发明创造名称：用于利用结构光测量半导体器件元件的物理特性的系统和方法
外观设计名称：
决定号：185746
决定日：2019-08-02
委内编号：1F252018
优先权日：2013-09-03
申请（专利）号：201410616244.2
申请日：2014-09-03
复审请求人：库利克和索夫工业公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李玉林
合议组组长：孙晓明
参审员：李璟
国际分类号：G01N21/84,G01B11/24
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果该区别技术特征一部分被与本申请属于相同或相近技术领域的其他对比文件公开，且该部分区别技术特征在该其他对比文件中所起作用与其在本申请中所起作用相同，另一部分区别技术特征属于本领域公知常识，则该权利要求相对于上述对比文件与本领域公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410616244.2，名称为“用于利用结构光测量半导体器件元件的物理特性的系统和方法”的发明专利申请（下称本申请），申请人为库利克和索夫工业公司。申请日为2014年09月03日，优先权日为2013年09月03日，公开日为2015年04月15日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年02月06日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-39不具备专利法第22条第3款规定的创造性，其中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN101782375A， 公开日为2010年07月21日；
对比文件2：US2012/0070939A1，公开日为2012年03月22日；
对比文件3：TWI313748B， 公告日为2007年01月01日；
对比文件4：CN1968598A， 公开日为2007年05月23日；
对比文件5：US2012/0040477A1，公开日为2012年02月16日；
对比文件6：CN101929850A， 公开日为2010年12月29日。
驳回决定所依据的文本为：申请日2014年09月03日提交的说明书第1-7页、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2017年04月11日提交的权利要求第1-39项。
驳回决定所针对的权利要求书全文如下：
“1. 一种利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到半导体器件元件的粘合剂材料上；
(2)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及
(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，从由环氧树脂材料、非导电膏材料、和固化液材料组成的组中选择所述粘合剂材料。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
4. 根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤(1)之前将所述粘合剂材料分配到所述半导体器件元件上的步骤。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中，步骤(3)包括利用所述图像来确定所述物理特性是否在预定的规范内。
6. 根据权利要求5所述的方法，还包括以下步骤：如果确定所述物理特性不在所述预定的规范内，则为后续半导体器件元件调整分配所述粘合剂材料的步骤的方面。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中，所述调整步骤利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述确定的物理特性来自动确定所述调整的方面。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(1)、(2)和(3)中的每个步骤均在热压接合机上执行。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述物理特性包括所述粘合剂材料的体积和所述粘合剂材料的分布的至少其中之一。
10. 一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将粘合剂材料分配到半导体器件元件上，所述半导体器件元件被配置为通过热压接合工艺接纳另一个半导体器件；
(2)利用所述热压接合机的光源将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到所述粘合剂材料上；
(3)利用所述热压接合机的相机创建所述结构光图案的图像；以及
(4)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。
11. 一种利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用于半导体器件的元件之间的粘合剂倒角；
(2)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及
(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂倒角的物理特性。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中，步骤(3)包括利用所述图像来确定所述物理特性是否在预定的规范内。
14. 根据权利要求13所述的方法，还包括以下步骤：如果确定所述物理特性不在所述预定的规范内，则为后续半导体器件调整分配所述粘合剂材料的步骤的方面。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中，所述调整步骤利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述确定的物理特性来自动确定所述调整的方面。
16. 根据权利要求11所述的方法，其中，步骤(1)、(2)和(3)中的每个步骤均在热压接合机上执行。
17. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述物理特性包括倒角的高度和粘合剂倒角的长度的至少其中之一。
18. 一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体器件的第一元件热压接合到所述半导体器件的第二元件，从而使粘合剂材料涂覆在所述第一元件和所述第二元件之间的区域中；
(2)在步骤(1)之后，将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用于所述粘合剂材料的粘合剂倒角；
(3)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及
(4)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。
19. 一种利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)利用相机创建由半导体器件的表面反射的结构光图案的图像，所述结构光图案由通过起偏器发射的光来产生；以及
(2)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述半导体器件的平面度特性。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
21. 根据权利要求19所述的方法，其中，步骤(2)包括利用所述图像来确定所述平面度特性是否在预定的规范内。
22. 根据权利要求19所述的方法，其中，步骤(1)和(2)中的每个步骤均在热压接合机上执行。
23. 根据权利要求19所述的方法，其中，步骤(1)包括将所述结构光图案从光源投射到漫射屏上，利用所述半导体器件的所述表面将投射的光图案反射到所述相机。
24. 一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体器件固定在热压接合机上的位置中；
(2)利用相机创建来自所述半导体器件的表面的结构光图案的图像，所述结构光图案由通过起偏器发射的光来产生；以及
(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述半导体器件的平面度特性。
25. 根据权利要求24所述的方法，其中，步骤(1)包括利用所述热压接合机的拾取工具和所述热压接合机的放置工具的至少其中之一来固定所述半导体器件。
26. 一种热压接合机，包括：
支撑结构，其用于支撑包括粘合剂材料的半导体器件元件；
结构光源，其用于在所述粘合剂材料上提供由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案；以及
相机，其用于创建所述粘合剂材料上的所述结构光图案的图像。
27. 根据权利要求26所述的热压接合机，其中，从由环氧树脂材料、非导电膏材料、和固化液材料组成的组中选择所述粘合剂材料。
28. 根据权利要求26所述的热压接合机，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
29. 根据权利要求26所述的热压接合机，还包括分配器，其用于将所述粘合剂材料分配到所述半导体器件元件上。
30. 根据权利要求26所述的热压接合机，还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述粘合剂材料的物理特性。
31. 根据权利要求30所述的热压接合机，其中，所述物理特性包括所述粘合剂材料的体积和所述粘合剂材料的体积的分布的至少其中之一。
32. 根据权利要求26所述的热压接合机，还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述粘合剂材料的物理特性，并且确定所述物理特性是否在预定的规范内。
33. 根据权利要求26所述的热压接合机，其中，所述粘合剂材料为设置在所述半导体器件元件与另一个半导体器件元件之间的粘合剂的倒角部分。
34. 一种热压接合机，包括：
支撑结构，其用于支撑半导体器件；
结构光源，其用于提供由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案；以及
相机，其用于利用所述半导体器件的反射表面来间接观察所述结构光图案，所述相机创建所述结构光图案的图像。
35. 根据权利要求34所述的热压接合机，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
36. 根据权利要求34所述的热压接合机，还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述半导体器件的平面度特性。
37. 根据权利要求36所述的热压接合机，其中，所述图像处理硬件和软件被配置为确定所述平面度特性是否在预定的规范内。
38. 根据权利要求34所述的热压接合机，还包括用于接收来自所述结构光源的所述结构光图案的漫射屏。
39. 根据权利要求34所述的热压接合机，还包括用于在所述相机间接观察所述结构光图案时固定所述半导体器件的拾取工具和放置工具的至少其中之一。”
