发明创造名称：一种芯片封装方法及芯片封装结构
外观设计名称：
决定号：185189
决定日：2019-07-22
委内编号：1F277346
优先权日：
申请（专利）号：201610292628.2
申请日：2016-04-28
复审请求人：合肥祖安投资合伙企业(有限合伙)
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王丹
合议组组长：骆素芳
参审员：柴春英
国际分类号：H01L21/50,H01L21/56,H01L21/60,H01L23/31,H01L23/488
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款，专利法第26条第4款
决定要点：如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其他对比文件公开，其余部分是本领域的公知常识，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合该其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所请求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201610292628.2，名称为“一种芯片封装方法及芯片封装结构”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为合肥祖安投资合伙企业(有限合伙)，申请日为2016年04月28日，公开日为2016年08月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年12月28日发出驳回决定，以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其理由是：1、独立权利要求1相对于对比文件1（CN103367180A，公开日为2013年10月23日）的区别技术特征在于：（1）封装载体还包括位于第二金属层下方的机械支撑基板；（2）以所述第一金属层为电镀种子层，在所述第一金属层的第一表面上电镀形成多个金属凸块；在所述金属凸块表面形成第一焊接层；将芯片的有源面朝向所述第一焊接层，并通过导电体与所述焊接层电连接，从而使得芯片与第一金属层电连接；（3）第一金属层的第二表面作为芯片的外引脚与外部连接。其中，区别技术特征（1）是本领域技术人员的常规选择；区别技术特征（2）被对比文件2（CN101989593A，公开日为2011年03月23日）公开；区别技术特征（3）是本领域技术人员的常规设置；因此独立权利要求1不具备创造性。2、独立权利要求6相对于对比文件1的区别技术特征在于：（1）在第一金属层的第一表面上形成有金属凸块，第一金属层作为电镀形成金属凸块时的电镀种子层；在所述金属凸块表面上的第一焊接层；将芯片的有源面朝向所述第一焊接层，并通过导电体与所述焊接层电连接，从而使得芯片与第一金属层电连接；（2）第一金属层的第一表面，作为所述芯片的外引脚。其中，区别技术特征（1）被对比文件2公开；区别技术特征（2）是本领域的常规设置；因此独立权利要求6不具备创造性。3、从属权利要求2、3、7的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求4、9的附加技术特征的一部分被对比文件1公开，其余部分是本领域技术人员可以根据实际需要进行选择的；从属权利要求5、8、10的附加技术特征是本领域技术人员的常规选择；因此从属权利要求2-5、7-10不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年04月28日提交的说明书摘要、说明书第1-56段、摘要附图、说明书附图图1a-1f；2018年10月11日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
在封装载体的表面形成图案化的第一金属层，所述封装载体包括机械支撑基板和位于所述机械支撑基板上的第二金属层，其中，所述第一金属层以所述第二金属层为电镀种子层，通过电镀的方式形成于所述第二金属层上；
以所述第一金属层为电镀种子层，在所述第一金属层的第一表面上电镀形成多个金属凸块；
在所述金属凸块表面形成第一焊接层；
将芯片的有源面朝向所述第一焊接层，并通过导电体与所述焊接层电连接，所述导电体位于所述有源面的焊盘上。
进行塑封工艺，使塑封材料填充所述芯片与封装载体之间的空隙以及覆盖所述芯片，以形成塑封体；
去除所述封装载体，使所述第一金属层的第二表面被所述塑封体裸露，以作为所述芯片的外引脚，用于提供外部连接，所述第一表面与第二表面相对。
2. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，还包括：在将所述芯片通过导电体与所述第一焊接层电连接之前，通过凸点打线工艺在所述焊盘上形成所述导电体。
3. 根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述导电体为铜球。
4. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述第一金属层由多个引脚排列而成，多个所述金属凸块分别位于多个所述引脚上，且每一个所述引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的所述金属凸块在水平方向的截面面积。
5. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，还包括：在去除所述封装载体后，在所述第一金属层的第二表面形成第二焊接层，根据所述芯片封装方法形成的芯片封装结构通过所述第二焊接层与外部电路焊接连接。
