发明创造名称：用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法和系统
外观设计名称：
决定号：184926
决定日：2019-07-25
委内编号：1F271111
优先权日：
申请（专利）号：201310371044.0
申请日：2013-08-22
复审请求人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：陈力
合议组组长：周佳凝
参审员：祝晔
国际分类号：G03F1/36
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：?如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件相比，存在区别特征，该对比文件及其它对比文件未给出采用该区别特征的手段来解决相应技术问题的技术启示，且目前尚无证据可以证明采用该区别特征来解决上述技术问题属于本领域的公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310371044.0，名称为“用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法和系统”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司。本申请的申请日为2013年08月22日，公开日为 2015年03月18日 。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年11月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：本专利权利要求1-20不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2013年08月22日提交的权利要求第1-20项、说明书第1-94段、说明书附图1-4C、说明书摘要、摘要附图及申请人于2013年11月26日提交的说明书附图5A、5B。
驳回决定所针对的独立权利要求1、12如下：
“1、 一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法，包括：
从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；
将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；
将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上；以及
测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。
12、 一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集系统，包括：
晶片置于其上的机械平台，被配置成操纵所述晶片和扫描所述晶片上的块；和
耦合到所述机械平台的处理器，被配置成：
从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；
将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；
将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上；以及
测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。”
关于上述独立权利要求1、12，驳回决定中认为：（1）本申请权利要求1与对比文件1相比，其区别在于：用于光学邻近校正模型，扫描的对象为晶片，比较的对象为获得的图像与晶片的布局数据。然而，对于本领域技术人员而言， 由于OPC模型的校准数据收集过程也是拍摄晶片某个区域上的图像与晶片的布局数据进行比较，本领域技术人员有动机将对比文件1公开的图像数据处理方法用于OPC模型的校准数据收集，从而对晶片图形进行分块扫描，并将获得的全部块的扫描图像缝合成缝合图像，然后与晶片的布局数据进行映射比较获得校准数据。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的惯用手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1所请求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）本申请权利要求12与对比文件1相比，其区别在于：①用于光学邻近校正模型，扫描的对象为晶片，比较的对象为获得的图像与晶片的布局数据，由此获得校准数据。②晶片置于其上的机械平台，被配置成操纵所述晶片和扫描所述晶片上的块；和处理器耦合到所述机械平台。对于区别特征①，由于OPC模型的校准数据收集过程也是拍摄晶片某个区域上的图像与晶片的布局数据进行比较，本领域技术人员有动机将对比文件1公开的图像数据处理方法用于OPC模型的校准数据收集，从而对晶片图形进行分块扫描，并将获得的全部块的扫描图像缝合成缝合图像，然后与晶片的布局数据进行映射比较获得校准数据。对于区别特征②，使用机械平台实现晶片的位置改变是本领域中的常规设置方式，本领域技术人员有动机设置一机械平台方式晶片，并将该机械平台耦合于处理器实现晶片上各块的逐块拍摄。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的惯用手段得到该权利要求所请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求12所请求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服,于2019年01月14日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书全文修改替换页。具体修改为：在驳回决定所针对的独立权利要求1、12中均添加了特征“以便于定位用户感兴趣的预选位置”，修改后的独立权利要求1、12具体如下：
