发明创造名称：具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装
外观设计名称：
决定号：185832
决定日：2019-08-05
委内编号：1F259192
优先权日：2012-07-03
申请（专利）号：201310283598.5
申请日：2013-07-03
复审请求人：联测总部私人有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘博
合议组组长：张莉
参审员：周江
国际分类号：H01L23/495，H01L23/31，H01L21/48，H01L21/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，且该部分区别技术特征在另一篇对比文件中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，其他区别技术特征属于本领域的惯用技术手段，对本领域技术人员来说，在上述对比文件的基础上结合另一篇对比文件和公知常识得到该权利要求的技术方案是显而易见的，则该项权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310283598.5，名称为“具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装”的发明专利申请（下称本申请）。申请人于2016年08月22日由乐依文半导体(东莞)有限公司变更为优特控股有限公司，并于2017年05月11日变更为联测总部私人有限公司。本申请的申请日为2013年07月03日，优先权日为2012年07月03日，公开日为2014年01月22日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年05月09日发出驳回决定，以权利要求1-2，5-8不具备新颖性；权利要求3-4，9-22不具备创造性为由驳回了本申请，驳回决定所依据的文本为：申请日2013年07月03日提交的权利要求第1-22项，说明书第1-66段，说明书附图图1-5F，说明书摘要，摘要附图。驳回决定引用了三篇对比文件，如下：
对比文件1：US2012018866A1，公开日为2012年01月26日；
对比文件2：US2011068463A1，公开日为2011年03月24日；
对比文件3：CN1381886A，公开日为2002年11月27日。
驳回决定的主要理由是：对比文件1公开了权利要求1-2、5-8的所有技术特征，权利要求1-2、5-8不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；从属权利要求3、4、19的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求9、11-18、21、22的附加技术特征中未被对比文件1公开的部分均属于公知常识（权11为独权而非从权），从属权利要求10、20的附加技术特征被对比文件3公开，因而权利要求3、4、9-22不具有专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体封装，包含：
裸片附接焊盘，其包括内表面和暴露表面；
多个接触，其中所述多个接触包括最接近所述裸片附接焊盘的内接触；
半导体裸片，安装在所述裸片附接焊盘的所述内表面上；
键合线，其将所述半导体裸片耦合到所述多个接触；以及
模塑料，包括第一底面，其中所述第一底面从所述裸片附接焊盘的所述暴露表面向所述内接触延伸。
2. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料、所述裸片附接焊盘以及所述内接触的底面均共面。
3. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料包括梯级特征，并且其中所述梯级特征形成所述模塑料的第二底面。
4. 如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述梯级特征为邻近所述内接触的模塑料的缺口。
5. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括第二底面，其中所述模塑料的所述第二底面从所述内接触向所述暴露表面延伸。
6. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括相对于所述内接触的底面凹陷的第二底面。
7. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述内接触被部分地密封。
8. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触从所述模塑料突出一定的距离。
9. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述多个接触焊盘具有啮合特征。
10. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触包括有源的拐角接触。
11. 一种制造半导体封装的方法，包含：
蚀刻引线框以形成多个联结杆、多个接触和通过所述多个联结杆耦合到所述多个接触的一部分的裸片附接焊盘，并且以形成蚀刻穿过所述引线框的围绕所述裸片附接焊盘的多个区域；
制备所述半导体封装；
蚀刻所述引线框的底面以将所述多个接触与所述裸片附接焊盘隔离；以及
对所述半导体封装进行单片化。
12. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，在蚀刻引线框之后，所述方法进一步包含：
选择性地镀覆所述引线框的顶面；以及
将所述引线框的底面与胶带进行层压。
13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于，以Ag，Ni、Pd和Au的叠层，NiPdAu合金，NiAu或NiAu合金对所述顶面进行镀覆。
14. 如权利要求12所述的方法，进一步包含：在制备所述半导体封装之后，从所述引线框的底面移除所述胶带。
15. 如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：在蚀刻所述引线框的底面之后，向所述引线框的底面选择性地涂覆可焊接材料。
16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述可焊接材料为Sn、NiAu、NiPdAu、Ag、SnPb、SnAgCu、SnAgCuNi或无铅合成物。
17. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装包括：
将裸片耦合到所述裸片附接焊盘；
