发明创造名称：一种集成无源器件及其制造方法
外观设计名称：
决定号：184054
决定日：2019-07-17
委内编号：1F255069
优先权日：
申请（专利）号：201310520145.X
申请日：2013-10-29
复审请求人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵颖
合议组组长：王文杰
参审员：张月
国际分类号：H01L29/92,H01L21/02
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，而区别技术特征被另一对比文件公开，并且另一对比文件提供了将上述区别技术特征应用于最接近现有技术以解决其技术问题的启示，那么获得权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310520145.X，名称为“一种集成无源器件及其制造方法”的发明专利申请(下称本申请)。申请人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司。本申请的申请日为2013年10月29日，公开日为2015年04月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年03月19日发出驳回决定，驳回了本申请，其中引用了对比文件4： CN101211826A，公开日为2008年07月02日；驳回理由是：权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体为：权利要求1要求保护一种集成无源器件，其限定了技术方案1：上极板主要由氮化钛形成；技术方案2：上极板主要由钛、钽或氮化钽形成，或者上极板主要由钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少二种形成。权利要求1的技术方案1相对于对比文件4的区别技术特征是：在所述MIM电容器的上极板的上方和下极板的上方均依次形成有接触孔结构和上层互连金属，所述接触孔结构和所述上层互连金属与所述电感在同一结构层中。基于该区别技术特征，可以确定本申请相对于对比文件4实际解决的技术问题是如何引出电容器的上下极板。然而，上述区别技术特征是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域公知常识。因此，权利要求1所要保护的技术方案1不具备创造性。权利要求1的技术方案2相对于对比文件4的区别技术特征是：上极板主要由钛、钽或氮化钽形成，或者上极板主要由钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少二种形成；在所述MIM电容器的上极板的上方和下极板的上方均依次形成有接触孔结构和上层互连金属，所述接触孔结构和所述上层互连金属与所述电感在同一结构层中。基于该区别技术特征，可以确定本申请相对于对比文件4实际解决的技术问题如何选择上极板的材料、如何引出电容器的上下极板以及如何简化制备工艺。然而，然而，上述区别技术特征是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域公知常识。因此，权利要求1所要保护的技术方案2不具备创造性。权利要求2、4-5的附加技术特征是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，相应权利要求不具备创造性。权利要求3的“所述下极板包括铝层和阻挡层，为两层阻挡层及两层之间夹铝层而构成的三层结构，所述阻挡层为氮化钛”的技术特征被对比文件4公开。权利要求6的“所述MIM电容器上极板、下极板之间的绝缘介质为氮化硅或者氧化硅”的技术特征已经被对比文件4所公开。因此相应方案不具备创造性。至于权利要求3、6其它并列技术方案，由于相应的特征属于本领域的公知常识。因此，相应的并列技术方案也不具备创造性。对比文件4还公开了所述电感两层铜。进一步的，在对比文件4基础上，具体限定每一层铜的厚度数值，是本领域技术人员经过有限试验就能得到的，因此，权利要求7不具备创造性。对比文件4还公开了半导体基片12上设置有刻蚀阻挡层20、层间介质层64，形成于层间介质层64中的导体61（相当于下层互连金属），电感99的下段即为形成于半导体基片12电感器区的导体61。进一步的，具体采用高阻值晶圆基底作为半导体衬底，在形成刻蚀阻挡层之前先在基底上形成缓冲氧化层，是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，权利要求8不具备创造性。权利要求9要求保护一种如权利要求1至8中任一项所述的集成无源器件的制造方法，其限定了技术方案1：上极板层包括氮化钛；技术方案2：上极板层包括钛、钽或者氮化钽。或者上极板层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少二种。权利要求9的技术方案1相对于对比文件4的区别技术特征是：并刻蚀与MIM电容器上极板的上表面和下极板的上表面接触的层间介质层，形成互连沟槽及其下方的接触孔；并在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。基于该区别技术特征，可以确定本申请相对于对比文件4实际解决的技术问题是如何引出电容器的上下极板。然而，上述区别技术特征是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，当权利要求1至8中任一项不具备创造性时，权利要求9不具备创造性。