发明创造名称：具有倒棱角的微电子管芯
外观设计名称：
决定号：185004
决定日：2019-07-24
委内编号：1F246705
优先权日：2015-02-10
申请（专利）号：201610011757.X
申请日：2016-01-08
复审请求人：英特尔公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：梅海燕
合议组组长：陈存敬
参审员：杨捷斐
国际分类号：B81B7/02(2006.01)
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：判断发明是否具备创造性，需要确定现有技术整体上是否存在技术启示，使本领域的技术人员在面对发明实际解决的技术问题时，改进最接近的现有技术并获得要求保护的技术方案，如果现有技术中存在这种技术启示，则发明是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610011757.X，名称为“具有倒棱角的微电子管芯”的发明专利申请（下称“本申请”）。本申请的申请人为英特尔公司，申请日为2016年01月08日，优先权日为2015年02月10日，公开日为2016年08月17日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年11月29日发出驳回决定，驳回了本申请，理由是：权利要求1-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：2017年05月19日提交的权利要求第1-24项；申请日2016年01月08日提交的说明书第0001-0072段（即第1-11页）、说明书附图1-19（即第1-11页）、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定引用的对比文件如下：
对比文件1：JP特开2006-294688A，公开日为2006年10月26日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种微电子装置，包括：
具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；
其中，微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边，
其中，所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，所述至少一个侧边在所述微电子管芯有源表面与所述微电子管芯背表面之间延伸，包括延伸穿过所述堆积层。
2. 根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸。
3. 根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸。
4. 根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。
5. 根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。
6. 根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
7. 根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，进一步包 括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至微电子衬底。
8. 根据权利要求7所述的微电子装置，其特征在于，在微电子管芯和微电子衬底之间设置有底部填充材料。
9. 一种制造微电子装置的方法，包括：
形成具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；以及
去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的一部分，以形成包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边的倒棱角，
在所述微电子管芯内形成堆积层，包括形成多个电介质层、多个导电迹线以及多个通孔，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，使所述至少一个侧边在所述微电子管芯有源表面与所述微电子管芯背表面之间延伸，包括延伸穿过所述堆积层。
10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸。
11. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸。
12. 根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的倒棱侧边。
13. 根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，去除在至少 两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的倒棱侧边。
14. 根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
15. 根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，进一步包括形成微电子衬底并且将微电子管芯电学地附接至微电子衬底上。
16. 根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括在微电子管芯和微电子衬底之间设置底部填充材料。
17. 一种电子系统，包括：
主板；以及
微电子封装，附接至主板，其中微电子封装包括：
具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；
其中，微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边，
其中，所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，所述至少一个侧边在所述微电子管芯有源表面与所述微电子管芯背表面之间延伸，包括延伸穿过所述堆积层。
18. 根据权利要求17所述的电子系统，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸。
19. 根据权利要求17所述的电子系统，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸。
20. 根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。
