发明创造名称：一种纵向调制互易型光学电压传感器
外观设计名称：
决定号：184010
决定日：2019-07-17
委内编号：1F257929
优先权日：
申请（专利）号：201310676887.1
申请日：2013-12-13
复审请求人：国家电网公司 国网智能电网研究院
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：苏爱华
合议组组长：孙毅
参审员：李晓惠
国际分类号：G01R19/00，G01R15/24，G02F1/035
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件之间存在区别，而所述区别或已由属于相同技术领域的其它对比文件给出技术启示，或属于本领域公知常识，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310676887.1，名称为“一种纵向调制互易型光学电压传感器”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2013年12月13日，公开日为2014年05月07日，申请人为国家电网公司和国网智能电网研究院。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年04月20日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN 203164254U，公告日为2013年08月28日；
对比文件2：CN 103197113A，公开日为2013年07月10日；
对比文件3：CN 103197114A，公开日为2013年07月10日；
对比文件4：CN 102426281A，公开日为2012年04月25日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2013年12月13日提交的说明书第1-4页，说明书附图第1-2幅，说明书摘要及摘要附图，于2016年09月26日提交的权利要求第1项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种纵向调制互易型光学电压传感器，包括通过保偏光纤连接的传感单元和光路单元，所述光路单元包括依次连接的光源、环形器、Y波导调制器和偏振光分束器，所述环形器还通过光电探测器与信号处理单元连接，其特征在于：
所述传感单元包括45°法拉第旋光器、金属电极和电光晶体，所述45°法拉第旋光器的一端通过保偏光纤与光路单元的偏振光分束器连接，其另一端与电光晶体的一个通光面连接，该通光面上先镀有一透明导电膜、再粘贴一金属电极，该金属电极上设有供光束通过的光孔；所述电光晶体的另一通光面上先镀有一反射膜、再粘贴一金属电极；
所述电光晶体的通光方向与传感单元的通电场方向相平行；所述电光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割而成的圆柱体结构；
所述光源发出的光经过环形器后进入Y波导调制器，分成两束偏振光，其中一束旋转90°后与另一束一同进入偏振光分束器沿着保偏光纤的两个传输模式传输；所述偏振光分束器将两束偏振光调整成正交线偏振光后通过保偏光纤传至传感单元的45°法拉第旋光器，正交线偏振光经过45°法拉第旋光器后偏振方向旋转了45°，然后通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播，被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后传至45°法拉第旋光器，正交线偏振光的偏振方向再次旋转45°，实现了正交线偏振光的模式互换，并且携带有总相位差的正交线偏振光沿原光路返回，在Y波导调制器中发生干涉后，经过环形器进入光电转换器将光信号转换为电信号，并由数字信号处理器进行信号处理后输出；
所述传感单元在电场的作用下，使正交线偏振光通过电光晶体后产生相位差该正交线偏振光经反射膜反射再次通过电光晶体后再次产生相位差累计产生总相位差为所述相位差通过下式求得：
其中，λ是入射光波长，n0是电光晶体的折射率，γ41是电光晶体的电光系数，U是加在电光晶体上的电压；
所述信号处理单元包括模数转换器、数模转换器和中央处理器。 ”