“1、一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法，包括：
从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；
将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；
将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置；以及
测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。
12、一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集系统，包括：
晶片置于其上的机械平台，被配置成操纵所述晶片和扫描所述晶片上的块；和
耦合到所述机械平台的处理器，被配置成：
从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；
将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；
将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置；以及
测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。”
基于上述修改，复审请求人认为：首先，对比文件1和本申请所要解决的技术问题不同。其次，对比文件1中PCB通常以mm为数量级，而本申请中的芯片通常以nm为数量级，两者尺寸悬殊，本领域技术人员没有动机去从对比文件1中给出的宏观的数据检测方案中去寻找本申请提出的微观的数据收集方案。再次，对比文件1和本申请中所使用的技术手段不同。对比文件1没有将PCB的设计外观映射到所获得的PCB的完整图像上，而是将两者进行比较分析以获得其间的差异，而本申请中将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置，两者作用不同，对比文件1没有给出映射操作的启示。最后，本申请是提供了一种用于光学邻近校正（OPC）模型的改进的校准数据收集方案。而对比文件1提供了一种能够获得受检电路板的完整图像，从而能够对受检电路板进行全方位的精确检测的自动光学检测方案。对比文件1不能实现本申请的技术效果。此外，对比文件2涉及一种微操作机器人系统显微视野拓展方法，其没有公开或建议权利要求1中的任一技术特征。基于上述理由，与上述现有技术相比，本申请权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步，具备了专利法第22条第3款规定的创造性。基于类似的理由，独立权利要求12也具备专利法第22条第3款的创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在本次复审程序中，复审请求人于2019年01月14日提交了权利要求书全文修改替换页。具体修改为：在驳回决定所针对的独立权利要求1、12中均添加了特征“以便于定位用户感兴趣的预选位置”，由此，将特征“将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上”进一步限定为“将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置”。经审查，上述修改可以根据本申请原说明书【0003】、【0035】、【0079】、【0081】段记载的内容直接地、毫无疑义地获得，故上述修改没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于2019年01月14日提交的权利要求第1-20项，于申请日2013年08月22日提交的说明书第1-94段、说明书附图1-4C、说明书摘要、摘要附图以及于2013年11月26日提交的说明书附图5A、5B。
关于专利法第22条第3款的规定
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
（1）本申请权利要求1请求保护一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法，对比文件1公开了一种自动光学检测装置及方法，并具体公开了以下技术特征（参见对比文件1全文）：为了克服现有技术中的AOI装置仅能够对受检PCB进行选择性局部检测的缺陷，提供一种能够获得受检电路板的完整图像，从而能够对受检电路板进行全方位的精确检测的自动光学检测装置及利用该装置实现的自动光学检测方法，其包括一图像获取单元及一图像处理单元，该图像获取单元用于相对于一受检电路板进行步进式的二维扫描移动，每次步进之后均对该受检电路板进行一次拍照，各次拍照获取的图像之和覆盖该受检电路板的完整表面，该图像处理单元用于将各次拍照获取的图像无缝拼接为该受检电路板的完整图像，并将拼接获得的该完整图像与该受检电路板的设计标准进行图像差异分析，以检测该受检电路板的外观缺陷，例如设有或未设有元件的区域中出现的多件、锡珠、金手指刮伤、凹陷、印刷电路板板材刮伤、来料不良等外观缺陷瑕疵。
由此可见，本申请权利要求1请求保护的方案与对比文件1相比，其区别在于：（1）本申请权利要求1请求保护的是一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法，其扫描的对象是晶片，而对比文件1中公开的是一种自动光学检测装置及方法，其是对PCB板进行拍照检测的方法，其拍照的对象是PCB板；（2）本申请权利要求1限定的方法还包括将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置，以及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据，而对比文件1中仅将拼接获得的受检电路板的完整图像与其设计标准进行图像差异分析，以检测该受检电路板的外观缺陷。基于上述区别特征，本申请权利要求1的方案解决了现有技术中定位不够精确，数据重用性差，过程可重复性差，需要人工干预，耗费大量时间和人力资源的问题。
