定号：185756
决定日：2019-08-06
委内编号：1F250271
优先权日：2012-12-13
申请（专利）号：201380064699.1
申请日：2013-12-04
复审请求人：六号元素技术有限公司 哈佛学院院长及董事
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：胡杨
合议组组长：何炜
参审员：刘婷婷
国际分类号：C30B29/04
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2、3款、第26条第4款
决定要点：如果权利要求请求保护的技术方案与现有技术存在区别技术特征，则该权利要求具备新颖性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380064699.1，名称为“用于量子和光学应用的合成金刚石材料及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为六号元素技术有限公司、哈佛学院院长及董事。本申请的申请日为2013年12月04日，优先权日为2012年12月13日，公开日为2015年08月26日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年01月10日发出驳回决定，驳回了申请，其理由是：权利要求1和3-4、15相对于对比文件1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求5-11和15相对于对比文件1结合本领域常规选择不具备专利法第22条第3款规定的创造性，权利要求8-9不清楚不符合专利法第26条第4款的规定。驳回决定所依据的文本为2017年11月20日提交的权利要求第1-15项，2015年06月11日国际申请进入中国国家阶段提交的说明书译文第1-25页，说明书附图第1-4页，以及说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 合成金刚石材料，其包含一个或多个自旋缺陷，该一个或多个自旋缺陷具有不大于100MHz的半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度，
其中在至少10秒和至少10次光谱扫描中的一者或两者内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均，
其中该合成金刚石材料是CVD合成金刚石材料，并且
其中该一个或多个自旋缺陷是NV-自旋缺陷，并且
其中该一个或多个自旋缺陷具有在室温下至少500μs的消相干时间T2。
2. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度不大于40MHz。
3. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中在至少100秒内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均。
4. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中在至少100次光谱扫描内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均。
5. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中该一个或多个自旋缺陷位于离该合成金刚石材料的表面不大于1μm。
6. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中该合成金刚石材料包含所述自旋缺陷的层，该层包含至少105个自旋缺陷/cm2并且具有不大于1μm的厚度。
7. 根据权利要求6的合成金刚石材料，其中所述层的厚度不大于 100nm。
8. 根据权利要求5的合成金刚石材料，其中所述层包含105个自旋缺陷/cm2至1011个自旋缺陷/cm2。
9. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中至少50％的自旋缺陷具有小于100MHz的总光谱谱线宽度。
10. 根据权利要求1的合成金刚石材料，还包含在合成金刚石材料中制作的一个或多个光子结构。
11. 根据权利要求10的合成金刚石材料，其中该一个或多个自旋缺陷位于离该一个或多个光子结构不大于1μm或位于该一个或多个光子结构内。
12. 制作根据权利要求1的合成金刚石材料的方法，该方法包括：
选择包含不大于100ppb的单取代氮浓度的合成金刚石材料；和
使用多阶段退火过程将该合成金刚石材料退火：
在350至450℃范围内的温度下持续至少2小时的第一退火步骤；
在750至900℃范围内的温度下持续至少2小时的第二退火步骤；和
在1150℃至1550℃范围内的温度下持续至少2小时的第三退火步骤。
13. 根据权利要求12的方法，还包括在多阶段退火过程之前将氮层注入该合成金刚石材料中。
14. 根据权利要求12的方法，还包括在多阶段退火过程之前辐照该合成金刚石材料以形成空位缺陷。
15. 基于金刚石的量子体系，包含：
根据权利要求1的合成金刚石材料；
配置成光学激发合成金刚石材料中的一个或多个自旋缺陷的激发装置；和
配置成探测来自该一个或多个自旋缺陷的光子发射的探测器装置。”