驳回决定认为：权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）环形器还通过光电探测器与信号处理单元连接；信号处理单元包括模数转换器、数模转换器和中央处理器；电信号由数字信号处理器进行信号处理后输出；（2）光学电压传感器的调制方式为纵向调制，传感单元中的电极是金属电极，在电光晶体的通光面上先镀一透明导电膜，再粘贴一金属电极，该金属电极上设有供光束通过的光孔；在电光晶体的另一通光面上先镀有一反射膜，再粘贴一金属电极；电光晶体的通光方向与传感单元的通电场方向相平行；电光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割而成的圆柱体结构；（3）传感单元包括45°法拉第旋光器，偏振光分束器将两束偏振光调整成正交线偏振光后通过保偏光纤传至传感单元的45°法拉第旋光器，正交线偏振光经过45°法拉第旋光器后偏振方向旋转了45°，然后通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播，被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后传至45°法拉第旋光器，正交线偏振光的偏振方向再次旋转45°，实现了正交线偏振光的模式互换；（4）传感单元在电场的作用下，使正交线偏振光通过电光晶体后产生相位差，该正交线偏振光经反射膜反射再次通过电光晶体后再次产生相位差，累计产生总相位差为2，所述相位差，通过下式求得：，其中，是入射光波长，是电光晶体的折射率，是电光晶体的电光系数，U是加在电光晶体上的电压。这些区别或被对比文件2、4和3公开，或属于本领域公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件1与对比文件2-4以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人国家电网公司和国网智能电网研究院（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年08月06日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。
复审请求人认为：（1）权利要求1中的“光电探测器”与对比文件1中的“光电转换器”不能等同；（2）四篇对比文件中均未给出采用锗酸铋晶体的启示，将特征“电光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割而成的圆柱体结构”认定为“根据实际情况需要的选择”缺乏说服力；（3）对比文件2-4中均未给出通过“45°法拉第旋光器”实现模式互换的结合启示。（4）四份专利文件仍未全部包括本申请的权利要求中的技术方案这一事实本身就是基本符合专利法22条关于创造性的规定的标志。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
经前置审查，原实质审查部门坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月04 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）所述传感器单元包括45°法拉第旋光器，所述45°法拉第旋光器的一端通过保偏光纤与光路单元的偏振分束器连接，其另一端与电光晶体的一个面连接，两束正交线偏振光传至传感单元的45°法拉第旋光器，正交线偏振光经过45°法拉第旋光器后偏振方向旋转了45°，在被电光晶体的反射膜反射后再传至45°法拉第旋光器，正交线偏振光的偏振方向再次旋转45°；也就是说，在对比文件1中，是利用四端口保偏耦合器和三端口保偏环形器并结合准直器实现了两束正交线偏振光的模式互换，而本申请中是通过45°法拉第旋光器实现的两束正交线偏振光的模式互换；另外，所述电光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割而成的圆柱体结构；（2）光学电压传感器为纵向调制，传感单元中电极为金属电极，45°法拉第旋光器另一端与电光晶体连接的面为通光面，该通光面上镀有一透明导电膜、再粘贴一金属电极，该金属电极上设有供光束通过的光孔；所述电光晶体的另一通光面上先镀有一反射膜、再粘贴一金属电极；所述电光晶体的通光方向与传感单元的通电场方向相平行；正交线偏振光在经过45°法拉第旋光器偏振方向旋转45°之后，然后通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播，被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后再传至45°法拉第旋光器；相位差通过下式求得：，其中，是入射光波长，是电光晶体的折射率，是电光晶体的电光系数，U是加在电光晶体上的电压；（3）所述信号处理单元包括模数转换器、数模转换器和中央处理器。