权利要求9的技术方案2相对于对比文件4的区别技术特征是：上极板层包括钛、钽或者氮化钽。或者上极板层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少二种；并刻蚀与MIM电容器上极板的上表面和下极板的上表面接触的层间介质层，形成互连沟槽及其下方的接触孔；并在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。基于该区别技术特征，可以确定本申请相对于对比文件4实际解决的技术问题如何选择上极板的材料和如何引出电容器的上下极板。然而，上述区别技术特征是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，当权利要求1至8中任一项不具备创造性时，权利要求9所要保护的技术方案2不具备创造性。对比文件4还公开了提供半导体基片12的步骤包括：在所述基片12上依次形成刻蚀阻挡层20和第一层间介质层64；形成体61（相当于下层互连金属）。进一步的，提供高阻值晶圆作为基底，在基底上生长缓冲氧化层；在缓冲氧化层上依次沉积淀积刻蚀阻挡层和第一层间介质层；采用大马士革互连工艺在所述第一层间介质层中形成下层互连金属，是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对比文件4还公开了刻蚀所述半导体基片12电感器区表面上的层间介质层84和刻蚀阻挡层66，形成一个电感沟槽，并在电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道填充铜后形成电感接触结构。进一步的，具体采用单大马士革互连工艺或双大马士革工艺来获得电感沟槽和电感接触沟道，是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此权利要求11也不具备创造性。权利要求12的附加技术特征是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，权利要求12不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：2013年10月29日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1A-4E、说明书摘要、摘要附图和2017年10月26日提交的权利要求第1-12项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种集成无源器件，其特征在于，包括：半导体衬底、形成于半导体衬底电容器区上的至少一个MIM电容器以及形成于半导体衬底电感器区上的至少一个电感，其中，所述MIM电容器的下极板主要由铝形成，上极板主要由钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少一种形成；所述电感主要由铜形成；所述电感包括电感接触结构和沟槽铜填充结构，所述电感接触结构形成在所述半导体衬底上，所述沟槽铜填充结构位于所述电感接触结构上并与所述电感接触结构接触，所述电感的厚度包括所述沟槽铜填充结构的厚度和所述电感接触结构的厚度；在所述MIM电容器的上极板的上方和下极板的上方均依次形成有接触孔结构和上层互连金属，所述接触孔结构和所述上层互连金属与所述电感在同一结构层中。
2. 如权利要求1所述的集成无源器件，其特征在于，所述电感还包括形成于铜上方的铝。
3. 如权利要求1所述的集成无源器件，其特征在于，所述下极板包括铝层和阻挡层，为铝层及其上方的阻挡层构成的两层结构或者两层阻挡层及两层之间夹铝层而构成的三层结构，所述阻挡层为氮化钛或氮化钽。
4. 如权利要求1至3中任一项所述的集成无源器件，其特征在于，所述MIM电容器的下极板中铝层的厚度为1μm～1.5μm。
5. 如权利要求1至3中任一项所述的集成无源器件，其特征在于，所述MIM电容器上极板的厚度为0.5μm～0.8μm。
6. 如权利要求1所述的所述的集成无源器件，其特征在于，所述MIM电容器上极板、下极板之间的绝缘介质为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。
7. 如权利要求1所述的所述的集成无源器件，其特征在于，所述电感至少有一层铜，且每一层铜的厚度为2.5μm～4μm。
8. 如权利要求1所述的所述的集成无源器件，其特征在于，所述半导体衬底包括高阻值晶圆基底，依次形成所述基底上的缓冲氧化层、刻蚀阻挡层、层间介质层，形成于层间介质层中的下层互连金属，所述电感的下段即为形成于半导体衬底电感器区的所述下层互连金属。
9. 一种如权利要求1至8中任一项所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供包含电容器区和电感器区的半导体衬底，至少在所述半导体衬底电容器区上依次形成下极板层、绝缘介质层、上极板层，所述下极板层主要为铝，所述上极板层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少一种；
依次刻蚀所述上极板层、绝缘介质层以及下极板层，在所述半导体衬底电容器区上形成至少一个MIM电容器；
在所述MIM电容器以及半导体衬底的整个表面上依次沉积刻蚀阻挡层和层间介质层；