6. 一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
芯片，具有有源面，所述有源面上设置有焊盘，
导电体，位于所述焊盘上，
图案化的第一金属层，具有相对的第一表面与第二表面，
金属凸块，位于所述第一金属层的第一表面上，所述第一金属层作为电镀形成所述金属凸块时的电镀种子层，
以及位于所述金属凸块表面的第一焊接层，
所述有源面朝向所述第一焊接层，并通过所述导电体与所述第一焊接层电连接，
塑封体，用于封装所述芯片、导电体、第一焊接层、金属凸块以及所述第一金属层，且所述第一金属层的第一表面被所述塑封体裸露，以作为所述芯片的外引脚，用于提供外部连接。
7. 根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电体为铜球。
8. 根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸块为铜块。
9. 根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层由多个引脚排列而成，多个所述金属凸块分别位于多个所述引脚上，且每一个所述引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的所述金属凸块在水平方向的截面积。
10. 根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括位于所述第一金属层的第二表面上的第二焊接层，根据所述芯片封装结构通过所述第二焊接层与外部电路焊接连接。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月22日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-9项。复审请求人认为：（1）根据原权利要求4、7、8和说明书第41段的内容对权利要求1进行的修改符合专利法第33条的规定。（2）对比文件1并未公开“所述封装载体包括绝缘的机械支撑基板和位于所述机械支撑基板上的第二金属层，所述第一金属层以所述第二金属层为电镀种子层，通过电镀的方式形成于所述第二金属层上，所述第一金属层和所述第二金属层为同一种材料”这一技术特征。（3）对比文件2中为了适合高密间距焊盘的芯片封装，在图案化线路层120的第二表面形成重布线的外部连接端子160a，通过重布线层使外引脚的间距增大，因而可以将外引脚的截面积增大，进而使得外部连接的引脚更稳定。因此对比文件2和本申请解决技术问题的技术方案完全不同，对比文件2也未公开在第一金属层第二表面上形成焊接层。假若需要在对比文件2的外部连接端子160a上形成焊接层也难以实现。在第一金属层第二表面上形成焊接层也并非本领域技术人员的常规选择。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
在封装载体的表面形成图案化的第一金属层；
在所述第一金属层的第一表面上形成多个金属凸块；
在所述金属凸块表面形成第一焊接层；
将芯片的有源面朝向所述第一焊接层，并通过导电体与所述焊接层电连接，所述导电体位于所述有源面的焊盘上；
进行塑封工艺，使塑封材料填充所述芯片与封装载体之间的空隙以及覆盖所述芯片，以形成塑封体；
去除所述封装载体，使所述第一金属层的第二表面被所述塑封体裸露，所述第一表面与第二表面相对；
在裸露的所述第一金属层的第二表面上直接形成第二焊接层，根据所述芯片封装方法形成的芯片封装结构通过所述第二焊接层与外部电路焊接连接，
其中，所述封装载体包括绝缘的机械支撑基板和位于所述机械支撑基板上的第二金属层，所述第一金属层以所述第二金属层为电镀种子层，通过电镀的方式形成于所述第二金属层上，所述第一金属层和所述第二金属层为同一种材料。
2. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，还包括：在将所述芯片通过导电体与所述第一焊接层电连接之前，通过凸点打线工艺在所述焊盘上形成所述导电体。
3. 根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述导电体为铜球。
4. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，以所述第一金属层作为种子层，利用电镀工艺在所述第一金属层的第一表面上形成所述金属凸块。
5. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述第一金属层由多个引脚排列而成，多个所述金属凸块分别位于多个所述 引脚上，且每一个所述引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的所述金属凸块在水平方向的截面面积。
6. 一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
芯片，具有有源面，所述有源面上设置有焊盘，
导电体，位于所述焊盘上，
图案化的第一金属层，具有相对的第一表面与第二表面，
金属凸块，位于所述第一金属层的第一表面上，
以及位于所述金属凸块表面的第一焊接层，
所述有源面朝向所述第一焊接层，并通过所述导电体与所述第一焊接层电连接，
塑封体，用于封装所述芯片、导电体、第一焊接层、金属凸块以及所述第一金属层，且所述第一金属层的第一表面被所述塑封体裸露，
位于所述第一金属层第二表面上的第二焊接层，所述芯片封装结构通过所述第二焊接层与外部电路焊接连接。
7. 根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电体为铜球。
8. 根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸块为铜块。
