发明创造名称：借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强
外观设计名称：
决定号：185201
决定日：2019-07-29
委内编号：1F273039
优先权日：2012-12-11
申请（专利）号：201310674054.1
申请日：2013-12-11
复审请求人：格罗方德半导体公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周小祥
合议组组长：陈力
参审员：袁洁
国际分类号：G03F1/26,H01L21/768
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：?如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件之间存在多个区别技术特征，但部分区别技术特征为本领域技术人员基于另一篇对比文件已给出了相关技术启示的情况下容易想到的，其他区别技术特征为本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310674054.1、发明名称为“借由蚀刻掩膜多侧的半导体设备分辨率增强”的发明专利申请（下称本申请），申请人为格罗方德半导体公司，申请日为2013年12月11日，优先权日为2012年12月11日，公开日为2014年06月18日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门以本申请权利要求1、11、16不符合专利法第33条的规定为由于2018年10月22日驳回了本申请。驳回决定之前的审查意见通知书中曾分别引用了如下对比文件评述本申请的创造性：
对比文件1：CN101770162A，公开日为2010年07月07日；
对比文件2：US5700605A，公开日为1997年12月23日。
驳回决定所针对的文本为:申请人于申请日2013年12月11日提交的说明书第1-94段、说明书摘要、说明书附图1-6B、摘要附图和于2018年06月25日提交的权利要求第1-18项。驳回决定所针对的权利要求如下：
“1. 一种掩模，包含：
置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及
置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；
其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，且其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；以及
其中，该多个第二相移区各在其宽度具有上限与下限，以及其中该上限是相邻该多个第一相移区的一个的右缘与相邻该多个第一相移区的另一个的左缘之间的距离，且该下限是相邻该多个不透明区的一个的右缘与相邻该多个不透明区的另一个的左缘。
2. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的相移与该多个第二相移区的相移有不同的相位。
3. 根据权利要求2所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的相移与该多个第二相移区的相移有大约180度的相位差。
4. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的第一相移区具有零度相移。
5. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第二相移区的第二相移区具有180度相移。
6. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区与该多个第二相移区以越过该掩模的至少一个方向予以对齐，并且依越过该掩模的该至少一个方向以交替方式予以分隔。
7. 根据权利要求6所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区及该多个第二相移区以第一方向及垂直于该第一方向的第二方向予以对齐。
8. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区通过蚀刻该掩模的该前侧予以形成，以及该多个第二相移区通过蚀刻该掩模的该背侧予以形成。
9. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第二相移区的宽度大于该多个第一相移区的宽度。
10. 根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该不透明区置于半透明基底的第一侧上方，以及其中，该多个第二相移区通过蚀刻该半透明基底的第二侧予以形成。
11. 一种用于制造掩模的方法，包含：
形成置于掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及
形成置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；
其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，且其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；以及
其中，该多个第二相移区各在其宽度具有上限与下限，以及其中该上限是相邻该多个第一相移区的一个的右缘与相邻该多个第一相移区的另一个的左缘之间的距离，且该下限是相邻该多个不透明区的一个的右缘与相邻该多个不透明区的另一个的左缘。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该多个第一相移区的相移与该多个第二相移区的相移有不同的相位。
13. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成该多个第一相移区及形成该多个第二相移区包含以越过该掩模的至少一个方向对齐该多个第一相移区与该多个第二相移区，以及以越过该掩模的该至少一个方向依交替方式分隔该多个第一相移区和该多个第二相移区。
14. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成该多个第一相移区包含蚀刻该掩模的该前侧，以及形成该多个第二相移区包含蚀刻该掩模的该背侧。
15. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在半透明基底的第一侧上方沉积该不透明区，以及蚀刻该不透明区以曝露该半透明基底的该第一侧的多个部位，以及其中，形成该多个第二相移区包含蚀刻该半透明基底的第二侧。
16. 一种半导体装置制造方法，包含：
在半导体装置中制造多个通孔，该制造包含：
取得掩模，包含(i)置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区、和(ii)置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区，其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧；以及
使该掩模承受电磁辐射的曝照，该曝照对于将该多个通孔印制在该半导体装置的基底上起作用；
其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；以及
其中，该多个第二相移区各在其宽度具有上限与下限，以及其中该上限是相邻该多个第一相移区的一个的右缘与相邻该多个第一相移区的另一个的左缘之间的距离，且该下限是相邻该多个不透明区的一个的右缘与相邻该多个不透明区的另一个的左缘。
17. 根据权利要求16所述的半导体装置制造方法，其特征在于， 该多个第一相移区通过蚀刻该掩模的该前侧予以形成，以及该多个第二相移区通过蚀刻该掩模的该背侧予以形成。
18. 根据权利要求16所述的半导体装置制造方法，其特征在于该不透明区置于半透明基底的第一侧上方，以及其中，该多个第二相移区通过蚀刻该半透明基底的第二侧予以形成。”
申请人格罗方德半导体公司（下称复审请求人）不服上述驳回决定，于2019年02月01日向国家知识产权局提出了复审请求，同时对申请文件进行修改。具体修改为，将驳回决定所针对的权利要求1、11、16中的技术特征“其中，该多个第二相移区各在其宽度具有上限与下限，以及其中该上限是相邻该多个第一相移区的一个的右缘与相邻该多个第一相移区的另一个的左缘之间的距离，且该下限是相邻该多个不透明区的一个的右缘与相邻该多个不透明区的另一个的左缘”修改为“其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离；以及其中，该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心”。修改后的权利要求1、11、16如下：
“1. 一种掩模，包含：
置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及
置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；
其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，且其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；
其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离；以及
其中，该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心。
11. 一种用于制造掩模的方法，包含：
形成置于掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及
形成置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；
其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，且其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；
其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离；以及
其中，该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心。
16. 一种半导体装置制造方法，包含：
在半导体装置中制造多个通孔，该制造包含：
取得掩模，包含(i)置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区、和(ii)置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区，其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧；以及
使该掩模承受电磁辐射的曝照，该曝照对于将该多个通孔印制在该半导体装置的基底上起作用；
其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；
其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离；以及
其中，该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相 邻多个不透明区的其中一个的中心。”
复审请求人认为：1）修改后的权利要求1、11、16请求保护的技术方案已记载在原说明书和权利要求书中，未超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。2）权利要求1、11、16相对于对比文件2具有区别“该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离；以及其中，该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心”，上述区别在对比文件1中没有公开也没有相应技术启示，本申请基于上述区别取得了“依此方式，背侧蚀刻的制造比前侧蚀刻的制造有更大的允差”的技术效果。
经形式审查合格，国家知识产权局依法受理了该复审请求，并于2019年02月12日向复审请求人发出复审请求受理通知书，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家依法成立合议组对本案进行审理。