至少刻蚀所述半导体衬底电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层，形成至少一个电感沟槽，并在所述电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道用于形成电感接触结构；并刻蚀与MIM电容器上极板的上表面和下极板的上表面接触的层间介质层，形成互连沟槽及其下方的接触孔；
在所述电感沟槽中填充铜，形成沟槽铜填充结构，电感包括所述电感接触结构和所述沟槽铜填充结构，所述电感的厚度包括所述沟槽铜填充结构的厚度和所述电感接触结构的厚度；并在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。
10. 如权利要求9所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，提供半导体衬底的步骤包括:
提供高阻值晶圆作为基底，在所述基底上生长缓冲氧化层；
在所述缓冲氧化层上依次沉积淀积刻蚀阻挡层和第一层间介质层；
采用大马士革互连工艺在所述第一层间介质层中形成下层互连金属。
11. 如权利要求9所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，采用单大马士革互连工艺或双大马士革工艺至少刻蚀所述半导体衬底电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层，形成至少一个电感沟槽，并在电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道填充铜后形成电感接触结构。
12. 如权利要求9所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，形成电感之后，还包括：
在所述电感、上层互连金属以及层间介质层上表面沉积铝，刻蚀所述铝，形成覆盖在所述上层互连金属上表面的铝垫和覆盖在电感的铜的上表面的铝层；
在所有铝和层间介质的上表面沉积钝化层，刻蚀所述钝化层以暴露出所述铝垫。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年07月02日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，删除了原权利要求1-8，修改了原权利要求9-12形成新权利要求1-4，增加了权利要求5-9。复审请求人认为：对比文件4不涉及电容器上极板和下极板的引出，不会给出如何实现上极板和下极板引出的技术启示。并且也不是常用的技术手段。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种集成无源器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供包含电容器区和电感器区的半导体衬底，至少在所述半导体衬底电容器区上依次形成下极板层、绝缘介质层、上极板层，所述下极板层主要为铝，所述上极板层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少一种；
依次刻蚀所述上极板层、绝缘介质层以及下极板层，在所述半导体衬底电容器区上形成至少一个MIM电容器；
在所述MIM电容器以及半导体衬底的整个表面上依次沉积刻蚀阻挡层和层间介质层；
至少刻蚀所述半导体衬底电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层，形成至少一个电感沟槽，并在所述电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道用于形成电感接触结构；并且，在刻蚀电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层的同时，还刻蚀与MIM电容器上极板的上表面和下极板的上表面接触的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔；
在所述电感沟槽中填充铜，形成沟槽铜填充结构，电感包括所述电感接触结构和所述沟槽铜填充结构，所述电感的厚度包括所述沟槽铜填充结构的厚度和所述电感接触结构的厚度；并且，在对所述电感沟槽填充铜的同时，还在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。
2. 如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，提供半导体衬底的步骤包括:
提供高阻值晶圆作为基底，在所述基底上生长缓冲氧化层；
在所述缓冲氧化层上依次沉积淀积刻蚀阻挡层和第一层间介质层；
采用大马士革互连工艺在所述第一层间介质层中形成下层互连金属。
3. 如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，采用单大马士革互连工艺或双大马士革工艺至少刻蚀所述半导体衬底电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层，形成至少一个电感沟槽，并在电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道填充铜后形成电感接触结构。
4. 如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，形成电感之后，还包括：