将所述裸片引线键合到所述多个接触；以及
密封所述裸片附接焊盘、所述多个接触、所述裸片和键合线。
18. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装， 由此将所述裸片附接焊盘嵌入模塑料中，从而使所述裸片附接焊盘的暴露表面处于所述半导体封装的底部，并且其中所述裸片附接焊盘和最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料从所述裸片附接焊盘的暴露表面向所述接触延伸。
19. 如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料包括梯级特征。
20. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸，并且其中在蚀刻所述底面之后，所述多个接触包括有源的拐角接触。
21. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，所有的接触均未暴露于所述半导体封装的侧面。
22. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，所有的接触均暴露于所述半导体设备的侧面。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年08月24日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-24项，其中修改了权利要求第1、11项，删除了权利要求第12项，增加权利要求第22-24项。复审请求人认为：在对比文件1中，引线框的底侧304可选地用抗性材料覆盖，抗性材料包括覆盖带、模制背面带或聚酞亚胺，其抵抗包括蚀刻的去除过程。对比文件1中的抗性材料是能够抵抗包括蚀刻的去除工艺的材料，并且必然在蚀刻引线框之前覆盖引线框底侧304。然而，修改后的权利要求1限定了所述半导体封装至少通过选择性地镀覆所述引线框的顶面并在蚀刻所述引线框之后将所述引线框的底面与胶带进行层压来制造。因此，对比文件1中的抗性材料的施加时间与修改后的权利要求1中的胶带的施加时间截然不同。此外，基于上述增加的特征，修改后的权利要求1的技术方案可以防止模塑料通过裸片附接焊盘周边的开放“通孔”或通过蚀刻穿透区域而在条带下方渗出。然而，如上面所陈述的，对比文件1中的抗性材料用于抵抗包括蚀刻在内的去除工艺。 因此，对比文件1中的抗性材料在作用上也完全不同于如修改的权利要求1中的胶带的作用。总之，对比文件1中的抗性材料至少在施加时间和作用上与修改的权利要求1中的胶带完全不同，这将阻止本领域技术人员在对比文件1的基础上在蚀刻引线框之后将引线框的底面与胶带进行层压。复审请求时新修改的权利要求第1-24项如下：
“1. 一种半导体封装，包含：
裸片附接焊盘，其包括内表面和暴露表面；
多个接触，其中所述多个接触包括最接近所述裸片附接焊盘的内接触；
半导体裸片，安装在所述裸片附接焊盘的所述内表面上；
键合线，其将所述半导体裸片耦合到所述多个接触；以及
模塑料，包括第一底面，其中所述第一底面从所述裸片附接焊盘的所述暴露表面向所述内接触延伸，
其中所述裸片附接焊盘和所述多个接触通过蚀刻引线框而形成；以及
其中所述半导体封装至少通过选择性地镀覆所述引线框的顶面并在蚀刻所述引线框之后将所述引线框的底面与胶带进行层压来制造。
2. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料、所述裸片附接焊盘以及所述内接触的底面均共面。
3. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料包括梯级特征，并且其中所述梯级特征形成所述模塑料的第二底面。
4. 如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述梯级特征为邻近所述内接触的模塑料的缺口。
5. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括第二底面，其中所述模塑料的所述第二底面从所述内接触向所述暴露表面延伸。
6. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括相对于所述内接触的底面凹陷的第二底面。
7. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述内接触被部分地密封。
8. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触从所述模塑料突出一定的距离。
9. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述多个接触焊盘具有啮合特征。
10. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触包括有源的拐角接触。
11. 一种制造半导体封装的方法，包含：
蚀刻引线框以形成多个联结杆、多个接触和通过所述多个联结杆耦合到所述多个接触的一部分的裸片附接焊盘，并且以形成蚀刻穿过所述引线框的围绕所述裸片附接焊盘的多个区域；
选择性地镀覆所述引线框的顶面；
将所述引线框的底面与胶带进行层压；
制备所述半导体封装；
蚀刻所述引线框的底面以将所述多个接触与所述裸片附接焊盘隔离；以及
对所述半导体封装进行单片化。
12. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，以Ag，Ni、Pd和Au的叠层，NiPdAu合金，NiAu或NiAu合金对所述顶面进行镀覆。
13. 如权利要求11所述的方法，进一步包含：在制备所述半导体封装之后，从所述引线框的底面移除所述胶带。
14. 如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：在蚀刻所述引线框的底面之后，向所述引线框的底面选择性地涂覆可焊接材料。
15. 如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述可焊接材料为Sn、NiAu、NiPdAu、Ag、SnPb、SnAgCu、SnAgCuNi或无铅合成物。
16. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装包括：
将裸片耦合到所述裸片附接焊盘；
将所述裸片引线键合到所述多个接触；以及
密封所述裸片附接焊盘、所述多个接触、所述裸片和键合线。
17. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装，由此将所述裸片附接焊盘嵌入模塑料中，从而使所述裸片附接焊盘的暴露表面处于所述半导体封装的底部，并且其中所述裸片附接焊盘和最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料从所述裸片附接焊盘的暴露表面向所述接触延伸。
