发明创造名称：像素阵列、聚合物稳定配向液晶显示面板以及光电装置
外观设计名称：
决定号：185501
决定日：2019-07-29
委内编号：1F273094
优先权日：
申请（专利）号：200910207942.6
申请日：2009-11-02
复审请求人：友达光电股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘丽伟
合议组组长：李礼
参审员：袁洁
国际分类号：G02F1/1362,G02F1/1368,G02F1/133
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件之间存在区别技术特征，该区别技术特征未被其他对比文件公开，且其他对比文件也未给出任何技术指引使得本领域技术人员能够显而易见地得到该区别技术特征，则该权利要求的技术方案具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为200910207942.6，名称为“像素阵列、聚合物稳定配向液晶显示面板以及光电装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为友达光电股份有限公司，申请日为2009年11月02日，公开日为2010年05月12日。
北京市高级人民法院（2017）京行终3545号生效判决撤销了国家知识产权局作出的第79246号复审请求审查决定，在此基础上，国家知识产权局重新成立合议组作出本复审请求审查决定。
经实质审查，国家知识产权局于2012年08月21日以本申请权利要求1-11不具备创造性为由作出驳回决定，驳回决定所针对的文本为：于2012年03月22日提交的权利要求第1-11项、于2010年01月14日提交的说明书摘要、于申请日2009年11月02日提交的说明书第1-60段、说明书附图和摘要附图。
驳回决定所引用的对比文件如下：
对比文件1：CN1O15O45O3A，公开日为2009年08月12日；
对比文件2：CN1O1354512A，公开日为2009年01月28日；
对比文件3：CN1591138A，公开日为2005年03月09日。
驳回决定认为，权利要求1与对比文件1的区别在于：①各该子像素的第三开关与第二像素电极电性连接，并具有一电容耦合部；该电容耦合部延伸至相邻子像素中的第一像素电极下方并与该相邻像素中的第一像素电极重叠，还与该相邻子像素中的共通线形成一电压调整电容，②一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素以及该些共通线；各该子像素还包括：一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。然而区别技术特征①被对比文件2公开，并且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中相同；区别技术特征②中的大部分技术特征被对比文件3公开，并且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中相同，其余的技术特征则属于本领域技术人员的惯用手段。因此，权利要求1不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。权利要求2、4-5、7的附加技术特征被对比文件1公开，权利要求3、6的附加技术特征被对比文件2公开，权利要求8的附加技术特征属于本领域的公知常识，因此，权利要求2-8也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。独立权利要求9和11都采用了引用权利要求1的撰写方式，其要求保护的主题和除权利要求1之外所限定的技术特征都被对比文件1公开，因此，权利要求9和11也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。从属权利要求10的附加技术特征是本领域的惯用技术手段，在所引用的权利要求9不具备创造性时，权利要求10也不具备创造性。
申请人友达光电股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2012年12月05日向国家知识产权局提出了复审请求。在复审程序中，复审请求人提交了权利要求书全文修改替换页，并认为：权利要求1与对比文件1相比存在三个区别技术特征，对比文件2未公开其中的区别技术特征（1），即未公开“该电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠”以及“该电容耦合部与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容”，基于该区别技术特征，本申请的像素阵列具有较高的开口率，并且可与现行的COA工艺兼容，因此，具备创造性。