在所述电感、上层互连金属以及层间介质层上表面沉积铝，刻蚀所述铝，形成覆盖在所述上层互连金属上表面的铝垫和覆盖在电感的铜的上表面的铝层；
在所有铝和层间介质的上表面沉积钝化层，刻蚀所述钝化层以暴露出所述铝垫。
5. 如权利要求1所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述下极板包括铝层和阻挡层，为铝层及其上方的阻挡层构成的两层结构或者两层阻挡层及两层之间夹铝层而构成的三层结构，所述阻挡层为氮化钛或氮化钽。
6. 如权利要求1至5中任一项所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述MIM电容器的下极板中铝层的厚度为1μm～1.5μm。
7. 如权利要求1至5中任一项所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述MIM电容器上极板的厚度为0.5μm～0.8μm。
8. 如权利要求1所述的所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述MIM电容器上极板、下极板之间的绝缘介质为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。
9. 如权利要求1所述的所述的集成无源器件的制造方法，其特征在于，所述电感至少有一层铜，且每一层铜的厚度为2.5μm～4μm。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年07月10日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：申请人新加入的特征“在刻蚀电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层的同时，刻蚀与MIM电容器上极板的上表面和下极板的上表面接触的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔”修改超范围。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年11月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1不符合专利法第33条的规定。复审请求人于2019年01月11日提交了意见陈述书和新修改的权利要求书，其中对权利要求1进行了修改。复审请求人仍然认为：对比文件4不涉及电容器上极板和下极板的引出，不会给出如何实现上极板和下极板引出的技术启示。并且也不是常用的技术手段。
新修改的权利要求1如下：
“1. 一种集成无源器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供包含电容器区和电感器区的半导体衬底，至少在所述半导体衬底电容器区上依次形成下极板层、绝缘介质层、上极板层，所述下极板层主要为铝，所述上极板层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少一种；
依次刻蚀所述上极板层、绝缘介质层以及下极板层，在所述半导体衬底电容器区上形成至少一个MIM电容器；
在所述MIM电容器以及半导体衬底的整个表面上依次沉积刻蚀阻挡层和层间介质层；
至少刻蚀所述半导体衬底电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层，形成至少一个电感沟槽，并在所述电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道用于形成电感接触结构；并且，在刻蚀电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层的同时，还刻蚀位于MIM电容器的上极板上方以及下极板上方的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔；
在所述电感沟槽中填充铜，形成沟槽铜填充结构，电感包括所述电感接触结构和所述沟槽铜填充结构，所述电感的厚度包括所述沟槽铜填充结构的厚度和所述电感接触结构的厚度；并且，在对所述电感沟槽填充铜的同时，还在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。”
合议组于2019年04月17日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。复审请求人于2019年06月03日提交了意见陈述书和新修改的权利要求书，其中对权利要求1进行了修改。复审请求人认为：对比文件4没有公开“还刻蚀位于MIM电容器的上极板上方的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔；还在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属”，对比文件4中的电感和电容是堆叠设置的，不是并列设置的。
新修改的权利要求1如下：
“1. 一种集成无源器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供包含电容器区和电感器区的半导体衬底，所述电容器区和所述电感器区在所述半导体衬底上并列设置，至少在所述半导体衬底电容器区上依次形成下极板层、绝缘介质层、上极板层，所述下极板层主要为铝，所述上极板层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽中的至少一种；
