发明创造名称：一种石墨烯压力传感器阵列系统及其制备方法
外观设计名称：
决定号：185286
决定日：2019-07-26
委内编号：1F257190
优先权日：
申请（专利）号：201610863656.5
申请日：2016-09-29
复审请求人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：付强
合议组组长：高静微
参审员：李涵
国际分类号：G01L1/18
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别特征，而这些区别特征或被其他对比文件公开，或由其他对比文件容易想到，或者属于本领域常用技术手段，并且该权利要求的技术方案并没有由于这些区别特征而具有预料不到的技术效果，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610863656.5、名称为“一种石墨烯压力传感器阵列系统及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2016年09月29日，公开日为2017年02月22日，申请人为中国科学院重庆绿色智能技术研究院。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年04月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：本申请权利要求6不符合专利法第22条第3款的规定，并在其他说明中指出权利要求1-5也不具备创造性。驳回决定引用如下对比文件：
对比文件1：CN102564657A，公开日为2012年07月11日；
对比文件3：CN203629725U，公告日为2014年06月04日；
对比文件4：CN104505148A，公开日为2015年04月08日。
驳回决定所依据的文本为申请日2016年09月29日提交的说明书摘要、说明书第1-57段、摘要附图、说明书附图图1-5，2018年3月5日提交的权利要求第1-6项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种石墨烯压力传感器阵列系统，包括阵列电路板以及阵列电路板上布置的阵列电路，其特征在于：所述阵列电路板上设置有若干与阵列电路连接的石墨烯压力传感单元；所述石墨烯压力传感单元依靠信号采集及处理系统将采集到信号转换为压力值；所述石墨烯压力传感单元包括石墨烯层和弹性聚合物层复合而成的力敏薄膜及力敏薄膜两端的电极；所述阵列电路板上表面开有凹槽；所述石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将所述凹槽遮蔽；所述石墨烯压力传感单元的力敏薄膜上表面设置有圆柱形力敏触点；所述力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干微纳米结构；所述具有微纳米结构的力敏薄膜在具是有若干凸起的微纳结构的基底硅表面通过的方法生长而成的。
2. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述凹槽位于石墨烯压力传感单元正中间，其面积为石墨烯压力传感单元面积的25~81%。
3. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述弹性聚合物层由聚二甲基硅氧烷或者聚氨酯橡胶或者有机硅橡胶中的一种制造；所述弹性聚合物层的厚度为10-1000 um。
4. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述石墨烯层为三维石墨烯纳米墙、二维石墨烯薄膜或者石墨烯粉末，其厚度为10nm~10um。
5. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述阵列电路包括纵向电路和横向电路，分布于各个石墨烯压力传感单元之间，与各个石墨烯压力传感单元两端连接；并通过模拟开关控制石墨烯压力传感单元的选通。
6. 一种制备石墨烯压力传感器阵列系统的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1.在阵列电路板上雕刻若干凹槽；
步骤2.在雕刻好凹槽的阵列电路板上布置阵列电路；
步骤3.制作石墨烯层和聚聚合物层复合而成的力敏薄膜；制作石墨烯层和聚合物层复合而成的力敏薄膜步骤包括
步骤A在具有若干凸起的微纳结构的基底硅表面通过喷涂石墨烯粉末溶液的方法沉积石墨烯层；
步骤B在石墨烯层表面旋涂一层弹性聚合物；