国家知识产权局于2014年12月22日发出第79246号复审请求审查决定。该审查决定所针对的文本是：复审请求人于2014年06月13日提交的权利要求第1-11项，于申请日2009年11月02日提交的说明书第1-60段、说明书附图1-附图5、摘要附图，于2010年01月14日提交的说明书摘要。该审查决定所针对的权利要求书中独立权利要求1、9、11内容如下：
“1. 一种像素阵列，其特征在于，包括：
多条第一扫描线，位于第一像素电极和第二像素电极之间；
多条第二扫描线，各该第二扫描线分别位于二相邻的第一扫描线之间；
多条数据线，与该些第一扫描线以及该些第二扫描线交错，该些第二扫描线与该些数据线定义出多个子像素区域；
多个子像素，配置于该些子像素区域中，各该子像素与其中一条第一扫描线、其中一条第二扫描线以及其中一条数据线电性连接，且各该子像素包括：
一第一开关；
一第二开关，其中该第一开关以及该第二开关与同一条第一扫描线以及同一条数据线电性连接；
一第一像素电极，与该第一开关电性连接；
一第二像素电极，与该第二开关电性连接，该第一像素电极与该第二像素电极分别位于该第一扫描线两对侧；以及
一第三开关，与该第二扫描线以及该第二像素电极电性连接，该第三开关具有一电容耦合部，该电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠；以及
多条共通线，其中该电容耦合部与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容；
一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素、所述电容耦合部以及该些共通线；
各该子像素还包括：
一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及
一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。
9. 一种聚合物稳定配向液晶显示面板，其特征在于，包括：
一第一基板，具有权利要求1所述的像素阵列；
一第二基板，配置于该第一基板上方；
二聚合物稳定配向层，分别配置于该第一基板与该第二基板上；以及
一液晶层，配置于该些聚合物稳定配向层之间。
11. 一种光电装置，包括权利要求1所述的像素阵列。”
该审查决定认为：权利要求1-11相对于对比文件1、2、3以及本领域惯用手段的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。针对复审请求人提出的争议点，该审查决定认为，对比文件2在图1-11的实施例中还公开了电荷共享电容Ccs包括第三TFT T3的漏极、布置在下部显示面板上的存储线、以及位于漏极和存储线之间的绝缘物质。这里，电荷共享电容Ccs降低了连接到第二TFT T2的第二子像素电极的数据电压。在示例性实施例中，可以通过将第三TFT T3的漏极与第TFT T1的第一子像素电极重叠来形成额外的电荷共享电容。额外的电荷共享电容升高了连接到第一TFT T1的第一子像素电极的数据电压。对于图1-11的实施例，其中只形成了一个电荷共享电容，因此，对本领域技术人员而言，为形成上述额外的充电共享电容，第三开关TFT T3的漏极D3会继续延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与之重叠，即本领域技术人员基于对比文件2说明书的上述内容和附图1-11的实施例可以确定，对比文件2实质上公开了电容耦合部与下一列子像素中的共通线形成充电共享电容并且延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方形成额外的电荷共享电容的技术方案。可见，利用电容耦合部与下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容，且电容耦合部也与下一列子像素中的第一像素电极形成电容的方式已被对比文件2公开，且其在对比文件2所起作用与其在本申请中所起的作用相同，均为实现第一与第二像素电极电压不同以提高显示质量。因此，对比文件2给出了相关技术启示。
复审请求人对上述审查决定不服，向北京知识产权法院提出行政诉讼，北京知识产权法院作出（2015）京知行初字第3269号判决，其中认为：（1）原告认可被诉决定认定的三个区别特征，对被诉决定关于从属权利要求2-7的评述无异议，判决对此予以确认；（2）对比文件2的附图和说明书的文字说明均未公开第三开关的漏极D3延伸到下一列子像素中，且根据说明书的记载，本领域技术人员可明确获知第三开关的漏极是与本列中的第一子像素电极重叠来形成额外的电荷共享电容。因此，被诉决定认为在图1-11的基础上为形成额外的电荷共享电容，第三开关的漏极D3必然会继续延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与之重叠，事实依据不足。据此，撤销了第79246号复审请求审查决定。北京市高级人民法院作出（2017）京行终3545号判决，认为原审判决认定事实清楚，适用法律正确，依法予以维持。
