发明创造名称：用于晶圆级相机的晶圆间隔件及其制造方法
外观设计名称：
决定号：185353
决定日：2019-07-23
委内编号：1F264366
优先权日：2011-11-10
申请（专利）号：201210430686.9
申请日：2012-11-01
复审请求人：豪威科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：陈凯
合议组组长：扈燕
参审员：张鑫
国际分类号：G03F7/00,G03B17/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在多个区别技术特征，但是本领域中其它的对比文件给出了将部分区别技术特征引入最接近现有技术以解决其技术问题的技术启示，并且其它区别技术特征是本领域的常规技术手段，则该技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201210430686.9，名称为“用于晶圆级相机的晶圆间隔件及其制造方法”的发明专利申请（以下简称本申请），申请人原为全视技术有限公司，后变更为豪威科技股份有限公司。本申请的申请日为2012年11月01日，优先权日为2011年11月10日，申请公布日为2013年05月15日。
国家知识产权局专利实质审查部门依法对本申请进行了实质审查，于2018年07月16日以本申请权利要求1-32不具备专利法第22条第3款规定的创造性为理由驳回了本申请。驳回决定中使用了如下3篇对比文件：21
对比文件2：CN102012633A，其申请公布日为2011年04月13日；
对比文件3：US2011/0181854A1，其公开日为2011年07月28日；
对比文件4：CN1924628A，其公开日为2007年03月07日。
驳回决定所依据的文本为申请人于2017年08月15日提交的权利要求第1-32项，于申请日2012年11月01日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-87段，说明书附图图1-21。
驳回决定所针对的权利要求书共包括32项权利要求，权利要求的内容如下：
“1. 一种制造用于晶圆级相机的晶圆间隔件的方法，包括：
在基板上形成光刻胶层，其中，对于未填充有元件的基板，通过旋转涂布的方式将所述光刻胶层形成到所述未填充的基板上，对于预填充有至少一个元件的基板，通过固定容积注射处理将所述光刻胶层形成到所述预填充的基板上，所述至少一个元件包括透镜或位于所述基板上的基准标记之一；
通过掩模使所述光刻胶层在辐射下曝光，所述掩模限定至少一个晶圆级相机元件的间隔件几何形状；
显影所述光刻胶层，以使所述光刻胶层是用于所述晶圆级相机的所述晶圆间隔件并包括所述光刻胶层中的基准标记，所述光刻胶层中的基准标记不同于所述基板上的基准标记；以及
将所述光刻胶层加工成期望的厚度。
2. 根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述基板上形成所述光刻胶层之前，在所述基板上形成牺牲层；以及
在显影所述光刻胶层之后，移除所述牺牲层，以使所述光刻胶层是独立的间隔件。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲层包括聚苯乙烯。
4. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲层包括蜡。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层为负型光刻胶层。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层为环氧树脂基光刻胶层。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层为SU-8光刻胶层。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆间隔件的厚度小于300μm。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层被加工成小于300μm的厚度。
10. 根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述光刻胶层加工成多个厚度。
11. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在曝光所述光刻胶层之前，将掩模相对于所述光刻胶层对准。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述掩模限定将在所述光刻胶层中形成的至少一个孔。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中，将在所述光刻胶层中形成的所述孔是锥形的。
14. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述光刻胶层之前，在所述基板中形成所述至少一个元件。
15. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板由玻璃形成。
16. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述基板上形成所述光刻胶层之前，在所述基板上形成助黏剂层。
17. 根据权利要求1所述的方法，其中：
所述光刻胶层形成在所述基板的第一表面上；以及
所述方法还包括：
