发明创造名称：导电糊料组合物及由其制成的半导体器件
外观设计名称：
决定号：184974
决定日：2019-07-25
委内编号：1F243755
优先权日：2011-03-24，2011-8-11，2011-10-20
申请（专利）号：201280024221.1
申请日：2012-03-23
复审请求人：E.I.内穆尔杜邦公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李莲莲
合议组组长：牛文婧
参审员：焦磊
国际分类号：C03C8/10，C04B35/01，H01B1/22，H01L31/0224，H01B1/16
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，而现有技术中存在将该区别技术特征应用到该最接近现有技术以解决本申请实际所要解决技术问题的技术启示，则该权利要求不具有突出的实质性特点。
全文：
本复审请求涉及申请号为201280024221.1，名称为“导电糊料组合物及由其制成的半导体器件”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为E.I.内穆尔杜邦公司，申请日为2012年3月23日，优先权日为2011年3月24日、2011年8月11日、2011年10月20日，公开日为2014年1月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年10月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-12相对于对比文件1（WO92/00924 A1，公开日为1992年1月23日）和对比文件2（CN1873836 A，公开日为2006年12月6日）及常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为2013年11月19日提交的说明书第1-220段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2017年5月9日提交的权利要求第1-12项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 糊料组合物，其用来在包含半导体基底的光伏器件中形成电接触，所述半导体基底在其主表面上具有至少一个绝缘层，所述组合物包含以下成分的混合物：
(a)导电金属源；
(b)基于铅-碲的氧化物；和
(c)离散的添加剂，其为：(i)选自Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn和Al、以及它们的混合的金属元素的氧化物；(ii)在加热时能够形成此类氧化物的化合物；或(iii)上述(i)和(ii)的混合物；和
(d)有机载体；
所述导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的大于95重量％至99.5重量％，所述基于铅-碲的氧化物占所述糊料组合物无机固体部分的0.5重量％至小于5重量％；
铅和碲阳离子的组合占所述基于铅-碲的氧化物中的阳离子的至少60％；
所述基于铅-碲的氧化物中铅的阳离子百分比与碲的阳离子百分比的比率的范围为35:65至65:35，所述基于铅-碲的氧化物包含0.1重量％至5重量％的Li2O，所述糊料组合物在焙烧时能够穿透所述至少一个绝缘层。
2. 根据权利要求1所述的糊料组合物，包含以总糊料组合物计0.01至5重量％的所述离散的添加剂。
3. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述金属元素选自Ca、Al、Cr、Fe、Ni、或它们的混合。
4. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述离散的添加剂为有机或无机化合物，所述化合物在加热时能够分解以形成所述金属元素的氧化物。
5. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述离散的添加剂为所述金属元素的氧化物。
6. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述基于铅-碲的氧化物包含70至95阳离子百分比的铅和碲。
7. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述基于铅-碲的氧化物还包含选自以下元素的氧化物的至少一种氧化物：Li、B、Si、Na、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Zr、Nb、Mo、Hf、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Se、Bi、P、Y、La和其它镧系元素、以及它们的混合。
8. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述导电金属源为导电金属粉末。
9. 根据权利要求1或2所述的糊料组合物，其中所述导电金属源包括Ag。
10. 用于在基底上形成导电结构的方法，所述方法包括：
(a)提供具有第一主表面的基底；
(b)将糊料组合物施用到所述第一主表面的预选部分上，其中所述糊料组合物包含以下成分的混合物：
i)导电金属源；
ii)基于铅-碲的氧化物；
iii)离散的添加剂，其为：(A)选自Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、和Al、以及它们的混合的金属元素的氧化物；
(B)在加热时能够形成此类氧化物的化合物；或(C)上述(A)和(B)的混合物；和
iv)有机载体；
所述导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的大于95重量％至99.5重量％，所述基于铅-碲的氧化物占所述糊料组合物无机固体部分的0.5重量％至小于5重量％；
铅和碲阳离子的组合占所述基于铅-碲的氧化物中的阳离子的至少60％；
所述基于铅-碲的氧化物中铅的阳离子百分比与碲的阳离子百分比的比率的范围为35:65至65:35，所述基于铅-碲的氧化物包含0.1重量％至5重量％的Li2O；以及
(c)焙烧所述基底和基底上的糊料组合物，从而在所述基底上形成所述导电结构。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中所述基底包含存在于至少所述第一主表面上的绝缘层，并且将所述糊料组合物施用到所述第一主表面的绝缘层上，并且其中所述绝缘层为由氧化铝、氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、或氧化硅/氧化钛构成的至少一个层。
12. 制品，包括基底和基底上的导电结构，所述制品已通过权利要求10或11所述的方法形成。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年1月30日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件。复审请求人认为：（1）本申请的糊料具有较高金属源含量，制得的电极具有更好的导电性；（2）对比文件2记载的玻璃料完全不同于本申请的玻璃料。具体来说，对比文件2的玻璃料甚至不含氧化铅，因此也不属于Pb-Te氧化物体系。即使对比文件2记载了可以用离散的添加剂改进对比文件2的玻璃料的粘合强度，本领域普通技术人员也无法显而易见地想到可以将离散的添加剂与Pb-Te玻璃料结合使用并实现相当的效果；（3）在对比文件2的技术方案中需要使用纳米尺寸的锌添加剂。因此本申请的权利要求1-12具备专利法第22条第3款规定的创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年3月2日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年2 月20 日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）对比文件1公开了基于所述组合物的总干重，金属片状或粉末填料的含量为25％-95％（即导电金属源含量为25-95%）。虽然对比文件1公开的导电金属源含量低于权利要求1所限定的“导电金属源大于95%-99.5%”，但是对比文件1所公开的组合物除了用作直接焊料、密封或粘合玻璃之外，还可以用于钝化、…、导电…或类似的电子浆料配方中（参见对比文件1说明书第7页第11-17段）。而根据不同的用途如糊料组合物用于导电时，为获得更好的导电性能，选择较高含量的导电金属源是常规技术手段。而且本申请的说明书第4页第22-28段记载了导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的75-99%，可见导电金属源含量在75-99%都能获得本申请声称的良好的导电性能（该数值与对比文件1公开的25-95%数值范围部分重叠），也就是本申请进一步限定的“95-99.5%”并未带来更好的技术效果。此外，对比文件2也公开了银粉通常占该组合物中固体（即，将有机载体排除在外）的90-99%（参见对比文件2说明书第4页1-3段）。