驳回决定具体认为：1、权利要求1请求保护一种利用结构光来确定半导体器件上的粘合剂材料的物理特性的方法。对比文件1公开了一种采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法，权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征是：1）权利要求1中的方法实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料；2）权利要求1中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求1相对于对比文件1、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求10请求保护一种在热压结合机上利用结构光来确定半导体器件上的粘合剂材料的物理特性的方法，对比文件1公开了一种采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法，权利要求10相对于对比文件1的区别技术特征是：1）权利要求10中的方法实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，且该方法在热压接合机上执行；2）半导体器件元件被配置为通过热压接合工艺接纳另一个半导体器件；3）结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）和区别技术特征2）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征3）被对比文件6公开了，权利要求10相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求11请求保护一种利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，对比文件1公开了一种采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法，权利要求11相对于对比文件1的区别技术特征是：1）权利要求11中的方法是用于确定半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性；2）权利要求11中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件3公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求11相对于对比文件1、对比文件3、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求18请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，对比文件1公开了一种采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法，权利要求18相对于对比文件1的区别技术特征是：1）权利要求18中的方法是用于确定半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性，且该方法在热压接合机上执行；所述方法包括如下步骤：将半导体器件的第一元件热压接合到所述半导体器件的第二元件，从而使粘合剂材料涂覆在所述第一元件和所述第二元件之间的区域中；2）权利要求18中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件2和对比文件3公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求18相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5、权利要求19请求保护一种利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，对比文件1公开了一种采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法，权利要求19相对于对比文件1的区别技术特征是：1）权利要求19中的方法是用于确定半导体器件的平面度特性；2）权利要求1中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求19相对于对比文件1、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。6、权利要求24请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，对比文件1公开了一种采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法，权利要求24相对于对比文件1的区别技术特征是：1）权利要求24中的方法是用于确定半导体器件的平面度特性，且在热压接合机上执行；所述方法还包括将半导体器件固定在热压接合机上的位置中；2）权利要求24中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求24相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。7、权利要求26请求保护一种接合机，对比文件4公开了一种具有元件布局检查功能的抓取式设备，权利要求26相对于对比文件4的区别技术特征是：1）权利要求26请求保护的是一种热压接合机；2）利用相机创建粘合剂材料上的结构光图案的图像；3）权利要求26中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征3）被对比文件6公开了，权利要求26相对于对比文件4、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。8、权利要求34请求保护一种热压接合机，对比文件4公开了一种具有元件布局检查功能的抓取式设备，权利要求34相对于对比文件4的区别技术特征是：1）权利要求34请求保护的是一种热压接合机；2）利用相机创建半导体器件的反射表面间接观察到结构光图案的图像；3）权利要求34中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征3）被对比文件6公开了，权利要求34相对于对比文件4、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。9、从属权利要求2-9，12-17，20-23，25，27-33,35-39的附加技术特征或被对比文件1，2，4-6公开了，或属于本领域公知常识。当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-9，12-17，20-23，25，27-33，35-39也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年05月17日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页。修改主要涉及：将“其中，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间”增加至权利要求1，10，11，19，24，26，34中。复审请求人认为：本申请通过利用起偏器来减少可能使图像较不清晰的热点；对比文件6中公开了以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成具有图案的结构光，然而，对比文件6根本不涉及解决有热点引起的问题，进一步而言，该对比文件没有公开或教导通过利用线性偏振元件来减少可能使图像不清晰的热点；对比文件1和对比文件6都不涉及用于将分别包括导电柱和导电区的两个半导体器件元件热压接合的热压接合机。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年05月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理，并于2019年01月24日发出复审通知书，在复审通知书中提出如下审查意见：1、权利要求1请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求1中方法的实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料；2）权利要求1中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机的光源进行光照射，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，区别技术特征3）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求10请求保护一种在热压结合机上利用结构光来确定半导体器件上的粘合剂材料的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，权利要求10所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求10中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料；2）权利要求10中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机的光源进行光照射，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，区别技术特征3）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，权利要求10相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求11请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，权利要求11所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求11中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，物理特性为倒角的物理特性；2）权利要求11中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机的光源进行光照射，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，区别技术特征3）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，权利要求11相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求18请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，权利要求18所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求18中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，物理特性为倒角的物理特性；2）权利要求18中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机将半导体器件的第一元件热压接合到所述半导体器件的第二元件，从而使粘合剂材料涂覆在所述第一元件和所述第二元件之间的区域中；其中，所述第二元件包括导电柱并且所述第一元件包括导电区。