发明创造名称：遮覆框支撑件
外观设计名称：
决定号：188024
决定日：2019-07-16
委内编号：1F257415
优先权日：2012-10-18
申请（专利）号：201380051375.4
申请日：2013-09-16
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王子瑜
合议组组长：倪永乐
参审员：李家刚
国际分类号：C23C16/00，C23C16/04
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别特征，现有技术中披露了与该区别特征相似的技术特征，但是该相似技术特征在现有技术中的作用与该区别特征在本发明中起到的作用不同，并且现有技术中也没有给出为了解决本发明要解决的技术问题而改变某个技术特征的技术启示，则认为发明相对于现有技术不具备创造性的理由不能成立。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201380051375.4，名称为“遮覆框支撑件”的发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为“应用材料公司”，申请日为2013年9月16日，优先权日为2012年10月18日，公开日为2015年6月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年4月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-13相对于对比文件1(CN101647090A，公开日为2010年2月10日)和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定认为：(1)权利要求1请求保护一种处理设备，对比文件1公开了一种射频遮板的设备600（即处理设备）的顶视图(参见图6)。设备600在具有狭缝阀开口(即贯穿壁的开口)的腔室（即具有腔室主体）侧具有壁602。在狭缝阀开口上方，设置有RF遮板608。沿着相对于狭缝阀开口的壁606以及相邻于狭缝阀开口的壁604，设置有多个RF遮板610（即遮蔽框支撑件）。一个或多个RF遮板610可单独设置而并未横跨壁604、606的整个长度（即RF遮板的长度小于壁的长度）。在一个实施例中，在单独的RF遮板610之间的间距长度基本上等于或小于RF遮板610的长度。因此，有三个壁604、606具有沿着壁604、606而交错设置的RF遮板610。遮蔽框133可支撑在RF遮板162上（参见说明书第5页第2段，第7页第5段-第8页第2段，图1-6）。根据附图6可知，壁602、604（2个）、606即为所述数个壁，其限定出腔室内部。壁604分别为具有第一长度的第一壁和具有第二长度的第二壁。壁606为具有第三长度的第三壁，壁602为具有第四长度的第四壁。RF遮板在相应壁上延伸且具有一定长度，壁604、606上的RF遮板长度小于相应壁长度。且对比文件1公开了远程等离子体源124(例如感应耦合远程等离子体源)也可耦接于气体源120与背板112之间。在处理基板之间，可将清洁气体提供至远程等离子体源124，因而可产生远程等离子体（即含有清洁气体自由基），并将其提供以清洁腔室组件（参见说明书第4页第3段）。权利要求1与对比文件1的区别为：第四遮蔽框支撑件的长度小于第四壁的长度，且各支撑件配置成仅向腔室主体的数个角落引导清洁气体自由基。但是，对比文件1已公开在壁602上设置有RF遮板608，以及RF遮板162可改变等离子体逐渐出现通过腔室100的路径（参见说明书第5页第3段、第7页第5段），则本领域技术人员可根据需要调整RF遮板的长度，进而调整等离子体的分布。而在腔室清洁时，对角落进行重点清洁为本领域的普遍需求，那么基于该需求调整遮板的长度，进而仅在需要清洁的角落处形成流动路径，以引导清洁气体自由基导向腔室主体的数个角落为本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的，且并未带来预料不到的技术效果。