9. 根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层由多个引脚排列而成，多个所述金属凸块分别位于多个所述引脚上，且每一个所述引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的所述金属凸块在水平方向的截面积。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月02日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，修改后的权利要求1包含技术特征“所述第一金属层和所述第二金属层为同一种材料”，然而本申请仅记载了“第一金属层2与第二金属层12均可以为铜层”。因此，上述限定超出了原申请记载的范围，不符合专利法第33条的规定。同时指出，即使复审请求人将“所述第一金属层和所述第二金属层为同一种材料”修改为“第一金属层与第二金属层均为铜层”，修改后的权利要求1也不具备创造性。理由如下：（1）对比文件1公开了电镀形成图案化线路层120（相当于第一金属层）；且通过电镀种子层来进行后续电镀是本领域的常规选择。因此，本领域技术人员容易想到在基板上设置作为电镀种子层的第二金属层，图案化线路层120（相当于第一金属层）以第二金属层为电镀种子层。设置电镀种子层材料与后续导电层的材料均为铜层是本领域对电镀种子层材料可以作出的常规选择。对比文件1中金属承载板110的作用与本申请中绝缘基板11的作用相同，都是提供机械支撑以及提供临时支撑之后去除。由于其最终要被去除，本领域技术人员可以对基板的材质进行常规选择。绝缘的机械支撑基板是本领域常见的基板材料，当采用绝缘基板时，本领域技术人员容易想到对其采用适宜的去除方式。（2）对比文件1公开了（参见说明书第51-53段、附图1D-1G）：在裸露的所述线路层120（相当于第一金属层）的第二表面上直接形成外部连接端子160a（相当于第二焊接层），根据所述芯片封装方法形成的芯片封装结构通过所述外部连接端子160a（相当于第二焊接层）与外部电路焊接连接。本申请中（参见说明书第53段）记载了第二焊接层8为第二金属层8，通过第二焊接层8与外部电路焊接连接。对比文件1公开的外部连接端子160a实现与外部连接，相当于第二焊接层。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月29日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1的修改不符合专利法第33条的规定，独立权利要求6不符合专利法第26条第4款的规定。具体理由如下：1、修改后的独立权利要求1记载了“所述第一金属层和所述第二金属层为同一种材料”使得该权利要求超出原说明书和权利要求书记载的范围。2、独立权利要求6记载了“第一金属层的第一表面被所述塑封体裸露，位于所述第一金属层第二表面上的第二焊接层”，上述技术特征与说明书记载的不一致，并且本领域技术人员也无法从说明书充分公开的内容中得到或概括得出上述内容，因此，权利要求6得不到说明书的支持。3、即使克服上述缺陷，权利要求1-9仍不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（1）独立权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：（a）在第一金属层第一表面上形成多个金属凸块，在金属凸块表面形成第一焊接层，通过第一焊接层与芯片电连接；第一金属层为铜；（b）支撑基板是绝缘的；支撑基板上还具有作为电镀第一金属层的种子层的第二金属层，且为铜。其中，区别技术特征（a）被对比文件2公开；区别技术特征（b）是本领域的公知常识；因此独立权利要求1不具备创造性。（2）独立权利要求6要求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：金属凸块，位于第一金属层的第一表面上，以及位于金属凸块表面的第一焊接层，通过第一焊接层与芯片电连接；塑封体还密封第一焊接层、金属凸块。一部分上述区别技术特征被对比文件2公开，其余部分区别技术特征是本领域的公知常识；因此独立权利要求6不具备创造性。（3）从属权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求3、7的一部分附加技术特征被对比文件1公开，其余部分附加技术特征是本领域技术人员可以根据需要具体选择的；从属权利要求4的一部分附加技术特征被对比文件2公开，其余部分附加技术特征是本领域技术人员可以根据需要进行选择的；从属权利要求5、9的一部分附加技术特征被对比文件1公开，其余部分附加技术特征是本领域的惯用技术手段；从属权利要求8的附加技术特征是本领域的公知常识；因此从属权利要求2-5、7-9不具备创造性。4、针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）原始申请文件并未记载修改后的权利要求1的技术方案，原说明书仅记载了“第一金属层2与第二金属层12均可以为铜层”，而并未记载它们可以为其他的相同材料，并且本领域技术人员也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围。（2）由于权利要求1记载技术特征“所述第一金属层和所述第二金属层为同一种材料”导致修改超范围，前述审查意见在假设将上述技术特征修改为“第一金属层和第二金属层为铜”的基础上，认为对比文件1公开了在金属承载板110的表面形成图案化线路层120，图案化线路层可以为金或钯，图案化线路层120是以电镀方式所形成，尽管对比文件1未公开“第一金属层为铜；支撑基板是绝缘的；支撑基板上还具有作为电镀第一金属层的种子层的第二金属层，且为铜”，然而，对比文件2公开了图案化的电性接触垫312（相当于第一金属层）可为铜。