依次刻蚀所述上极板层、绝缘介质层以及下极板层，在所述半导体衬底电容器区上形成至少一个MIM电容器；
在所述MIM电容器以及半导体衬底的整个表面上依次沉积刻蚀阻挡层和层间介质层；
至少刻蚀所述半导体衬底电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层，形成至少一个电感沟槽，并在所述电感沟槽下方形成电感接触沟道，所述电感接触沟道用于形成电感接触结构；并且，在刻蚀电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层的同时，还刻蚀位于MIM电容器的上极板上方以及下极板上方的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔；
在所述电感沟槽中填充铜，形成沟槽铜填充结构，电感包括所述电感接触结构和所述沟槽铜填充结构，所述电感的厚度包括所述沟槽铜填充结构的厚度和所述电感接触结构的厚度；并且，在对所述电感沟槽填充铜的同时，还在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人2019年06月03日提交了新修改的权利要求第1-9项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本决定所针对的文本是：2013年10月29日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1A-4E、说明书摘要和摘要附图、2019年06月03日提交的权利要求第1-9项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，而区别技术特征被另一对比文件公开，并且另一对比文件提供了将上述区别技术特征应用于最接近现有技术以解决其技术问题的启示，那么获得权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有创造性。
在本复审决定中引用对比文件4和对比文件1，即：
对比文件4：CN101211826A，公开日为2008年07月02日；
对比文件1：CN1531055A，公开日为2004年09月22日。
权利要求1请求保护一种集成无源器件的制造方法。
对于上极板层包括氮化钛的技术方案：对比文件4公开了一种集成无源器件的制造方法（参见说明书第3页倒数第1段至第10页第2段，图1-15）：包括：提供包含电容器区和电感器区的半导体基片12（相当于衬底），在所述半导体基片12电容器区上依次形成下极板层、绝缘介质层37、上极板层，下极板层主要为铝35，上极板层包括氮化钛39；依次刻蚀上极板层、绝缘介质层以及下极板层，在半导体基片12电容器区上形成一个MIM电容器50；在MIM电容器50以及半导体基片12的整个表面上依次沉积刻蚀阻挡层66和层间介质层84；刻蚀半导体基片12电感器区表面上的层间介质层84和刻蚀阻挡层66，形成一个电感沟槽，并在电感沟槽下方形成电感接触沟道，电感接触沟道用于形成电感接触结构；在刻蚀电感器区表面上的层间介质层和刻蚀阻挡层的（参见图11中的开口92）同时，还刻蚀位于MIM电容器的上极板上方的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔（参见图11中的开口90）；在电感沟槽中填充铜，形成沟槽铜填充结构，电感99包括电感接触结构和沟槽铜填充结构，电感的厚度包括沟槽铜填充结构的厚度和电感接触结构的厚度。并且，参见图12，在对电感沟槽（开口92）填充铜的同时，还在接触孔和互连沟槽（开口90）中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属。
权利要求1的该技术方案相对于对比文件4的区别技术特征是：还刻蚀位于MIM电容器的下极板上方的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔。电容器区和电感器区在半导体衬底上并列设置。基于该区别技术特征，可以确定该方案相对于对比文件4实际解决的技术问题是如何引出电容器的上下极板，以及合理排布。然而，对比文件1公开了(参见说明书第2页第3段-第4页第1段及附图1-4)：刻蚀MIM电容器上极板上方以及下极板上方的层间介质层8、13，形成互连沟槽及其下方的接触孔。电容器区和电感器区在半导体衬底上并列设置。由此可见，上述区别技术特征被对比文件1公开，并且其在对比文件1中所起的作用与在本申请中相同，均提供了引出电容器上下极板的可选替代方式；也提供了合理排布的方案。本领域技术人员能够从对比文件1得到启示，将上述特征结合到对比文件4中去，权利要求1的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1的该技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于上极板层选择权利要求1的其它材料的并列技术方案：由于钛、钽或氮化钽均是常用的极板材料，在对比文件4公开的氮化钛上极板基础上，利用相似性质的常用极板材料替换氮化钛，是本领域技术人员惯用的技术手段，属于公知常识（其它与前述方案相同特征的评述参见上文）。因此本领域技术人员在对比文件4的基础上结合对比文件1和公知常识获得权利要求1的这些并列技术方案是显而易见的。