可见对比文件2也给出了选择金属源含量的相应技术启示。（2）对比文件2公开的玻璃料含有氧化铅，不含氧化碲，不属于Pb-Te氧化物体系。但是对比文件2公开了可用的玻璃料组合物包括无定形、可部分结晶的铅硅玻璃组合物以及其它相容的玻璃料组合物（参见对比文件2说明书第4页第6段），可见对比文件2的玻璃料并不限于复审请求人所认定的铅硅玻璃。所属领域技术人员在面临如何提高对比文件1所述厚膜组合物的粘结性的技术问题时，能够从属于同一领域的对比文件2中寻求相关技术启示，尝试将对比文件2中的离散的添加剂用于对比文件1的组合中，并对其离散效果加以验证。此外，对比文件2背景技术中提到JP-A 2001-313400教述的太阳能电池，其电极材料中包括粉末：钛、铋、钴、锌、锆、铁和铬。JP-A 2001-313400教导了上述粉末能够改善粘合强度（参见对比文件2说明书第2页第4段），且JP-A 2001-313400并未具体限定玻璃料的组成，可见所属领域技术人员从对比文件2背景技术也能够得到相关技术启示。（3）本申请权利要求1中离散的添加剂包括Zn，对比文件2中的锌即为本申请离散的添加剂。因此合议组对复审请求人的意见不予支持。
复审请求人于2019 年4 月4 日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书。具体修改方式为：从权利要求1的(c)组分中删除了并列选项(ii)和(iii)，仅保留原选项(i)；从(c)组分的金属元素种类限定中删除锌，替换成铜，并限定了离散的添加剂的含量。复审请求人对独立权利要求10进行了同样的修改，并删除权利要求2、4、5、7，对其它权利要求的序号作了适应性修改，修改后的权利要求共8项。
修改后的权利要求书1、6为：
“1. 糊料组合物，其用来在包含半导体基底的光伏器件中形成电接触，所述半导体基底在其主表面上具有至少一个绝缘层，所述组合物包含以下成分的混合物：
(a)导电金属源；
(b)基于铅-碲的氧化物；和
(c)离散的添加剂，其为：选自Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Al、以及它们的混合的金属元素的氧化物；和
(d)有机载体；
所述导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的大于95重量％至99.5重量％，所述基于铅-碲的氧化物占所述糊料组合物无机固体部分的0.5重量％至小于5重量％；
铅和碲阳离子的组合占所述基于铅-碲的氧化物中的阳离子的至少60％；
所述基于铅-碲的氧化物中铅的阳离子百分比与碲的阳离子百分比的比率的范围为35:65至65:35，所述基于铅-碲的氧化物包含0.1重量％至5重量％的Li2O，所述糊料组合物包含以总糊料组合物计0.01至2.5重量％的所述离散的添加剂，所述糊料组合物在焙烧时能够穿透所述至少一个绝缘层。
6. 用于在基底上形成导电结构的方法，所述方法包括：
(a)提供具有第一主表面的基底；
(b)将糊料组合物施用到所述第一主表面的预选部分上，其中所述糊料组合物包含以下成分的混合物：
i)导电金属源；
ii)基于铅-碲的氧化物；
iii)离散的添加剂，其为：选自Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、和Al、以及它们的混合的金属元素的氧化物；和
iv)有机载体；
所述导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的大于95重量％至99.5重量％，所述基于铅-碲的氧化物占所述糊料组合物无机固体部分的0.5重量％至小于5重量％；
铅和碲阳离子的组合占所述基于铅-碲的氧化物中的阳离子的至少60％；
所述基于铅-碲的氧化物中铅的阳离子百分比与碲的阳离子百分比的比率的范围为35:65至65:35，所述基于铅-碲的氧化物包含0.1重量％至5重量％的Li2O，所述糊料组合物包含以总糊料组合物计0.01至2.5重量％的所述离散的添加剂；以及
(c)焙烧所述基底和基底上的糊料组合物，从而在所述基底上形成所述导电结构。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年4月4日提交了权利要求书的修改替换页，经审查，所做修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审请求审查决定所针对的文本为：2013年11月19日提交的说明书第1-220段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2019年4月4日提交的权利要求第1-8项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，而现有技术中存在将该区别技术特征应用到该最接近现有技术以解决本申请实际所要解决技术问题的技术启示，则该权利要求不具有突出的实质性特点。