驳回决定认为，权利要求1相对于对比文件1（CN102076891A，公开日为2011年05月25日）不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定（参见对比文件1说明书第[0193]-[0194]段、[0198]段、[0243]-[0252]段），尤其是对比文件1已近公开在一次扫描中固有非均匀的零声子谱线宽度的半高全宽不大于100MHz，其光谱性能由其结构/组成决定，因此公开了至少10次光谱扫描中将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线狂赌平均的技术方案。而且对比文件1公开其合成金刚石材料层用作量子自旋缺陷的主体材料时，量子自旋缺陷的光跃迁特别稳定，因此认为公开了至少10秒，或至少10秒与至少10次光谱扫描中的两者将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均的技术方案。相应地，权利要求3-4和15也不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。权利要求5与对比文件1的区别在于，对比文件1没有公开自旋缺陷与金刚石材料表面的距离，权利要求5实际解决的技术问题是如何更易于利用该量子自旋缺陷，对此对比文件1的第[0205]段给出了如何选择量子自旋缺陷与表面距离以便于利用的技术启示，权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。相应地，权利要求6-11、15不具备创造性。权利要求8引用权利要求5，并记载了“所述层”，然而，权利要求5中并未提到“层”；权利要求9中记载了“至少50％的自旋缺陷具有小于100MHz的总光谱谱线宽度”，本领域技术人员难以清楚的确定“总光谱谱线宽度”的确切含义，因此权利要求8、9保护范围不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定。
申请人六号元素技术有限公司、哈佛学院院长及董事（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年04月23日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改权利要求书。复审请求人认为：对比文件1的材料不满足本申请权利要求1所限定的参数，本申请说明书也解释了由对比文件1描述的将材料退火的工艺为什么不会产生满足本申请要求保护的性质的材料，本申请具备新颖性和创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年05月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中指出，申请人在提交复审时并未修改权利要求书，其意见陈述的理由与答复二次审查意见通知书的理由大致相同。基于与驳回理由中相同的意见，申请人的意见陈述不能被接受。另外，本申请的说明书中记载了本申请的产品实质上是在对比文件1的产品的基础上进行阶段退火后得到。说明书中对于退火后的产品的参数进行了多方面的表征。然而，在权利要求1中仅记载了其中的三个参数。上述三个参数在对比文件1（即未退火的产品）中同样有相应的记载，且根据本申请权利要求1的记载和对比文件1的记载，无法将两个产品区分开来。即本申请权利要求1采用部分参数进行表针的方式划界范围过大，将对比文件1中的产品划入本申请范围内。因此，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月01日向复审请求人发出复审通知书，指出：本专利权利要求1出现的技术特征“其包含一个或多个自旋缺陷，该一个或多个自旋缺陷具有不大于100MHz的半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度”，“其中在至少10秒和至少10次光谱扫描中的一者或两者内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均”，“其中该一个或多个自旋缺陷具有在室温下至少500μs的消相干时间T2”，属于功能或效果限定。本领域技术人员无法确定利用除说明书中所述的其它方式也可以获得权利要求1所述的金刚石材料，也无法确定如果不用本申请说明书中所用的三步退火的方式而仅具有权利要求1特征的产品，是否能够具有本申请声称的技术效果并解决本申请要解决的技术问题，因此权利要求1得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。同理，权利要求2-11和15也得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。权利要求8-9不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定。
复审请求人分别于2019年04月16日和2019年07月31日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书全文修改替换页，最后一次修改相对于驳回文本，其将原权利要求12中的“使用多阶段退火过程”，修改为“使用包括以下步骤的多阶段退火过程”，将上述修改后的权利要求12的技术特征并入权利要求1中形成新的权利要求1，将原权利要求8由引用权利要求5改为引用权利要求6，删除原权利要求9，顺序修改后续权利要求的编号和引用关系。
修改后的权利要求书如下：