因此在对比文件1基础上结合本领域的普通技术知识得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，其不具备突出的实质性特点，不具备创造性。(2) 权利要求6与对比文件1的区别为：权利要求6的数个遮覆框支撑件配置成仅向该腔室主体的该数个角落导引清洁气体自由基。权利要求12与对比文件1的区别为：权利要求12限定了具体的清洁步骤，以及清洁气体自由基流动方向。基于与权利要求1同样的理由，权利要求6和12的区别特征也是显而易见的，因此也不具备创造性。(3)权利要求2-5,7-11和13的附加技术特征被对比文件1公开或者为本领域常用技术手段，因此也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为 2015年3月31日提交的说明书第1-47段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2017年7月3日提交的权利要求第1-13项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种处理设备，包括：
腔室主体，具有由数个壁限定的内部，该些壁的至少一者具有贯穿其的开口；
第一遮覆框支撑件，自该些壁的第一壁延伸且具有第一长度，该第一长度小于该第一壁的长度；
第二遮覆框支撑件，自该些壁的第二壁延伸且具有第二长度，该第二长度小于该第二壁的长度；
第三遮覆框支撑件，自该些壁的第三壁延伸且具有第三长度，该第三长度小于该第三壁的长度；以及
第四遮覆框支撑件，自该些壁的第四壁延伸且具有第四长度，该第四长度小于该第四壁的长度，其中该第一、第二、第三及第四遮覆框支撑件配置成仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基(radicals)。
2. 如权利要求1所述的处理设备，其特征在于，该第一遮覆框支撑件被定位，以有介于该第一遮覆框支撑件的两端与相邻于该第一壁的该些壁之间的数个间隙。
3. 如权利要求2所述的处理设备，其特征在于，该第二遮覆框支撑件被是定位，以有介于该第二遮覆框支撑件的两端与相邻于该第二壁的该些壁之间的数个间隙。
4. 如权利要求3所述的处理设备，其特征在于，该第三遮覆框支撑件被定位，以有介于该第三遮覆框支撑件的两端与相邻于该第三壁的该些壁之间的数个间隙。
5. 如权利要求4所述的处理设备，其特征在于，该第四遮覆框支撑件被定位，以有介于该第四遮覆框支撑件的两端与相邻于该第四壁的该些壁之间的数个间隙。
6. 一种处理设备，包括：
腔室主体，具有由数个壁限定的内部，该些壁的第一壁具有第一长度，该些壁形成数个角落；以及
数个遮覆框支撑件，包括第一遮覆框支撑件，该第一遮覆框支撑件具有第二长度，该第一遮覆框支撑件沿着该第一壁的该第一长度贴附于该第一壁，该第二长度小于该第一长度，且该第一遮覆框支撑件以沿着该第一壁的该第一长度的方式定位，使得该第一遮覆框支撑件不接触角落，其中该数个遮覆框支撑件配置成仅向该腔室主体的该数个角落导引清洁气体自由基。
7. 如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，该第一遮覆框支撑件沿着该第一壁的该第一长度中央地定位。
8. 如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，该些壁更包括第二壁，该第二壁具有第三长度。
9. 如权利要求8所述的处理设备，其特征在于，该第一长度等于该第三长度。
10. 如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，该些壁包括四个壁，且该些遮覆框支撑件包括四个遮覆框支撑件。
11. 如权利要求10所述的处理设备，其特征在于，第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件、及第四遮覆框支撑件分别沿着第二壁、第三壁、及第四壁的长度贴附并沿着各该壁的长度定位，使得该些遮覆框支撑件不接触角落。
12. 一种清洁方法，包括：
设置遮覆框于处理腔室内的数个遮覆框支撑件的顶部上；
升起基板支撑件至一位置，使得该遮覆框接触该基板支撑件及该些遮覆框支撑件；以及