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，区别技术特征3）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，权利要求18相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5、权利要求19请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，权利要求19所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求19中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，用于确定半导体器件的平面度特性；2）权利要求19中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；3）在热压接合机上利用结构光来进行测量，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，区别技术特征3）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，权利要求19相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。6、权利要求24请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，权利要求24所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求24中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，用于确定半导体器件的平面度特性；2）权利要求24中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；3）在热压接合机上利用结构光来进行测量，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。区别技术特征1）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，区别技术特征3）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，权利要求24相对于对比文件1、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。7、权利要求26请求保护一种接合机，对比文件4公开了一种具有元件布局检查功能的抓取式设备，权利要求26所要求保护的技术方案与对比文件4所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求26请求保护的是一种热压接合机；所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间；2）权利要求26中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求26相对于对比文件4、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。8、权利要求34请求保护一种接合机，对比文件4公开了一种具有元件布局检查功能的抓取式设备，权利要求34所要求保护的技术方案与对比文件4所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求34请求保护的是一种热压接合机；所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间；2）权利要求34中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生。区别技术特征1）的一部分被对比文件2公开了，另一部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征2）被对比文件6公开了，权利要求34相对于对比文件4、对比文件2、对比文件6以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。9、从属权利要求2-9，12-17，20-23，25，27-33，35-39的附加技术特征或被对比文件1，2，4，6公开了，或属于本领域公知常识。当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-9，12-17，20-23，25，27-33，35-39也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。10、针对复审请求人的意见陈述进行了答复。
复审请求人于2019年05月08日提交了复审无效宣告程序意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页。修改涉及：将“并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式”增加至权利要求1，10，11，18，19，24，26，34中。修改后的权利要求书全文如下：
“1. 一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)利用所述热压接合机的光源将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到半导体器件元件的粘合剂材料上；
(2)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及
(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性，
其中，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间，并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，从由环氧树脂材料、非导电膏材料、和固化液材料组成的组中选择所述粘合剂材料。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
4. 根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤(1)之前将所述粘合剂材料分配到所述半导体器件元件上的步骤。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中，步骤(3)包括利用所述图像来确定所述物理特性是否在预定的规范内。
6. 根据权利要求5所述的方法，还包括以下步骤：如果确定所述物理特性不在所述预定的规范内，则为后续半导体器件元件调整分配所述粘合 剂材料的步骤的方面。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中，所述调整步骤利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述确定的物理特性来自动确定所述调整的方面。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(1)、(2)和(3)中的每个步骤均在热压接合机上执行。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述物理特性包括所述粘合剂材料的体积和所述粘合剂材料的分布的至少其中之一。
10. 一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将粘合剂材料分配到半导体器件元件上，所述半导体器件元件被配置为通过热压接合工艺接纳另一个半导体器件；
(2)利用所述热压接合机的光源将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到所述粘合剂材料上；
(3)利用所述热压接合机的相机创建所述结构光图案的图像；以及
(4)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性，
其中，所述热压接合机被配置为将所述另一个半导体器件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件与所述半导体器件元件之间，并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。
11. 一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)利用所述热压接合机的光源将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用于半导体器件的元件之间的粘合剂倒角；
(2)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及
(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂倒角的物理特性，
其中，所述热压接合机被配置为将所述半导体器件的第二元件热压接合到所述半导体器件的第一元件，所述第二元件包括导电柱并且所述第一元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述第二元件与所述第一元件之间，并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中，步骤(3)包括利用所述图像来确定所述物理特性是否在预定的规范内。
14. 根据权利要求13所述的方法，还包括以下步骤：如果确定所述物理特性不在所述预定的规范内，则为后续半导体器件调整分配所述粘合剂材料的步骤的方面。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中，所述调整步骤利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述确定的物理特性来自动确定所述调整的方面。
16. 根据权利要求11所述的方法，其中，步骤(1)、(2)和(3)中的每个步骤均在热压接合机上执行。
17. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述物理特性包括倒角的高 度和粘合剂倒角的长度的至少其中之一。
18. 一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)利用所述热压接合机将半导体器件的第一元件热压接合到所述半导体器件的第二元件，从而使粘合剂材料涂覆在所述第一元件和所述第二元件之间的区域中，其中，所述第二元件包括导电柱并且所述第一元件包括导电区，并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；
(2)在步骤(1)之后，将由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用于所述粘合剂材料的粘合剂倒角；
(3)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及
(4)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。
19. 一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)利用相机创建由半导体器件的表面反射的结构光图案的图像，所述结构光图案由通过起偏器发射的光来产生；以及
(2)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述半导体器件的平面度特性，