上述区别技术特征或由对比文件3、4和2给出技术启示，或属于本领域常规技术手段，因此，权利要求1相对于对比文件1与对比文件2-4以及本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人的意见，合议组认为：（1）对比文件1中的“光电转换器”实质上就相当于本申请的“光电探测器”；（2）“光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割”已被对比文件3（参见说明书第108段）公开，而对于“圆柱体结构”则是本领域为了实现更好的电场分布均匀性所采用的常用技术手段；（3）基于对比文件1，并结合对比文件3和4，能够获得“通过45°法拉第旋光器实现模式互换”的技术方案。（4）一项技术方案是否具备创造性，不是基于对比文件的篇数；对比文件2-4均与对比文件1以及本申请属于相同的技术领域，都是光学电压传感器领域，对于本领域技术人员来说，能够从相同的技术领域寻求现有技术的启示并进行结合。
复审请求人于2019 年04 月18 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。
复审请求人认为：（1）对比文件1中的“光电转换器12”与权利要求1中的“偏振分束器”不相当；（2）对技术特征的认定无法得出本申请所表征的技术特征“所述偏振光分束器将两束偏振光调整成正交线偏振光后通过保偏光纤传至传感单元的45°法拉第旋光器，正交线偏振光经过45°法拉第旋光器后偏振方向旋转了45°，然后通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播，被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后传至45°法拉第旋光器，正交线偏振光的偏振方向再次旋转45°，实现了正交线偏振光的模式互换，并且携带有总相位差的正交线偏振光沿原光路返回，在Y波导调制器中发生干涉后，经过环形器进入光电转换器将光信号转换为电信号，并由数字信号处理器进行信号处理后输出”。（3）区别技术特征中的“45°法拉第旋光器另一端与电光晶体连接的面”并非本申请的“其另一端与电光晶体的一个通光面连接”。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
由于复审请求人在复审阶段未提交申请文件的修改替换页，因此，本复审决定所针对的文本与驳回决定所针对的文本相同，即：复审请求人于申请日2013年12月13日提交的说明书第1-4页，说明书附图第1-2幅，说明书摘要及摘要附图，于2016年09月26日提交的权利要求第1项。
关于本申请是否符合专利法第22条第3款的规定
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件之间存在区别，而所述区别或已由属于相同技术领域的其它对比文件给出技术启示，或属于本领域公知常识，则该权利要求不具备创造性。
具体到本案：
权利要求1请求保护一种纵向调制互易型光学电压传感器，对比文件1公开了一种互易型反射式光学电压传感单元，并具体公开了如下内容（参见说明书第0003-0023段，图1-2）：互易型反射式光学电压传感单元包括四端口保偏耦合器1、三端口保偏环形器2和传感头。光路部分产生的两束正交线偏振光通过四端口保偏耦合器1的第一尾纤a传输至传感单元中；四端口保偏耦合器1的第二尾纤b与三端口保偏环形器的第一尾纤a,进行0°熔接，形成支路I；四端口保偏耦合器1的第三尾纤c与三端口保偏环形器的第三尾纤c,进行90°熔接，形成支路II；四端口保偏耦合器1的第四尾纤d闲置，三端口保偏环形器的第二尾纤b，与传感头的尾纤连接。上述的各尾纤均可采用保偏光纤。
光路部分主要由光源8、环形器9、Y波导调制器10、PBS11和光电转换器12组成。传感头包括准直器3和电光晶体4，电光晶体4的前端面（即光入射面）上镀有增透膜5、电光晶体4的后端面（即与光入射面相对的一面）上镀有反射膜6，准直器3与电光晶体4镀有增透膜的一面相固接，准直器的光入射面上连接有与三端口保偏环形器2的第二尾纤b,进行熔接的尾纤；电光晶体4的上、下端面还分别安装有电极7。该电极用于感应电场中的电势，并采用横向调制，即施加在电光晶体4上的电场方向与光传播方向垂直。
光源8发出的光经过环形器9后进入Y波导调制器10；进入Y波导调制器10的光被分成两束偏振光，其中一束旋转90°后与另一束一同进入PBS11，将两束偏振光调整成两束正交线偏振光后通过保偏光纤传至传感单元，从光路部分产生的两束正交线偏振光分别沿保偏光纤的X模式和Y模式传输、并经过支路I进入传感头，传感头的电光晶体4在外电场的作用下发生电光效应，使得在晶体中传播的两束正交线偏振光产生相位差，相位差的大小与外加电场有关。线偏振光被反射后再次经过电光晶体4，相位差加倍。两束正交线偏振光的偏振方向旋转90度，实现了两束正交线偏振光的模式互换；经过传感单元中的传感头之后，携带了待测电压信息的两束正交线偏振光沿原光路返回，在Y波导调制器10中发生干涉，然后经过环形器9进入光电转换器12将光信号转换为电信号，转换后的电信号还可以发送至现有的信号处理单元继续进行后续信号处理。