本案合议组于2019年05月15日向复审请求人发出复审通知书，指出：1）复审请求人在修改后的权利要求1、11、16中增加的技术特征“该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心”既未记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书的记载直接地、毫无疑义地确定，故上述修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定；2）即使复审请求人将权利要求1、11、16中的上述技术特征“该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心”予以删除，本申请权利要求1-18仍不具备创造性，因为：权利要求1相对于对比文件2的区别在于：①本申请中的第二相移区设置于掩模的第二侧或背侧，而对比文件2中的第二相移区与第一相多区均设置于掩模的第一侧或前侧；②本申请权利要求1中限定了该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离，而对比文件2对此并无相关限定，但上述区别①或为本领域中的公知常识或已在对比文件1中公开，区别②既为本领域中的公知常识，也在对比文件1中给出了相应技术启示，故权利要求1相对于对比文件2、对比文件1的结合或对比文件2、对比文件1与本领域公知常识的结合或对比文件2和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定；方法权利要求11与产品权利要求1是相对应的，基于前面对权利要求1的评述可知，权利要求11也不具备创造性；权利要求16相对于对比文件2的区别同前面权利要求1相对于对比文件2的区别，基于前面对权利要求1的评述，权利要求16也不具备创造性；从属权利要求2、3、6的附加技术特征在对比文件2中公开，从属权利要求4、5在对比文件2结合公知常识的基础上公开；权利要求7的附加技术特征是本领域中的公知常识；权利要求8、10的附加技术特征在对比文件2结合对比文件1或公知常识的基础上公开；权利要求9的附加技术特征为公知常识或在对比文件1给出了相关技术启示；权利要求12-15的附加技术特征对应于权利要求2、6、8、10的附加技术特征，权利要求17、18的附加技术特征对应于权利要求8、10的附加技术特征，因而，从属权利要求2-10、12-15、17、18也不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年06月26日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页，具体修改为，将复审通知书所针对的权利要求1、11、16的技术特征“该上限是相邻第一相移区的最接近边缘之间的距离，以及该下限是相邻多个不透明区的最接近边缘之间的距离；以及其中，该多个第二相移区的各第二相移区在一方向上扩展超过相邻多个不透明区的其中一个的中心”修改为“该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离，以及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离；以及其中，该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔”。修改后的权利要求1、11、16如下：
“1. 一种掩模，包含：
置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及
置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；
其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，且其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；
其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离，以及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离；以及
其中，该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔。
11. 一种用于制造掩模的方法，包含：
形成置于掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及
形成置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；
其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，且其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；
其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离，以及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离；以及
其中，该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔。
16. 一种半导体装置制造方法，包含：
在半导体装置中制造多个通孔，该制造包含：
取得掩模，包含(i)置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区、和(ii)置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区，其中，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧；以及
使该掩模承受电磁辐射的曝照，该曝照对于将该多个通孔印制在该半导体装置的基底上起作用；
其中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔；
其中，该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各 第一相移区的宽度的距离，以及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离；以及
其中，该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔。”