在所述基板的第二表面上形成第二光刻胶层，以使第一晶圆间隔件和第二晶圆间隔件分别形成在所述基板的所述第一表面和所述第二表面。
18. 一种晶圆级相机，包括：
元件层，由基板形成，在所述基板上形成包括所述基板上的基准标记的至少一个元件；以及
晶圆间隔件，所述晶圆间隔件位于所述元件层，所述晶圆间隔件由光刻胶层通过固定容积注射处理并加工成具有用于校正聚焦变化的非均匀厚度而形成，并且所述晶圆间隔件具有在所述光刻胶层中的基准标记，所述光刻胶层中的基准标记不同于所述基板上的基准标记。
19. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述光刻胶层为负型光刻胶层。
20. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述光刻胶层为环氧树脂基光刻胶层。
21. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述光刻胶层为SU-8光刻胶层。
22. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述晶圆间隔件的厚度小于300μm。
23. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述至少一个元件包括透镜。
24. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述元件层由玻璃形成。
25. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述晶圆间隔件包括至少一个孔。
26. 根据权利要求25所述的晶圆级相机，其中，所述孔是锥形的。
27. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述晶圆间隔件形成在所述元件层的第一表面上，并且还包括第二晶圆间隔件，所述第二晶圆间隔件形成在所述组件层的第二表面上，以使第一晶圆间隔件和第二晶圆间隔件分别形成在所述元件层的所述第一表面和所述第二表面上。
28. 根据权利要求18所述的晶圆级相机，其中，所述晶圆间隔件的厚度限定所述晶圆级相机的所述至少一个元件和第二元件之间的间隔。
29. 根据权利要求28所述的晶圆级相机，其中，所述至少一个元件和所述第二元件的至少之一为透镜或传感器的至少之一。
30. 一种用于晶圆级相机的晶圆间隔件，包括：
光刻胶层，所述光刻胶层被加工成期望的厚度，并且对于未填充有元件的基板，所述光刻胶层通过旋转涂布的方式形成到所述未填充的基板上，对于预填充有至少一个元件的基板，所述光刻胶层通过固定容积注射处理形成到所述预填充的基板上，所述至少一个元件包括透镜或位于所述基板上的基准标记之一；以及
在所述光刻胶层上形成的图案，所述图案限定所述晶圆级相机的至少一个元件的几何形状以及所述光刻胶层中的基准标记，所述光刻胶层中的基准标记不同于所述基板上的基准标记。
31. 根据权利要求30所述的晶圆间隔件，其中，所述晶圆间隔件的厚度限定所述晶圆级相机的所述至少一个元件和第二元件之间的间隔。
32. 根据权利要求31所述的晶圆间隔件，其中，所述至少一个元件和所述第二元件的至少一个是透镜或传感器的至少一个。”
驳回决定主要认为：权利要求1与对比文件4相比的区别技术特征在于：①对于未填充有元件的基板，通过旋转涂布的方式将所述光刻胶层形成到所述未填充的基板上，对于预填充有至少一个元件的基板，通过固定容积注射处理将所述光刻胶层形成到所述预填充的基板上；②所述光刻胶层中包括基准标记，且不同于基板上的基准标记；③所述光刻胶层在形成层后还经过一个“加工”步骤才形成期望的厚度。然而上述区别技术特征均为本领域的常规技术手段，因此，在对比文件4的基础上结合本领域的常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-17直接或间接引用权利要求1，其附加技术特征或者被对比文件4、对比文件2或对文件3公开或者属于本领域技术人员的常规技术手段或常规选择，因此，在其引用的独立权利要求1不具备创造性时，从属权利要求2-17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求18请求保护一种晶圆级相机，权利要求18与对比文件4相比的区别技术特征在于：①所述光刻胶层通过固定容积注射处理并加工成具有用于校正聚焦变化的非均匀厚度；②所述光刻胶层中包括基准标记，且不同于基板上的基准标记。然而上述区别技术特征均为本领域的常规技术手段，因此，在对比文件4的基础上结合本领域的常规技术手段得到权利要求18所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求18所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求19-29直接或间接引用权利要求18，其附加技术特征或者被对比文件4或对文件3公开或者属于本领域技术人员的常规技术手段或常规选择，因此，在其引用的独立权利要求18不具备创造性时，从属权利要求19-29也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求30请求保护一种用于晶圆级相机的晶圆间隔件，其特征与权利要求1中的特征相对应，参照权利要求1的评述，基于类似的理由，权利要求30也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求31、32直接或间接引用权利要求30，其附加技术特征被对比文件4公开，因此，在其引用的独立权利要求30不具备创造性时，从属权利要求31、32也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人豪威科技股份有限公司（以下简称复审请求人）不服上述驳回决定，于2018年10月31日向国家知识产权局提出复审请求，但未对申请文件进行修改。