步骤C将固化的弹性聚合物层与三维石墨烯纳米墙从基底表面剥离；
步骤4.将步骤3制作的力敏薄膜裁剪成若干石墨烯压力传感单元；
步骤5将石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，其两端与阵列电路形成欧姆接触；
步骤6将力敏触点粘接在力敏薄膜的上表面；
步骤7.将阵列电路与信号采集及处理系统连接。”
驳回决定认为：权利要求6请求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：（1）所述方法还包括：步骤1.在阵列电路板上雕刻若干凹槽；步骤2.在雕刻好凹槽的阵列电路板上布置阵列电路；步骤4.将步骤3制作的力敏薄膜裁剪成若干石墨烯压力传感单元；步骤5中将石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合；步骤6.将力敏触点粘接在力敏薄膜的上表面；（2）所述步骤3中的力敏薄膜是由石墨烯层和聚合物层复合而成的，其制作步骤包括：步骤A在具有若干凸起的微纳结构的基底硅表面通过喷涂石墨烯粉末溶液的方法沉积石墨烯层；步骤B在石墨烯层表面旋涂一层弹性聚合物；步骤C将固化的弹性聚合物层与三维石墨烯纳米墙从基底表面剥离。对于区别特征（1），对比文件3公开了石墨烯薄膜完全覆盖空腔，在对比文件3的启示下区别特征（1）的各步骤是本领域技术人员容易想到的，或属于常用技术手段。对于区别特征（2），对比文件4公开了PDMS柔性基三维共面形石墨烯的制造工艺，在对比文件4的启示下，区别特征（2）的各步骤也是容易想到的，或属于常用技术手段。权利要求6要求保护的技术方案相对于对比文件1、3、4以及本领域的常用技术手段的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定在其他说明中指出，权利要求1相对于对比文件1区别在于：（1）石墨烯压力传感单元中的力敏薄膜由石墨烯层和弹性聚合物层复合而成，所述力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干微纳米结构，所述具有微纳米结构的力敏薄膜中的石墨烯层是在具有若干凸起的微纳结构的基底硅表面通过PECVD的方法生长而成的。（2）阵列电路版上表面开有凹槽；素数石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将所述凹槽遮蔽；石墨烯压力传感单元的力敏薄膜上表面设置有圆柱形力敏触点。对于区别特征（1），对比文件4公开了PDMS柔性基三维共面形石墨烯用于传感器，在对比文件4的启示下，区别特征（1）的结构是容易想到的。对于区别特征（2），对比文件3公开了石墨烯薄膜完全覆盖空腔的传感器结构，因此设置凹槽并由石墨传感单元遮蔽是容易想到的，设置有圆柱形力敏触点是本领域的常用技术手段。因此，权利要求1要求保护的技术方案相对于对比文件1、对比文件3、对比文件4以及本领域的常用技术手段的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。权利要求2-5的附加技术特征，或被对比文件1、对比文件4公开，或属于本领域的常用技术手段，因而，也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人中国科学院重庆绿色智能技术研究院（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年07月27日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页，其中删除了权利要求6。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种石墨烯压力传感器阵列系统，包括阵列电路板以及阵列电路板上布置的阵列电路，其特征在于：所述阵列电路板上设置有若干与阵列电路连接的石墨烯压力传感单元；所述石墨烯压力传感单元依靠信号采集及处理系统将采集到信号转换为压力值；所述石墨烯压力传感单元包括石墨烯层和弹性聚合物层复合而成的力敏薄膜及力敏薄膜两端的电极；所述阵列电路板上表面开有凹槽；所述石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将所述凹槽遮蔽；所述石墨烯压力传感单元的力敏薄膜上表面设置有圆柱形力敏触点；所述力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干微纳米结构；所述具有微纳米结构的力敏薄膜在具是有若干凸起的微纳结构的基底硅表面通过的方法生长而成的。
2. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述凹槽位于石墨烯压力传感单元正中间，其面积为石墨烯压力传感单元面积的25～81％。
3. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述弹性聚合物层由聚二甲基硅氧烷或者聚氨酯橡胶或者有机硅橡胶中的一种制造；所述弹性聚合物层的厚度为10-1000um。
4. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述石墨烯层为三维石墨烯纳米墙、二维石墨烯薄膜或者石墨烯粉末，其厚度为10nm～10um。
5. 根据权利要求1所述的一种石墨烯压力传感器阵列系统，其特征在于：所述阵列电路包括纵向电路和横向电路，分布于各个石墨烯压力传感单元之间，与各个石墨烯压力传感单元两端连接；并通过模拟开关控制石墨烯压力传感单元的选通。”。
复审请求人认为：（1）权利要求1中的凹槽的位置与D3中空腔的位置不同，其尺寸不同；（2）对比文件3公开的是MEMS压力传感器，对比文件3中该空腔内密封了一个大气压，该空腔为参照腔，是密封测量，本申请权利要求1中的凹槽是为薄膜提供一个更大的变形空间，力敏薄膜直接遮蔽该凹槽，是非密封测量，对比文件3中空腔并不是为了使力敏薄膜具有更大的应变空间；（3）对比文件3中石墨烯薄膜是悬空且平铺的，石墨烯薄膜应变承受能力有限，空腔尺寸大小与石墨烯薄膜的应变空间之间的关系并不大；（4）由于石墨烯薄膜的结构不同，对比文件3与本申请的压力传感器测量压力的数量级不同，应用环境也不同，对比文件3并未给出在阵列电路板上开设凹槽，并由力敏薄膜遮蔽该凹槽的启示；（5）对比文件1、对比文件2、对比文件4均未公开力敏触点，该特征也不是本领域的常用技术手段；（6）在非密封测量技术领域，并未发现现有技术公开阵列电路板上开设凹槽，然后由力敏感膜遮蔽该凹槽，并在力敏感膜上设置力敏感点的技术方案，在传统非密封测量的MEMS传感器通常是直接将基底贯穿，本领域技术人员难以想到在阵列电路板上只开设凹槽而不是贯穿基底，并且在其上设置石墨烯薄膜但并不密封该凹槽；（7）力敏感点设置于对比文件3的石墨烯薄膜上时降低了传感器的有效感知能力和测压量程，对比文件4中的柔性基三维共面形石墨烯薄膜在石墨烯那一面是具有若干连续凹陷的，无法实现对比文件3石墨烯薄膜与空腔边缘的密封；因此，对比文件3的空腔作用与本申请权利要求1中的凹槽作用完全不同，不能在对比文件1的基础上与对比文件3、对比文件4以及力敏感点结合得到本申请权利要求1的技术方案。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月15日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：（1）阵列电路板上表面开有凹槽；石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将凹槽遮蔽；（2）所述石墨烯压力传感单元的力敏薄膜上表面设置有圆柱形力敏触点；（3）力敏薄膜由石墨烯层和弹性聚合物层复合而成，力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干微纳米结构；所述具有微纳米结构的力敏薄膜在具有若干凸起的微纳结构的基底硅表面通过的方法生长而成的。对于区别特征（1），对比文件3给出了在硬质的基底上制造利于石墨烯薄膜产生变形的空腔的启示，而压力传感器阵列也常采用其他硬质材料作为基底，电路板作为常用的电子元件布设基底是本领域技术人员容易想到去选择的一种基底，由此本领域技术人员容易想到设置电路板基底，并为在硬质基底上利于石墨烯薄膜变形而在电路板基底上制造出凹槽空腔，并使石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将凹槽遮蔽，这不需要付出创造性的劳动。对于区别特征（2），在膜片上设置凸起以便于施加按压的物体压迫该凸起促进膜片或敏感结构产生变形是常用的技术手段。对于区别特征（3），对比文件4公开了由石墨烯层和弹性聚合物层复合制成力敏感膜，力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干三维结构相当于具有若干微纳米结构；所述具有微纳米结构的力敏薄膜是通过在具有若干凸起的微纳结构的基底表面生长的方法制成的。对比文件4给出了制备时以柔性基底三维结构石墨烯薄膜替换单纯的二维石墨烯薄膜以提高强度的技术启示。而采用硅作为生长基底是容易想到的替换生长方式。