驳回决定中认为：由于OPC模型的校准数据收集过程也是拍摄晶片某个区域上的图像与晶片的布局数据进行比较，本领域技术人员有动机将对比文件1公开的图像数据处理方法用于OPC模型的校准收据收集。对比文件1中明确记载了“该图像处理单元将拼接获得的该完整图像（即该受检电路板的实际外观）与该受检电路板的设计标准（即该受检电路板的设计外观）进行图像差异分析运算”，该过程就是将电路板的设计标准与实际受检电路板的完整图像进行映射的过程，由此认为，对比文件1的发明构思与本申请相同，技术手段相似。
经审查，合议组认为：首先，本申请说明书【0075】-【0076】段明确记载了“晶片的布局数据就象是北京市的设计图纸，其中示出了每个街道、建筑和其它设施的经纬度。映射就是把每个经纬度与对应的街道、建筑或其它设施关联起来”。而对比文件1说明书【0039】段中公开的差异分析是：该图像处理单元将拼接获得的该完整图像（即该受检电路板的实际外观）与该受检电路板的设计标准（即该受检电路板的设计外观）进行图像差异分析运算，以对该受检电路板的外观缺陷瑕疵进行全方位检测，例如检测是否存在多件、锡珠、金手指刮伤、凹陷、印刷电路板板材刮伤、来料不良等等，并在检测完成之后向检测人员显示检测结果，以待检测人员确认。由此可见，本申请中的“映射”与对比文件1中的“差异分析”含义并不相同，作用也不相同，两者并不能等同。本申请中拍摄晶片上某区域上的图像并不是与晶片的布局数据进行比较，而是将晶片的布局数据映射到缝合的图像上，即将位置坐标与相应的物体关联、对应起来。其次，本申请请求保护一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法，其是基于现有技术中对于感兴趣区域的定位不够精确，数据重用性差，过程可重复性差，需要人工干预，耗费大量时间和人力资源的问题提出的改进，通过将晶片的布局数据映射到多个扫描图像缝合后的图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置，及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据，而对比文件1公开的是一种自动光学检测装置及方法，其是针对PCB板的检测方法，其是基于现有技术中的AOI装置仅能够对受检PCB进行选择性局部检测的缺陷提出的改进，其通过将拼接获得的受检电路板的完整图像与其设计标准进行图像差异分析，以检测该受检电路板的外观缺陷，例如设有或未设有元件的区域中出现的多件、锡珠、金手指刮伤、凹陷、印刷电路板板材刮伤、来料不良等外观缺陷瑕疵。由此可见，两者所要解决的技术问题并不相同，本申请是如何可重复、无需人工干预地精确收集校正模型的校准数据，而对比文件1是如何对受检电路板进行全方位的精确检测；采用的具体解决手段也并不相同，本申请是将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置，及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据，而对比文件1是通过将拼接获得的受检电路板的完整图像与其设计标准进行图像差异分析，以检测该受检电路板的外观缺陷，进行的是图像和外观的对比。综上所述，本申请与对比文件1的发明构思，所要解决的技术问题，采用的技术手段并不相同，本领域技术人员在对比文件1的基础上没有动机对其进行改进以获得本申请权利要求1的技术方案，目前也没有证据证明将上述区别特征应用于对比文件1中以得到本申请权利要求1的方案属于本领域公知常识，且基于上述区别特征，本申请权利要求1具有上述的有益效果。因此，本申请权利要求1相对于对比文件1具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
独立权利要求12请求保护一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集系统，其是与权利要求1的收集方法对应的收集系统，其也包括上述“用于光学邻近校正模型的校准数据收集”及“将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上以便于定位用户感兴趣的预选位置，以及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据”的区别特征。因此，基于与上述评述权利要求1相同的理由，该权利要求12相对于对比文件1也具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
对比文件2公开了一种微操作机器人系统显微视野拓展方法，实质审查阶段并未使用该对比文件2评述独立权利要求1、12的创造性，且该对比文件2也未公开或给出启示获得上述区别特征。因此，其单独或与对比文件1结合均无法破坏本申请权利要求1、12的创造性。
（2）从属权利要求2-11、13-20直接或间接引用上述独立权利要求1或12，基于上述独立权利要求1或12相对于上述对比文件1、2具备创造性，上述从属权利要求2-11、13-20也具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
综上所述，本申请权利要求1-20相对于上述对比文件具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月05日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原专利实质审查部门在本复审请求审查决定的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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