在上述程序的基础上，国家知识产权局依法重新成立合议组进行审理，本案合议组经合议认为，本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2014年06月13日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。
本审查决定所依据的文本为：复审请求人于2014年06月13日提交的权利要求第1－11项，于申请日2009年11月02日提交的说明书第1-60段、说明书附图1-附图5、摘要附图，于2010年01月14日提交的说明书摘要。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件之间存在区别技术特征，该区别技术特征未被其他对比文件公开，且其他对比文件也未给出任何技术指引使得本领域技术人员能够显而易见地得到该区别技术特征，则该权利要求的技术方案具备创造性。
具体到本案，权利要求1要求保护一种像素阵列。对比文件1公开了一种与权利要求1同类型的像素阵列(参见说明书第6页倒数第1段至第11页第1段，以及图5A，5D)，其中像素阵列包括：多条第一扫描线SL1，位于第一像素电极ITO1和第二像素电极ITO2之间(参见图5D)；多条第二扫描线SL2，各条第二扫描线SL2分别位于二相邻的第一扫描线SL1之间；多条数据线DL，与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2交错，这些第二扫描线SL2与这些数据线DL定义出多个子像素区域；还包括多个子像素P4，其配置于子像素区域中，各该子像素P4与其中一条第一扫描线SL1、其中一条第二扫描线SL2及其中一条数据线DL电性连接；各该子像素P4包括：一第一开关元件TFT1；一第二开关元件TFT2，其中该第一开关元件TFT1和第二开关元件TFT2与同一条第一扫描线SL1及同一条数据线DL电连接；一第一像素电极ITO1，与第一开关元件TFT1电连接；一第二像素电极ITO2，与第二开关元件TFT2电连接，该第一像素电极ITO1及第二像素电极ITO2分别位于第一扫描线SL1两对侧(参见图5D)；多条共通线如COM1和COM2，分布于第一像素电极ITO1以及第二像素电极ITO2下方；一第三开关元件TFT3，第三开关元件TFT3的栅极G3与该第二扫描线SL2电性连接，第三开关元件TFT3的源极S3与第一像素电极ITO1电连接，该第三开关元件TFT3具有一电性浮置端D3，即第三开关元件TFT3的漏极D3，该电性浮置端D3延伸至第二像素电极ITO2下方且位于共通线COM2的上方，该电性浮置端D3与共通线COM2耦合为一第二电容CcB。可见，该对比文件1中第三开关TFT3的电性浮置端D3作用为电容耦合，其相当于本申请的电容耦合部，即对比文件1中电性浮置端D3是与本列的子像素中的共通线形成一电压调整电容，由此使得第一像素电极ITO1和第二像素电极ITO2之间产生电压差异。
由此可见，对比文件1公开了权利要求1的大部分技术特征，且技术领域相同，权利要求1与对比文件1的区别在于：（1)第三开关与第二像素电极电性连接，且其中电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠，而且还与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容；（2)一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素、所述电容耦合部以及该些共通线；(3)各该子像素还包括一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。上述区别技术特征分别提供了该像素阵列的三个独立的功能，基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案实际所要解决的技术问题是：(1)提高像素阵列的开口率，同时，实现不同像素电极的不同电压驱动而提高显示质量；(2)在将彩色滤光层整合于阵列基板上以实现彩色显示时不会带来电压调整电容在制作上的困难；(3)保持各子像素中第一像素电极和第二像素电极的电压。
对于区别技术特征(1)，合议组认为：
根据权利要求1的记载，子像素区域由第二扫描线及数据线定义，子像素位于子像素区域中并排列成多列，且排列于同一列的子像素与同一条第一扫描线以及同一条第二扫描线电性连接。可见，“列”的概念是针对子像素区域而言的，两条第二扫描线之间为一列。区别技术特征（1）限定了一个子像素的第三开关的电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方与其重叠并与下一列子像素中的共通线形成电压调整电容，以便解决上述技术问题（1）。