18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料包括梯级特征。
19. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸，并且其中在蚀刻所述底面之后，所述多个接触包括有源的拐角接触。
20. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，所有的接触均未暴露于所述半导体封装的侧面。
21. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，所有的接触均暴露于所述半导体设备的侧面。
22. 根据权利要求11所述的方法，其中所述模塑料形成下底面的部分从所述裸片附接焊盘延伸到所述接触的最内行。
23. 根据权利要求11所述的方法，其中经单片化的所述半导体封装包括：
与第一水平对齐的下底面，并且所述下底面由所述裸片附接焊盘的底部和所述模塑料的第一部分形成；和
与高于所述第一水平的第二水平对齐的上底面，并且所述上底面至少部分地由所述模塑料的第二部分形成，其中在所述裸片附接焊盘和所述接触的最内行之间，所述模塑料的底部包括在所述第一水平和所述第二水平之间的梯级。
24. 根据权利要求11所述的方法，其中所述多个接触包括位于所述引线框的所述拐角中的一个或多个拐角的顶点上的一个或多个拐角接触，其中所述联结杆中的每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸到所述拐角接触中的一个拐角接触。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，修改加入权利要求1的技术特征“裸片附接焊盘和所述多个接触通过蚀刻引线框而形成”已被对比文件1公开（参见说明书第[0081]段）。修改加入权利要求1的技术特征“其中所述半导体封装至少通过选择性地镀覆所述引线框的顶面并在蚀刻所述引线框之后将所述引线框的底面与胶带进行层压来制造”中，对比文件1已经公开了引线框具有图案化后的镀层132、134、136和148，其中的方法限定并未使得该权利要求所保护的产品具有某种特定的组成，因此不具有限定作用，修改后的权利要求1仍然不具备新颖性。权利要求12为方法权利要求，复审请求人并入权利要求11的附加技术特征，对于其中的“选择性地镀覆所述引线框的顶面”，对比文件1已经公开了引线框具有图案化后的镀层132、134、136和148（参见说明书第[0081]段）。而采用选择性地镀覆的方式获得图案化镀层是本领域的惯用技术手段，属于公知常识。关于并入权利要求11的附加技术特征中的 “将所述引线框的底面与胶带进行层压”，首先，本申请权利要求并未对胶带进一步限定，不能得出其技术效果“防止模塑料通过裸片附接焊盘周边的开放“通孔”或通过蚀刻穿透区域而在条带下方渗出”，不能否认作为刻蚀掩膜的聚酰亚胺胶带不能对应其胶带。其次，根据对比文件1第[0085]段记载，可选地，在底面304覆盖抗性材料，可通过开口部分去除引线框底部的底部304，形成下部孔洞108。而在此之前第[0084]段记载了从引线框顶面306执行去除工艺去除，形成去除区域308和上部孔洞114。也即是在顶面306执行刻蚀工艺形成去除区域308和上部孔洞114之后，覆盖抗性材料形成下部孔洞108。最后，即使复审请求人进一步限定胶带用于在模制过程中防止模塑料通过裸片附接焊盘周边的开放“通孔”或通过蚀刻穿透区域而在条带下方渗出，也不能使得本申请具有创造性，因为使用胶带覆盖在引线框底部防止模制材料漏出是本领域的惯用技术手段。关于复审请求人新增加的权利要求22的附加技术特征已被对比文件1附图16的相应技术方案公开。关于复审请求人新增加的权利要求23的附加技术特征已被对比文件2附图11的相应技术方案公开。关于复审请求人新增加的权利要求23的附加技术特征，涉及联结杆与接触的布置，而对本领域技术人员而言，根据实际需要，为了固定连接引线框中的接触，调整联结杆与接触的布置是本领域的惯用技术手段，设置联结杆中的每个联结杆从裸片附接焊盘的拐角延伸到拐角接触的设置没有带来预料不到的技术效果。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月28日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-2，5-8不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；权利要求3-4，9-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：复审请求人修改权利要求1加入的技术特征“其中所述半导体封装至少通过选择性地镀覆所述引线框的顶面并在蚀刻所述引线框之后将所述引线框的底面与胶带进行层压来制造”中，对比文件1已经公开了引线框具有图案化后的镀层132、134、136和148，其中的方法限定并未使得该权利要求所保护的产品具有某种特定的组成/结构使其区别于对比文件1公开的内容，因此权利要求1仍然不具备新颖性。权利要求12为方法权利要求，并入权利要求11的附加技术特征，对于其中的“选择性地镀覆所述引线框的顶面”，对比文件1已经公开了引线框具有图案化后的镀层132、134、136和148（参见说明书第[0081]段）。而采用选择性地镀覆的方式获得图案化镀层是本领域的惯用技术手段，属于公知常识。关于并入权利要求11的附加技术特征中的“将所述引线框的底面与胶带进行层压”，首先，本申请权利要求并未对胶带进一步限定，不能得出其技术效果“防止模塑料通过裸片附接焊盘周边的开放“通孔”或通过蚀刻穿透区域而在条带下方渗出”，不能否认作为刻蚀掩膜的聚酰亚胺胶带不能对应其胶带；其次，根据对比文件1第[0085]段记载，可选地，在底面304覆盖抗性材料，可通过开口部分去除引线框底部的底部304，形成下部孔洞108。而在此之前第[0084]段记载了从引线框顶面306执行去除工艺去除，形成去除区域308和上部孔洞114。也即是在顶面306执行刻蚀工艺形成去除区域308和上部孔洞114之后，覆盖抗性材料形成下部孔洞108；最后，即使复审请求人进一步限定胶带用于在模制过程中防止模塑料通过裸片附接焊盘周边的开放“通孔”或通过蚀刻穿透区域而在条带下方渗出，也不能使得本申请具有创造性，因为使用胶带覆盖在引线框底部防止模制材料漏出是本领域的惯用技术手段。
复审请求人于2019年04月12日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-22项，其中修改了权利要求第1、11、19项，删除权利要求第10、24项，将权利要求10、24的技术特征并入权利要求1，将权利要求22技术特征并入权利要求11。复审请求人认为：对比文件1没有公开拐角接触。对比文件3以井框的方式布置在承载台152周围区域，而不是引线框的一个或多个角的顶点上。新修改的权利要求第1-22项如下：