并且对于本领域技术人员来说，在电镀过程中形成金属层，例如铜作为电镀种子层，这是本领域的公知常识。而且对比文件1公开的金属承载板110的作用与本申请的绝缘的机械支撑基板的作用相同，都是提供机械支撑并在提供临时支撑之后去除，支撑基板采用绝缘型材料也是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要采用绝缘型的支撑基板代替对比文件1中的金属承载板，并且也未产生预料不到的技术效果。（3）基于复审请求人的陈述，可以理解为其强调的是对比文件1中的技术方案，而非对比文件2。在此基础上，合议组认为，对比文件1公开了在裸露的图案化线路层120的下表面124上形成外部连接端子160a，通过将外部连接端子160a与外部电路连接形成芯片封装结构，外部连接端子可为信号接点等。而本申请说明书53段也记载了通过第二焊接层8与外部电路焊接连接，此外权利要求也并未对“第二焊接层”作其他限定。因此对比文件1中的外部连接端子160a相当于本申请的第二焊接层，即对比文件1公开了“第二焊接层”的相关特征。
复审请求人于2019年07月02日提交了意见陈述书，并提交修改后的权利要求书，包括权利要求第1-11项。复审请求人认为：对比文件1的线路层厚度较薄，线路层直接形成于承载板上、线路层下表面质量较差，因此对比文件1的线路层不能直接作为对外连接的引脚，而是通过在线路层上再形成外接端子来实现与外部电路的连接。正如对比文件1和对比文件2中所揭露的，最终都需要外部连接端子164或者采用UBM工艺的焊接来作为封装结构与外接电路的连接媒介。本申请第一金属层裸露于封装体外来作为外接引脚，完成芯片电极向外引出的功能，因此第一金属层不能是普通的金属层，一方面要完成原有倒装封装结构中芯片的电极焊垫与接触焊垫的电性连接，另一方面第一金属层直接作为外部连接媒介，实现与外部电路的电性连接，因此第一金属层必须满足一定要求，即两次电镀工艺，必须满足外接引脚的设计需求，一般要求其厚度较厚，对质量也有较高要求，因此第一金属层需以第二金属层为电镀种子层，通过电镀的方式形成于第二金属层上。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
在封装载体的表面形成图案化的第一金属层；
在所述第一金属层的第一表面上形成多个金属凸块；
在所述金属凸块表面形成第一焊接层；
将芯片的有源面朝向所述第一焊接层，并通过导电体与所述焊接层电连接，所述导电体位于所述有源面的焊盘上；
进行塑封工艺，使塑封材料填充所述芯片与封装载体之间的空隙以及覆盖所述芯片，以形成塑封体；以及
去除所述封装载体，使所述第一金属层的第二表面被所述塑封体裸露，以作为所述芯片的外引脚，用于提供外部连接，用于提供外部连接，所述第一表面与第二表面相对,
其中，所述封装载体包括绝缘的机械支撑基板和位于所述机械支撑基板上的第二金属层，所述第一金属层以所述第二金属层为电镀种子层，通过电镀的方式形成于所述第二金属层上。
2. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，还包括：在将所述芯片通过导电体与所述第一焊接层电连接之前，通过凸点打线工艺在所述焊盘上形成所述导电体。
3. 根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述导电体为铜球。
4. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，以所述第一金属层作为种子层，利用电镀工艺在所述第一金属层的第一表面上形成所述金属凸块。
5. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述第一金属层由多个引脚排列而成，多个所述金属凸块分别位于多个所述引脚上，且每一个所述引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的所述金属凸块在水平方向的截面面积。
6. 根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，还包括：在去除所述封装载体后，在所述第一金属层的第二表面形成第二焊接层，根据所述芯片 封装方法形成的芯片封装结构通过所述第二焊接层与外部电路焊接连接。
7. 一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
芯片，具有有源面，所述有源面上设置有焊盘，
导电体，位于所述焊盘上，
图案化的第一金属层，具有相对的第一表面与第二表面，
金属凸块，位于所述第一金属层的第一表面上，
以及位于所述金属凸块表面的第一焊接层，
所述有源面朝向所述第一焊接层，并通过所述导电体与所述第一焊接层电连接，
塑封体，用于封装所述芯片、导电体、第一焊接层、金属凸块以及所述第一金属层，且所述第一金属层的第一表面被所述塑封体裸露，以作为所述芯片的外引脚，用于提供外部连接。
8. 根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电体为铜球。
9. 根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸块为铜块。
10. 根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层由多个引脚排列而成，多个所述金属凸块分别位于多个所述引脚上，且每一个所述引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的所述金属凸块在水平方向的截面积。