其中，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件热压接合到所述半导体器件，所述另一个半导体器件包括导电柱并且所述半导体器件包括导电区，粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件与所述半导体器件之间，并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述结构光图案包括平行条 图案和栅格图案的至少其中之一。
21. 根据权利要求19所述的方法，其中，步骤(2)包括利用所述图像来确定所述平面度特性是否在预定的规范内。
22. 根据权利要求19所述的方法，其中，步骤(1)和(2)中的每个步骤均在热压接合机上执行。
23. 根据权利要求19所述的方法，其中，步骤(1)包括将所述结构光图案从光源投射到漫射屏上，利用所述半导体器件的所述表面将投射的光图案反射到所述相机。
24. 一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体器件固定在热压接合机上的位置中；
(2)利用相机创建来自所述半导体器件的表面的结构光图案的图像，所述结构光图案由通过起偏器发射的光来产生；以及
(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述半导体器件的平面度特性，
其中，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件热压接合到所述半导体器件，所述另一个半导体器件包括导电柱并且所述半导体器件包括导电区，粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件与所述半导体器件之间，并且其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。
25. 根据权利要求24所述的方法，其中，步骤(1)包括利用所述热压接合机的拾取工具和所述热压接合机的放置工具的至少其中之一来固定所述半导体器件。
26. 一种热压接合机，包括：
支撑结构，其用于支撑包括粘合剂材料的半导体器件元件，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间，其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；
结构光源，其用于在所述粘合剂材料上提供由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案；以及
相机，其用于创建所述粘合剂材料上的所述结构光图案的图像。
27. 根据权利要求26所述的热压接合机，其中，从由环氧树脂材料、非导电膏材料、和固化液材料组成的组中选择所述粘合剂材料。
28. 根据权利要求26所述的热压接合机，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
29. 根据权利要求26所述的热压接合机，还包括分配器，其用于将所述粘合剂材料分配到所述半导体器件元件上。
30. 根据权利要求26所述的热压接合机，还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述粘合剂材料的物理特性。
31. 根据权利要求30所述的热压接合机，其中，所述物理特性包括所述粘合剂材料的体积和所述粘合剂材料的体积的分布的至少其中之一。
32. 根据权利要求26所述的热压接合机，还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述粘合剂材料的物理 特性，并且确定所述物理特性是否在预定的规范内。
33. 根据权利要求26所述的热压接合机，其中，所述粘合剂材料为设置在所述半导体器件元件与另一个半导体器件元件之间的粘合剂的倒角部分。
34. 一种热压接合机，包括：
支撑结构，其用于支撑半导体器件，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件热压接合到所述半导体器件，所述另一个半导体器件包括导电柱并且所述半导体器件包括导电区，粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件与所述半导体器件之间，其中，所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；
结构光源，其用于提供由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案；以及
相机，其用于利用所述半导体器件的反射表面来间接观察所述结构光图案，所述相机创建所述结构光图案的图像。
35. 根据权利要求34所述的热压接合机，其中，所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。
36. 根据权利要求34所述的热压接合机，还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述半导体器件的平面度特性。
37. 根据权利要求36所述的热压接合机，其中，所述图像处理硬件和软件被配置为确定所述平面度特性是否在预定的规范内。
38. 根据权利要求34所述的热压接合机，还包括用于接收来自所述结构光源的所述结构光图案的漫射屏。
39. 根据权利要求34所述的热压接合机，还包括用于在所述相机间接观察所述结构光图案时固定所述半导体器件的拾取工具和放置工具的至少其中之一。”
复审请求人认为：在对比文件1中根本没有提及热压接合机，也没有公开热压接合机被配置为将包括导电柱的另一个半导体器件元件热压接合到包括导电区的半导体器件元件，其中粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。对比文件2没有公开设置在半导体器件元件与另一个半导体器件元件之间的粘合剂材料。本领域技术人员难以想到在对比文件2所公开的方法中利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性。进一步而言，本领域技术人员没有任何动机将对比文件1与对比文件2相结合以获得如本申请修改后的独立权利要求1所述的方法。对比文件1，2，4，6没有公开热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2018年05月17日提出复审请求时以及2019年05月08日答复复审通知书时对申请文件进行了修改，提交了权利要求书全文修改替换页。经查，上述修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定针对的审查文本为：申请日2014年09月03日提交的说明书第1-7页、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2019年05月08日提交的权利要求第1-39项。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果该区别技术特征一部分被与本申请属于相同或相近技术领域的其他对比文件公开，且该部分区别技术特征在该其他对比文件中所起作用与其在本申请中所起作用相同，另一部分区别技术特征属于本领域公知常识，则该权利要求相对于上述对比文件与本领域公知常识的结合不具备创造性。
具体到本案：
1）权利要求1请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第0002、0017-0021、0063-0136段，图1-2）：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏（粘合剂材料），接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上。被测量物为印刷于印刷基板上的焊锡膏，三维测量装置能够用于所述焊锡膏的高度测量（物理特性）。所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机（即相机用于创建所述光图案的图像）；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述成像机构摄制的图像数据，进行三维测量。
由上述公开的三维测量装置中的各部件及其具体工作过程能够直接地、毫无疑义地确定对比文件1公开了采用三维测量装置测量被测量物（焊锡膏）高度的方法包括：1）由照射机构向被测量物照射具有条纹状的光（结构光）；由摄像机构对来自照射光图案的被测量物的反射光进行摄像；图像处理机构根据通过成像机构摄制的图像数据，进行三维测量，以确定被测量物（焊锡膏）的高度（物理特性）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求1中方法的实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料；2）权利要求1中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；所述热压接合机包括转换漫射屏，所述转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机的光源进行光照射，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：1）利用结构光确定粘合剂材料物理特性的方法的转用；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度；3）如何实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测。
对于区别技术特征1），对比文件1已经公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，利用三维测量装置能够基于条纹状的光用于印刷基板上的焊锡膏的高度（物理特性）测量。此外，本领域技术人员知晓，在印刷基板上焊接半导体元件用于制作半导体器件是本领域的常规选择，基于此，将对比文件1中的采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法转用于半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的确定对于本领域技术人员而言是不存在任何技术障碍的。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用通过起偏器光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件1中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