将对比文件1公开的内容与对比文件1相比较可知，对比文件1中的光路部分形成的两束正交线偏振光通过保偏光纤传至传感单元相当于公开了权利要求1中的“通过保偏光纤连接的传感单元和光路单元”，“光路部分主要由光源8、环形器9、Y波导调制器10、PBS11和光电转换器12组成”，并且结合图2可知，光源8、环形器9、Y波导调制器10和PBS11依次连接，因此相当于公开了权利要求1中的“光路单元包括依次连接的光源、环形器、Y波导调制器和偏振分束器”；“携带了待测电压信息的两束正交线偏振光沿原光路返回，在Y波导调制10中发生干涉，然后经过环形器9进入光电转换器12将光信号转换为电信号，转换后的电信号还可以发送至现有的信号处理单元继续进行后续信号处理”相当于公开了权利要求1中的“所述环形器通过光电探测器与信号处理单元连接”；传感头包括准直器3和电光晶体4，电光晶体的上、下端面还分别安装有电极7，相当于公开了权利要求1中的“传感单元包括电极和电光晶体”；结合图1可知，传感单元中的四端口保偏耦合器1的一端通过保偏光纤与光路单元的偏振分束器连接；“从光路部分产生的两束正交线偏振光分别沿保偏光纤的X模式和Y模式传输”相当于公开了“两束偏振光沿着保偏光纤的两个传输模式传输”；“传感头的电光晶体4在外电场的作用下发生电光效应，使得在晶体中传播的两束正交线偏振光产生相位差，相位差的大小与外加电场有关。线偏振光被反射后再次经过电光晶体4，相位差加倍。”相当于公开了“携带有总相位差的正交线偏振光沿原光路返回”和“传感单元在电场的作用下，使正交线偏振光通过电光晶体后产生相位差，该正交线偏振光经反射膜反射再次通过电光晶体后再次产生相位差，累计产生总相位差2”。
由上可知，权利要求1的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于权利要求1还限定了：（1）所述传感器单元包括45°法拉第旋光器，所述45°法拉第旋光器的一端通过保偏光纤与光路单元的偏振分束器连接，其另一端与电光晶体的一个面连接，两束正交线偏振光传至传感单元的45°法拉第旋光器，正交线偏振光经过45°法拉第旋光器后偏振方向旋转了45°，在被电光晶体的反射膜反射后再传至45°法拉第旋光器，正交线偏振光的偏振方向再次旋转45°；也就是说，在对比文件1中，是利用四端口保偏耦合器和三端口保偏环形器并结合准直器实现了两束正交线偏振光的模式互换，而本申请中是通过45°法拉第旋光器实现的两束正交线偏振光的模式互换；另外，所述电光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割而成的圆柱体结构；（2）光学电压传感器为纵向调制，传感单元中电极为金属电极，45°法拉第旋光器另一端与电光晶体连接的面为通光面，该通光面上镀有一透明导电膜、再粘贴一金属电极，该金属电极上设有供光束通过的光孔；所述电光晶体的另一通光面上先镀有一反射膜、再粘贴一金属电极；所述电光晶体的通光方向与传感单元的通电场方向相平行；正交线偏振光在经过45°法拉第旋光器偏振方向旋转45°之后，然后通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播，被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后再传至45°法拉第旋光器；相位差通过下式求得：，其中，是入射光波长，是电光晶体的折射率，是电光晶体的电光系数，U是加在电光晶体上的电压；（3）所述信号处理单元包括模数转换器、数模转换器和中央处理器。由此确定，权利要求1的技术方案实际所要解决的技术问题是：（1）寻求一种更简单的实现两束正交线偏振光模式互换的结构；（2）使得测量电压不受外电场干扰和极间电场分布不均匀的影响，并具有良好的温度稳定性；（3）提高系统的动态范围和响应灵敏度。