于该处理腔室内流动清洁气体自由基，
其中所述这些遮覆框支撑件阻挡所述这些清洁气体自由基沿着所述数个壁的长度流动且仅向该处理腔室的数个角落导引所述清洁气体自由基流。
13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于，该些清洁气体自由基为NF3自由基。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年8月1日向国家知识产权局提出了复审请求，并对权利要求1、6和12进行了修改。复审请求人认为：本申请的清洁工艺仅在图6A的配置中进行，然而对比文件1的等离子体工艺具有类似图6B的配置，因此即使向对比文件1的设备施加清洁气体自由基，由于图6B的配置，对比文件1也不会如修改后的权利要求1、6和12中记载的在遮覆框被定位在基板支撑件及数个遮覆框支撑件上时向数个角落导引清洁气体。此外，对比文件1中的RF遮板组件用于阻挡等离子体流进入工艺室的下方区域，对比文件1没有被配置成仅向腔室主体的数个角落引清洁气体自由基。本申请通过仅向角落导入等离子体来均匀清洁整个腔室，通过引导清洁气体来缩短整体清洁时间。复审请求时提交的权利要求书如下：
“1. 一种处理设备，包括：
腔室主体，具有由数个壁限定的内部，该些壁的至少一者具有贯穿其的开口；
基板支撑件；
第一遮覆框支撑件，自该些壁的第一壁延伸且具有第一长度，该第一长度小于该第一壁的长度；
第二遮覆框支撑件，自该些壁的第二壁延伸且具有第二长度，该第二长度小于该第二壁的长度；
第三遮覆框支撑件，自该些壁的第三壁延伸且具有第三长度，该第三长度小于该第三壁的长度；以及
第四遮覆框支撑件，自该些壁的第四壁延伸且具有第四长度，该第四长度小于该第四壁的长度，
遮覆框，设置于该第一遮覆框支撑件、第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件、第四遮覆框支撑件上或该基板支撑件上；
其中该第一、第二、第三及第四遮覆框支撑件配置成在该遮覆框被定位在该基板支撑件及该第一遮覆框支撑件、第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件和第四遮覆框支撑件上时仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基(radicals)。
2. 如权利要求1所述的处理设备，其特征在于，该第一遮覆框支撑件被定位，以有介于该第一遮覆框支撑件的两端与相邻于该第一壁的该些壁之间的数个间隙。
3. 如权利要求2所述的处理设备，其特征在于，该第二遮覆框支撑件被定位，以有介于该第二遮覆框支撑件的两端与相邻于该第二壁的该些壁之间的数个间隙。
4. 如权利要求3所述的处理设备，其特征在于，该第三遮覆框支撑件被定位，以有介于该第三遮覆框支撑件的两端与相邻于该第三壁的该些壁之间的数个间隙。
5. 如权利要求4所述的处理设备，其特征在于，该第四遮覆框支撑件被定位，以有介于该第四遮覆框支撑件的两端与相邻于该第四壁的该些壁之间的数个间隙。
6. 一种处理设备，包括：
腔室主体，具有由数个壁限定的内部，该些壁的第一壁具有第一长度，该些壁形成数个角落；
基板支撑件；
数个遮覆框支撑件，包括第一遮覆框支撑件，该第一遮覆框支撑件具有第二长度，该第一遮覆框支撑件沿着该第一壁的该第一长度贴附于该第一壁，该第二长度小于该第一长度，且该第一遮覆框支撑件以沿着该第一壁的该第一长度的方式定位，使得该第一遮覆框支撑件不接触角落，
遮覆框，设置于该数个遮覆框支撑件或该基板支撑件上；
其中该数个遮覆框支撑件配置成在该遮覆框被定位在该基板支撑件及该数个遮覆框支撑件上时仅向该腔室主体的该数个角落导引清洁气体自由基。
7. 如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，该第一遮覆框支撑件沿着该第一壁的该第一长度中央地定位。
8. 如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，该些壁更包括第二壁，该第二壁具有第三长度。