11. 根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括位于所述第一金属层的第二表面上的第二焊接层，根据所述芯片封装结构通过所述第二焊接层与外部电路焊接连接。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年07月02日针对复审通知书提交了意见陈述书和修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-11项，其中删除了复审通知书指出的独立权利要求1中超范围的技术特征，克服了超范围的缺陷。经审查，上述所做修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本是：于申请日2016年04月28日提交的说明书摘要、说明书第1-56段、摘要附图、说明书附图图1a-1f；2019年07月02日提交的权利要求第1-11项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其他对比文件公开，其余部分是本领域的公知常识，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合该其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所请求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
专利法第26条第4款规定：权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
如果权利要求所限定的部分技术特征与说明书中记载的相应特征不一致，并且本领域技术人员不能从说明书充分公开的内容中得到或概括得出该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求没有以说明书为依据，得不到说明书的支持。
在本复审请求审查决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN 103367180A，公开日为2013年10月23日；
对比文件2：CN 101989593A，公开日为2011年03月23日。
其中，对比文件1作为最接近的现有技术。
1、独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种芯片封装方法。对比文件1公开了一种芯片封装方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0006]-[0062]段，附图1A-1G）：在金属承载板110的表面形成图案化线路层120，图案化线路层可以为金或钯，图案化线路层120是以电镀方式所形成；将芯片130的有源面朝向图案化线路层120，并通过凸块135与图案化线路层120电连接（本领域技术人员可以毫无疑义地确定，凸块130位于有源面的焊盘上）；进行塑封工艺，使塑封材料填充芯片130与金属承载板110之间的空隙以及覆盖芯片130，以形成封装胶体140；去除金属承载板110，使图案化线路层120的下表面124（即第二表面）被封装胶体140裸露，以用于外部连接，图案化线路层120的上表面122（即第一表面）与下表面124（即第二表面）彼此相对。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：（a）在第一金属层第一表面上形成多个金属凸块，在金属凸块表面形成第一焊接层，通过第一焊接层与芯片电连接；（b）裸露的第一金属层第二表面作为芯片的外引脚；（c）支撑基板是绝缘的；支撑基板上还具有作为电镀第一金属层的种子层的第二金属层。基于上述区别技术特征，本申请实际所要求解决的技术问题是：提供一种可替换的芯片倒装连接方式，并实现绝缘支撑、完成电镀工艺并实现外连接。
对于区别技术特征（a），对比文件2公开了一种芯片封装方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第[0066]-[0094]段，附图2A-3H’）：在基板本体30表面形成图案化的电性接触垫312（相当于第一金属层），其可为铜，在电性接触垫312的上表面312a形成多个第一金属凸块33，其中形成第一金属凸块33的方式可为电镀，在第一金属凸块33表面形成焊料34a，将芯片40的作用面40a朝向焊料34a，并通过第二金属凸块42与焊料34a电连接，从而使得芯片40与电性接触垫312电连接。并且上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请的作用相同，都是提供一种芯片与金属层之间的倒装连接方式。因此本领域技术人员可以根据实际需要将对比文件2中的连接方式替换到对比文件1中，且其技术效果可以预料。
对于区别技术特征（b），是否采用额外的外引脚端子是本领域的惯用技术手段，在对比文件1已经公开了去除金属承载板110后，图案化线路层120的下表面124（即第二表面）被封装胶体140裸露的情况下，由于该图案化线路层是金属导电材质，并且该金属材质直接作为外引脚时所需要满足的条件也是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要具体选择将裸露的图案化线路层作为封装体的芯片的外引脚，并且也未产生预料不到的技术效果。