对于区别技术特征3），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，利用热压接合机的光源进行光照射是本领域的常规选择；热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件6、对比文件2以及本领域的常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2）权利要求2是权利要求1的从属权利要求，其进一步限定了所述粘合剂材料从由环氧树脂材料、非导电膏材料和固化液材料组成的组中选择。环氧树脂材料、非导电膏材料和和固化液材料是本领域常规的粘合剂。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3）权利要求3是权利要求1的从属权利要求，其进一步限定了所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。对比文件1公开了：光图案为条纹状的光（平行条图案）（参见权利要求1，图1）；对比文件6公开了：该光栅元件上的图案可为条纹式、弦波式或者是棋盘式的图案（栅格图案的下位概念），在本实施例中，该结构光的图案为周期性的黑白结构图案（参见说明书第71段，图2A-2C）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4）权利要求4是权利要求1的从属权利要求，其进一步限定了所述方法还包括在步骤1）之前将所述粘合剂分配到所述半导体器件元件上的步骤。然而，对比文件1的背景技术中公开了：一般，在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，然后，将上述印刷基板导向回焊炉，通过规定的回焊工序，进行焊接，在导向回焊炉的前阶段，必须检查焊锡膏的印刷状态，在进行该检查时，采用三维测量装置（参见说明书第0002段），即在对其进行测量之前必然包括在半导体器件元件上分配粘合剂。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5）权利要求5是权利要求4的从属权利要求，其进一步限定了步骤3）包括利用所述图像来确定所述物理特性是否在预定的规范内。然而，对比文件1公开了：判断通过上述第2运算机构计算的规定位置的第2高度数据的值是否在该规定位置的周边部位的考虑了上述条纹数量的第1高度数据的平均值的规定的误差范围内（参见说明书第0043-0047段）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6）权利要求6是权利要求5的从属权利要求，其进一步限定了所述方法还包括以下步骤：如果确定所述物理特性不在所述预定的规范内，则为后续半导体器件元件调整分配所述粘合剂材料的步骤的方面。虽然对比文件1未公开该附加技术特征，然而，如果确定待测粘合剂的物理特性不在预定的规范内，本领域技术人员很容易想到需要调整用于后续半导体器件元件粘合剂材料的分配。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7）权利要求7是权利要求6的从属权利要求，其进一步限定了所述调整步骤利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述确定的物理特性来自动确定所述调整。虽然对比文件1未公开上述附加技术特征，然而，在半导体器件元件的制造过程中，为了获得符合生产要求的半导体器件元件，对半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性进行检测时，基于检测结果调整用于后续半导体器件元件上粘合剂材料的分配，该调整分配利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述检测结果来自动确定所述调整分配，是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8）权利要求8是权利要求1的从属权利要求，其进一步限定了所述方法中的步骤（1）、（2）和（3）中的每个步骤均在热压接合机上执行。对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9）权利要求9是权利要求1的从属权利要求，其进一步限定了所述物理特性包括所述粘合剂材料的体积和所述粘合剂材料的分布的至少其中之一。然而，对比文件1的背景技术中披露了：采用相位移法的三维测量装置中，能够计算焊锡膏等的测量对象上的点P的三维坐标，以测量测定对象的三维形状，特别是高度，实际测量对象中，有较高的对象，也有较低的对象，就焊锡膏来说，还有薄膜状的类型，也有呈圆锥台状而凸起的类型（参见说明书第0002-0010段）。在此基础上，基于测得的三维形状、高度，以确定粘合剂材料的体积对于本领域技术人员而言是显而易见的，至于所述物理特性包括粘合剂材料的分布也是本领域技术人员容易想到的，无需付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10）权利要求10请求保护一种在热压结合机上利用结构光来确定半导体器件上的粘合剂材料的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第0002、0017-0021、0063-0136段，图1-2）：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏（粘合剂材料），接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上。被测量物为印刷于印刷基板上的焊锡膏，三维测量装置能够用于所述焊锡膏的高度测量（物理特性）。所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机（即相机用于创建所述光图案的图像）；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述成像机构摄制的图像数据，进行三维测量。
由上述公开的三维测量装置中的各部件及其具体工作过程，由此能够直接地、毫无疑义地确定对比文件1公开了采用三维测量装置测量被测量物（焊锡膏）高度的方法包括：1）由照射机构向被测量物照射具有条纹状的光（结构光）；由摄像机构对来自照射光图案的被测量物的反射光进行摄像；图像处理机构根据通过成像机构摄制的图像数据，进行三维测量，以确定被测量物（焊锡膏）的高度（物理特性）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求10中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料；2）权利要求10中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机的光源进行光照射，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：1）利用结构光确定粘合剂材料物理特性的方法的转用；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度；3）如何实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测。
对于区别技术特征1），对比文件1已经公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，利用三维测量装置能够基于条纹状的光用于印刷基板上的焊锡膏的高度（物理特性）测量。此外，本领域技术人员知晓，在印刷基板上焊接半导体元件用于制作半导体器件是本领域的常规选择，基于此，将对比文件1中的采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法转用于半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的确定对于本领域技术人员而言是不存在任何技术障碍的。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件1中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
对于区别技术特征3），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，利用热压接合机的光源进行光照射是本领域的常规选择；热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件6、对比文件2以及本领域的常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11）权利要求11请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第0002、0017-0021、0063-0136段，图1-2）：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏（粘合剂材料），接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上。被测量物为印刷于印刷基板上的焊锡膏，三维测量装置能够用于所述焊锡膏的高度测量（物理特性）。所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机（即相机用于创建所述光图案的图像）；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述成像机构摄制的图像数据，进行三维测量。
由上述公开的三维测量装置中的各部件及其具体工作过程，由此能够直接地、毫无疑义地确定对比文件1公开了采用三维测量装置测量被测量物（焊锡膏）高度的方法包括：1）由照射机构向被测量物照射具有条纹状的光（结构光）；由摄像机构对来自照射光图案的被测量物的反射光进行摄像；图像处理机构根据通过成像机构摄制的图像数据，进行三维测量，以确定被测量物（焊锡膏）的高度（物理特性）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求11中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，物理特性为倒角的物理特性；2）权利要求11中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机的光源进行光照射，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：1）利用结构光确定粘合剂材料物理特性的方法的转用；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度；3）如何实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测。
对于区别技术特征1），对比文件1已经公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，利用三维测量装置能够基于条纹状的光用于印刷基板上的焊锡膏的高度（物理特性）测量。此外，本领域技术人员知晓，在印刷基板上焊接半导体元件用于制作半导体器件是本领域的常规选择，基于此，将对比文件1中的采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法转用于半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的确定对于本领域技术人员而言是不存在任何技术障碍的。此外，对比文件1还公开了：实际的测量对象中，有较高的对象，也有较低的对象，就焊锡膏来说，还有薄膜状的类型，也具有呈圆锥台状而突起的类型（参见说明书第0010段），虽然对比文件1未公开对焊锡膏倒角的物理特性进行检测，但粘结剂倒角的物理特性属于通常的粘结剂三维结构特性。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件1中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