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3、对比文件4的技术内容和本领域的常用技术手段得出权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备创造性。权利要求2-5的附加技术特征，或被对比文件1、对比文件4公开，或属于本领域的常用技术手段，因而，也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年04月30日提交了意见陈述书，未提交申请文件的修改替换页。复审请求人认为：（1）对比文件3空腔的作用是作为一个参考腔，用于密封一定气压/或真空，其空腔尺寸与石墨烯薄膜的应变空间并不大，因此对比文件3的空腔与权利要求1中的凹槽作用不同，技术效果也不同。（2）对比文件3采用硬质硅基底，对比文件1为柔性基底，本领域技术人员不能够从对比文件3中得到将对比文件1柔性基底替换为硬质基底并在其上开设凹槽的启示。本申请的阵列系统相对于传统非密封测量压力传感器量程、响应速度、精度等得到提高。（3）对比文件3与对比文件1中硬质基底传感器和柔性基底起使用范围不同，两者不能结合。（4）不能将对比文件3的密封作用分隔开来，本申请中凹槽非密封才是实现接触式准确测量的关键因素，基于整体判断，对比文件1结合对比文件3无法得到权利要求1中在基地上开设凹槽且不密封该凹槽的技术方案。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2018年07月27日提交了权利要求书全文修改替换页，经审查，2018年07月27日所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。本决定以申请日2016年09月29日提交的说明书摘要、说明书第1-57段、摘要附图、说明书附图图1-5， 2018年07月27日提交的权利要求第1-5项为基础作出。
（二）关于本申请是否符合专利法第22条第3款的规定
专利法第22条第3款规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别特征，而这些区别特征或被其他对比文件公开，或由其他对比文件容易想到，或者属于本领域常用技术手段，并且该权利要求的技术方案并没有由于这些区别特征而具有预料不到的技术效果，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案：
1、权利要求1不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求1请求保护一种石墨烯压力传感器阵列系统，对比文件1公开了一种基于石墨烯的阵列式柔性压力分布传感器，并具体公开了以下内容（参见说明书第0028、0035段，附图1-12）：
基于石墨烯的阵列式柔性压力分布传感器包括柔性衬底100及位于所述柔性衬底100上的石墨烯薄膜阵列301，所述石墨烯薄膜阵列301内包括至少一个石墨烯导电体310，石墨烯导电体310与柔性衬底100上的行电极210及列电极220电连接；石墨烯导电体310在柔性衬底100上呈纵横交错的行列分布，行电极210、列电极220在柔性衬底100上也呈纵横交错分布，且行电极210与列电极220间通过绝缘层400相绝缘隔离。
通过在柔性衬底100上设置石墨烯薄膜阵列301，石墨烯薄膜阵列301内的石墨烯导电体310与行电极210、列电极220电连接，当石墨烯导电体310受到压力产生形变时，能通过行电极210、列电极220输出相应的检测信息，例如电压的变化，检测精度高；使用寿命更长；更加轻薄，使得形成的传感器更加轻薄；用于牙齿咬合压力分布、足底压力分布、轮胎压力分布等需要压力分布测量的领域。
本申请权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，对比文件1公开了一种石墨烯压力传感器阵列系统；
对比文件1公开了基于石墨烯的阵列式柔性压力分布传感器包括柔性衬底100及位于所述柔性衬底100上的石墨烯薄膜阵列301，所述石墨烯薄膜阵列301内包括至少一个石墨烯导电体310，石墨烯导电体310与柔性衬底100上的行电极210及列电极220电连接，其中石墨烯导电体相当于石墨烯压力传感单元，布设有石墨烯导电体和行、列电极的柔性衬底相当于阵列电路板，相当于对比文件1公开了本申请权利要求1中的石墨烯压力传感器系统包括阵列电路板以及阵列电路板上布置的阵列电路，阵列电路板上设置有若干与阵列电路连接的石墨烯压力传感单元。