9. 如权利要求8所述的处理设备，其特征在于，该第一长度等于该第三长度。
10. 如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，该些壁包括四个壁，且该些遮覆框支撑件包括四个遮覆框支撑件。
11. 如权利要求10所述的处理设备，其特征在于，第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件、及第四遮覆框支撑件分别沿着第二壁、第三壁、及第四壁的长度贴附并沿着各该壁的长度定位，使得该些遮覆框支撑件不接触角落。
12. 一种清洁方法，包括：
设置遮覆框于处理腔室内的数个遮覆框支撑件的顶部上；
升起基板支撑件至一位置，使得该遮覆框接触该基板支撑件及该些遮覆框支撑件；以及
于该处理腔室内流动清洁气体自由基，
其中在该遮覆框接触该基板支撑件及该些遮覆框支撑件时，所述这些遮覆框支撑件阻挡所述这些清洁气体自由基沿着所述数个壁的长度流动且仅向该处理腔室的数个角落导引所述清洁气体自由基流。
13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于，该些清洁气体自由基为NF3自由基。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年8月7日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，首先，权利要求1、6为处理设备，遮覆框限定位于各遮覆框支撑件或基板支撑件上，对比文件1公开了“当在基板140一开始置入腔室中时，遮蔽框133支撑在RF遮板162上”（参见说明书第5页第2段），可见该结构特征已被公开，至于各遮蔽框支撑件被配置成“在该遮蔽框被定位在……支撑件上时”为使用条件限定，并未带来结构上的变化；其次，对于权利要求12的清洁方法，虽然对比文件1没有公开具体清洁工艺，但是清洁是通过等离子流动蚀刻清洁，通过影响流动路径可影响清洁位置，而基板支撑件和遮蔽框支撑件作为遮蔽框两方支撑件，两方同时支撑为常规位置，因此在清洁时感觉需要选择该常规位置为根据路径需要不需要付出创造性劳动即可做出的；对比文件1的遮蔽框位置是基于等离子体加工要求的，在非加工步骤自然可以根据需要调整，正如对比文件1记载的“当在基板140一开始置入腔室中时，遮蔽框133支撑在RF遮板162上”；本领域技术人员知晓等离子体加工和清洁都是利用等离子的出现来实现，只是前者为避免不期望的沉积而需要控制等离子在非期望地区的出现，而后者为了充分清洁需要等离子体在待清洁区充分流动，本质上二者都是操控等离子体的流动路径，对比文件1公开了RF遮板可以配置来改变等离子体流动，以及清洁该腔室组件，那么本领域技术人员有能力根据清洁需求来调整清洁路径并预期清洁效果，不需要付出创造性劳动；角落容易成为清洁死角是公知的，申请人提出通过从角落导入等离子体，实现了包括角落在内整个腔室的清洁，并缩短清洁时间，然而根据本申请说明书42段可知，本申请是“在遮覆框的角落监测蚀刻终点”，可见清洁时间的终点是以角落清洁为准的，那么从角落开始清洁计算清洁时间时自然会缩短，等离子体从角落流向整体腔室时自然会带来整体腔室的清洁，但是其是否会相比等离子体直接从遮蔽框与基板支撑件/遮蔽框支撑件的间隙或多个RF遮板610之间的间距流入清洁得快，申请文件并没有证明这一点，因此并未带来预料不到的技术效果。综上，权利要求1-13具有创造性的理由并不具有说服力，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本
在复审程序中，复审请求人于2018年8月1日提交了权利要求书修改替换页，经审查，上述修改符合专利法第33条的规定。因此，本复审请求审查决定针对的审查文本为：2015年3月31日提交的原始国际申请中文译文的说明书第1-47段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2018年8月1日提交的权利要求第1-13项。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别特征，现有技术中披露了与该区别特征相似的技术特征，但是该相似技术特征在现有技术中的作用与该区别特征在本发明中起到的作用不同，并且现有技术中也没有给出为了解决本发明要解决的技术问题而改变某个技术特征的技术启示，则认为发明相对于现有技术不具备创造性的理由不能成立。