对于区别技术特征3），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，利用热压接合机的光源进行光照射是本领域的常规选择；热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件6、对比文件2以及本领域的常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12）权利要求12是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定了所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。对比文件1公开了：光图案为条纹状的光（平行条图案）（参见权利要求1，图1）；对比文件6公开了：该光栅元件上的图案可为条纹式、弦波式或者是棋盘式的图案（栅格图案的下位概念），在本实施例中，该结构光的图案为周期性的黑白结构图案（参见说明书第71段，图2A-2C）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13）权利要求13是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定了步骤3）包括利用所述图像来确定所述物理特性是否在预定的规范内。然而，对比文件1公开了：判断通过上述第2运算机构计算的规定位置的第2高度数据的值是否在该规定位置的周边部位的考虑了上述条纹数量的第1高度数据的平均值的规定的误差范围内（参见说明书第0043-0047段）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14）权利要求14是权利要求13的从属权利要求，其进一步限定了所述方法还包括以下步骤：如果确定所述物理特性不在所述预定的规范内，则为后续半导体器件元件调整分配所述粘合剂材料的步骤的方面。虽然对比文件1未公开该附加技术特征，然而，如果确定待测粘合剂的物理特性不在预定的规范内，本领域技术人员很容易想到需要调整用于后续半导体器件元件粘合剂材料的分配。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
15）权利要求15是权利要求14的从属权利要求，其进一步限定了所述调整步骤利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述确定的物理特性来自动确定所述调整。虽然对比文件1未公开上述附加技术特征，然而，在半导体器件元件的制造过程中，为了获得符合生产要求的半导体器件元件，对半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性进行检测时，基于检测结果调整用于后续半导体器件元件上粘合剂材料的分配，该调整分配利用闭环过程来实现，从而至少部分地基于所述检测结果来自动确定所述调整分配，是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
16）权利要求16是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定了所述方法中的步骤（1）、（2）和（3）中的每个步骤均在热压接合机上执行。对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
17）权利要求17是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定了所述物理特性包括倒角的高度和粘合剂倒角的长度的至少其中之一。倒角的高度和倒角的长度是倒角结构通常的参数，粘结剂的物理特性通常包括粘合剂倒角的高度和/或粘合剂倒角的长度。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
18）权利要求18请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定涂覆在半导体器件的元件之间的粘合剂材料的倒角的物理特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第0002、0017-0021、0063-0136段，图1-2）：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏（粘合剂材料），接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上。被测量物为印刷于印刷基板上的焊锡膏，三维测量装置能够用于所述焊锡膏的高度测量（物理特性）。所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机（即相机用于创建所述光图案的图像）；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述成像机构摄制的图像数据，进行三维测量。
由上述公开的三维测量装置中的各部件及其具体工作过程，由此能够直接地、毫无疑义地确定对比文件1公开了采用三维测量装置测量被测量物（焊锡膏）高度的方法包括：1）由照射机构向被测量物照射具有条纹状的光（结构光）；由摄像机构对来自照射光图案的被测量物的反射光进行摄像；图像处理机构根据通过成像机构摄制的图像数据，进行三维测量，以确定被测量物（焊锡膏）的高度（物理特性）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求18中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，物理特性为倒角的物理特性；2）权利要求18中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；3）在热压接合机上利用结构光来确定粘合剂材料的物理特性，利用热压接合机将半导体器件的第一元件热压接合到所述半导体器件的第二元件，从而使粘合剂材料涂覆在所述第一元件和所述第二元件之间的区域中；其中，所述第二元件包括导电柱并且所述第一元件包括导电区。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：1）利用结构光确定粘合剂材料物理特性的方法的转用；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度；3）如何实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测。
对于区别技术特征1），对比文件1已经公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，利用三维测量装置能够基于条纹状的光用于印刷基板上的焊锡膏的高度（物理特性）测量。此外，本领域技术人员知晓，在印刷基板上焊接半导体元件用于制作半导体器件是本领域的常规选择，基于此，将对比文件1中的采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法转用于半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的确定对于本领域技术人员而言是不存在任何技术障碍的。此外，对比文件1还公开了：实际的测量对象中，有较高的对象，也有较低的对象，就焊锡膏来说，还有薄膜状的类型，也具有呈圆锥台状而突起的类型（参见说明书第0010段），虽然对比文件1未公开对焊锡膏倒角的物理特性进行检测，但粘结剂倒角的物理特性属于通常的粘结剂三维结构特性。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件1中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
对于区别技术特征3），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，利用热压接合机将半导体器件的第一元件热压接合到所述半导体器件的第二元件，从而使粘合剂材料涂覆在所述第一元件和所述第二元件之间的区域中；其中，所述第二元件包括导电柱并且所述第一元件包括导电区属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件6、对比文件2以及本领域的常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
19）权利要求19请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第0002、0017-0021、0063-0136段，图1-2）：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏（粘合剂材料），接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上。被测量物为印刷于印刷基板上的焊锡膏，三维测量装置能够用于所述焊锡膏的高度测量（物理特性）。所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机（即相机用于创建所述光图案的图像）；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述成像机构摄制的图像数据，进行三维测量。
由上述公开的三维测量装置中的各部件及其具体工作过程，由此能够直接地、毫无疑义地确定对比文件1公开了采用三维测量装置测量被测量物（焊锡膏）高度的方法包括：1）由照射机构向被测量物照射具有条纹状的光（结构光）；由摄像机构对来自照射光图案的被测量物的反射光进行摄像；图像处理机构根据通过成像机构摄制的图像数据，进行三维测量，以确定被测量物（焊锡膏）的高度（物理特性）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求19中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，用于确定半导体器件的平面度特性；2）权利要求19中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；3）在热压接合机上利用结构光来进行测量，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：1）利用结构光确定粘合剂材料物理特性的方法的转用；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度；3）如何实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测。
对于区别技术特征1），对比文件1已经公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，利用三维测量装置能够基于条纹状的光用于印刷基板上的焊锡膏的高度（物理特性）测量。此外，本领域技术人员知晓，在印刷基板上焊接半导体元件用于制作半导体器件是本领域的常规选择，基于此，将对比文件1中的采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法转用于半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的确定以及用于确定半导体器件的平面度特性对于本领域技术人员而言是不存在任何技术障碍的。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件1中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
对于区别技术特征3），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件6、对比文件2以及本领域的常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
20）权利要求20是权利要求19的从属权利要求，其进一步限定了所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。对比文件1公开了：光图案为条纹状的光（平行条图案）（参见权利要求1，图1）；对比文件6公开了：该光栅元件上的图案可为条纹式、弦波式或者是棋盘式的图案（栅格图案的下位概念），在本实施例中，该结构光的图案为周期性的黑白结构图案（参见说明书第71段，图2A-2C）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