“1. 合成金刚石材料，其包含一个或多个自旋缺陷，该一个或多个自旋缺陷具有不大于100MHz的半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度，
其中在至少10秒和至少10次光谱扫描中的一者或两者内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均，
其中该合成金刚石材料是CVD合成金刚石材料，并且
其中该一个或多个自旋缺陷是NV-自旋缺陷，并且
其中该一个或多个自旋缺陷具有在室温下至少500μs的消相干时间T2，并且
其中制作该合成金刚石材料的方法包括：
选择包含不大于100ppb的单取代氮浓度的合成金刚石材料；和
使用包括以下步骤的多阶段退火过程将该合成金刚石材料退火：
在350至450℃范围内的温度下持续至少2小时的第一退火步骤；
在750至900℃范围内的温度下持续至少2小时的第二退火步骤；和
在1150℃至1550℃范围内的温度下持续至少2小时的第三退火步骤。
2. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度不大于40MHz。
3. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中在至少100秒内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均。
4. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中在至少100次光谱扫描内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均。
5. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中该一个或多个自旋缺陷位于离该合成金刚石材料的表面不大于1μm。
6. 根据权利要求1的合成金刚石材料，其中该合成金刚石材料包含所述自旋缺陷的层，该层包含至少105个自旋缺陷/cm2并且具有不大于1μm的厚度。
7. 根据权利要求6的合成金刚石材料，其中所述层的厚度不大于 100nm。
8. 根据权利要求6的合成金刚石材料，其中所述层包含105个自旋缺陷/cm2至1011个自旋缺陷/cm2。
9. 根据权利要求1的合成金刚石材料，还包含在合成金刚石材料中制作的一个或多个光子结构。
10. 根据权利要求9的合成金刚石材料，其中该一个或多个自旋缺陷位于离该一个或多个光子结构不大于1μm或位于该一个或多个光子结构内。
11. 制作根据权利要求1的合成金刚石材料的方法，该方法包括：
选择包含不大于100ppb的单取代氮浓度的合成金刚石材料；和
使用包括以下步骤的多阶段退火过程将该合成金刚石材料退火：
在350至450℃范围内的温度下持续至少2小时的第一退火步骤；
在750至900℃范围内的温度下持续至少2小时的第二退火步骤；和
在1150℃至1550℃范围内的温度下持续至少2小时的第三退火步骤。
12. 根据权利要求11的方法，还包括在多阶段退火过程之前将氮层注入该合成金刚石材料中。
13. 根据权利要求11的方法，还包括在多阶段退火过程之前辐照该合成金刚石材料以形成空位缺陷。
14. 基于金刚石的量子体系，包含：
根据权利要求1的合成金刚石材料；
配置成光学激发合成金刚石材料中的一个或多个自旋缺陷的激发装置；和
配置成探测来自该一个或多个自旋缺陷的光子发射的探测器装置。”
复审请求人认为：修改后的文本没有超出原始申请的范围，克服了前述缺陷。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年07月31日提交了权利要求书全文修改替换页（共14项），相对于驳回文本，其将原权利要求12中的“使用多阶段退火过程”，修改为“使用包括以下步骤的多阶段退火过程”，将上述修改后的权利要求的全部技术特征并入权利要求1中形成新的权利要求1，将原权利要求8由引用权利要求5改为引用权利要求6，删除原权利要求9，顺序修改后续权利要求的编号和引用关系。经审查，上述文本的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审请求审查决定针对的文本为复审请求人于2019年07月31日提交的权利要求书第1-14项，以及2015年06月11日国际申请进入中国国家阶段提交的说明书译文第1-25页，说明书附图第1-4页，以及说明书摘要和摘要附图（下称复审决定文本）。
关于专利法第26条第4款
专利法第26条第4款规定，权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
合议组认为，复审决定文本相对于驳回文本作出了修改，将原权利要求12中的“使用多阶段退火过程”合成金刚石材料的方法的所有技术特征并入权利要求1中形成新的权利要求1，上述修改克服了复审通知书指出的权利要求1得不到说明书支持的缺陷，同理修改后的权利要求2-10和14也得到了说明书的支持。
由于复审请求人将原权利要求8由引用权利要求5改为引用权利要求6，并删除原权利要求9，因此驳回决定中指出的权利要求8由于引用关系导致的不清楚，以及权利要求9由于表述不清楚导致的缺陷，已经被克服。
关于专利法第22条第2款
专利法第22条第2款规定，新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
如果权利要求请求保护的技术方案与现有技术存在区别特征，则该权利要求具备新颖性。