“1. 一种半导体封装，包含：
裸片附接焊盘，其包括内表面和暴露表面；
多个接触，其中所述多个接触包括最接近所述裸片附接焊盘的内接触；
半导体裸片，安装在所述裸片附接焊盘的所述内表面上；
多个联结杆，将所述裸片附接焊盘耦合至所述多个接触；
键合线，其将所述半导体裸片耦合到所述多个接触；以及
模塑料，包括第一底面，其中所述第一底面从所述裸片附接焊盘的所述暴露表面向所述内接触延伸，
其中所述裸片附接焊盘和所述多个接触通过蚀刻引线框而形成；以及
其中所述半导体封装至少通过选择性地镀覆所述引线框的顶面并在蚀刻所述引线框之后将所述引线框的底面与胶带进行层压来制造；并且
其中所述多个接触包括有源的拐角接触，所述拐角接触中的每个拐角接触位于所述引线框的拐角中的一个或多个拐角的顶点上，其中所述联结杆中的每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸到所述拐角接触中的一个拐角接触。
2. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料、所述裸片附接焊盘以及所述内接触的底面均共面。
3. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料包括梯级特征，并且其中所述梯级特征形成所述模塑料的第二底面。
4. 如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述梯级特征为邻近所述内接触的模塑料的缺口。
5. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包 括第二底面，其中所述模塑料的所述第二底面从所述内接触向所述暴露表面延伸。
6. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括相对于所述内接触的底面凹陷的第二底面。
7. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述内接触被部分地密封。
8. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触从所述模塑料突出一定的距离。
9. 如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述多个接触焊盘具有啮合特征。
10. 一种制造半导体封装的方法，包含：
蚀刻引线框以形成多个联结杆、多个接触和通过所述多个联结杆耦合到所述多个接触的一部分的裸片附接焊盘，并且以形成蚀刻穿过所述引线框的围绕所述裸片附接焊盘的多个区域；
选择性地镀覆所述引线框的顶面；
将所述引线框的底面与胶带进行层压；
制备所述半导体封装；
蚀刻所述引线框的底面以将所述多个接触与所述裸片附接焊盘隔离；以及
对所述半导体封装进行单片化；
其中所述多个接触包括一个或多个拐角接触，所述拐角接触中的每个拐角接触位于所述引线框的拐角中的一个或多个拐角的顶点上，其中所述联结杆中的每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸到所述拐角接触中的一个拐角接触。
11. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，以Ag，Ni、Pd和Au的叠层，NiPdAu合金，NiAu或NiAu合金对所述顶面进行镀覆。
12. 如权利要求10所述的方法，进一步包含：在制备所述半导体封装之后，从所述引线框的底面移除所述胶带。
13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包 含：在蚀刻所述引线框的底面之后，向所述引线框的底面选择性地涂覆可焊接材料。
14. 如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述可焊接材料为Sn、NiAu、NiPdAu、Ag、SnPb、SnAgCu、SnAgCuNi或无铅合成物。
15. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装包括：
将裸片耦合到所述裸片附接焊盘；
将所述裸片引线键合到所述多个接触；以及
密封所述裸片附接焊盘、所述多个接触、所述裸片和键合线。
16. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装，由此将所述裸片附接焊盘嵌入模塑料中，从而使所述裸片附接焊盘的暴露表面处于所述半导体封装的底部，并且其中所述裸片附接焊盘和最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料从所述裸片附接焊盘的暴露表面向所述接触延伸。
17. 如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料包括梯级特征。
18. 如权利要求10所述的方法，其中在蚀刻所述底面之后，所述多个接触包括有源的拐角接触。
19. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，所有的接触均未暴露于所述半导体封装的侧面。
20. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，所有的接触均暴露于所述半导体设备的侧面。
21. 根据权利要求10所述的方法，其中所述模塑料形成下底面的部分从所述裸片附接焊盘延伸到所述接触的最内行。
22. 根据权利要求10所述的方法，其中经单片化的所述半导体封装包括：
与第一水平对齐的下底面，并且所述下底面由所述裸片附接焊盘的底部和所述模塑料的第一部分形成；和
与高于所述第一水平的第二水平对齐的上底面，并且所述上底面 至少部分地由所述模塑料的第二部分形成，其中在所述裸片附接焊盘和所述接触的最内行之间，所述模塑料的底部包括在所述第一水平和所述第二水平之间的梯级。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年04月12日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文替换页，包含权利要求第1-22项，经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定针对的文本是：申请日2013年07月03日提交的说明书1-66段，说明书附图图1-5F，说明书摘要，摘要附图；2019年04月12日提交的权利要求1-22项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有的技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，且该部分区别技术特征在另一篇对比文件中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，其他区别技术特征属于本领域的惯用技术手段，对本领域技术人员来说，在上述对比文件的基础上结合另一篇对比文件和公知常识得到该权利要求的技术方案是显而易见的，则该项权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2012018866A1，公开日为2012年01月26日；