复审请求人认为：1）本申请修改后的权利要求1、11、16请求保护的技术方案已记载在原说明书中，修改未超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定；2）对比文件1和对比文件2均未公开上述修改后增加的技术特征，没公开第二相移区相对于第一相移区所产生上、下限的限制范围，从而修改后的权利要求具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年06月26日提交了权利要求书全文的修改替换页，经审查，其中所作修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定，因此本复审决定针对的文本是：复审请求人于申请日2013年12月11日提交的说明书第1-94段、说明书摘要、说明书附图1-6B、摘要附图和于2019年06月26日提交的权利要求第1-18项。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
(1)权利要求1请求保护一种掩模。对比文件2公开了一种掩模及其制作方法，其第三实施例具体公开了以下技术特征(参见对比文件2说明书第15栏第48行-第17栏第32行，附图11A-12D)：在透光衬底601上形成SiNxOy遮光层602，在遮光层602上形成抗蚀剂图案并以抗蚀剂图案604为掩模形成遮光层图案602b，以抗蚀剂图案604为掩模刻蚀衬底601，由附图12D可以看出，该掩模包含衬底601被刻蚀形成的开口601a，以及衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分；所形成的掩模包含掩膜的前侧和背侧，所述掩模前侧即为掩模上表面或第一侧，所述掩模背侧即为掩模下表面或第二侧；衬底601被刻蚀形成的开口601a与衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分间具有180度的相位差。
通过对比可见，对比文件2也涉及一种掩模，与本申请属于相同的技术领域。所述掩模具有置于该掩模第一侧上的未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分，及多个置于该掩模第一侧上的被刻蚀形成的开口601a，置于该掩模第一侧上的未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分与置于该掩模第一侧上的被刻蚀形成的开口601a间具有180度的相位差，故置于该掩模第一侧上的未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分（下称第一相移区）对应于本申请中的第一相移区，置于该掩模第一侧上的被刻蚀形成的开口601a（下称第二相移区）对应于本申请中的第二相移区；对比文件2中，第一侧包含掩模的前侧及第二侧包含掩模的背侧，对应于权利要求1中的该第一侧包含该掩模的前侧及该第二侧包含该掩模的背侧；对比文件2中，以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区或遮光层图案602b以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔，对应于权利要求1中的以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模的该第一侧上的相邻多个不透明区之间的该多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区以及该多个第二相移区的相应一个予以分隔。
可见，权利要求1相对于对比文件2的区别在于：①本申请中的第二相移区设置于掩模的第二侧或背侧，而对比文件2中的第二相移区与第一相多区均设置于掩模的第一侧或前侧；②本申请权利要求1中限定了该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离，及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离，而对比文件2对此并无相关限定；③ 本申请权利要求1限定了该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔，而对比文件2对此并无相同限定。基于上述区别，本专利解决了各第二相移区在蚀刻形成的过程中其宽度允许有较大误差而不影响掩模整体光学效果的技术问题。
复审请求人坚持认为上述区别②和③在各对比文件中均未公开，且上述各区别协同作用，整体取得了背侧蚀刻第二相移区的制造比在前侧蚀刻有更大的允许误差且最终光学效果不受任何影响的技术效果，而现有技术均未公开或给出启示。
对此，本案合议组认为：
对于上述区别①，第二相移区蚀刻形成在构成掩模衬底的第一侧或第二侧上均为本领域中的常规技术手段，只要第二相移区与第一相移区之间有180度的相位差可使来自第一相移区的光波与来自第二相移区的光波之间的抵消效应最大化且干扰最小化即可；此外，对比文件1公开了一种背侧相栅掩模及其制造方法（参见对比文件1说明书第0036-0044段及附图3、8-12），所述掩模具有基板800，其第一侧或前侧上具有掩模图案或遮光图案810，第二侧或背侧上蚀刻有沟槽821和未被蚀刻的表面区域823，所述第一侧上的各掩模图案或遮光图案810均与第二侧上的表面区域823和沟槽821相对且其宽度均为表面区域823和沟槽821宽度的一半左右，由此表面区域823上未被掩模图案810遮挡部分所对应的第一侧上的部分（对应本专利中的第一相移区）与沟槽821上未被掩膜图案810遮挡部分（对应本专利的第二相移区）之间具有180度相差，使得透过第一相移区和第二相移区的光产生彼此相干涉以阻挡0级光且允许初级光或负初级光从其透过，最终获得利用修正照明的改善图案提高分辨率的效果，可见对比文件1中，第二相移区形成在构成掩模基板的第二侧或背侧上，即上述区别①已在对比文件1中公开，基于此，在蚀刻形成对比文件2中的第二相移区时，本领域技术人员容易想到将第二相移区蚀刻形成的衬底601的第二侧或背侧。