对于区别特征（1），对比文件3公开了一种基于Pockels效应的反射式互易性光学电压传感器，与本申请属于相同的技术领域，并公开了如下内容（参见说明书第0026-0031段，图5）：偏振光产生模块1产生两等能量的正交线偏振光，两正交线偏振光经过保偏延迟光缆2进入到旋光模块3，两正交线偏振光经过旋光模块3进入传感模块4，两正交线偏振光在传感模块4末端被反射后再次通过传感模块4进入旋光模块3，旋光模块3通过前后两次对正交线偏振光的作用，从而形成两正交线偏振光在保偏延迟光缆2中的模式互换，提高抗环境干扰能力。旋光模块3为法拉第旋光器与保偏准直器封装而成的法拉第准直旋光器，且法拉第旋光器靠传感模块4输入侧。旋光模块3中的法拉第旋光器作用是对进入其中的偏振光沿一定的方向进行偏振面的旋转，使偏振面旋转角度为45°。由此可见，对比文件3中通过由45°法拉第旋光器与保偏准直器封装而成的法拉第准直旋光器实现了两束正交线偏振光的模式互换，并且也是用于提高抗环境干扰能力。对于本领域技术人员来说，为了寻求一种更简单的结构，基于对比文件3公开的内容，容易想到采用对比文件3中的45°法拉第准直旋光器3替代对比文件1中的四端口保偏耦合器、三端口保偏环形器和准直器的组合来实现两束正交线偏振光模式的互换。相应地，45°法拉第旋光器的一端通过保偏光纤与光路单元的偏振分束器连接，其另一端与电光晶体的一个面连接。正交线偏振光经过45°法拉第准直旋光器3偏振方向旋转了45°后，就会被对比文件1中电光晶体的反射膜反射后再传至45°法拉第准直旋光器3
另外，对比文件3（参见0108段，图6）还公开了电光晶体的切割方式，BGO晶体沿在垂直于（001）面方向上加电场后产生的三个感生折射率主轴方向进行定向、切割，形成相同大小的长方体。即，对比文件3还公开了“电光晶体为锗酸铋晶体沿感应主轴方向进行定向切割而成”。而对于电光晶体的圆柱体结构，则是本领域为了实现更好的电场分布均匀性所采用的常用技术手段，这一点可参考现有技术文献1：CN101680918A（公开日为2010年03月24日），其公开了一种光VT装置（参见说明书第4页第5-7行），其包括电气光学元件2,。电气光学元件2是由BGO晶体构成的圆柱状的普克尔斯元件；现有技术文献2：WO2012163923A1(公开日为2012年12月06日),其公开了一种光纤电压传感器，其中公开了（参见说明书第9页第21-29行，图1中21）电光式光传输元件2包括光学传感器21（例如，电光晶体），选择晶体材料和它的轴向取向使得仅电场分量（沿圆柱体指示）对电光相移有贡献；现有技术文献3：CN103026244A（公开日为2013年04月03日），其公开了（参见说明书第0030段，图1）一种电场传感器6，例如是圆柱形BG0晶体的光场传感器。
对于区别特征（2），对比文件4公开了一种纵向调制光学电压传感器，与本申请属于相同的技术领域，并公开了如下内容（参见说明书第0010段）：所述BGO晶体沿（001）、（100）、（010）晶面切割，其中两个（001）面为通光面，其上镀有透明导电膜，透明导电膜进一步通过导电胶与第一金属电极5和第二金属电极6粘接，第一金属电极5的中心位置开有第一透光孔5-1，光束可以无遮拦地从第一透光孔5-1中穿过，被测电压通过第一电极引线7、第二电极引线8和第一金属电极5、第二金属电极6作用在BG0晶体4两个通光面的透明导电膜上，使BGO晶体4处于相对均匀分布的电场中。圆偏振光穿过第一透光孔5-1入射BGO晶体4后，分解为两束线偏振光，这两束线偏振光的偏振方向分别平行于BGO晶体4的两个感应主轴，在电场的作用下，两束线偏振光会产生一个相位差：，其中，，称为半波电压；式中，为入射光波波长，为BGO晶体4的折射率，为BGO晶体4的线性电光系数，U为被测电压。
由此可见，对比文件4公开了纵向调制的光学电压传感器，“被测电压通过第一电极引线7、第二电极引线8和第一金属电极5、第二金属电极6作用在BG0晶体4两个通光面的透明导电膜上”相当于公开了上述区别特征中的“电光晶体的通光方向与传感单元的通电场方向相平行”，传感单元中的电极为金属电极，“BGO晶体沿（001）、（100）、（010）晶面切割，其中两个（001）面为通光面，其上镀有透明导电膜，透明导电膜进一步通过导电胶与第一金属电极5和第二金属电极6粘接，第一金属电极5的中心位置开有第一透光孔5-1”相当于“入射光方向的通光面上镀有一透明导电膜，再粘贴一金属电极，该金属电极上设有供光束通过的光孔；电光晶体的另一通光面上先镀有透明导电膜，再粘贴一金属电极”，“圆偏振光穿过第一透光孔5-1入射BGO晶体4，分解为两束线偏振光，这两束线偏振光的偏振方向分别平行于BGO晶体4的两个感应主轴”相当于公开了“正交线偏振光通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播”，而通过公式和可以确定，，即相位差的公式。