21）权利要求21是权利要求19的从属权利要求，其进一步限定了步骤3）包括利用所述图像来确定所述平面度特性是否在预定的规范内。然而，对比文件1公开了：判断通过上述第2运算机构计算的规定位置的第2高度数据的值是否在该规定位置的周边部位的考虑了上述条纹数量的第1高度数据的平均值的规定的误差范围内（参见说明书第0043-0047段）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
22）权利要求22是权利要求19的从属权利要求，其进一步限定了所述方法中的步骤（1）、（2）和（3）中的每个步骤均在热压接合机上执行。对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
23）权利要求23是权利要求19的从属权利要求，其进一步限定了步骤（1）包括将所述结构光图案从光源投射到漫射屏上，利用所述半导体器件的所述表面将投射的光图案反射到所述相机。但将光图案从光源投射到漫射屏上属于本领域的常规设置。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
24）权利要求24请求保护一种在热压接合机上利用结构光来确定半导体器件的平面度特性的方法，对比文件1公开了一种三维测量装置以及利用该装置对焊锡膏进行三维测量的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第0002、0017-0021、0063-0136段，图1-2）：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏（粘合剂材料），接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上。被测量物为印刷于印刷基板上的焊锡膏，三维测量装置能够用于所述焊锡膏的高度测量（物理特性）。所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机（即相机用于创建所述光图案的图像）；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述成像机构摄制的图像数据，进行三维测量。
由上述公开的三维测量装置中的各部件及其具体工作过程，由此能够直接地、毫无疑义地确定对比文件1公开了采用三维测量装置测量被测量物（焊锡膏）高度的方法包括：1）由照射机构向被测量物照射具有条纹状的光（结构光）；由摄像机构对来自照射光图案的被测量物的反射光进行摄像；图像处理机构根据通过成像机构摄制的图像数据，进行三维测量，以确定被测量物（焊锡膏）的高度（物理特性）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求24中的方法其实施对象是半导体器件元件上的粘合剂材料，用于确定半导体器件的平面度特性；2）权利要求24中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式；3）在热压接合机上利用结构光来进行测量，所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：1）利用结构光确定粘合剂材料物理特性的方法的转用；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度；3）如何实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测。
对于区别技术特征1），对比文件1已经公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，利用三维测量装置能够基于条纹状的光用于印刷基板上的焊锡膏的高度（物理特性）测量。此外，本领域技术人员知晓，在印刷基板上焊接半导体元件用于制作半导体器件是本领域的常规选择，基于此，将对比文件1中的采用三维测量装置测量焊锡膏高度的方法转用于半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的确定以及用于确定半导体器件的平面度特性对于本领域技术人员而言是不存在任何技术障碍的。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件1中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
对于区别技术特征3），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。对比文件2也属于半导体电子器件元件接合领域，在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件6、对比文件2以及本领域的常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
25）权利要求25是权利要求24的从属权利要求，其进一步限定了所述步骤（1）包括利用所述热压接合机的拾取工具和所述热压接合机的放置工具的至少其中之一来固定所述半导体器件。对比文件2公开了：将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合（参见权利要求1-3、7），即对比文件2公开了采用热压接合机的挑选和放置工具机将第一电路小片进行定位固定。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
26）权利要求26请求保护一种热压接合机，对比文件4公开了一种具有元件布局检查功能的抓取式设备，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第1页第2段，第5页第2段至第8页第2段，图1-5）：抓取式设备通常用于制造电路板，通常，把空白的电路板提供给抓取式设备，然后抓取式设备从元件供给装置抓起电路元件，并将这些元件安置在电路板上，通过焊油或粘结剂暂时将元件保持在板上，直到随后的步骤为止，在所述随后的步骤中，熔化焊油或者粘结剂完全固化。
所述抓取式设备201包括一支撑结构202，其用于支撑包括一粘合剂材料的一半导体装置元件；一结构光源308，其用于在所述粘合剂材料上的下方，即电路板203，提供一结构光图案；以及图像获取设备300、302，所述图像获取设备包括摄像机，其用于产生所述粘合剂材料上的所述结构光图案的一影像。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件4所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求26请求保护的是一种热压接合机；所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间；2）权利要求26中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。基于上述区别技术特征确定本申请实际解决的技术问题是：如何实现半导体器件元件之间的接合定位；如何提高结构光在待测物体表面产生的漫反射图像的清晰度。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。可见挑选和放置工具机可用于热压接合机中定位用，且对比文件2与对比文件4均属于半导体装置技术领域，均需要解决元件之间的接合定位问题，在此基础上，本领域技术人员有动机将对比文件2中的上述特征应用到对比文件4中以获得该权利要求所要求保护的热压接合机，该过程不存在技术障碍，无需花费创造性劳动。此外，热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件4中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
由此可见，在对比文件4的基础上，结合对比文件2、对比文件6以及本领域的常用技术手段获得该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
27）权利要求27是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定了所述粘合剂材料从由环氧树脂材料、非导电膏材料和固化液材料组成的组中选择。环氧树脂材料、非导电膏材料和和固化液材料是本领域常规的粘合剂。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
28）权利要求28是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定了所述结构光图案包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。对比文件1公开了：光图案为条纹状的光（平行条图案）（参见权利要求1，图1）；对比文件6公开了：该光栅元件上的图案可为条纹式、弦波式或者是棋盘式的图案（栅格图案的下位概念），在本实施例中，该结构光的图案为周期性的黑白结构图案（参见说明书第71段，图2A-2C）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
29）权利要求29是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定了所述方法还包括在步骤1）之前将所述粘合剂分配到所述半导体器件元件上的步骤。然而，对比文件1的背景技术中公开了：在电子部件安装于印刷基板上的场合，首先，在设置于印刷基板上的规定电极图案上印刷焊锡膏，接着，根据该焊锡膏的粘性，将电子部件临时固定于印刷基板上，然后，将上述印刷基板导向回焊炉，通过规定的回焊工序，进行焊接，在导向回焊炉的前阶段，必须检查焊锡膏的印刷状态，在进行该检查时，采用三维测量装置（参见说明书第0002段），即在对其进行测量之前必然包括在半导体器件元件上分配粘合剂。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
30）权利要求30、32是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定了所述热压接合机还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述粘合剂材料的物理特性，并且确定所述物理特性是否在预定的规范内。对比文件1公开了一种三维测量装置，并具体公开了以下技术内容（参见权利要求1，说明书第0002、0017-0021、0063-0068段，图1）：所述三维测量装置包括：照射机构，该照射机构可至少对被测量物，切换而照射具有条纹状的光（即结构光）强度分布，并且周期不同的多个光图案；摄像机构，该摄像机构具有可对来自照射上述光图案的上述被测量物的反射光进行摄像的摄像器件，所述摄像机构为CCD照相机；图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述摄像机构摄制的图像数据，进行三维测量；上述图像处理机构包括第1运算机构，该第1运算机构根据在第1位置照射相位多次变化的第1周期的第1光图案而获得的多个图像数据，通过相位移法，将图像数据的各像素单位的高度数据作为第1高度数据而计算；第1运算机构，该第2运算机构根据多个图像数据，通过相位移法，将图像数据的各像素单位的高度数据作为第2高度数据而计算，上述多个图像数据为在相对上述第1位置，沿规定方向按照半像素间距偏移的第2位置，多次改变长于第1周期的第2周期的第2光图案的相位，进行照射而获得。所述三维测量装置能够用于测量印刷基板上的焊锡膏的高度。此外，对比文件1公开了：判断通过上述第2运算机构计算的规定位置的第2高度数据的值是否在该规定位置的周边部位的考虑了上述条纹数量的第1高度数据的平均值的规定的误差范围内（参见说明书第0043-0047段），即确定所述物理特性是否在预定的规范内。可见，对比文件1公开了该权利要求的附加技术特征，且属于粘合剂材料的物体特性测定领域，本领域技术人员在热压接合机上执行粘合剂材料的测量时，为了实现获得的图像的处理和分析，有动机将对比文件1中的图像处理机构应用到对比文件4中，以解决上述技术问题，该过程对于本领域技术人员而言是无需付出创造性劳动的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