21. 根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。
22. 根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
23. 根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子封装进一步包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至微电子衬底。
24. 根据权利要求23所述的电子系统，其特征在于，在微电子管芯和微电子衬底之间设置有底部填充材料。”
驳回决定认为：本申请权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：微电子管芯底表面为有源表面；所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，至少一个侧边包括延伸穿过所述堆积层。本申请权利要求9所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：微电子管芯底表面为有源表面；在所述微电子管芯内形成堆积层，包括形成多个电介质层、多个导电迹线以及多个通孔，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，使所述至少一个侧边包括延伸穿过所述堆积层。本申请权利要求17所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：本申请涉及一种电子系统，基板设置为主板；微电子管芯底表面为有源表面, 所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，至少一个侧边包括延伸穿过所述堆积层。上述区别均是本领域的常用技术手段，因此，本申请的权利要求1、9、17相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-8、10-16、18-24的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域的常规技术手段，因此，上述权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2018年03月14日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了修改的权利要求书。具体修改是：将权利要求1、9、17中技术特征“所述至少一个侧边在所述微电子管芯有源表面与所述微电子管芯背表面之间延伸”修改为“所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面”；删除权利要求2、3、10、11、18、19，并修改了相应权利要求序号和引用关系。复审请求人认为：对比文件1没有公开修改后的本申请权利要求1所限定的技术特征：所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。本申请权利要求1所限定的延伸穿过堆积层的侧边解决了堆积层中的层间电介质分层所导致的封装失败的技术问题，对比文件1并未公开或教导穿过芯片的整个堆积层、从芯片的有源表面到其背表面引入一种压力释放机制，因此，对比文件1的技术方案并没有提供有关本申请权利要求1中的技术特征限定的任何启示。基于和权利要求1类似的原因，独立权利要求9、17也具备创造性。
复审请求人在2018年03月14日提交复审请求时提交的权利要求书如下：
“1. 一种微电子装置，包括：
具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；
其中，微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边，
其中，所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。
2. 根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。
3. 根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。
4. 根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
5. 根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，进一步包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至微电子衬底。
6. 根据权利要求5所述的微电子装置，其特征在于，在微电子管芯和微电子衬底之间设置有底部填充材料。
7. 一种制造微电子装置的方法，包括：
形成具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；以及
去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的一部分，以形成包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边的倒棱角，
在所述微电子管芯内形成堆积层，包括形成多个电介质层、多个导电迹线以及多个通孔，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，使所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的倒棱侧边。
9. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的倒棱侧边。
10. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
11. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括形成微电子衬底并且将微电子管芯电学地附接至微电子衬底上。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括在微电子管芯和微电子衬底之间设置底部填充材料。
13. 一种电子系统，包括：
主板；以及
微电子封装，附接至主板，其中微电子封装包括：
具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；
其中，微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边，
其中，所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。
14. 根据权利要求13所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。