对于区别技术特征（c），对于本领域技术人员来说，在电镀过程中形成金属层作为种子层，以及支撑基板采用绝缘型材料，这些都是本领域的公知常识，并且其技术效果可以预料。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到上述权利要求所要求保护的技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，因此上述权利要求要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、从属权利要求2、3、6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2、6引用权利要求1，权利要求3引用权利要求2。对比文件1还公开了以下技术特征（参见说明书第[0047]段）：在将芯片通过凸块135与图案化线路层电连接之前，所形成的凸块135是锡球、结线凸块等，凸块135的材料选自锡、铜等；在去除金属承载板110后，在裸露的图案化线路层120的下表面124上形成外部连接端子160a，通过将外部连接端子160a与外部电路焊接形成芯片封装结构。并且本领域技术人员可以根据需要具体采用铜球。因此，在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、从属权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4引用权利要求1。对比文件2还公开了以下技术特征（参见说明书第[0070]段）：利用电镀工艺在电性接触垫312（即第一金属层）外露的上表面312a（即第一表面）形成第一金属凸块33。为了给后续的金属电镀工艺提供良好的导电层，本领域技术人员可以根据需要具体选择第一金属层作为电镀的种子层。因此，在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、从属权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5引用权利要求1。对比文件1还公开了如下技术特征（参见说明书第[0046]段）：图案化线路层120（即第一金属层）包括多条线路123（即多个引脚）。对比文件2还公开了如下技术特征（参见图2E）：多个第一金属凸块33分别位于多个电性接触垫上，且每一个电性接触垫在水平方向的宽度大于位于其上的第一金属凸块33在水平方向的宽度。此外，本领域技术人员根据实际需要选择每一个引脚在水平方向的截面面积大于位于其上的金属凸块在水平方向的截面面积是惯用技术手段，且其技术效果可以预料。因此，在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、独立权利要求7不符合专利法第26条第4款的规定。
权利要求7记载了技术特征“第一金属层的第一表面被所述塑封体裸露”。然而原说明书记载了（说明书52-53段）：第一金属层2的第二表面被塑封体7裸露。因此该权利要求记载的上述技术特征与说明书记载的不一致，并且本领域技术人员也无法从说明书充分公开的内容中得到或概括得出上述内容，因此，权利要求7没有以说明书为依据，得不到说明书的支持。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：对比文件1的线路层厚度较薄，线路层直接形成于承载板上、线路层下表面质量较差，因此对比文件1的线路层不能直接作为对外连接的引脚，而是通过在线路层上再形成外接端子来实现与外部电路的连接。正如对比文件1和对比文件2中所揭露的，最终都需要外部连接端子164或者采用UBM工艺的焊接来作为封装结构与外接电路的连接媒介。本申请第一金属层裸露于封装体外来作为外接引脚，完成芯片电极向外引出的功能，因此第一金属层不能是普通的金属层，一方面要完成原有倒装封装结构中芯片的电极焊垫与接触焊垫的电性连接，另一方面第一金属层直接作为外部连接媒介，实现与外部电路的电性连接，因此第一金属层必须满足一定要求，即两次电镀工艺，必须满足外接引脚的设计需求，一般要求其厚度较厚，对质量也有较高要求，因此第一金属层需以第二金属层为电镀种子层，通过电镀的方式形成于第二金属层上。
对此，合议组认为：对比文件1已经公开了（参见说明书第46段）图案化线路层例如是以电镀等方式所形成的，这与本申请是相同的，并且也会解决与本申请相同的技术问题，产生与本申请相同的技术效果，例如可以形成较好的表面质量。而本领域技术人员知晓，电镀方式通常会先形成金属的种子层，这是本领域的惯用技术手段，而且所电镀的金属层的厚度可以根据电镀时间、次数等来进行调整，可以形成较薄的厚度，也可以根据需要形成较厚的厚度。并且，是否采用额外的外引脚端子是本领域的惯用技术手段，在对比文件1已经公开了去除金属承载板110后，图案化线路层120的下表面124（即第二表面）被封装胶体140裸露的情况下，由于该图案化线路层是金属导电材质，并且该金属材质直接作为外引脚时所需要满足的条件也是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要具体选择将裸露的图案化线路层作为封装体的芯片的外引脚，这都是本领域的惯用技术手段，并且也未产生预料不到的技术效果。而且，本申请也公开了可以将第一金属层的第二表面作为外引脚用于提供外部连接，还可以通过第二焊接层与外部电路焊接，也就是说二者是可替代的选择，而且本申请也未详细记载当裸露的第一金属层作为外引脚时其应当具有的具体厚度，也未记载需要两次电镀工艺等能够区别于现有技术的相关具体内容。因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
此外，复审通知书中指出独立权利要求6（即新独立权利要求7）因得不到说明书的支持而不符合专利法第26条第4款的规定，复审请求人对此并未进行修改，也未陈述任何意见。至于意见陈述书中陈述的权利要求7-11具备创造性的理由，由于新独立权利要求7仍不符合专利法第26条第4款的规定，因此，本决定不再对权利要求7及其从属权利要求8-11是否具备创造性进行评述。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月28日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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