对比文件2：US2011068463A1，公开日为2011年03月24日；
对比文件3：CN1381886A，公开日为2002年11月27日。
1)权利要求1所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种半导体封装。对比文件1公开了一种半导体封装，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0052]-[0218]段、说明书附图1-28）：裸片附接焊盘，其包括内表面和暴露表面；多个接触，包括最接近裸片附接焊盘的内接触；半导体裸片，安装在裸片附接焊盘的内表面上；键合线，其将半导体裸片耦合到多个接触；以及模塑料1658，包括第一底面1660，其中第一底面1660从裸片附接焊盘的暴露表面向内接触延伸（参见说明书第[0156]-[0162]段、说明书附图16-17）。
而“其中所述裸片附接焊盘和所述多个接触通过蚀刻引线框而形成；以及其中所述半导体封装至少通过选择性地镀覆所述引线框的顶面并在蚀刻所述引线框之后将所述引线框的底面与胶带进行层压来制造”，上述技术特征属于方法特征，该方法特征并没有使得权利要求1请求保护的半导体封装具有不同于对比文件1产品的结构和/或组成，也就是说权利要求1请求保护的半导体封装与对比文件1公开的半导体封装具有相同的结构和/或组成。
因此，权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：A，多个联结杆，将所述裸片附接焊盘耦合至所述多个接触；B，多个接触包括位于所述引线框的所述拐角中的一个或多个拐角的顶点上的一个或多个拐角接触，其中所述联结杆中的每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸到所述拐角接触中的一个拐角接触。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何布置接触焊盘及如何固定连接引线框中的接触。
针对上述区别技术特征A，其在该权利要求中实际解决的技术问题是，设置多少个最接近裸片附接焊盘的内接触；而对本领域技术人员而言，根据裸片的实际电连接需要，设置最接近裸片附接焊盘的内接触为多个是本领域的惯用技术手段，这样的设置没有带来预料不到的技术效果。
针对上述区别技术特征B，对比文件3公开了一种半导体封装，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第12页第13-28行、说明书附图1-11）：图8示出引线框架105作为一个整体由具有四边形外形的金属板制成；其上用于安装半导体芯片101的承载台152大致形成在“四方”框架105的中央；四个用于连接内部接线端102a的接线端支撑部151a以井框的形式布置在承载台152周围区域中，其中，它们向框架105的侧端延伸；四个用于连接外部接线端102b的接线端支撑部151b布置成在框架的四个侧端包围框架 105；也就是说，四个接线端支撑部151b构成外部框架；另外，四个承载台支撑部153从四个接线端支撑部151a之间的四个交点向承载台152的四个角落延伸；从而，承载台152由四个承载台支撑部153支撑；接着，在框架105上进行刻划(drawing)工序，其中，互连部分122和阻挡部124被刻划到封装104中以相对于每个接线端102高于电极表面121和接线端支撑部151；从附图8中可知，在引线框架105设置有源的拐角接触。可见，对比文件3公开了在封装拐角处设置有源接触的技术启示。对本领域技术人员而言，根据实际需要，为了固定连接引线框中的接触，调整联结杆与接触的布置是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识，并且设置联结杆中的每个联结杆从裸片附接焊盘的拐角延伸到拐角接触的设置没有带来预料不到的技术效果。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2)权利要求2所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2对权利要求1进行了进一步限定，其附加技术特征是：所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料、所述裸片附接焊盘以及所述内接触的底面均共面。该附加特征已被对比文件1公开（参见说明书第[0158]段、说明书附图16）。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3)权利要求3和4所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3对权利要求1进行了进一步限定，权利要求4对权利要求3进行了进一步限定，其附加技术特征分别是：“所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料包括梯级特征，并且其中所述梯级特征形成所述模塑料的第二底面”；“所述梯级特征为邻近所述内接触的模塑料的缺口”。基于该附加技术特征本申请实际解决的技术问题是：确定在裸片附接焊盘和内接触之间设置什么样的模塑料。
对比文件2公开了一种半导体封装结构，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0085]-[0095]段、说明书附图1，11）：半导体封装结构1100包括底部金属块1108，其包括内表面1124和暴露表面1122；多个接触1102和1104，包括最接近底部金属块1108的内接触1102；半导体裸片1128，安装在底部金属块1108的内表面上；键合线1132，其将半导体裸片1128耦合到多个接触1102和1104；以及模塑料1134，包括第一底面，其中第一底面从底部金属块1108的暴露表面1122向内接触1102延伸；底部金属块1108和内接触1102之间的模塑料1134包括梯级特征，并且该梯级特征形成模塑料1134的第二底面，该梯级特征为邻近内接触1102的模塑料的缺口（参见说明书附图11）。