1、权利要求1要求保护一种糊料组合物。对比文件1公开了一种糊料组合物，并具体公开了：将金属片状或粉末填料（相当于导电金属源），例如银、金、铜、铝或焊料合金，混合于本发明的低熔点玻璃组合物中，基于所述组合物的总干重，金属片状或粉末填料的含量为25％-95％。通过与有机载体混合（相当于权利要求1的有机载体），上述金属-玻璃混合物形成糊料。所述金属-玻璃混合物适用于电学应用，例如厚膜导电糊料（参见对比文件1第7页第28行-第8页第8行，权利要求22-24）。对比文件1还公开了低熔点玻璃组合物以氧化物计算的摩尔百分比计，含有：i)50％-85％的氧化碲；ii)0.1％-30％的银氧化物；iii)5％-30％的铅氧化物和/或锌氧化物；iv)任选地，0.1％-44.9％ 的选自Mg、Ti、Ta、Mo、B、W、Tl、V、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Zr、Hf、Si、Ge、Al、Ga、In、P、Sn、Sb、Bi、La或稀土金属中的一种或几种的氧化物。本发明的低熔点玻璃中还可加入至少一种低挥发性的固体卤化物，如氟化钠、氟化锂，其含量小于5%重量份（参见对比文件1说明书第3页第20-30行，第5页第2-5行）。权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：（1）权利要求1限定了糊料组合物用来在包含半导体基底的光伏器件中形成电接触，所述半导体基底在其主表面上具有至少一个绝缘层；（2）权利要求1限定了所述导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的大于95重量％至99.5重量％，所述基于铅-碲的氧化物占所述糊料组合物无机固体部分的0.5重量％至小于5重量％；（3）权利要求1限定了铅和碲阳离子的组合占所述基于铅-碲的氧化物中的阳离子的至少60%，所述基于铅-碲的氧化物中铅的阳离子百分比与碲的阳离子百分比的比率的范围为35:65至65:35，所述基于铅-碲的氧化物包含0.1-5重量％Li2O；（4）权利要求1限定了糊料组合物中添加离散的添加剂，并限定了具体的离散添加剂的组成以及含量；（5）所述糊料组合物在焙烧时能够穿透所述至少一个绝缘层。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何提高糊料组合物的粘附性能。
对于区别（1）：对比文件1公开了糊料组合物可用作厚膜导电糊料，所属领域技术人员根据该糊料的导电性而将其加工成电极以传导电流是显而易见的。对比文件2公开了半导体器件可通过下述方法由结构构件制得，该结构构件由带结的半导体基片和形成于半导体基片主表面上的氮化硅绝缘膜组成。所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：将具有渗透绝缘膜能力的厚膜组合物以预定形状施加于绝缘膜的预定位置上；然后进行烧制以使得导电组合物熔化并透过绝缘膜，与基片形成电接触。该导电性厚膜组合物是一种厚膜糊浆组合物（参见对比文件2说明书第6页倒数第3段）。对比文件1的糊料组合物与对比文件2的糊料组合物相比，都包含导电金属源、玻璃料、有机载体，即两者组合物的主成分大致相同，因此所属领域技术人员在对比文件2的上述启示下，能够想到将对比文件1的糊料组合物用于具有绝缘膜的半导体基底上，这不需要付出创造性劳动。
对于区别（2）：对比文件1公开了基于所述组合物的总干重，金属片状或粉末填料的含量为25％-95％（即导电金属源含量为25-95%）。虽然对比文件1公开的导电金属源含量低于权利要求1所限定的“导电金属源大于95%-99.5%”，但是对比文件1所公开的组合物除了用作直接焊料、密封或粘合玻璃之外，还可以用于钝化、…、导电…或类似的电子浆料配方中（参见对比文件1说明书第7页第11-17段）。而根据不同的用途如糊料组合物用于导电时，为获得更好的导电性能，选择较高含量的导电金属源是常规技术手段。而且本申请的说明书第4页第22-28段记载了导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的75-99%，可见导电金属源含量在75-99%都能获得本申请声称的良好的导电性能（该数值与对比文件1公开的25-95%数值范围部分重叠），也就是说本申请进一步限定的“95-99.5%”并未带来更好的技术效果。此外，对比文件2也公开了银粉通常占该组合物中固体（即，将有机载体排除在外）的90-99%（参见对比文件2说明书第4页1-3段）。可见对比文件2也给出了选择金属源含量的相应技术启示。对于铅-碲氧化物含量，鉴于固体组合物由金属源、铅-碲氧化物、离散添加剂三种物质构成，因此在确定了导电金属源含量的基础上，根据常规经验进一步确定铅-碲氧化物含量显而易见，不需要付出创造性劳动。