具体到本案，权利要求1请求保护“合成金刚石材料”（参见案由部分）。
对比文件1公开本文定义的合成金刚石材料层用作量子自旋缺陷的主体材料时，量子自旋缺陷的光跃迁特别稳定。本发明的固态系统包含主体材料和量子自旋缺陷，其中所述缺陷在室温下具有出乎意料地长的退相干时间。主体材料优选是金刚石材料。在主体材料是金刚石材料时，其可以是CVD金刚石材料。本发明的合成金刚石材料层中形成量子自旋缺陷例如NV-中心。本发明提供的包含主体材料(优选本发明的合成金刚石材料层)和量子自旋缺陷的固态系统，其中所述量子自旋缺陷在室温下具有的T2为约500μs以上。用频率曲线中峰的半高宽(“FWHM”)表征稳定性。光子数频率曲线峰的FWHM的理论最小值为约13.3MHz，所述光子数具有相对于光子频率的特定频率。该值将适用于另外完美同位素纯金刚石中的单NV中心，所述金刚石没有其它点缺陷或扩展缺陷。优选地，在本发明的固态系统中，从ms＝±1激发态到ms＝0基态的跃迁稳定性使得光子数(具有相对于光子频率的特定频率)频率曲线的峰的FWHM为约500MHz以下，优选约300MHz以下，优选约 200MHz以下，优选约150MHz以下，优选约100MHz以下，优选约80MHz以下，优选约50MHz以下，其中光子数(在该范围内估算了FWHM)为约5×105以上，优选约106以上，优选约107以上，优选约108以上（参见对比文件1说明书[0178]段、[0193]-[0194]段、[0198]段、[0225]段、[0243]-[0252]段）。本发明提供了制备具有高的化学纯度和高的同位素纯度的金刚石材料的方法，该方法包括：提供具有基本无晶体缺陷的表面的金刚石基材；提供包含高纯气体的源气体混合物，其中该源气体混合物中的氮浓度为约300ppb以下；提供固体碳源，该固体碳源包含该源中总C含量的至少约99％量的12C，其中该固体碳源具有低的氮杂质含量；活化和/或解离至少部分的源气体混合物和固体碳源以形成气态碳物质；和允许在所述基材表面上进行同质外延金刚石生长。本发明人出乎意料地发现，通过使用具有高的同位素纯度的固体碳源，能够显著提高所制得的金刚石材料的化学纯度和同位素纯度。本发明人进一步提供了制备具有高的化学纯度和高的同位素纯度的金刚石材料的方法，该方法包括提供具有基本无晶体缺陷的表面的金刚石基材；提供包含高纯气体和碳源气体的源气体混合物，其中所述高纯气体对该源气体混合物中总氮水平贡献了约300ppb以下，所述碳源气体包含该碳源气体中总C含量的至少约99％量的12C并且含有约20ppm以下量的氮杂质；将该源气体解离；和允许在所述基材表面上进行同质外延金刚石生长，其中满足以下条件中的至少一种：(a)基材的温度为约800℃-约1000℃；和(b)将氧以总源气体混合物的约0.5％-约5％体积的量加入到该源气体混合物中，所述量按O2当量测得（参见对比文件1说明书[0016]-[0029]段）。
合议组查明，对比文件1公开了若干技术方案，即便认为“优选从ms＝±1激发态到ms＝0基态的跃迁稳定性使得光子数(具有相对于光子频率的特定频率)频率曲线的峰的FWHM为约100MHz以下的”技术方案作为最接近的现有技术，权利要求1与对比文件1相比还存在如下技术特征：对比文件1没有公开制备该金刚石材料的多阶段退火过程，由于对比文件1没有公开该多阶段退火的方法制备金刚石材料，因此本领域技术人员不能确定对比文件1与本专利获得的金刚石材料的结构/组成相同，进而不能确定对比文件1公开了技术特征“其中在至少10秒和至少10次光谱扫描中的一者或两者内将该半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度平均”。
因此，权利要求1没有被对比文件1公开，具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求3-4和14引用了权利要求1，同样具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
4.关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
在判断创造性时，首先要将权利要求的技术方案和最接近的现有技术进行对比，找出二者的区别特征，确定所述技术方案实际解决的技术问题，进而考察现有技术中是否存在将该区别特征引入到所述最接近的现有技术中以解决上述技术问题的启示，如果现有技术中不存在这样的启示，则该权利要求具备创造性。
根据本申请说明书的记载，目前仍然需要提供能够由多固态量子寄存器在较快的数据采集时间下提供多光子量子干涉的器件。天然金刚石材料具有各种各样的NV-零声子谱线宽度，其反映在自然界中发现的各种各样的金刚石晶体结构，与天然金刚石相比，合成材料具有不同组成的延伸缺陷和杂质缺陷，对于技术应用，合成金刚石材料比天然金刚石材料有利，因为使用特定的合成技术和方法可导致可再现的产品材料。本发明的目的是提供合成金刚石材料和合成这样的材料的方法，该材料包含固态自旋缺陷光子发射体，其具有的固有的不均匀零声子谱线宽度接近受转换限制的值并且其具有最小的光谱扩散，为稳定的。测量和计算该固有不均匀的零声子谱线宽度以包括固有的谱线宽化效应例如固有的光谱偏移，但是排除外部效应例如温度诱发的声子宽化、激发诱发的功率宽化、光子空腔宽化和固态自旋缺陷的不均匀的零声子谱线宽度的经Stark调谐的窄化。这样的窄谱线宽度、稳定的固态光子发射体构成向固态量子计算前进的主要步骤并且在其它量子光学、量子传感和量子加工应用中也是有用的。