对比文件1公开了当石墨烯导电体310受到压力产生形变时，能通过行电极210、列电极220输出相应的检测信息，例如电压的变化，检测精度高，用于牙齿咬合压力分布、足底压力分布、轮胎压力分布等需要压力分布测量的领域，而为了获得压力分布，必然需要设置相应的信号采集和处理系统将石墨烯导电体即石墨烯压力传感单元输出的信号转换为压力值，相当于对比文件1公开了本申请权利要求1中的石墨烯压力传感单元依靠信号采集及处理系统将采集到信号转换为压力值。
对比文件1公开了石墨烯导电体310与柔性衬底100上的行电极210及列电极220电连接；石墨烯导电体310在柔性衬底100上呈纵横交错的行列分布，行电极210、列电极220在柔性衬底100上也呈纵横交错分布，相当于对比文件1公开了本申请权利要求1中的石墨烯压力传感单元包括力敏薄膜及力敏薄膜两端的电极。
基于以上比较，本申请权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：（1）阵列电路板上表面开有凹槽；石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将凹槽遮蔽；（2）所述石墨烯压力传感单元的力敏薄膜上表面设置有圆柱形力敏触点；（3）力敏薄膜由石墨烯层和弹性聚合物层复合而成，力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干微纳米结构；所述具有微纳米结构的力敏薄膜是通过在具有若干凸起的微纳结构的基底表面生长的方法制成的。上述区别特征所要解决的技术问题在于：利于薄膜在硬质基底上产生受压形变，提高压力感知的有效性，提高石墨烯薄膜的强度。
对于区别特征（1），对比文件3公开了一种石墨烯压力传感器，其中公开了（参见说明书第0032、0033、0035段，附图1、2）包括基底1、绝缘层2， 基底的材料为硅，所述基底1表面氧化形成绝缘层2，绝缘层2内刻蚀出空腔 5，绝缘层2上表面覆盖石墨烯薄膜3，将所述空腔5封闭，石墨烯薄膜 3为1层；所述石墨烯薄膜3边缘沉积两个正方形金属电极4，两个正方形金 属电极4上分别焊接有导线；所述石墨烯薄膜3形状为矩形，并完全覆盖所述空腔5。对比文件3公开了一种采用石墨烯薄膜的压力传感器，其中采用硬质的硅作为基底，并在硅基底上蚀刻出空腔以利于石墨烯薄膜产生形变，石墨烯薄膜与硅基底贴合，并覆盖凹槽，对比文件3给出了在硬质的基底上制造利于石墨烯薄膜产生变形的空腔的启示，而压力传感器阵列也常采用其他硬质材料作为基底，电路板作为常用的电子元件布设基底是本领域技术人员容易想到选择的一种基底，由此本领域技术人员容易想到将对比文件1的石墨烯阵列传感器替换为电路板基底，并为在硬质基底上利于石墨烯薄膜变形而在电路板基底上制造出凹槽空腔，并使石墨烯压力传感单元与阵列电路板贴合，并将凹槽遮蔽，这不需要付出创造性的劳动。
对于区别特征（2），由于平面膜片在直接感知按压时变形程度不高，为此在膜片上设置凸起以便于施加按压的物体压迫该凸起促进膜片或敏感结构产生变形是常用的技术手段。例如专利公告号为CN201464093U（公告日2010年05月12日）的申请文件中（参见说明书附图1），在圆形弹性体1中心设置凸起硬中心3；专利公开号为CN101785285A（公开日2010年07月21日）的申请文件中（参见说明书第0268、0269段，附图22），按压凸起230位于压电感应膜部件210的上表面，以便集中压力。
对于区别特征（3），对比文件4公开了一种柔性基三维共面形石墨烯薄膜的制备方法，其中公开了（参加说明书第0003、0013、0017、0028-0031，附图1-5）平面二维石墨烯在外力的作用下容易破裂或损坏，进而导致结构以及石墨烯薄膜的各种优良特性不稳定；而具有柔性三维共面形石墨烯薄膜的产生则有效的解决了这一难题，利用柔性石墨烯薄膜制作的器件具有可折叠、可拉伸、重量轻、不易碎等特点；所述三维结构的特征尺寸为微米级(1μm～1000um)、纳米级(1nm～1000nm)或者宏观尺度(≥1mm)，三维结构在深度方向具有一定的纵向高度差；适应柔性电子学的发展应用；在柔性基底表面所制备的三维结构石墨烯薄膜可以作为柔性电极在光电器件、微机电系统(MEMS)、智能传感、电子皮肤等器件上加以应用；A.利用湿法刻蚀的方法在石墨烯生长基材上(Cu)制备所需要的三维结构，B.将步骤A干燥后的三维结构化的铜箔置于管式CVD系统真空腔体中进行石墨烯共形生长，获得铜结构表面三维共形石墨烯，C.在步骤B所得的铜结构表面三维共形石墨烯旋凃一层厚度为50um的PDMS预聚体，置于80℃烘箱中固化PDMS，获得如图4所示柔性聚合物/石墨烯/三维铜结构，D.将步骤C所得的结构置于硝酸铁腐蚀液中，将铜完全去除掉，并利用去离子水、盐酸等反复清洗，氮气吹干获得PDMS柔性基三维共面形石墨烯(如图5所示)。即对比文件4公开了由石墨烯层和弹性聚合物层复合制成力敏感膜，力敏薄膜在石墨烯层那一面具有若干三维结构相当于具有若干微纳米结构；所述具有微纳米结构的力敏薄膜在具是有若干凸起的微纳结构的基底表面通过的方法生长而成的。对比文件4给出了制备时以柔性基底三维结构石墨烯薄膜替换单纯的二维石墨烯薄膜以提高强度的技术启示。而采用硅作为生长基底是容易想到的替换生长方式。