可见，对比文件2公开了在可安装裸片的底部金属块与内接触之间设置具有梯级特征的模塑料，且梯级特征为邻近内接触的模塑料缺口。所以，本领域的技术人员在面对上述技术问题的时候，有动机在对比文件1的基础上结合对比文件3、对比文件2和公知常识，以获得上述权利要求所保护的技术方案。因此，上述权利要求所保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4) 权利要求5-8所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5-8均对权利要求1进行了进一步限定。对比文件1还公开了（参见说明书附图16）：模塑料1658包括第二底面，该第二底面从内接触向裸片附接焊盘的暴露表面延伸；模塑料1658包括相对于内接触的底面凹陷的第二底面；内接触被部分地密封；多个接触从模塑料1658突出一定的距离。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，所述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5) 权利要求9所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9对权利要求1进行了进一步限定，其附加技术特征是：裸片附接焊盘和所述多个接触焊盘具有啮合特征。基于该附加技术特征本申请实际解决的技术问题是：如何增加焊盘的结合可靠性。然而对本领域技术人员而言，根据实际需要，设置焊盘具有啮合特征以增加结合可靠性是本领域的惯用技术手段，属于公知常识，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。所以，在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识，以获得该权利要求所保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6)权利要求10所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10请求保护一种制造半导体封装的方法。对比文件1公开了一种制造半导体封装的方法，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0052]-[0218]段、说明书附图1-28），制造半导体封装100的方法包括：蚀刻引线框302以形成多个联结杆402、多个接触120和148和通过多个联结杆402耦合到接触120的一部分的裸片附接焊盘126，并且以形成蚀刻穿过引线框302的围绕裸片附接焊盘126的多个区域，其中多个接触包括方形接触端子148和围绕裸片附接焊盘126而设置环状内接触端子120（参见说明书第[0078]-[0088]段、说明书附图1-4）；制备半导体封装100（参见说明书第[0094]-[0095]段、说明书附图1-5）；蚀刻引线框302的底面以将多个接触120和136与裸片附接焊盘126隔离（参见说明书第[0085]-[0096]段、说明书附图1）。可见，该权利要求与对比文件1的区别在于：（1）本申请的多个联结杆耦合到多个接触，对比文件1中多个联结杆402仅耦合到接触120；（2）对所述半导体封装进行单片化；（3）选择性地镀覆所述引线框的顶面；将所述引线框的底面与胶带进行层压；（4）多个接触包括位于所述引线框的所述拐角中的一个或多个拐角的顶点上的一个或多个拐角接触，其中所述联结杆中的每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸到所述拐角接触中的一个拐角接触。基于上述区别技术特征可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何将裸片电连接和封装以及如何固定连接引线框中的接触。
对于区别特征（1），其在该权利要求中实际解决的技术问题是，设置多少个最接近裸片附接焊盘的内接触；而对本领域技术人员而言，根据裸片的实际电连接需要，设置最接近裸片附接焊盘的内接触为多个是本领域的惯用技术手段，这样的设置没有带来预料不到的技术效果。
对于区别特征（2），其在该权利要求中实际解决的技术问题是：如何制作批量的半导体封装器件。然而对本领域技术人员而言，根据实际需要，同时制作重复的多个器件，然后单片化为单个封装个体是本领域的惯用技术手段，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。
对于区别特征（3），对比文件1公开的是使用预先镀覆好导电层146和148的引线框架，再掩膜刻蚀去掉多余的镀覆材料，选择性刻蚀引线框架形成接触图案（参见说明书第[0082]段）；将引线框架的底面304接合至模底胶带（参见说明书第[0085]段）。然而，对本领域技术人员而言，根据实际需要，选择先形成引线框架再在其上镀覆导电层，以及采用层压的方式接合引线框架的底面304与模底胶带均是本领域的惯用技术手段，属于公知常识，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。
对于区别特征(4)，对比文件3公开了一种半导体封装，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第12页第13-28行、说明书附图1-11）：图8示出引线框架105作为一个整体由具有四边形外形的金属板制成；其上用于安装半导体芯片101的承载台152大致形成在“四方”框架105的中央；四个用于连接内部接线端102a的接线端支撑部151a以井框的形式布置在承载台152周围区域中，其中，它们向框架105的侧端延伸；四个用于连接外部接线端102b的接线端支撑部151b布置成在框架的四个侧端包围框架 105；也就是说，四个接线端支撑部151b构成外部框架；另外，四个承载台支撑部153从四个接线端支撑部151a之间的四个交点向承载台152的四个角落延伸；从而，承载台152由四个承载台支撑部153支撑；接着，在框架105上进行刻划(drawing)工序，其中，互连部分122和阻挡部124被刻划到封装104中以相对于每个接线端102高于电极表面121和接线端支撑部151；从附图8中可知，在引线框架105设置有源的拐角接触。可见，对比文件3公开了在封装拐角处设置有源接触的技术启示。对本领域技术人员而言，根据实际需要，为了固定连接引线框中的接触，调整联结杆与接触的布置是本领域的惯用技术手段，设置联结杆中的每个联结杆从裸片附接焊盘的拐角延伸到拐角接触的设置没有带来预料不到的技术效果。