15. 根据权利要求13所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。
16. 根据权利要求13所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
17. 根据权利要求13所述的电子系统，其特征在于，微电子封装进一步包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至微电子衬底。
18. 根据权利要求17所述的电子系统，其特征在于，在微电子管芯和微电子衬底之间设置有底部填充材料。 ”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年04月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：首先，对比文件1采取了对应结构（在下表面的边角处形成斜面）来缓解“半导体芯片的下表面边角处”的应力，解决在封装中，填充树脂中可能会产生从半导体芯片的下表面边角处开始的裂纹，导致破坏可靠性的问题，即对比文件1解决了填角破裂问题。其次，微电子管芯为包含导电结构以及多个电介质层的堆栈结构，是本领域微电子管芯的常规设置。对比文件1虽然未公开管芯包括堆积层及其具体的构造，但是在设置堆积层的常规选择的基础上，按照对比文件1的方式设置侧边，使其延伸穿过所述堆积层，在解决填角破裂这一技术问题的同时，也就解决了电介质分层问题。因此，对比文件1提供了相应的技术启示。故坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月25日向复审请求人发出复审通知书，指出：本申请权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：①微电子管芯底表面为有源表面；②所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层；③其中，所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。本申请权利要求7所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：①微电子管芯底表面为有源表面；②在所述微电子管芯内形成堆积层，包括形成多个电介质层、多个导电迹线以及多个通孔，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层；③其中，使所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。本申请权利要求13所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：①微电子管芯底表面为有源表面；②本申请涉及一种电子系统，基板设置为主板；③所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。上述区别均是本领域的公知常识（可参见公知常识证据：《现代集成电路制造工艺原理》，李惠军，山东大学出版社，2007年2月，第10-11页），因此，本申请的权利要求1、7、13相对于对比文件1和本领域公知常识的结合，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-6、8-12、14-18的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域的常规技术手段，因此，上述权利要求2-6、8-12、14-18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：微电子管芯的常规制备方法为根据需要设置多层电介质层，其中设置连通各层的导电孔和导电线，以实现各层之间信息传递，这些均是芯片制造领域的常规技术手段（可参见公知常识证据：《现代集成电路制造工艺原理》，李惠军，山东大学出版社，2007年2月，第10-11页），因而，“微电子管芯包括堆积层”对于本领域技术人员来说是公知常识，本领域技术人员能够根据对芯片的功能需要而设置堆积层。在此基础上，对于技术特征“所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层”，对比文件1中已经开了通过在半导体芯片角部设置倒棱侧边，以防止该半导体芯片在角部处的剥落以及破裂，即，对比文件1采用了和本申请相类似的结构，即在应力集中而易破裂的部位设置倒棱侧边，以分散应力，解决了相同的填角破裂的技术问题。本领域技术人员在对比文件1所公开的技术方案的启示下，能够想到在芯片加工过程中，对边角部等应力集中、容易破损的部位，设置倒棱侧边，以分散该部分应力。本领域的技术人员根据具体使用需求可将芯片设置为具有多个电介质层的堆栈结构，在使用过程中该多个电介质层的堆栈结构在边角处均易发生分层的技术问题是客观存在的，而其分层原因是由于该部分应力集中对于本领域技术人员也是显而易见的，因此，在对比文件1的启示下，本领域技术人员容易想到在具有多层电介质层的芯片的边角部位均设置倒棱侧边，即倒棱侧边从芯片的底表面延伸到芯片的背表面，延伸穿过堆积层，以分散这些部位的应力。
复审请求人于2019年04月12日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1未公开“所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层”（审查意见中的区别技术特征③）。复审请求人认为以上区别技术特征所要解决技术问题更确切的是：如何避免芯片边角处的破裂（如本申请图4中164）和微电子管芯堆积层层间分层以及堆积层侧边从底部填充材料分层（如本申请图3、图4中的阴影部分162）。 如本领域中所知的，边角处的破裂是由应力引起。堆积层层间的分层问题以及侧边与相邻结构的分层问题虽然也可由应力引起，但是与尖锐的边角所导致的破裂问题的不同之处在于，分层问题可通过许多可选的手段来解决，包括改进材料的成分、使用其他的替代材料、使用加固方法等等。在对比文件1完全没有考虑芯片1的侧边与相邻结构6的分离的问题的情况下，即便如审查员所言这种侧边分离也可由应力导致，本领域技术人员基于对比文件1的方案也完全不会想到通过使一个倒棱角侧边从有源表面完全延伸到管芯背表面来解决侧边分层问题。 对比文件1的图4中教示在晶片被切割成小块（图5）之前利用激光切割技术在各个小块的交界处（140）切割晶片以形成斜面la。这种方法对于切割边角以形成小的斜面是适用的，但是对于有堆积层的结构而言，如果要利用激光切割来形成通过整个堆积层的斜面，堆积层将很容易被贯穿破坏掉。换言之，对比文件1的斜面形成方法（激光切割）也使得本领域技术人员不容易想到使得斜面通过整个堆积层。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时提交了修改的权利要求书，经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。故本复审请求审查决定所依据的文本为：2018年03月14日提交的权利要求第1-18项；申请日2016年01月08日提交的说明书第1-11页、说明书附图第1-11页、说明书摘要和摘要附图。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