复审请求人认为，掩模中的几何形状通过对光刻胶层的曝光和显影转移到光刻胶层形成为光刻胶的基准标记，该基准标记的一个重要作用是用来限定间隔件的几何形状，不属于本领域惯用技术手段。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至专利实质审查部门进行前置审查。
经前置审查，专利实质审查部门仍坚持驳回决定。
在此基础上，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审查，并于2019年05月14日发出复审通知书，指出：
驳回决定所针对的权利要求1-32保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性：权利要求1与对比文件4相比其区别技术特征在于：①对于未填充有元件的基板，通过旋转涂布的方式将所述光刻胶层形成到所述未填充的基板上，对于预填充有至少一个元件的基板，通过固定容积注射处理将所述光刻胶层形成到所述预填充的基板上；②所述光刻胶层中的基准标记不同于基板上的基准标记；③将所述光刻胶层加工成期望的厚度。然而上述区别技术特征均为本领域的常规技术手段，因此，在对比文件4的基础上结合本领域的常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-17直接或间接引用权利要求1，其附加技术特征或者被对比文件4、对比文件2或对文件3公开或者属于本领域技术人员的常规技术手段或常规选择，因此，在其引用的独立权利要求1不具备创造性时，从属权利要求2-17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求18请求保护一种晶圆级相机，权利要求18与对比文件4相比的区别技术特征在于：①所述光刻胶层通过固定容积注射处理并加工成具有用于校正聚焦变化的非均匀厚度；②包含在所述光刻胶层中的基准标记不同于基板上的基准标记。然而上述区别技术特征均为本领域的常规技术手段，因此，在对比文件4的基础上结合本领域的常规技术手段得到权利要求18所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求18所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求19-29直接或间接引用权利要求18，其附加技术特征或者被对比文件4或对文件3公开或者属于本领域技术人员的常规技术手段或常规选择，因此，在其引用的独立权利要求18不具备创造性时，从属权利要求19-29也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求30请求保护一种用于晶圆级相机的晶圆间隔件，其特征与权利要求1中的特征相对应，参照权利要求1的评述，基于类似的理由，权利要求30也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求31、32直接或间接引用权利要求30，其附加技术特征被对比文件4公开，因此，在其引用的独立权利要求30不具备创造性时，从属权利要求31、32也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年06月28日针对复审通知书进行了意见陈述，同时提交了权利要求书全文的修改替换页。修改后的权利要求1-17如下：
“1. 一种制造用于晶圆级相机的晶圆间隔件的方法，包括：
在（i）基板的上表面和（ii）直接形成在所述基板的所述上表面上的助粘剂层中的一者上直接形成牺牲层；
在所述基板上形成光刻胶层， 以使所述牺牲层位于所述基板和所述光刻胶层之间；
通过掩模使所述光刻胶层在辐射下曝光，所述掩模限定孔的图案并限定晶圆间隔件的几何形状；
显影所述光刻胶层， 以使所述光刻胶层是用于所述晶圆级相机的所述晶圆间隔件； 以及
在显影所述光刻胶层之后移除所述牺牲层， 以使所述晶圆间隔件是独立的间隔件。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括聚苯乙烯。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括蜡。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层为负型光刻胶层。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层为环氧树脂基光刻胶层。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层为SU-8光刻胶层。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆间隔件的厚度小于300μm。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层被加工成小于300μm的厚度。
9. 根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述光刻胶层加工成多个厚度。
10. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在曝光所述光刻胶层之前，将掩模相对于所述光刻胶层对准。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述掩模限定将在所述光刻胶层中形成的至少一个孔。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，将在所述光刻胶层中形成的所述孔是锥形的。
13. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述光刻胶层之前，在所述基板中形成所述至少一个元件。
14. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板由玻璃形成。
15. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述基板上形成所述光刻胶层之前，在所述基板上形成助黏剂层。
16. 根据权利要求1所述的方法，其中：
所述光刻胶层形成在所述基板的第一表面上；以及
所述方法还包括：
在所述基板的第二表面上形成第二光刻胶层，以使第一晶圆间隔件和第二晶圆间隔件分别形成在所述基板的所述第一表面和所述第二表面。
17. 根据权利要求1所述的方法，其中所述基板是空基板。”
复审请求人认为修改后本申请的技术方案具备创造性，主要意见陈述如下：(1)对比文件4没有公开形成牺牲层和移除牺牲层的步骤，如果在镜片基板20和感光性高分子材料30之间形成牺牲层，在显影光刻胶层之后再去除该牺牲层，将导致接合层50与镜片基板20分离，不满足其作为透镜组件的一部分预期的用途，因此本领域技术人员没有动机对对比文件4中的技术方案进行改进使其包括形成牺牲层和移除牺牲层的步骤；（2）对比文件4中的镜片基板如果使用空基板，将导致结合层50的间隔厚度不精确。
在此基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）关于审查文本
复审请求人于2019年06月28日提交了权利要求书全文的修改替换页，因此，本决定针对的审查文本为：复审请求人于2019年06月28日提交的权利要求第1-17项，于申请日2012年11月01日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-87段、说明书附图1-21。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
1、关于权利要求1
权利要求1请求保护一种制造用于晶圆级相机的晶圆间隔件的方法，对比文件4公开了一种对正精度佳且可同步间隔与固接相邻元件的微型镜头的制造方法（隐含公开了相机，相当于权利要求1中的晶圆级相机），二者均属于微型相机制造技术领域。对比文件4具体公开了如下内容（参见说明书第1页第3段、第2页第4段至第3页第1段、第4页第1段至第7页第4段，附图7-13）：该第一镜片基板20具有多数对应于影像感测元件11的第一投射部21，及四个两两成一组并对应于对正标记12的第一对正标记22；将一感光性高分子材料30涂布于该第一镜片基板20上；软烤该第一镜片基板20，使该感光性高分子材料30略为凝固；利用光罩40将该第一镜片基板20曝光，该光罩40具有多数对应于所述第一投射部21的穿孔41及二对应于所述第一对正标记22的对正孔42；利用显影剂将该第一镜片基板20显影，该感光性高分子材料30即会在第一镜片基板20上形成一层第一接合层50，该第一接合层50具有多数对应于第一投射部21的第一穿孔51及对应于第一对正标记22的第一对正孔52；准备一第二镜片基板60，该第二镜片基板60具有多数对应于所述影像感测元件11的第二投射部61，及四个两两成一组并对应于所述对正标记12的第二对正标记62，如图10所示，其过程是相似于图6所示的步骤（二）至（五），该感光性高分子30也可在该第二镜片基板60上形成一层第二接合层70，而该第二接合层70也具有多数对应于所述第二投射部61的第二穿孔71，及二对应于所述第二对正标记62的第二对正孔72。
基于对比文件4公开的上述内容可知，其中第一镜片基板20或第二镜片基板60相当于本申请权利要求1中的基板；将一感光性高分子材料 30涂布于该第一镜片基板20或第二镜片基板60上，并软烤使其凝固的步骤相当于本申请权利要求1中的在基板上形成光刻胶层；利用光罩40将该第一镜片基板20曝光，相当于本申请中的通过掩模使所述光刻胶层在辐射下曝光，该光罩40具有多数对应于所述第一投射部21的穿孔41，相当于本申请权利要求1中的所述掩模限定孔的图案并限定晶圆间隔件的几何形状；利用显影剂将第一镜片基板20或第二镜片基板60显影分别形成第一接合层50和第二接合层70的步骤相当于本申请中的显影所述光刻胶层，以使所述光刻胶层是用于所述晶圆级相机的所述晶元间隔件。
本申请权利要求1与对比文件4相比，其区别技术特征在于：在（i）基板的上表面和（ii）直接形成在所述基板的所述上表面上的助粘剂层中的一者上直接形成牺牲层；所述牺牲层位于所述基板和所述光刻胶层之间，在显影所述光刻胶层之后移除所述牺牲层，以使所述晶圆间隔件是独立的间隔件。
基于上述区别技术特征，权利要求1请求保护的技术方案实际所要解决的技术问题是如何使晶圆间隔件成为独立的间隔件。