所以，在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识，以获得该权利要求所保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7)权利要求11所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是：以Ag，Ni、Pd和Au的叠层，NiPdAu合金，NiAu或NiAu合金对所述顶面进行镀覆。
对比文件1还公开了（参见说明书第[0083]段）：以Ni、Pd和Au的叠层，NiPdAu合金，NiAu或NiAu合金对所述顶面进行镀覆。此外，对本领域技术人员而言，根据实际需要，选择Ag与Ni、Pd和Au的叠层作为导电层进行镀覆是本领域的惯用技术手段，属于公知常识，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备创造性。
8)权利要求12所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是：在制备所述半导体封装之后，从所述引线框的底面移除所述胶带。该附加技术特征已被对比文件1公开（参见说明书第[0052]-[0103]段、说明书附图1-7）。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9)权利要求13所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13对权利要求12进行了进一步限定，其附加技术特征是：所述方法进一步包含：在蚀刻所述引线框的底面之后，向所述引线框的底面选择性地涂覆可焊接材料。
对比文件1公开的是使用预先镀覆好导电层146和148的引线框架，再掩膜刻蚀去掉多余的镀覆材料，选择性刻蚀引线框架形成接触图案（参见说明书第[0082]段）。
然而，对本领域技术人员而言，根据实际需要，选择先形成引线框架再在其上镀覆可焊接材料是本领域的惯用技术手段，属于公知常识，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。所以，在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识，以获得该权利要求所保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10)权利要求14所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求14对权利要求13进行了进一步限定，其附加技术特征是：可焊接材料为Sn、NiAu、NiPdAu、Ag、SnPb、SnAgCu、SnAgCuNi或无铅合成物。对比文件1还公开了底部可焊接材料146可以为NiAu、NiPdAu。此外，对本领域技术人员而言，根据实际需要，选择Sn、Ag、SnPb、SnAgCu、SnAgCuNi或无铅合成物作为导电层的可焊接材料是本领域的惯用技术手段，属于公知常识，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11)权利要求15-16所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15和16对权利要求10进行了进一步限定，对比文件1还公开了（参见说明书第[0052]-[0103]段、说明书附图1-7），制备半导体封装100的方法包括：将裸片152耦合到裸片附接焊盘126；将裸片引线154和156键合到多个接触120和136；以及用模塑料158密封裸片附接焊盘126、多个接触120和136、裸片152和键合线154和156。将裸片附接焊盘126嵌入模塑料158中，从而使裸片附接焊盘126的暴露表面处于半导体封装100的底部；在附图16-17的实施例中，半导体封装包括：裸片附接焊盘，其包括内表面和暴露表面； 多个接触，包括最接近裸片附接焊盘的内接触； 半导体裸片，安装在裸片附接焊盘的内表面上；键合线，其将半导体裸片耦合到多个接触；以及模塑料1658，包括第一底面1660，其中第一底面1660从裸片附接焊盘的暴露表面向内接触延伸（参见说明书第[0156]-[0162]段、说明书附图16-17）。
可见， 对比文件1还公开了上述权利要求中的裸片附接特征、裸片引线键合特征和模塑料封装特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12)权利要求17所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求17对权利要求16进行了进一步限定，其附加技术特征是：所述裸片附接焊盘和所述最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料包括梯级特征。基于该附加技术特征本申请实际解决的技术问题是：在裸片附接焊盘和内接触之间的设置什么样的模塑料。
对比文件2公开了一种半导体封装结构，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0085]-[0095]段、说明书附图1，11）：半导体封装结构1100包括底部金属块1108，其包括内表面1124和暴露表面1122；多个接触1102和1104，包括最接近底部金属块1108的内接触1102；半导体裸片1128，安装在底部金属块1108的内表面上；键合线1132，其将半导体裸片1128耦合到多个接触1102和1104；以及模塑料1134，包括第一底面，其中第一底面从底部金属块1108的暴露表面1122向内接触1102延伸；底部金属块1108和内接触1102之间的模塑料1134包括梯级特征（参见说明书附图11）。
可见，对比文件2给出了在可安装裸片的底部金属块与内接触之间设置具有梯级特征的模塑料的技术启示。所以，本领域的技术人员在面对上述技术问题的时候，有动机在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和公知常识，以获得该权利要求所保护的技术方案。因此，该权利要求所保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13)权利要求18所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求18对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是：其中在蚀刻所述底面之后，所述多个接触包括有源的拐角接触。对比文件1还公开了（参见说明书附图4）每个联结杆402从裸片附接焊盘102的拐角延伸。对比文件1没有公开包括有源的拐角接触。基于该区别特征本申请实际解决的技术问题是：如何布置接触焊盘。
对比文件3公开了一种半导体封装，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第12页第13-28行、说明书附图1-11）：