1 权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种处理设备。对比文件1公开了如下内容：当基板支撑件130升高至工艺位置时，遮蔽框可因基板140及基板支撑件130升高，因而离开RF遮蔽板。在工艺期间，RF遮蔽板162可协助降低等离子体逐渐出现现象。通过改变等离子体的流动，则可降低等离子体逐渐出现的量。RF遮板162可阻断及/或改变等离子体及任何未点燃成等离子体的工艺气体的路径，则可预防等离子体及/或工艺气体进入狭缝阀开口。由于等离子体及/或工艺气体不会进入狭缝阀开口，开口中则沉积较少量的材料，且在腔室膨胀、腔室收缩、基板置入或基板移除时有较少材料剥落的现象(参见说明书第5页第2-4段)。第6图为具有RF遮板的设备600的顶视图。设备600在具有狭缝阀开口(即贯穿壁的开口)的腔室（即具有腔室主体）侧具有壁602。在狭缝阀开口上方，设置有RF遮板608。沿着相对于狭缝阀开口的壁606以及相邻于狭缝阀开口的壁604，设置有多个RF遮板610（即遮蔽框支撑件）。一个或多个RF遮板610可单独设置而并未横跨壁604、606的整个长度（即RF遮板的长度小于壁的长度）。在一个实施例中，在单独的RF遮板610之间的间距长度基本上等于或小于RF遮板610的长度。因此，有三个壁604、606具有沿着壁604、606而交错设置的RF遮板610。（参见第7页第5段至第8页第2段，图1-6）。从图6可以看出，壁604分别为具有第一长度的第一壁和具有第二长度的第二壁。壁606为具有第三长度的第三壁，壁602为具有第四长度的第四壁。RF遮板在相应壁上延伸且具有一定长度，壁604、606上的RF遮板长度小于相应壁长度。且对比文件1公开了远程等离子体源124(例如感应耦合远程等离子体源)也可耦接于气体源120与背板112之间。在处理基板之间，可将清洁气体提供至远程等离子体源124，因而可产生远程等离子体（即含有清洁气体自由基），并将其提供以清洁腔室组件（参见说明书第4页第3段）。
权利要求1与对比文件1至少存在如下区别：其中该第一、第二、第三及第四遮覆框支撑件配置成在该遮覆框被定位在该基板支撑件及该第一遮覆框支撑件、第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件和第四遮覆框支撑件上时仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基。基于上述区别特征，权利要求1要解决的技术问题是使得自由基被均匀地引导至腔室的角落，改善遮覆框的角落的清洁率。
但是，对比文件1中明确记载了RF遮板的作用为在工艺期间，即遮蔽框133升高而离开RF遮板162的期间降低逐渐出现在RF遮板下方的等离子体的量(参见说明书第5页第2-4段，说明书第7页第2段，图4)。从图4中也可以看出，在工艺期间遮蔽框与RF遮板不接触。而本申请中，基板支撑件位于清洁位置时，即遮蔽框133与基板支撑件130和四个遮蔽框支撑件相接触时，起到引导清洁气向四个角落从而改善遮覆框133的角落的清洁率。而位于处理位置时，基板支撑件被升起至一位置，使得遮覆框133和遮覆框支撑件406分隔。遮覆框133由基板支撑件130举起，因此处理气体可经由介于遮覆框133和腔室壁间的间隙来流经基板支撑件130与遮覆框支撑件406间形成的间隙。因此，处理气体并不会被迫使至处理腔室的角落(参见说明书第[0039]-[0041]段，附图6A-6C)。因此，对比文件1中记载的RF遮板是在工艺期间，即遮蔽板133位于相当于本申请图6B中公开的位置时，降低逐渐出现在RF遮板下方的等离子体的量。对比文件1没有公开RF遮板在清洁位置，即权利要求1中“在该遮覆框被定位在该基板支撑件及该第一遮覆框支撑件、第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件和第四遮覆框支撑件上时”，相当于本申请图6A的位置时起到如何引导等离子体的作用。对比文件1中的RF遮板与权利要求1中的遮覆框支撑件作用不同，对比文件1没有给出任何在清洁位置时RF遮板的作用的启示，因此本领域技术人员在对比文件1公开的设备的基础上没有动机改变对比文件1中的RF遮板(相当于权利要求1中的遮覆框支撑件)的位置的技术启示。