对于上述区别技术特征，对比文件2公开了一种基于SU-8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法，并具体公开了如下内容（参见说明书第0007-0018段，图1）：首先清洁处理玻璃基底3，其次制作PDMS牺牲层4，将PDMS粘稠液体浇铸到玻璃基底3上，利用热台烘烤以固化PDMS牺牲层4；在所述牺牲层4上旋涂2100型SU-8光刻胶5，烘烤、曝光，最后旋涂2025型SU-8光刻胶6；经压印、曝光、显影、键合等步骤后，将玻璃基底3以及PDMS牺牲层4去除，实现流体系统自支撑结构的制作。由此可见，对比文件2已经公开了有关形成牺牲层的技术特征，并且上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请权利要求1中的作用相同，即通过在基板和光刻胶层之间形成牺牲层以使光刻胶层成为独立的间隔件。在对比文件4、2公开的上述内容基础上，本领域技术人员能够从对比文件2中得到启示，将上述技术特征应用到对比文件4的技术方案中从而得到独立的晶圆相机间隔件。而对于在基板的上表面上的助粘剂层上形成牺牲层，本领域技术人员均知，根据间隔件制造需求，在基板上形成光刻胶层之前先形成助黏剂层，属于本领域的常规技术手段，当需要制作独立的晶圆件时，本领域技术人员能够想到选择对比文件2中的制作方法，在基板上的助粘剂层表面形成牺牲层从而得到独立的晶圆间隔件。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件2和本领域技术人员的常规技术手段得到该权利要求1所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人认为：如果在对比文件4中的镜片基板20和感光性高分子材料30之间形成牺牲层，显影光刻胶层之后再去除该牺牲层，将导致接合层50与镜片基板20分离，不满足其作为透镜组件的一部分预期的用途，因此本领域技术人员没有动机对对比文件4中的技术方案进行改进使其包括形成牺牲层和移除牺牲层的步骤。
对此，合议组认为：本申请相对于对比文件4的上述区别技术特征实际解决的技术问题是如何使晶圆间隔件成为独立的间隔件，对比文件2中公开了在基板上形成牺牲层并将牺牲层去除的步骤，即在基板的上表面上直接形成牺牲层以使光刻胶层成为独立的间隔件，既公开了上述区别技术特征，也给出了将其结合到对比文件4的技术启示。当需要制作独立的晶圆间隔件时，本领域技术人员能够从对比文件2中得到启示，将上述方法应用到对比文件4的技术方案中，从而得到本申请权利要求1中的技术方案，即通过在基板或助粘剂层的上表面形成牺牲层以及将牺牲层去除后分离基板和光刻胶层，得到独立的晶圆间隔件，这对本领域技术人员而言是显而易见的，其效果也是可以预期的。对比文件4中正是由于其不需要形成独立的间隔件，因而不需要采用牺牲层结构，这仅仅取决于晶元设计的不同需求，并不影响当需要形成独立的间隔件时引入对比文件2公开的相关技术特征与之结合。因此，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
2、关于权利要求2-3
权利要求2、3分别是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征分别为：所述牺牲层包括聚苯乙烯；所述牺牲层包括蜡。对本领域技术人员而言，聚苯乙烯和蜡均为常见的牺牲层材料，属于本领域的常规选择，其效果也是可以预期的。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求2和3都不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求4-6
权利要求4-6分别是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征分别为：所述光刻胶层为负型光刻胶层；所述光刻胶层为环氧树脂基光刻胶层；所述光刻胶层为SU-8光刻胶层。对比文件4（参见说明书第4页第11段至第5页第1段）公开了该感光性高分子材料30也可采用负光阻（即负型光刻胶），例如SU-8系列光阻（属于环氧树脂基光刻胶）。可见，对比文件4公开了权利要求4-6的附加技术特征。因此，在引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求4-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于权利要求7-9
权利要求7-9分别是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征分别为：所述晶圆间隔件的厚度小于300μm；所述光刻胶层被加工成小于300μm的厚度；将所述光刻胶层加工成多个厚度。对本领域技术人员而言，根据光学元件之间的间隔需求，将晶圆间隔件或形成晶元间隔件的光刻胶层的厚度设定为小于300μm，或将上述光刻胶层加工成多个厚度均属于本领域的常规选择，其效果也是可以预期的。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求7-9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、关于权利要求10和11