对于上述区别②，第一，其为本领域常规技术手段，原因为，如上所述，在第二相移区可蚀刻形成在构成掩模衬底或基板第二侧为本领域常规技术手段或在对比文件1公开的基础上，本领域技术人员在第二侧上蚀刻形成第二相移区时，为了既确保第二相移区的相移效果，又不至于影响到第一相移区的相移效果，会选择将两遮光区或不透明区间的间隔，即相同于该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离作为第二相移区的最小宽度即宽度下限，而将第一相移区的最接近边缘间的距离，即多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离作为第二相移区的最大宽度即宽度上限，这样，以两遮光区或不透明区间的间隔为中心，在第二侧上蚀刻形成具有上述宽度范围的第二相移区时，允许有一定的宽度范围，便于蚀刻，且该第二相移区足以与第一相移区相配合将来自第一相移区的光波与来自第二相移区的光波之间的抵消效应最大化且干扰最小化，即光学效果不受影响；第二，对比文件1已就该区别给出了相应技术启示，因为，对比文件1中的沟槽821（对应于本专利中的第二相移区）的宽度约是两遮光区或不透明区间间隔的两倍，其宽度大于真正发挥光学作用的与两遮光区或不透明区间间隔相对应的第二相移区，即第二相移区的实际宽度大小第二相移区的有效宽度，通过该设置，在确保第二相移区发挥其应有光学效果的前提下，允许第二相移区在蚀刻形成过程中有一定的宽度范围，方便蚀刻形成第二相移区，即对比文件1已给出了第二相移区在其应有光学功能不受影响的前提下还可具有一定宽度范围以方便蚀刻形成的技术启示，基于该技术启示，当本领域技术人员在对比文件2中的衬底第二侧形成第二相移区时，为方便蚀刻第二相移区，容易想到将该多个第二相移区的各第二相移区的宽度设置有上限与下限，该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离，及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离。
对于上述区别③，由上面评述内容可知，第二相移区的宽度上限即相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离为本领域中的公知常识或在对比文件1已给出技术启示的基础上对本领域技术人员是容易想到的，在此基础上可以得到，当多个第二相移区的各第二相移区的宽度均达到上限时，则相邻第二相移区之间的间隔距离为多个第一相移区的各第一相移区的宽度，当然该距离为相邻第二相移区之间的至少或最小间隔距离，并会随着第二相移区的宽度由上限逐渐过渡到下限的过程中而逐渐递增，从而可见该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔。因此，即上述区别③也是本领域中的公知常识或在对比文件1已给出技术启示的基础上对本领域技术人员是容易想到的。
因此，合议组对于复审请求人的前述意见不予支持。
可见，本领域技术人员在对比文件2、对比文件1的基础上或对比文件2、对比文件1与本领域公知常识的基础上或在对比文件2和本领域公知常识的基础上得到本申请权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(2)权利要求2、3为从属权利要求。对比文件2 公开了(参见说明书第4栏第51-56行，说明书第15栏第48行-第17栏第32行，附图11A-12D)：该掩模包含衬底601被刻蚀形成的开口601a，以及衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分；衬底601被刻蚀形成的开口601a与衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分间具有180度的相位差，即权利要求2、3的附加技术特征已在对比文件2中公开。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求2、3也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(3)权利要求4、5为从属权利要求。对比文件2公开了(参见说明书第4栏第51-56行，说明书第15栏第48行-第17栏第32行，附图11A-12D)：该掩模包含衬底601被刻蚀形成的开口601a，以及衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分；衬底601被刻蚀形成的开口601a与衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分间具有180度的相位差。基于对比文件2给出了透过刻蚀部分的光相对于透过衬底未加工区域的光具有约180度的相位差的启示，本领域技术人员容易想到在制作掩模时使得第一相移区具有零度相移，使得第二相移区具有180度相移，而这属于本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求4、5也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(4)权利要求6为从属权利要求。由对比文件2(参见说明书第15栏第48行-第17栏第32行，附图11A-12D)附图12D可以看出，衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的多个部分即多个第一相移区与衬底601被刻蚀形成的多个开口601a即多个第二相移区以越过遮光层图案602b的至少一个方向予以对齐，并且以越过遮光层图案602b的至少一个方向以交替方式予以分隔。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求6请求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(5)权利要求7为从属权利要求。相移区的对齐方式是本领域技术人员根据图案形状和分布的需要可以自由设置的，第一相移区和第二相移区以第一方向和垂直于第一方向的第二方向予以对齐属于本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求7请求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(6)权利要求8、10为从属权利要求。对比文件2 (参见对比文件2说明书第15栏第48行-第17栏第32行，附图11A-12D)公开了：在由石英材质（即半透明衬底）构成的衬底601表面未被刻蚀的遮光层图案602b之间的多个部分即多个第一相移区与衬底601被刻蚀形成的多个开口601a即多个第二相移区均形成在掩膜的前侧或第一侧，遮光层图案602b即不透明区也形成在掩膜的前侧或第一侧。