对于区别（3）：对比文件1公开了玻璃组合物中含i)50％-85％的氧化碲；ii)0.1％-30％的银氧化物；iii)5％-30％的铅氧化物和/或锌氧化物；iv)任选地，0.1％-44.9％ 的选自Mg、Ti、Ta、Mo、B、W、Tl、V、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Zr、Hf、Si、Ge、Al、Ga、In、P、Sn、Sb、Bi、La或稀土金属中的一种或几种的氧化物。所属领域的技术人员很容易在对比文件1的基础上选取适当的小范围，例如当氧化碲为50％摩尔，而铅氧化物为30％摩尔，因而铅和碲阳离子的组合含量为80%摩尔，铅的阳离子与碲的阳离子的比率为0.6，均落入权利要求1限定的范围内。此外，对比文件1还公开了含LiF的重量百分比含量为小于5％。所属领域公知氟化物或氧化物都是常见的糊料组合物。为了改变影响焙烧的某些性能，如化学、热或流变性能，且玻璃料中不需要氟化物阴离子时，所属领域技术人员容易想到用氧作为阴离子替换对比文件1中LiF的氟离子，因此选择小于5重量%的Li2O替代LiF作为玻璃料的组成不需要付出创造性劳动。此外，对比文件2也公开了玻璃组合物中含Li2O（参见对比文件2说明书第4页倒数第1段-第5页第1段），可见对比文件2也给出添加Li2O的技术启示。
对于区别（4）：对比文件2公开了厚膜导电组合物包含分散于d)有机介质中的a)导电银粉；b)含锌添加剂；c)玻璃料。还包括其它金属/金属氧化物添加剂，它选自：(a)金属，所述金属选自：Ti、Mn、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu和Cr；(b)金属氧化物，MOx，其中M选自：Ti、Mn、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu和Cr；(c)经烧制能产生金属氧化物(b)的任何化合物；以及(d)它们的混合物。在总组合物中金属/金属氧化物添加剂和含锌添加剂的量占0.1-6重量％。氧化物如MnOx和Cu/CuOx以及其它氧化物在一定程度上有助于粘附（参见对比文件2权利要求1-2，说明书第5页4-8段）。对比文件2的背景技术部分也公开了JP-A 2001-313400教述的太阳能电池，其电极材料中包括粉末：钛、铋、钴、锌、锆、铁和铬。具有小于0.1?m粒径的粉末在电极中将会具有不良的可分散性，并且该电极将显示出不适宜的粘附强度（即JP-A 2001-313400教导了上述粉末能够改善粘附强度，参见对比文件2说明书第2页第4段）。可见为改善糊料组合物的粘附性，所属领域技术人员在对比文件2的启示下能够想到在对比文件1的糊料组合物中添加Ti、Mn、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu和Cr等金属及其氧化物，其技术效果能够预料。此外，对比文件2公开了在总组合物中金属/金属氧化物添加剂和含锌添加剂的量占0.1-6重量％，在此启示下根据常规经验得到离散的分散剂含量不需要付出创造性劳动。
对于区别（5）：通过对区别（1）-（4）的分析可知，得到权利要求1的组合物并将其用于半导体基底是显而易见的，因此该组合物在焙烧时穿透绝缘膜与基片形成电接触也是显而易见的。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及所属领域的常规技术手段得出权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2是对在前权利要求的进一步限定，对比文件2中公开了糊料组合物还包括其它金属/金属氧化物添加剂，它选自：(a)金属，所述金属选自：Ti、Mn、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu和Cr；(b)金属氧化物，MOx，其中M选自：Ti、Mn、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu和Cr；(c)经烧制能产生金属氧化物(b)的任何化合物；以及(d)它们的混合物。