图8示出引线框架105作为一个整体由具有四边形外形的金属板制成；其上用于安装半导体芯片101的承载台152大致形成在“四方”框架105的中央；四个用于连接内部接线端102a的接线端支撑部151a以井框的形式布置在承载台152周围区域中，其中，它们向框架105的侧端延伸；四个用于连接外部接线端102b的接线端支撑部151b布置成在框架的四个侧端包围框架 105；也就是说，四个接线端支撑部151b构成外部框架；另外，四个承载台支撑部153从四个接线端支撑部151a之间的四个交点向承载台152的四个角落延伸；从而，承载台152由四个承载台支撑部153支撑；接着，在框架105上进行刻划(drawing)工序，其中，互连部分122和阻挡部124被刻划到封装104中以相对于每个接线端102高于电极表面121和接线端支撑部151；从附图8中可知，在引线框架105设置有源的拐角接触。
可见，对比文件3公开了在封装拐角处设置有源接触的技术启示，所以，本领域的技术人员在面对上述技术问题的时候，有动机在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识，以获得该权利要求所保护的技术方案。因此，该权利要求所保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14)权利要求19所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求19对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是：所有的接触均未暴露于所述半导体封装的侧面。该附加技术特征已被对比文件1公开（参见说明书附图1-17）。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
15)权利要求20所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求20对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是：所有的接触均暴露于所述半导体设备的侧面。然而，对本领域技术人员而言，根据实际需要，选择引线框架的接触均暴露于所述半导体设备的侧面是本领域的惯用技术手段，属于公知常识，且这样的设置没有带来预料不到的技术效果。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
16) 权利要求21所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求21对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是模塑料形成下底面的部分从所述裸片附接焊盘延伸到所述接触的最内行。该附加技术特征已被对比文件1公开（参见说明书第[0052]-[0103]段、说明书附图1-7，16）。因此，在其引用在前的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
17) 权利要求22所保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求22对权利要求10进行了进一步限定，其附加技术特征是：经单片化的所述半导体封装包括：与第一水平对齐的下底面，并且所述下底面由所述裸片附接焊盘的底部和所述模塑料的第一部分形成；和与高于所述第一水平的第二水平对齐的上底面，并且所述上底面至少部分地由所述模塑料的第二部分形成，其中在所述裸片附接焊盘和所述接触的最内行之间，所述模塑料的底部包括在所述第一水平和所述第二水平之间的梯级。
对比文件2公开了一种半导体封装结构，并进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0085]-[0095]段、说明书附图1，11）：半导体封装结构1100包括底部金属块1108，其包括内表面1124和暴露表面1122；多个接触1102和1104，包括最接近底部金属块1108的内接触1102；半导体裸片1128，安装在底部金属块1108的内表面上；键合线1132，其将半导体裸片1128耦合到多个接触1102和1104；以及模塑料1134，包括第一底面，其中第一底面从底部金属块1108的暴露表面1122向内接触1102延伸；底部金属块1108和内接触1102之间的模塑料1134包括梯级特征（参见说明书附图11）。
可见，对比文件2给出了在可安装裸片的底部金属块与内接触之间设置具有梯级特征的模塑料的技术启示。所以，本领域的技术人员在面对上述技术问题的时候，有动机在对比文件1的基础上结合对比文件2和公知常识（D3？），以获得该权利要求所保护的技术方案。因此，该权利要求所保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人2019年04月12日提交的意见陈述，合议组认为：对比文件3图8公开了引线框架105作为一个整体由具有四边形外形的金属板制成；其上用于安装半导体芯片101的承载台152大致形成在“四方”框架105的中央；四个用于连接内部接线端102a的接线端支撑部151a以井框的形式布置在承载台152周围区域中，其中，它们向框架105的侧端延伸；四个用于连接外部接线端102b的接线端支撑部151b布置成在框架的四个侧端包围框架 105；也就是说，四个接线端支撑部151b构成外部框架；另外，四个承载台支撑部153从四个接线端支撑部151a之间的四个交点向承载台152的四个角落延伸；从而，承载台152由四个承载台支撑部153支撑；接着，在框架105上进行刻划（drawing）工序，其中，互连部分122和阻挡部124被刻划到封装104中以相对于每个接线端102高于电极表面121和接线端支撑部151（说明书第12页第25行至第27行）；从附图8中可知，在引线框架105设置有源的拐角接触。可见，对比文件3公开了在封装拐角处设置有源接触的技术启示。将对比文件3的技术启示结合到对比文件1已经公开的技术方案中，并结合本领域常用的技术手段，可以得到“其中所述多个接触包括有源的拐角接触，所述拐角接触中的每个拐角接触位于所述引线框的拐角中的一个或多个拐角的顶点上，其中所述联结杆中的每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸到所述拐角接触中的一个拐角接触。”
综上所述，合议组对于复审请求人的意见不予支持。
基于上述理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年05月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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