基于前面对权利要求1相对于对比文件2具有的区别①的评述可知，衬底601被刻蚀形成的多个开口601a即多个第二相移区蚀刻形成在衬底的背侧或第二侧为本领域中的常规技术手段或在对比文件1公开。故权利要求8、10的附加技术特征已在对比文件2结合对比文件1或本领域公知常识的基础上公开，故当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求8、10也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(7)权利要求9为从属权利要求。第一，第一相移区和第二相移区的宽度关系是本领域技术人员根据所需的图案形状可以自由设置的，这属于本领域的惯用手段；第二，本领域中，掩模上的遮光区域或不透光区间的间隔一般情况下是相同的，在此情形下，由前面评述权利要求1相对于对比文件2所具有的区别②为本领域常规技术手段或在对比文件1已给出技术启示可知，在第二相移区的光学功能不受影响的情形下，为方便蚀刻第二相移区，第二相移区的宽度允许在一定范围内变化，即上限是相邻第一相移区的最接近边缘间的距离，下限是相邻多个不透明区的最接近边缘间距离，而相邻多个不透明区的最接近边缘间距离也为第一相移区的宽度，故在掩模上的遮光区域或不透光区间间隔均相同的情形下，多个第二相移区的宽度大于多个第一相移区的宽度为本领域常规技术手段或在对比文件1给出相关技术启示。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求9也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(8)权利要求11请求保护一种用于制造掩模的方法，该方法权利要求与产品权利要求1是相对应的，基于前面对权利要求1的评述可知，本领域技术人员在对比文件2、对比文件1的基础上或对比文件2、对比文件1与本领域公知常识的基础上或在对比文件2和本领域公知常识的基础上得到本申请权利要求11请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求11不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(9)权利要求12-15为权利要求11的从属权利要求，其附加技术特征分别对应于权利要求2、6、8、10的附加技术特征，基于前面对权利要求2、6、8、10的评述可知，权利要求12-15也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(10)权利要求16请求保护一种半导体装置制造方法。对比文件2公开了一种掩模及其制作方法(参见说明书第1栏第9-11行，第15栏第48行-第17栏第32行，附图11A-12D)，该掩模用于半导体装置制造中光刻步骤形成通孔的曝光，其第三实施例具体公开了取得掩模的内容：所述掩模上表面为第一侧，第一侧包含掩模的前侧，掩模下表面为第二侧，第二侧包含掩模的背侧；所述掩膜具有置于该掩膜第一侧上的未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分，及多个置于该掩模第一侧上的被刻蚀形成的开口601a，置于该掩模第一侧上的未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分与置于该掩模第一侧上的被刻蚀形成的开口601a间具有180度的相位差，故置于该掩模第一侧上的未被刻蚀的遮光层图案602b之间的部分（下称第一相移区）对应于本申请中的第一相移区，置于该掩模第一侧上的被刻蚀形成的开口601a（下称第二相移区）对应于本申请中的第二相移区；使该掩模承受电磁辐射的曝照，该曝照对于将该多个通孔印制在半导体装置的基底上起作用；对比文件2中，以多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于掩模第一侧上的多个不透明区之间的多个第一相移区中的一个，多个第一相移区的相邻第一相移区通过不透明区和第二相移区予以分隔，公开了本申请权利要求16中的以该多个第二相移区的各第二相移区为中心对齐配置于该掩模第一侧上的相邻多个不透明区之间的多个第一相移区中的一个，该多个第一相移区的相邻第一相移区通过该些不透明区和该多个第二相移区的相应一个予以分隔。
可见，权利要求16相对于对比文件2的区别在于：①本申请权利要求16中的第二相移区设置于掩模的第二侧或背侧，而对比文件2中的第二相移区与第一相多区均设置于掩模的第一侧或前侧；②本申请权利要求16中限定了该多个第二相移区的各第二相移区的宽度具有上限与下限，该上限是相等于相邻多个不透明区的宽度加上该多个第一相移区的各第一相移区的宽度的距离，及该下限是相同于该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度的距离，而对比文件2对此并无相关限定；③本申请权利要求16限定了该多个第二相移区的相邻第二相移区在一方向上依至少该多个第一相移区的各第一相移区的该宽度予以分隔，而对比文件2对此并无相同限定。基于上述区别，本专利解决了各第二相移区在蚀刻形成的过程中其宽度允许有较大误差而不影响掩模整体光学效果的技术问题。
对于上述区别①至③的评述同前面对于权利要求1相对于对比文件2具有的区别①至③的评述，此处不再赘述。
因此，本领域技术人员在对比文件2、对比文件1的基础上或对比文件2、对比文件1与本领域公知常识的基础上或对比文件2和本领域公知常识的基础上得到本申请权利要求16请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求16不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
(11)权利要求17、18为从属权利要求，其附加技术特征分别应于权利要求8、10的附加技术特征，基于前面对权利要求8、10的评述可知，权利要求17、18也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于 2018年10月22日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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