对比文件2公开了一种液晶显示器(参见说明书第10页第5段至第17页第1段，以及附图1-20)：其中由“以下，将参考图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20说明根据本发明的示例性实施例的LCD。具有如前一个示例性实施例的图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11所述相关的相同或类似功能的组件以相同的参考标号来表示，且不再重复对其说明。 (参见说明书第18页第3段) ”以及附图说明可知，图1-11和图12-20分别公开了两个不同的实施例。图1-11的实施例的技术方案中公开了(参见图7)：该液晶显示器的每个像素包括第一子像素电极Pa、第二子像素电极Pb、第一TFT T1、第二TFT T2和第三TFT T3，第一TFT T1和第二TFT T2电性连接到同一第i条栅极线GLi和同一第j条数据线DLj，第一子像素电极Pa与第一TFT T1电性连接，第二子像素电极Pb与第二TFT T2电性连接，第三开关TFT T3的栅极G3与第i 2条栅极线GLi 2连接且源极S3与第二子像素电极Pb电性连接，其中第三TFT T3的漏极D3向下一列像素中的第i 1条存储线SLi 1的上部延伸，公共电压Vcom可以被施加到存储线SLi、SLi 1和SLi 2(参见说明书第13页第4段)，即存储线为共通线，第三开关TFT T3的漏极D3与布置在漏极D3下的第i 1条存储线SLi 1形成充电共享电容，当栅极导通电压被施加到与第三TFT T3相连的栅极线时，第二子像素电极Pb的数据电压通过第三TFT T3与充电共享电容共享，由于充电共享电容的存在，第二子像素电极Pb的数据电压降低，且第一子像素电极Pa的数据电压升高(参见说明书第12页第3段，第16页最后一段)。由图5所示的等效电路图以及上述公开的内容可知，第三开关TFT T3的漏极D3对应于权利要求1中的第三开关的电容耦合部，存储线SLi 1对应于权利要求1中的共通线。如图7所示，第三开关TFT T3的漏极D3与同一像素内布置在漏极D3下的第i 1条存储线SLi 1形成充电共享电容，但该漏极D3未延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与之重叠形成电容。图12-20的实施例中，如图13所示，第三开关TFT T3的漏极D3从第三栅极G3的上部经由第i条存储线SLi的上部延伸到第一子像素电极Pa的下部，第一电荷共享电容Ccs1形成在第三漏极D3和第i条存储线SLi重叠的区域P。第二电荷共享电容Ccs2形成在第三漏极D3和第一子像素电极Pa重叠的区域Q，即漏极D3是延伸到本列像素的第一子像素电极Pa下方并与其重叠形成第二电荷共享电容Ccs2，而不是延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与下一列的共通线形成电容。
综上所述，对比文件2公开了形成电荷共享电容（即电压调整电容）以便在同一子像素的第一子像素电极和第二子像素电极上形成不同的电压，但其形成电荷共享电容的方式与本申请不同，其仅公开了第三开关的漏极与本列子像素的数据线（即共通线）形成电荷共享电容，或者第三开关的漏极与本列像素的第一子像素电极形成额外的电荷共享电容，均未公开第三开关的漏极延伸到下一列子像素中与下一列子像素的第一像素电极重叠并与下一列子像素的共通线形成电压调整电容，即未公开上述区别技术特征（1）。
如前所述，权利要求1限定了两条扫描线之间为一列，则本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定，与列方向垂直交错的方向即为行方向。整体考虑权利要求1的技术方案，其第一扫描线和第二扫描线沿行方向依次交替排列，且第一像素电极和第二像素电极分别位于第一扫描线两对侧，由此限定了在一列子像素内，第一像素电极、第一扫描线、第二像素电极依次在行方向上排列并以两条第二扫描线为界线。在此整体的布图排列之下，区别技术特征（1）限定了第三开关的漏极延伸到下一列子像素中与下一列子像素的第一像素电极重叠并与下一列子像素的共通线形成电压调整电容，从而使得子像素区域中，一列子像素第三开关的漏极共用下一列子像素的共通线形成电压调整电容，而无需增加其他的布线，由此简化了制作工艺，提高了像素阵列的开口率。虽然对比文件2中也公开了形成电荷共享电容的技术手段，但是，首先，在对比文件2中电荷共享电容是通过第三开关的漏极与本列子像素中的存储线（即共通线）形成的，不存在两列子像素共用存储线的技术指引；第二，对比文件2还公开了第三开关的漏极可以与本列子像素的第一像素电极构成额外的电压共享电容，为此，在一个子像素内，必须将第三开关的漏极延长使其与同列的第一像素电极重叠，由附图13可以看出，该延长的部分（图中从标记P到Q的部分）实质上增加了一个像素内的布线，本领域技术人员可以确定该布线的增加会降低像素阵列的开口率；第三，由图7或图13可以看出，对比文件2中第一、二扫描线、第一像素电极、第二像素电极的整体布图排列与本申请如前所述的整体布图排列不同，即使本领域技术人员要对其进行改进使其第三开关的漏极延伸到下一列子像素中，并与下一列子像素的第一像素电极重叠，也是在对比文件2如图10所示的基础上，使漏极D3向下延伸至下一列子像素，仍然增加了下一列子像素中的布线，从而降低了像素阵列的开口率。