并且，对比文件1中仅需要降低RF遮板下方的等离子体的量，因此对RF遮板设置位置并无明确要求。而本申请选择了特定的遮覆框支撑件的位置，从而使得仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基，并且起到了改善遮覆框133的角落的清洁率技术效果。因此调整遮覆框支撑件的位置并非本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的，且带来预料不到的技术效果。
此外，也没有证据证明通过设置遮覆框支撑件的位置，从而使得仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基，并且起到了改善遮覆框133的角落的清洁率技术效果是本领域的公知常识。
因此，驳回决定中认为权利要求1相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备创造性的理由不能成立。
2 权利要求6的创造性
权利要求6要求保护一种处理设备。对比文件1公开的内容参见对权利要求1的评述。权利要求6与对比文件1至少存在如下区别：该数个遮覆框支撑件配置成在该遮覆框被定位在该基板支撑件及该数个遮覆框支撑件上时仅向该腔室主体的该数个角落导引清洁气体自由基。基于与权利要求1同样的理由，驳回决定中认为的权利要求6相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备创造性的理由不能成立。
3 权利要求12的创造性
权利要求12要求保护一种清洁方法。对比文件1公开的内容参见对权利要求1的评述。权利要求12与对比文件1至少存在如下区别：在该遮覆框接触该基板支撑件及该些遮覆框支撑件时，所述这些遮覆框支撑件阻挡所述这些清洁气体自由基沿着所述数个壁的长度流动且仅向该处理腔室的数个角落导引所述清洁气体自由基流。基于上述区别特征，权利要求12要解决的技术问题是使得自由基被均匀地引导至腔室的角落，改善遮覆框的角落的清洁率。
参见对权利要求1的评述，对比文件1公开的方法涉及在工艺期间，而非清洁期间。对比文件1中的RF遮板与权利要求1中的遮覆框支撑件作用不同，对比文件1没有给出任何在清洁位置时将遮覆框支撑件阻挡清洁气体自由基沿着所述数个壁的长度流动且仅向该处理腔室的数个角落导引清洁气体自由基流的技术启示。并且也没有证据证明通过设置遮覆框支撑件的位置，从而使得仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基，并且起到了改善遮覆框的角落的清洁率技术效果是本领域的公知常识。
因此，驳回决定中认为的权利要求12相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备创造性的理由不能成立。
4 权利要求2-5,7-11,13的创造性
权利要求2-5,7-11,13为权利要求1, 6或12的从属权利要求，至少包含权利要求1,6或12的技术特征。因此,驳回决定中认为的权利要求2-5,7-11,13相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备创造性的理由不能成立。
5 关于驳回决定和前置意见