对于复审请求人的意见，合议组认为：对于意见（1）、（4），虽然对比文件3利用石墨烯测量相对密封腔的气压，但本领域技术人员知晓其是测量基于石墨烯膜受力变形产生的电特性变化，基于对比文件3本领域技术人员知晓石墨烯薄膜可直接位于空腔上受压变形测量压力，而不论是膜密封空腔、不密封空腔、膜下空腔为通孔都是常见膜变形测压结构，在本领域技术人员基于对比文件3知晓石墨烯薄膜可直接位于空腔上受压变形测量压力基础上，可以基于使用目的的不同选择膜与空腔组合的测压结构，虽然对比文件3是在密封情况下利用石墨烯薄膜测量压力，但对比文件3给出了硬质基底上形成石墨烯膜、空腔测量压力的启示，本领域技术人员也可以选择不密封或者覆盖通孔的方式测量压力。对于意见（2）和（3），硬质基底和柔性基底的使用范围不同，但本领域技术人员知晓柔性基底和硬质基底都是阵列式分布测量的常用技术手段，在面临不同应用场合时，本领域本领域技术人员也知晓通过空腔上方设置薄膜、空腔上方设置梁的硬质基底结构是测量压力常用的技术手段，在对比文件3公开的如何在硬质基底上形成石墨烯膜和空腔结构测量压力的结构基础上、本领域技术人员将硬质基底的石墨烯薄膜与空腔测量压力结构单元与对比文件1的的阵列布置方式相结合构成硬质基底的石墨烯阵列压力测量结构是容易的。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3、4的技术内容和本领域的常用技术手段得出权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2、权利要求2-5不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2引用了权利要求1，凹槽的大小范围是本领域技术人员依据薄膜的变形特性以及需求可以选择的，凹槽位于薄膜正中间是常用的技术手段。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2所要求保护的技术方案也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求3引用了权利要求1，对比文件4公开了（参见说明书第0030、0048段）弹性聚合物层为50um厚度的PDMS预聚体（即聚二甲基硅氧烷）或PUA（聚氨酯丙烯酸酯）热固化胶。有机硅橡胶是本领域技术人员容易选择的弹性聚合物层材料。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3所要求保护的技术方案也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求4引用了权利要求1，对比文件4公开了（参见说明书第0012段）石墨烯薄膜的层数为1层、2层、3层以及少数多层。本领域技术人员可以选择石墨烯层的厚度以及石墨烯层的形态，三维石墨烯纳米墙、二维石墨烯薄膜或者石墨烯粉末是可以选择的。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4所要求保护的技术方案也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求5引用了权利要求1，对比文件1公开了（参见说明书第0028段）石墨烯导电体310与柔性衬底100上的行电极210及列电极220电连接；石墨烯导电体310在柔性衬底100上呈纵横交错的行列分布，行电极210、列电极220在柔性衬底100上也呈纵横交错分布（相当于阵列电路包括纵向电路和横向电路，分布于各个石墨烯压力传感单元之间，与各个石墨烯压力传感单元两端连接）。设置通过模拟开关控制石墨烯压力传感单元的选通为本领域的常用技术手段。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5所要求保护的技术方案也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年04月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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