由此可见，本领域技术人员没有动机在对比文件2所公开内容的基础上想到对其进行改进，使得一列子像素的第三开关的漏极延伸到下一列子像素并与下一列子像素的存储线形成电压共享电容。由此可见，对比文件2既未公开区别技术特征（1），也未给出任何技术指引使得本领域技术人员能够在其基础上得到区别技术特征（1），因此，对比文件2整体上未给出将该区别技术特征（1）应用到对比文件1中的技术启示，进而，本领域技术人员也无法在对比文件1的基础上得到包含区别技术特征（1）的技术方案。
对于区别技术特征(2)，合议组认为：对比文件3公开了一种液晶显示面板的阵列基板，其是将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列基板上，其中在薄膜晶体管阵列基板上形成扫描配线、资料配线、共享配线1102、薄膜晶体管的栅极、源极和漏极之后，在像素区域上形成彩色滤光薄膜(参见说明书第20页最后一段至第22页第3段，第27页第4段至第28页第3段，以及图3A－3D， 11A－11D)，就是说，彩色滤光薄膜覆盖扫描配线、资料配线(即数据线)、子像素、薄膜晶体管的栅极、源极和漏极、以及共享配线。对比文件1和3属于相同的技术领域，本领域技术人员为了在对比文件1的阵列基板上整合彩色滤光薄膜以实现彩色显示，很容易想到采取对比文件3中的上述方式，使得彩色滤光薄膜覆盖对比文件1中的第一扫描线、第二扫描线、数据线、子像素、共通线、薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。
对于区别技术特征(3)，合议组认为：对比文件3中同时还公开了用于保持像素电极电压的存储电容(参见说明书第27页第4段，以及图11D)：每个像素电极218与储存电容器连接，储存电容器包括共享配线1102(即共通线)、位于彩色滤光层下方的第二储存电容电极1106，第二储存电容电极1106与共享配线1102形成储存电容器，像素电极218与第二储存电容电极1106电性连接。可见，该对比文件3中的第二储存电容电极对应于本申请子像素中的电容电极。在对比文件3中，由于像素电极与储存电容器连接，因此可以保持像素电极的电压。可见，对比文件3给出了使用共通线和电容电极形成存储电容以保持像素电极电压的技术启示。基于对比文件3的启示，本领域技术人员在对比文件1的基础上，为了保持对比文件1中各子像素中第一像素电极和第二像素电极上的电压，很容易想到针对每个像素电极分别设置一储存电容器，即设置与第一像素电极电性连接的位于彩色滤光层下方的第一电容电极，第一电容电极与一条共通线形成第一储存电容，并设置与第二像素电极电性连接的位于彩色滤光层下方的第二电容电极，第二电容电极与一条共同线形成第二储存电容。
综上，鉴于对比文件2并未公开上述区别技术特征（1），且本领域技术人员也无法在对比文件2的基础上得到区别技术特征（1），同时对比文件1、3中也均未涉及相关内容，即目前所引用的对比文件1至3整体上未给出将区别技术特征（1）应用于对比文件1的技术启示，本领域技术人员因而无法显而易见地在上述对比文件的基础上得到包含区别技术特征（1）的技术方案。同时，区别技术特征（1）使得其技术方案达到了提高像素阵列开口率的有益效果，而利用这一具体的布线方式解决上述技术问题并获得相应技术效果并非本领域的公知常识。因此，权利要求1的技术方案相对于对比文件1-3具备突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
独立权利要求9、11引用了权利要求1所限定的像素阵列，基于权利要求1所限定的像素阵列结构相较于目前证据具备创造性的情况下也具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
在独立权利要求1、9相较于目前证据具备创造性的基础上，从属权利要求2-8以及从属权利要求10相较于目前证据也均具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2012年08月21日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求决定所依据的审查文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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