2.1权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种微电子装置，经查，对比文件1是最接近的现有技术，其公开了一种半导体器件（属于微电子装置），并具体披露了以下技术特征（参见说明书第0012-0014段、第0017-0034段以及附图1、4-8）：具有底表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的半导体芯片1（是本申请中微电子装置的下位概念），其中每个相邻的侧边在半导体芯片1底表面和半导体芯片1背表面之间延伸；其中，半导体芯片1包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边（附图5中101a）。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：①微电子管芯底表面为有源表面；②所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层；③其中，所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。
根据上述区别技术特征，可以确定权利要求1实际解决的技术问题是：如何设置电源位置；如何形成芯片；如何避免芯片边角处的破裂和分层。
对于上述区别特征①，微电子管芯底表面为有源表面，是本领域技术人员根据实际需要对于微电子有源部分设置的常规选择。
对于上述区别特征②，微电子管芯的常规制备方法为根据需要设置多层电介质层，其中设置连通各层的导电孔和导电线，以实现各层之间信息传递，这些均是芯片制造领域的常规技术手段（可参见公知常识证据：《现代集成电路制造工艺原理》，李惠军，山东大学出版社，2007年2月，第10-11页），因而，“微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层”是本领域的公知常识。
对于区别特征③，对比文件1中已经开了通过在半导体芯片角部设置倒棱侧边，以防止该半导体芯片在角部处的剥落以及破裂，即，对比文件1采用了和本申请相类似的结构“在应力集中而易破裂的部位设置倒棱侧边以分散应力”，解决了相同的填角破裂的技术问题。本领域技术人员在对比文件1所公开的技术方案的启示下，能够想到在芯片加工过程中，对边角部等应力集中、容易破损的部位，设置倒棱侧边，以分散该部分应力。芯片根据具体使用需求可设置为具有多个电介质层的堆栈结构，在使用过程中该多个电介质层的堆栈结构在边角处均易发生分层的技术问题是客观存在的，而其分层原因是由于该部分应力集中对于本领域技术人员也是显而易见的，因此，在对比文件1的启示下，本领域技术人员容易想到在具有多层电介质层的芯片的边角部位均设置倒棱侧边，即倒棱侧边从芯片的底表面延伸到芯片的背表面，延伸穿过堆积层，以分散这些部位的应力。
由此可知，在该对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.2权利要求2引用权利要求1，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0030-0031段、附图1、7-8）：至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。因此，在引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3权利要求3引用权利要求1，在对比文件1的基础上，为了更好的分散应力，本领域技术人员有动机设置使得至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。因此，在引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4权利要求4引用权利要求1，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0019-0029段、附图4-6）：至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。因此，在引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5权利要求5引用权利要求1，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0013段）：半导体器件还进一步包括微电子衬底3，其中半导体芯片1被电学地附接至微电子衬底3。因此，在引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6权利要求6引用权利要求5，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0013段）：在半导体芯片1和微电子衬底3之间设置有底部填充树脂材料6。因此，在引用的权利要求5不具备创造性时，从属权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7权利要求7请求保护一种制造微电子装置的方法，经查，对比文件1是最接近的现有技术，其公开了一种半导体器件（是微电子装置的下位概念）的制造方法，并具体披露了以下技术特征（参见说明书第0012-0014段、第0017-0034段以及附图1、4-8）：形成具有底表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的半导体芯片1（即本申请的微电子管芯），其中每个相邻的侧边在半导体芯片1底表面和微电子管芯背表面之间延伸；以及去除在至少两个相邻的侧边之间的半导体芯片1的一部分，以形成包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边的倒棱角，使所述至少一个侧边在半导体芯片1底表面与半导体芯片1背表面之间延伸。
权利要求7与对比文件1的区别技术特征为：①微电子管芯底表面为有源表面；②在所述微电子管芯内形成堆积层，包括形成多个电介质层、多个导电迹线以及多个通孔，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层；③其中，使所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。
根据上述区别技术特征，可以确定权利要求7实际解决的技术问题是：如何设置电源位置；如何形成芯片；如何避免芯片边角处的破裂和分层。