由此可见，对比文件4公开了纵向调制的光学电压传感器，并公开了对应的BGO晶体的结构，解决了测量电压不受外电场干扰和极间电场分布不均匀影响的问题，具有良好的温度稳定性，因此，本领域技术人员在对比文件4的技术启示下，能够想到在对比文件1与对比文件3结合的基础上，即将对比文件1中的横向调制互易型反射式光学电压传感单元中的四端口保偏耦合器和三端口保偏环形器以及准直器替换为结合对比文件3中的45°法拉第准直旋光器的基础上，将对比文件1中的电光晶体4的上、下端面的电极7安装在BGO晶体两个通光面的透明导电膜上，由此将横向调制的光学电压传感器改为纵向调制的光学电压传感器，这样，45°法拉第旋光器另一端与电光晶体连接的面就为通光面；并且基于对比文件1的反射式结构，电光晶体的另一通光面上的透明导电膜替换为反射膜；而光路的传输也就成为正交线偏振光在经过45°法拉第旋光器偏振方向旋转45°之后再通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，在被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后再传至45°法拉第旋光器。
对于区别特征（3），对比文件2公开了一种准互易反射式光学电压传感系统，其公开了（参见说明书第0041段，图3）：电路部分主要由光电转换器12、模数转换器13、数字信号处理单元14、数模转换器15及相应驱动电路16组成。信号处理过程为：广电转换器12探测来自光路部分的携带有待测电压信息的干涉光强信号、并将该信号转换为电压信号后，传给模数转器13将电压信号转换为离散的数字量信号，送入数字信号处理单元14，产生数字阶梯波，送至模数转换器15转换为模拟阶梯波，经过驱动电路16施加给光路部分的Y波导调制器10，实现闭环控制。由此可见，对比文件2已经公开了区别特征（3），并且也是为了方便数字信号处理，提高系统的动态范围和响应灵敏度。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：
（1）对于权利要求1中的“偏振光分束器”，是与对比文件1中的“PBS11”相当，不是与“光电转换器12”相当，首先，本申请中也是用“PBS11”表示“偏振分束器”（参见说明书第0021段），而且PBS本身就是“偏振分束器”的简称，另外，对比文件1中记载了（参见说明书第0022段）“其中一束旋转90°后与另一束一通进入PBS11，将两束偏振光调整成两束正交线偏振光”，这与本申请（参见说明书第0027段）中记载的“其中一束旋转90°后与另一束一同进入PBS11，PBS11将两束偏振光调整成正交线偏振光”是对应的，由此确定，对比文件1中的“PBS11”即相当于本申请权利要求1中的“偏振分束器”。
（2）首先，如前所述，对比文件1（参见说明书第0021-0022段，图1-2）已经公开了“实现了正交线偏振光的模式互换，并且携带有总相位差的正交线偏振光沿原光路返回，在Y波导调制器中发生干涉后，经过环形器进入光电转换器将光信号转换为电信号，并由数字信号处理器进行信号处理后输出”；其次，对于区别技术特征的确定，是基于权利要求1的技术方案与对比文件1之间的区别，对于区别特征“两束正交线偏振光传至传感单元的45°法拉第旋光器，正交线偏振光经过45°法拉第旋光器后偏振方向旋转了45°，在被电光晶体的反射膜反射后再传至45°法拉第旋光器，正交线偏振光的偏振方向再次旋转45°”已由对比文件3给出技术启示，在此技术启示下，本领域技术人员容易想到将对比文件3中的45°法拉第准直旋光器3替代对比文件1中的四端口保偏耦合器、三端口保偏环形器和准直器的组合来实现两束正交线偏振光模式互换。而对于区别特征“然后通过金属电极上的通光孔和透明导电膜进入电光晶体，沿着电光晶体的两个感应主轴方向传播，被反射膜反射后再次经过电光晶体、透明导电膜和金属电极上的通光孔后再传至45°法拉第旋光器”是由对比文件4公开的纵向调制结构的光学电压传感器给出的技术启示，且对比文件4公开了对应的BGO晶体的结构。因此，对于复审请求人所指出的无法得出的本申请技术特征都基于相应的证据得到了评述。
（3）区别技术特征中的“45°法拉第旋光器另一端与电光晶体连接的面为通光面”是基于在前区别技术特征（1）中已将“其（45°法拉第旋光器）另一端与电光晶体的一个面连接”确定为区别特征，为避免信息的重复表述而确定的，这里只强调“连接的面为通光面”，从整体上已将本申请中的“其另一端与电光晶体的一个通光面连接”确定为区别。
因此，复审请求人的陈述理由得不到合议组的支持。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2-4以及本领域常用技术手段获得权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年04 月20日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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