在总组合物中金属/金属氧化物添加剂和含锌添加剂的量占0.1-6重量％（参见对比文件2第5页第4-8段）。权利要求2的附加技术特征均已被对比文件2公开。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3是对在前权利要求的进一步限定，参考对权利要求1区别（3）的评述可知，本领域的技术人员很容易在对比文件1的基础上选取适当的小范围，例如当氧化碲为50％，而铅氧化物为30％，因而铅和碲阳离子的组合含量为80%，落入权利要求3限定的范围内。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4-5是对在前权利要求的进一步限定，基于权利要求1的创造性评述，对比文件1公开了金属片状或粉末填料，例如银。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求4-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求6要求保护一种用于在基底上形成导电结构的方法，参考对权利要求1的评述可知，权利要求6所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：（1）提供具有第一主表面的基底；（2）将糊料组合物施用到第一主表面的预选部分，并具体限定了糊料组合物；（3）焙烧基底和基底上的糊料组合物以形成导电结构。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何提高糊料组合物的粘附性能。
对于上述区别：参考对权利要求1区别（1）的分析可知，将对比文件1的组合物用于半导体基底是显而易见的。此外，对比文件2公开了一种由结构构件制造半导体器件的制造方法，并具体公开了：该结构构件由带结的半导体基片和形成于所述半导体基片主表面上的氮化硅绝缘膜组成（即具有第一主表面的基底）。所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：将本发明具有渗透绝缘膜能力的厚膜组合物以预定的形状施加（通常为涂覆和印刷）于绝缘膜的预定位置上；然后进行烧制以使导电膜组合物熔化并透过绝缘膜，与硅基片形成电接触。该导电性厚膜组合物是一种厚膜糊浆组合物（即糊料组合物），它是由分散在有机介质（即有机载体）中的银粉（相当于导电金属源）、含锌添加剂、具有300-600℃的软化点的玻璃或玻璃粉末混合物和任选的其它金属/金属氧化物添加剂制成的（参见对比文件2说明书第6页倒数第3段）。可见在对比文件2的上述启示下，提供具有第一主表面的基底、将糊料组合物施用到第一主表面的预选部分、焙烧基底和基底上的糊料组合物以形成导电结构都是显而易见的。至于糊料组合物的组成：参考对权利要求1相关部分的评述可知，其对所属领域技术人员而言是显而易见的。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2及所属领域常规技术手段得出权利要求6所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求6所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求7是对在前权利要求的进一步限定，对比文件2已经公开了所述基底包含存在于至少所述第一主表面上的绝缘层，并且将所述糊料组合物施用到所述第一主表面的绝缘层上（参见权利要求6的评述），对比文件2还公开了：所述绝缘层选自氧化钛、氮化硅、SiNx∶H、氧化硅和氧化硅/氧化钛薄膜（参见对比文件2说明书第7页第2段）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求8要求保护一种制品，其通过权利要求6或7所述方法形成。参考对权利要求6或7的评述可知，权利要求6或7的制备方法是显而易见的。此外，对比文件2公开了一种半导体器件，并公开了所述半导体器件的制备方法，半导体器件包括硅基片和导电结构（参见对比文件2说明书第6页倒数第3段）。由此可知，权利要求8所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：（1）对比文件1中导电金属的含量占组合物干重的25%至95%，本申请权利要求1的组合物中金属含量大于95%；（2）对比文件1是含铅-碲氧化物的玻璃料，对比文件2是含PbSiAlB玻璃料或无铅玻璃料，两者玻璃料的成分不同，对比文件2无法给出在对比文件1的糊料中添加离散氧化物的技术启示，而本申请同时实现了光转化效率高和粘附性好的技术效果；（3）对比文件1的粘附描述的是用来结合两种玻璃，或者玻璃、金属或陶瓷材料的组合，并强调了热膨胀系数的匹配是实现粘附性的关键，这不同于对比文件2以及本申请的粘附性；（4）对比文件1没有记载包含Pb-Te基玻璃料以及其它氧化物的导电组合物；（5）虽然对比文件2背景技术列出离散的添加剂如铋、锆、铁等，但是本申请表Ⅲ的比较例CE1和CE2中包含氧化铋，得到的电极粘附性很差，可见从对比文件2背景技术公开的离散添加剂中选择合适的种类以提高粘附性不是显而易见的。