本发明开发了多阶段退火方法来系统地移除晶体缺陷，所述晶体缺陷不利地影响自旋缺陷的发射谱线宽度和光谱稳定性，由此改进高纯度金刚石集体内自旋缺陷的发射谱线宽度和光谱稳定性。该方法包括：选择金刚石材料，该金刚石材料包含不大于100ppb (任选80ppb、60ppb、40ppb、20ppb、10ppb、5ppb或1ppb) 的单取代氮浓度；和进行多阶段退火过程，该过程包括在350至450℃ 范围内的温度下持续至少2小时(任选至少4、6或8小时)的第一退火步骤，在750至900℃范围内的温度下持续至少2小时(任选至少4、6或8小时)的第二退火步骤，和在1150℃至1550℃范围内的温度下持续至少2小时(任选至少4、6或8小时)的第三退火步骤。发现这样的多阶段退火过程明显改进已经具有高纯度和相对低应变的金刚石基体内的自旋缺陷的发射谱线宽度和光谱稳定性。利用上述的多阶段退火工序，制作了合成金刚石材料，其包含具有不大于100MHz的半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度。事实上，发现了该多阶段退火工序能够实现不大于80MHz、60MHz、50MHz 或40MHz的半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度。可在至少10、20、30、50、75、100、500或1000秒内将半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度平均。此外，可在至少10、20、30、50、75、100、500 或1000次光谱扫描内将半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度平均。另外，该多阶段退火过程可产生包含在合成金刚石材料的外表面附近具有改进的发射特性的自旋缺陷的材料。这对于光学寻址自旋缺陷、使光子与自旋缺陷脱耦合和提供光学脱耦合结构(包括与自旋缺陷耦合的光子空腔)是有利的。例如，该一个或多个自旋缺陷可位于离该合成金刚石材料的表面不大于1μm、500nm、200nm、100nm、50nm、 30nm、10nm或5nm。该多阶段退火工艺旨在提供明显数目的自旋缺陷，在晶体晶格中在稳定、低应变环境中提供自旋缺陷。对于许多应用，合成金刚石材料包含多个每个具有小于100MHz、80MHz、60MHz、50MHz 或40MHz的稳定光谱谱线宽度的自旋缺陷是有利的，并且最优选地分布在合成金刚石材料中的大部分(至少50％、60％、70％、80％或90％) 的自旋缺陷将满足这个标准。合成金刚石材料可包含自旋缺陷层，所述层包含至少105cm-2个自旋缺陷并且具有不大于1μm的厚度，其中所述层中的自旋缺陷具有不大于100MHz、80MHz、60MHz、50MHz或40MHz 的半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度。使用本文描述的多阶段退火工序实现这样的层内具有低的半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度的自旋缺陷。此外，该层可位于离合成金刚石部件的表面不大于1μm、500nm、200nm、100nm、50nm、30nm、10nm或5nm（参见本申请说明书第[0023]段、[0029]段、[0039]段、[0092]-[0105]段）。
本申请权利要求1相对于对比文件1的区别特征如上所述，本申请经多步退火工艺得到的金刚石材料具有以下特征：（1）具有不大于100MHz的半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度，（2）可在至少10、20、30、50、75、100、500或1000秒内将半峰全宽固有不均匀的零声子谱线宽度平均，（3）该一个或多个自旋缺陷可位于离该合成金刚石材料的表面不大于1μm、500nm、200nm、100nm、50nm、30nm、10nm或5nm，（4）合成金刚石材料可包含自旋缺陷层，所述层包含至少105cm-2个自旋缺陷并且具有不大于1μm的厚度。因此，本发明合成的金刚石材料具有窄谱线宽度、可构成稳定的固态光子发射体，在量子光学、量子传感和量子加工应用中很有利。
对比本申请和对比文件1的发明目的可知，两者目的完全不同，对比文件1在于提供具有高的化学纯度和高的同位素纯度的金刚石材料，而本申请在于提供一种具有窄谱线宽度、可构成稳定的固态光子发射体的金刚石材料。而且，对比文件1没有公开多步退火的步骤，进而本领域技术人员也不能根据对比文件1的教导获知经多步退火步骤后获得的金刚石材料具有如上所述的性能及应用优势，对比文件1没有给出获得权利要求1技术方案的教导，权利要求1相对于对比文件1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5-10、14直接或间接引用了权利要求1，因而也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
基于上述事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年01月10日对本申请作出的驳回决定，由原审查部门在复审决定文本的基础上继续审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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