对于上述区别特征①，微电子管芯底表面为有源表面，是本领域技术人员根据实际需要对于微电子有源部分设置的常规选择。
对于上述区别特征②，微电子管芯的常规制备方法为根据需要设置多层电介质层，其中设置连通各层的导电孔和导电线，以实现各层之间信息传递，这些均是芯片制造领域的常规技术手段（可参见公知常识证据：《现代集成电路制造工艺原理》，李惠军，山东大学出版社，2007年2月，第10-11页），因而，“微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层”是本领域的公知常识。
对于上述区别特征③，对比文件1中已经开了通过在半导体芯片角部设置倒棱侧边，以防止该半导体芯片在角部处的剥落以及破裂，即，对比文件1采用了和本申请相类似的结构，“在应力集中而易破裂的部位设置倒棱侧边，以分散应力”，解决了相同的填角破裂的技术问题。本领域技术人员在对比文件1所公开的技术方案的启示下，能够想到在芯片加工过程中，对边角部等应力集中，容易破损的部位，设置倒棱侧边，以分散该部分应力。芯片根据具体使用需求可设置为具有多个电介质层的堆栈结构，在使用过程中该多个电介质层的堆栈结构在边角处均易发生分层的技术问题是客观存在的，而其分层原因是由于该部分应力集中对于本领域技术人员也是显而易见的，因此，在对比文件1的启示下，本领域技术人员容易想到在具有多层电介质层的芯片的边角部位均设置倒棱侧边，即倒棱侧边从芯片的底表面延伸到芯片的背表面，延伸穿过堆积层，以分散这些部位的应力。
由此可知，在该对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8权利要求8引用权利要求7，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0030-0031段、附图1、7-8）：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的倒棱侧边。因此，在引用的权利要求7不具备创造性时，从属权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9权利要求9引用权利要求7，在对比文件1的基础上，为了更好的分散应力，本领域技术人员有动机设置去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的倒棱侧边。因此，在引用的权利要求7不具备创造性时，从属权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10权利要求10引用权利要求7，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0019-0029段、附图4-6）：除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括：去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。因此，在引用的权利要求7不具备创造性时，从属权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11权利要求11引用权利要求7，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0013段）：半导体器件还进一步包括形成微电子衬底3，并且将半导体芯片1电学地附接至微电子衬底3。因此，在引用的权利要求7不具备创造性时，从属权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.12权利要求12引用权利要求11，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0013段）：进一步包括在半导体芯片1和微电子衬底3之间设置底部填充树脂材料6。因此，在引用的权利要求11不具备创造性时，从属权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.13权利要求13请求保护一种电子系统，经查，对比文件1是最接近的现有技术，其公开了一种半导体器件，并具体披露了以下技术特征（参见说明书第0012-0014段、第0017-0034段以及附图1、4-8）：
基板3；以及
微电子封装，附接至基板，其中微电子封装包括：
具有底表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的半导体芯片1（即微电子管芯），其中每个相邻的侧边在半导体芯片1底表面和半导体芯片1背表面之间延伸；
其中，半导体芯片1包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边。
权利要求13与对比文件1的区别技术特征为：①微电子管芯底表面为有源表面；②本申请涉及一种电子系统，基板设置为主板；③所述微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层，且其中，所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层。
根据上述区别技术特征，可以确定权利要求13实际解决的技术问题是：如何设置电源位置；如何形成电子系统；如何形成芯片并避免芯片边角处的破裂和分层。
对于上述区别特征①，微电子管芯底表面为有源表面，是本领域技术人员根据实际需要，对于微电子有源部分设置的常规选择。
对于上述区别特征②，对比文件1已经公开了将半导体芯片1附接至基板3，在此基础上，本领域技术人员根据使用需要能够想到选择主板作为基板，将半导体芯片附接至主板以构成电子系统，且这种结构也是本领域所常见的。
对于上述区别特征③，微电子管芯的常规制备方法为根据需要设置多层电介质层，其中设置连通各层的导电孔和导电线，以实现各层之间信息传递，这些均是芯片制造领域的常规技术手段（可参见公知常识证据：《现代集成电路制造工艺原理》，李惠军，山东大学出版社，2007年2月，第10-11页），因而，“微电子管芯包括堆积层，所述堆积层包括多个电介质层，所述电介质层具有在所述多个电介质层与多个导电通孔之间的多个导电迹线，所述导电通孔在所述多个导电迹线之间延伸穿过所述多个电介质层”是本领域的公知常识。此外，对于技术特征“所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层”，对比文件1中已经开了通过在半导体芯片角部设置倒棱侧边，以防止该半导体芯片在角部处的剥落以及破裂，即，对比文件1采用了和本申请相类似的结构“在应力集中而易破裂的部位设置倒棱侧边，以分散应力”，解决了相同的填角破裂的技术问题。本领域技术人员在对比文件1所公开的技术方案的启示下，能够想到在芯片加工过程中，对边角部等应力集中，容易破损的部位，设置倒棱侧边，以分散该部分应力。芯片根据具体使用需求可设置为具有多个电介质层的堆栈结构，在使用过程中该多个电介质层的堆栈结构在边角处均易发生分层的技术问题是客观存在的，而其分层原因是由于该部分应力集中对于本领域技术人员也是显而易见的，因此，在对比文件1的启示下，本领域技术人员容易想到在具有多层电介质层的芯片的边角部位均设置倒棱侧边，即倒棱侧边从芯片的底表面延伸到芯片的背表面，延伸穿过堆积层，以分散这些部位的应力。