31）权利要求31是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定了所述物理特性包括所述粘合剂材料的体积和所述粘合剂材料的分布的至少其中之一。然而，对比文件1的背景技术中披露了：采用相位移法的三维测量装置中，能够计算焊锡膏等的测量对象上的点P的三维坐标，以测量测定对象的三维形状，特别是高度，实际测量对象中，有较高的对象，也有较低的对象，就焊锡膏来说，还有薄膜状的类型，也有呈圆锥台状而凸起的类型（参见说明书第0002-0010段）。在此基础上，基于测得的三维形状、高度，以确定粘合剂材料的体积对于本领域技术人员而言是显而易见的，至于所述物理特性包括粘合剂材料的分布也是本领域技术人员容易想到的，无需付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
32）权利要求33是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定了所述粘合剂材料为设置在所述半导体器件元件与另一个半导体器件元件之间的粘合剂的倒角部分。对于本领域技术人员而言，根据半导体器件制作的需要，在半导体器件元件之间涂覆粘合剂，且涂覆于半导体器件的元件之间的粘合剂通常具有倒角部分。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
33）权利要求34请求保护一种热压接合机，对比文件4公开了一种具有元件布局检查功能的抓取式设备，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第1页第2段，第5页第2段至第8页第2段，图1-5）：抓取式设备通常用于制造电路板，通常，把空白的电路板提供给抓取式设备，然后抓取式设备从元件供给装置抓起电路元件，并将这些元件安置在电路板上，通过焊油或粘结剂暂时将元件保持在板上，直到随后的步骤为止，在所述随后的步骤中，熔化焊油或者粘结剂完全固化。
所述抓取式设备201包括一支撑结构202，其用于支撑包括一粘合剂材料的一半导体装置元件；一结构光源308，其用于在所述粘合剂材料上的下方，即电路板203，提供一结构光图案；以及图像获取设备300、302，所述图像获取设备包括摄像机，其用于产生所述粘合剂材料上的所述结构光图案的一影像。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件4所公开的技术内容相比，区别在于：1）权利要求34请求保护的是一种热压接合机；所述热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到所述半导体器件元件，所述另一个半导体器件元件包括导电柱并且所述半导体器件元件包括导电区，所述粘合剂材料被设置在所述另一个半导体器件元件与所述半导体器件元件之间；2）权利要求34中的结构光图案由通过起偏器发射的光所产生；热压接合机包括转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式。基于上述区别技术特征确定本申请实际解决的技术问题是：1）如何实现半导体器件元件之间的接合定位；2）如何提高结构光在待测物体表面产生的漫反射图像的清晰度。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种电路小片的组合方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7）：所述方法包括将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合。可见挑选和放置工具机可用于热压接合机中定位用，且对比文件2与对比文件4均属于半导体装置技术领域，均需要解决元件之间的接合定位问题，在此基础上，本领域技术人员有动机将对比文件2中的上述技术特征应用到对比文件4中以获得该权利要求所要求保护的热压接合机，该过程不存在技术障碍，无需花费创造性劳动。此外，热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。
对于区别技术特征2），对比文件6公开了一种利用光学偏振特性的三维显微共焦测量系统与方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第71-73段，图1A-1B、2A-2C）：所述共焦测量方法2包括如下步骤：首先以步骤20提供通过一具有图案的线性偏振结构光，在步骤20中，主要是将光源通过线性偏振元件，以产生偏振光，然后将偏振光透射至具有图案的光栅元件上，以形成该具有图案的结构光；接着进行步骤21将该具有图案的线性偏振结构光投射至一物体上以形成具有多个聚焦信息的结构光，然后以步骤22对该物体进行一垂直扫描，接着进行步骤23，与该垂直扫描过程中，以一具有线性偏振调整的图像提取模块，提取该具有多个聚焦信息的结构光，以取得一系列光学图像，得到该系列光学图像之后，再以步骤24分析该系列光学图像，以重建该物体的表面形貌。即对比文件6给出了采用由通过起偏器发射的光所产生的结构光图案应用到待成像物体表面以提高物体表面产生反射图像的清晰度的技术启示，在此基础上，本领域技术人员在面对如何提高结构光在待测物体表面产生的反射图像的清晰度时，很容易想到将对比文件6结合到对比文件4中，以解决上述技术问题，该过程不存在任何技术障碍。根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
由此可见，在对比文件4的基础上，结合对比文件2、对比文件6以及本领域的常用技术手段获得该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见，因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
34）权利要求35是权利要求34的从属权利要求，其进一步限定了所述结构光图包括平行条图案和栅格图案的至少其中之一。对比文件4公开了：所述结构光包括正弦图像、光点或形状的规则阵列、光的随机图形，甚至包括光的伪随机图形（参见说明书第6页第4段）；对比文件6公开了：该光栅元件上的图案可为条纹式、弦波式或者是棋盘式的图案（栅格图案的下位概念），在本实施例中，该结构光的图案为周期性的黑白结构图案（参见说明书第71段，图2A-2C）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
35）权利要求36是权利要求34的从属权利要求，其进一步限定了所述热压接合机还包括图像处理硬件和软件，所述图像处理硬件和软件用于分析所述图像以确定所述半导体器件的平面度特性。在对比文件4的基础上结合对比文件2获得的热压结合机，将其用于半导体器件的平面度特性测定对于本领域技术人员而言不存在任何技术障碍。在此基础上，对比文件1公开了图像处理机构，该图像处理机构根据通过上述摄像机构摄制的图像数据，进行三维测量；上述图像处理机构包括第1运算机构，该第1运算机构根据在第1位置照射相位多次变化的第1周期的第1光图案而获得的多个图像数据，通过相位移法，将图像数据的各像素单位的高度数据作为第1高度数据而计算；第1运算机构，该第2运算机构根据多个图像数据，通过相位移法，将图像数据的各像素单位的高度数据作为第2高度数据而计算，上述多个图像数据为在相对上述第1位置，沿规定方向按照半像素间距偏移的第2位置，多次改变长于第1周期的第2周期的第2光图案的相位，进行照射而获得。可见，对比文件1公开了该权利要求的附加技术特征中图像处理硬件和软件部分，且属于粘合剂材料的物体特性测定领域，本领域技术人员在热压接合机上执行半导体器件的平面度特性的测量时，为了实现获得的图像的处理和分析，有动机将对比文件1中的图像处理机构应用到对比文件4中，以解决上述技术问题，该过程对于本领域技术人员而言是无需付出创造性劳动的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
36）权利要求37是权利要求36的从属权利要求，其进一步限定了所述图像处理硬件和软件被配置为确定所述平面度特性是否在预定的规范内。对比文件1公开了：判断通过上述第2运算机构计算的规定位置的第2高度数据的值是否在该规定位置的周边部位的考虑了上述条纹数量的第1高度数据的平均值的规定的误差范围内（参见说明书第0043-0047段）。基于此，用于确定半导体器件的平面度特性时，利用获得的平面度来确定其物理特性是否在预定的规定范围内对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
37）权利要求38是权利要求34的从属权利要求，其进一步限定了所述热压接合机还包括用于接收来自所述结构光源的所述结构光图案的漫射屏。但将光图案从光源投射到漫射屏上属于本领域的常规设置。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
38）权利要求39是权利要求34的从属权利要求，其进一步限定了所述热压接合机还包括用于在所述相机间接观察所述结构光图案时固定所述半导体器件的拾取工具和放置工具的至少之一。对比文件2公开了：将第一电路小片定位于涂覆有粘合剂材料的运输载体上，再固化粘合剂，将第二电路小片接合至第一电路小片上，所述将第一电路小片定位时可用挑选和放置工具机，也可用热压接合接头，将第二电路小片结合到第一电路小片上时使用热压接合（参见权利要求1-3、7），即对比文件2公开了采用热压接合机的挑选和放置工具机将半导体器件进行固定的技术启示。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对复审请求人意见陈述的答复
对于复审请求人答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：对比文件2（参见说明书第6-9段，权利要求1-3、7，图3A）公开了TSV管芯210通过粘合剂材料215设置在载体220上，IC管芯310通过第二粘合材料320设置在TSV管芯210上，第二粘合材料为热压粘合材料。第二粘合材料320设置在TSV管芯210和IC管芯310之间。在此基础上，为了实现半导体器件元件上的粘合剂材料的在线检测，本领域技术人员有动机对对比文件1进行改进，将对比文件2中的技术内容应用到对比文件1中。此外，利用热压接合机的光源进行光照射是本领域的常规选择；热压接合机被配置为将另一个半导体器件元件热压接合到半导体器件元件，另一个半导体器件元件包括导电柱并且半导体器件元件包括导电区，粘合剂材料被设置在另一个半导体器件元件与半导体器件元件之间属于通常的利用热压接合机对半导体材料进行热压接合的方法。此外，根据样品表面的漫反射情况选择适合的透射或漫射入射光从而提高图像的清晰度为本领域技术人员所熟知，当热压接合时，热压接合机设置转换漫射屏，转换漫射屏被配置为当对反射表面进行成像时工作在漫射模式，并且当对漫射表面进行成像时工作在透明模式是本领域为提高图像的清晰度而采用的常用技术手段。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
根据以上事实和理由，本案合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年02月06日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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