权利要求1的这些并列技术方案也不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2：对比文件4还公开了（同上）：提供半导体基片12的步骤包括：在所述基片12上依次沉积刻蚀阻挡层20和第一层间介质层64；形成导体61（相当于下层互连金属）。此外，提供高阻值晶圆作为基底，在基底上生长缓冲氧化层；采用大马士革互连工艺在第一层间介质层中形成下层互连金属，是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3：对比文件4还公开了（同上）：刻蚀所述半导体基片12电感器区表面上的层间介质层84和刻蚀阻挡层66，形成一个电感沟槽，并在电感沟槽下方形成电感接触沟道，电感接触沟道填充铜后形成电感接触结构。进一步的，具体采用单大马士革互连工艺或双大马士革工艺来获得电感沟槽和电感接触沟道，是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4：对比文件4还公开了（同上）：在形成电感之后，还包括：在层间介质层上表面沉积铝，刻蚀铝，形成铝垫和覆盖在铜上表面的铝层；在所有铝和层间介质的上表面沉积介电材料层168（即钝化层），刻蚀介电材料层以暴露出铝垫162，164，166，从而形成铝触点。此外，在电感、上层互连金属表面沉积铝，从而形成覆盖在上层互连金属上表面和覆盖在电感的铜的上表面是本领域技术人员常用的技术手段，属于本领域的公知常识。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5：对比文件4还公开了（同上）：下极板包括铝层35C和阻挡层36C、33C，为两层阻挡层36C、33C及两层36C、33C之间夹铝层35C而构成的三层结构，阻挡层36C、33C为氮化钛。因此，权利要求5所限定的“所述下极板包括铝层和阻挡层，为两层阻挡层及两层之间夹铝层而构成的三层结构，所述阻挡层为氮化钛”的技术方案已经被对比文件4所公开。由此可知，当引用的权利要求不具备创造性时，该技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求5的其它并列技术方案：然而，在对比文件4公开了上述技术特征的基础上，下极板为铝层及其上方的阻挡层构成的两层结构是本领域技术人员容易想到的，阻挡层材料为氮化钽是本领域的公知常识，因此，其它并列技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6-7： MIM电容器的下极板中铝层和上极板的厚度等参数的选择，是本领域技术人员的常规选择。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6-7所要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8：对比文件4还公开了（同上）：MIM电容器50上极板、下极板之间的绝缘介质37A为氮化硅或二氧化硅。因此，权利要求所限定的“所述MIM电容器上极板、下极板之间的绝缘介质为氮化硅或者氧化硅”的技术方案已经被对比文件4所公开。由此可知，当引用的权利要求不具备创造性时，该技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求8的“所述MIM电容器上极板、下极板之间的绝缘介质为氮氧化硅”的并列技术方案，然而，在对比文件4公开了上述技术特征的基础上，具体选择氮氧化硅作为绝缘介质的材料，是本领域技术人员的常规选择，属于本领域的公知常识。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该并列技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9：对比文件4还公开了（同上）：所述电感两层铜。此外，具体限定每一层铜的厚度数值，是本领域技术人员的常规选择。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求所要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对复审请求人的陈述意见
复审请求人认为：对比文件4没有公开“还刻蚀位于MIM电容器的上极板上方的层间介质层，以形成互连沟槽及其下方的接触孔；还在所述接触孔和所述互连沟槽中填充铜，以分别形成接触孔结构和上层互连金属”，对比文件4中的电感和电容是堆叠设置的，不是并列设置的。
对此合议组认为：对比文件4公开了还刻蚀位于MIM电容器的上极板上方的层间介质层，以形成开口90；在开口90中填充铜，形成导电径迹96，其形成的位置和材料与本申请中相同，因此本申请中的接触孔结构和上层互连金属的功能其同样具有。并且，对比文件1也公开了(参见说明书第2页第3段-第4页第1段及附图1-4)：刻蚀MIM电容器上极板上方以及下极板上方的层间介质层8、13，形成互连沟槽及其下方的接触孔。电容器区和电感器区在半导体衬底上并列设置。对比文件1给出了将上述特征结合到对比文件4的启示。因此复审请求人的陈述不具备说服力。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年03月19日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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