由此可知，在该对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.14权利要求14引用权利要求13，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0030-0031段、附图1、7-8）：至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求14不具备有专利法第22条第3款规定的创造性。
2.15权利要求15引用权利要求13，在对比文件1的基础上，为了更好的分散应力，本领域技术人员有动机设置使得至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。因此，在引用的权利要求13不具备创造性时，从属权利要求15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.16权利要求16引用权利要求13，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0019-0029段、附图4-6）：至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。因此，在引用的权利要求13不具备创造性时，从属权利要求16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.17权利要求17、18分别引用权利要求13，对比文件1还公开了如下特征（参见说明书第0013段）：半导体器件还进一步包括微电子衬底3，其中半导体芯片1被电学地附接至微电子衬底3；在半导体芯片1和微电子衬底3之间设置有底部填充树脂材料6。因此，在引用的权利要求13不具备创造性时，从属权利要求17、18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.关于复审请求人的意见陈述
复审请求人认为：对比文件1未公开“所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层”（审查意见中的区别技术特征③）。审查意见中总结该区别技术特征所要解决的技术问题是：如何避免芯片边角处的破裂和分层。复审请求人认为以上区别技术特征所要解决技术问题更确切的是：如何避免芯片边角处的破裂（如本申请图4中164）、和微电子管芯堆积层层间分层以及堆积层侧边从底部填充材料分层（如本申请图3、图4中的阴影部分162）。 如本领域中所知的，边角处的破裂是由应力引起。堆积层层间的分层问题、以及侧边与相邻结构的分层问题虽然也可由应力引起，但是与尖锐的边角所导致的破裂问题的不同之处在于，分层问题可通过许多可选的手段来解决，包括改进材料的成分、使用其他的替代材料、使用加固方法等等。在对比文件1完全没有考虑芯片1的侧边与相邻结构6的分离的问题的情况下，即便如审查员所言这种侧边分离也可由应力导致，本领域技术人员基于对比文件1的方案也完全不会想到通过使一个倒棱角侧边从有源表面完全延伸到管芯背表面来解决侧边分层问题。 对比文件1的图4中教示在晶片被切割成小块（图5）之前利用激光切割技术在各个小块的交界处（140）切割晶片以形成斜面la。这种方法对于切割边角以形成小的斜面是适用的，但是对于有堆积层的结构而言，如果要利用激光切割来形成通过整个堆积层的斜面，堆积层将很容易被贯穿破坏掉。换言之，对比文件1的斜面形成方法（激光切割）也使得本领域技术人员不容易想到使得斜面通过整个堆积层。
对此，合议组认为：本申请中关于“分层”问题，在说明书中记载了“微电子封装100中的大多数应力发生在微电子管芯110的角160处的相对尖锐的角度处。在角160处的这些应力 (也称作“积聚点”)可以导致微电子管芯侧边1161、1162、1163和1164从相邻于微电子管芯角160的底部填充材料填角142处分开或者分层”（见第0031段），“这八个角将应力分散至额外的积聚点，因此减少了分层和破裂的可能性”（见第0032段），可见，分层产生于微电子管芯角部，产生的原因在于微电子管芯角部应力集中。复审请求人所述的“微电子管芯堆积层层间分层以及堆积层侧边从底部填充材料分层”均发生在微电子管芯角部，因此，合议组对技术问题的认定并无不当。
微电子管芯的常规制备方法为根据需要设置多层电介质层，其中设置连通各层的导电孔和导电线，以实现各层之间信息传递，这些均是芯片制造领域的常规技术手段（可参见公知常识证据：《现代集成电路制造工艺原理》，李惠军，山东大学出版社，2007年2月，第10-11页），因而，“微电子管芯包括堆积层”对于本领域技术人员来说是公知常识，虽然对比文件1中未明确公开微电子管芯包括堆积层，但是，通过设置堆积层实现对比文件1中微电子管芯功能对于本领域技术人员是显而易见的。本领域的技术人员根据具体使用需求可将芯片设置为具有多个电介质层的堆栈结构，在使用过程中该多个电介质层的堆栈结构在边角处均易发生分层的技术问题是客观存在的，而其分层原因是由于该部分应力集中对于本领域技术人员也是显而易见的。在对比文件1的“在应力集中而易破裂的部位设置倒棱侧边，以分散应力”启示下，本领域技术人员容易想到在具有多层电介质层的芯片的边角部位均设置倒棱侧边，即倒棱侧边从芯片的底表面延伸到芯片的背表面，延伸穿过堆积层，以分散这些部位的应力，从而避免应力集中产生的角部分层问题。
本申请权利要求1、7、13与对比文件1的区别特征③中“所述至少一个侧边从所述微电子管芯有源表面延伸到所述微电子管芯背表面，包括延伸穿过所述堆积层”并未对形成倒棱角的方法进行特别限定，而且本申请说明书中也记载了“可以使用激光(例如紫外激光、超快激光等)来切单颗并且在每个微电子管芯110上形成倒棱角170”（见第0033段），可见，本申请也记载了通过激光切割形成倒棱角的方案，因此，激光切割方法与使得斜面通过整个堆积层并不矛盾。此外，虽然对比文件1中仅公开了通过激光切割技术在各个小块的交界处切割晶片以形成斜面la（即倒棱角），但是，在芯片制造技术领域，存在着多种形成斜面的加工方法，本领域技术人员能够根据具体加工对象的不同而选择合适的加工方法，这种选择不需要付出任何创造性劳动。因此，复审请求人的意见没有说服力。
因此，合议组对复审请求人主张的观点不予支持。
综上所述，本案合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年11月29日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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