对此，合议组认为：（1）对比文件1公开了基于所述组合物的总干重，金属片状或粉末填料的含量为25％-95％（即导电金属源含量为25-95%）。虽然对比文件1公开的导电金属源含量低于权利要求1所限定的“导电金属源大于95%-99.5%”，但是对比文件1所公开的组合物除了用作直接焊料、密封或粘合玻璃之外，还可以用于钝化、…、导电…或类似的电子浆料配方中（参见对比文件1说明书第7页第11-17段）。而根据不同的用途如糊料组合物用于导电时，为获得更好的导电性能，选择较高含量的导电金属源是常规技术手段。而且本申请的说明书第4页第22-28段记载了导电金属源占所述糊料组合物无机固体部分的75-99%，可见导电金属源含量在75-99%都能获得本申请声称的良好的导电性能（该数值与对比文件1公开的25-95%数值范围部分重叠），也就是本申请进一步限定的“95-99.5%”并未带来更好的技术效果。此外，对比文件2也公开了银粉通常占该组合物中固体（即，将有机载体排除在外）的90-99%（参见对比文件2说明书第4页1-3段）。这与本申请要保护的95%-99.5%数值范围部分重叠，可见对比文件2也给出了选择金属源含量的相应技术启示。（2）对比文件1、2的糊料组合物中都含有导电金属源、玻璃料、有机载体，两者的主成分大致相同；且对比文件1、2都公开了糊料组合物用于导电性厚膜，两者涉及的技术领域相同；虽然两者玻璃料的具体成分有所差异，但是这并不妨碍所属领域技术人员为解决对比文件1中粘附性的技术问题时，有动机的从领域相同、主成分相似的对比文件2中寻求解决方案，这并不存在技术障碍。综合上述（1）、（2）的分析可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2及常规技术手段获得光转化效率高（即导电性能好）和粘附性好的技术效果并不需要付出创造性劳动。（3）对比文件1公开的玻璃料可以用于密封玻璃，此时所称的粘附性确实不同于本申请和对比文件2的粘附性。然而对比文件1还公开了玻璃料可以用于厚膜糊料组合物，玻璃料与导电金属源、有机载体一起组成厚膜组合物（参见对比文件1第7页第28行-第8页第8行），该部分公开的内容才是与本申请最接近的技术方案，合议组也是以此处公开的技术方案作为最接近的现有技术，其所需解决的粘附性不高的技术问题，与对比文件2及本申请中粘附性含义相同。（4）参考对权利要求1的分析，对比文件1公开了玻璃料含有：i)50％-85％的氧化碲；ii)0.1％-30％的银氧化物；iii)5％-30％的铅氧化物和/或锌氧化物；iv)任选地，0.1％-44.9％ 的选自Mg、Ti、Ta、Mo、B、W、Tl、V、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Zr、Hf、Si、Ge、Al、Ga、In、P、Sn、Sb、Bi、La或稀土金属中的一种或几种的氧化物。且对比文件1公开了将金属片状或粉末填料（相当于导电金属源），例如银、金、铜、铝或焊料合金，混合于本发明的低熔点玻璃组合物中，通过与有机载体混合（相当于权利要求1的有机载体），上述金属-玻璃混合物形成糊料。可见对比文件1公开了包含Pb-Te基玻璃料以及其它氧化物的导电组合物。（5）本申请表Ⅲ的比较例CE1和CE2中所包含氧化铋是“基于铅-碲的氧化物组分”，比较例CE1和CE2中并未添加离散的添加剂（参见本申请表Ⅵ，粘剂增进元素一栏），正如复审请求人在意见陈述中所强调的“离散的氧化物添加剂独立于玻璃料”，因此不能将比较例CE1和CE2中所包含氧化铋理解为离散的添加剂，因此认为添加氧化铋作为离散的添加剂无法提高粘附性的理由不成立。综上所述，合议组对复审请求人的意见不予支持。
根据上述事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年10月16 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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