权利要求10是权利要求1的从属权利要求，权利要求11是权利要求10的从属权利要求，其附加技术特征分别为：在曝光所述光刻胶层之前，将掩模相对于所述光刻胶层对准；所述掩模限定将在所述光刻胶层中形成的至少一个孔。对比文件4（参见说明书第5页第3段）还公开了如下内容：利用一光罩40将该第一镜片基板20曝光，该光罩40具有多数对应于所述第一投射部21的穿孔41，及二对应于第一对正标记22的对正孔42。由于曝光中使用光罩40，必然需要先将光罩40（即掩模）相对于基板上的光刻胶层对准，即对比文件4已经公开了权利要求10的附加技术特征；同时，光罩40上具有对应于所述第一投射部21的穿孔41以及对应于第一正对标记22的正对孔42，相当于公开了权利要求11的附加技术特征。可见，对比文件4公开了权利要求10、11的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求10、11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、关于权利要求12
权利要求12是权利要求11的从属权利要求，其附加技术特征为：将在所述光刻胶层中形成的所述孔是锥形的。对本领域技术人员而言，根据需要将光刻胶形成的孔制作为锥形，属于本领域技术人员的常规技术手段，其效果也是可以预期的。因此，在其引用的权利要求11不具备创造性时，该从属权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、关于权利要求13
权利要求13是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征为：在形成所述光刻胶层之前，在所述基板中形成所述至少一个元件。对比文件4公开了如下内容（参见说明书第4页第10段）：在涂布感光性高分子材料前，第一镜片基板20上具有多个对应于影像感测元件11的第一投射部21，及四个两两成一组并对应于对正标记12的第一对正标记22。可见，对比文件4公开了权利要求13的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、关于权利要求14
权利要求14是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征为：所述基板由玻璃形成。对本领域技术人员而言，玻璃是常见的基板材料，属于本领域技术人员的常规选择，其效果也是可以预期的。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、关于权利要求15
权利要求15是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征为：在所述基板上形成所述光刻胶层之前，在所述基板的所述上表面上形成助黏剂层。对本领域技术人员而言，根据间隔件制造需求，在基板的上表面上形成光刻胶层之前先形成助黏剂层，属于本领域的常规技术手段，其效果是可以预期的。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、关于权利要求16
权利要求16是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征为：所述光刻胶层形成在所述基板的第一表面上；以及所述方法还包括：在所述基板的第二表面上形成第二光刻胶层，以使第一晶圆间隔件和第二晶圆间隔件分别形成在所述基板的所述第一表面和所述第二表面。如上所述，对比文件4已经公开了在第一镜片基板20上形成感光性高分子材料30，相当于权利要求16中的所述光刻胶层形成在所述基板的第一表面上。同时对比文件3公开了（参见说明书第56-61段，图3）如下内容：一种包含晶圆级光学元件的相机，其至少具有基板318，在基板318两侧分别形成有间隔件322和324。由此可见，权利要求16限定的在基板的第一表面和第二表面上分别形成晶圆间隔件的部分附加技术特征已经被对比文件3公开，且其在对比文件3中所起的作用与在本申请中相同，都是在基板的两个表面分别使用间隔件间隔其它光学元件。本领域技术人员可以从对比文件3中得到启示，将上述技术特征应用到对比文件4的技术方案中。而在基板的两个表面使用同样的光刻胶的技术手段分别形成晶圆间隔件，属于本领域的常规技术手段。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件3和本领域技术人员的常规技术手段得到该权利要求16所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11、关于权利要求17
权利要求17是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征为：所述基板是空基板。填充或未填充元件的基板均属于本领域常见的待加工基板形式，选择未填充元件的空基板形成间隔件，属于本领域的常规选择。在其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人认为：对比文件4中的镜片基板如果使用空基板，将导致结合层50的间隔厚度不精确。对此，合议组认为：对比文件4中的技术方案为了达到精确对准的目的，设置基板上包含对应于影像感测元件的第一投射部21以及对应于正对标记12的第一对正标记，当不需要考虑光刻胶层和镜片基板的对准时，仅为了制作独立的晶圆间隔件，本领域技术人员很容易想到使用空基板作为基板，对结合层50即晶圆间隔件的间隔厚度没有影响，这是本领域的常规技术手段，其效果也是可以预期的。因此，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
综上所述，权利要求1-17均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人自收到本决定之日起三个月内向北京市知识产权法院起诉。
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