在驳回决定和前置审查意见书中主要认为：（1）对比文件1已公开在壁602上设置有RF遮板608，以及RF遮板162可改变等离子体逐渐出现通过腔室100的路径，则本领域技术人员可根据需要调整RF遮板的长度，进而调整等离子体的分布。而在腔室清洁时，对角落进行重点清洁为本领域的普遍需求，那么基于该需求调整遮板的长度，进而仅在需要清洁的角落处形成流动路径，以引导清洁气体自由基导向腔室主体的数个角落为本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的，且并未带来预料不到的技术效果。（2）权利要求1-11保护的是处理设备，关于清洁气体自由基的限定为该设备用于清洁时的状态，对比文件1的处理设备同样会进行清洁，在清洁时同样存在改进需求；并且对比文件1公开“在处理基板之前，可将清洁气体……清洗腔室组件”，可见对比文件1同样公开了使用该设备的清洁方法，而提高腔室的清洁程度是本领域技术人员的普遍追求；在清洁时角落无法清洁充分是清洁常规的问题，为加强对角落的清洁效果而对角落进行针对性处理也是常规的；对于等离子设备而言，无论沉积还是蚀刻，均是通过等离子体起作用，对比文件1通过RF遮板处理等离子体来改进沉积过程，当面对同样适用等离子体处理的清洁过程时，本领域技术人员容易想到同样适用该RF遮板进行相应调整；无论是沿特定路径流动，还是不沿特定路径流动，均是基于遮板对等离子体路径的操控，本质是相通的，至于路径只是基于特定目的的相应选择；在对角落进行针对性清洁时，相对于非针对性清洁，清洁所需的时间缩短是本领域技术人员可预期的。（3）首先，权利要求1、6为处理设备，遮覆框限定位于各遮覆框支撑件或基板支撑件上，对比文件1公开了“当在基板140一开始置入腔室中时，遮蔽框133支撑在RF遮板162上”（参见说明书第5页第2段），可见该结构特征已被公开，至于各遮蔽框支撑件被配置成“在该遮蔽框被定位在……支撑件上时”为使用条件限定，并未带来结构上的变化；其次，对于权利要求12的清洁方法，虽然对比文件1没有公开具体清洁工艺，但是清洁是通过等离子流动蚀刻清洁，通过影响流动路径可影响清洁位置，而基板支撑件和遮蔽框支撑件作为遮蔽框两方支撑件，两方同时支撑为常规位置，因此在清洁时感觉需要选择该常规位置为根据路径需要不需要付出创造性劳动即可做出的；对比文件1的遮蔽框位置是基于等离子体加工要求的，在非加工步骤自然可以根据需要调整，正如对比文件1记载的“当在基板140一开始置入腔室中时，遮蔽框133支撑在RF遮板162上”；（4）角落容易成为清洁死角是公知的，申请人提出通过从角落导入等离子体，实现了包括角落在内整个腔室的清洁，并缩短清洁时间，然而根据本申请说明书42段可知，本申请是“在遮覆框的角落监测蚀刻终点”，可见清洁时间的终点是以角落清洁为准的，那么从角落开始清洁计算清洁时间时自然会缩短，等离子体从角落流向整体腔室时自然会带来整体腔室的清洁，但是其是否会相比等离子体直接从遮蔽框与基板支撑件/遮蔽框支撑件的间隙或多个RF遮板610之间的间距流入清洁得快，申请文件并没有证明这一点，因此并未带来预料不到的技术效果。
对此，合议组经过合议和审查后认为，（1）尽管对比文件1中的RF遮板162可改变等离子体逐渐出现通过腔室100的路径，但是对比文件1中的RF遮板的作用为在工艺期间改变等离子体的路径，而本申请的遮覆框支撑件的作用为在清洁期间通过调整遮覆框支撑件的位置和长度来引导清洁气体自由基导向腔室主体的数个角落，两者的作用不同。因此本领域技术人员没有动机为了清洁角落而调整对比文件1的RF遮板的长度和开口位置。（2）对比文件1的处理设备虽然客观上也会进行清洁，但对于对比文件1中的清洁步骤，对比文件1没有公开该设备在执行清洁工艺时遮蔽框133是否与基板支撑件130和RF遮板162相接触。理由是参见图2和图5A，对比文件1中执行清洁工艺时如果遮蔽框133是否与基板支撑件130和RF遮板162相接触，则清洁等离子体仅可以从一边(图2)或两边(图5A)向下传导，显然会影响清洁效果。因此对比文件1的处理设备的清洁过程与本申请不同，因此没有动机为清洁角落而调整对比文件1的RF遮板的长度和开口位置。（3）尽管对比文件1公开了“当在基板140一开始置入腔室中时，遮蔽框133支撑在RF遮板162上”，但是权利要求1和6中限定了在该遮覆框被定位在该基板支撑件及该第一遮覆框支撑件、第二遮覆框支撑件、第三遮覆框支撑件和第四遮覆框支撑件上，或该数个遮覆框支撑件上时仅向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基。即“在该遮蔽框被定位在……支撑件上时”为“向该腔室主体的数个角落导引清洁气体自由基”的前提条件，由此进一步对遮覆框支撑件进行了限定，而并非未带来结构上的变化。而对于权利要求12，参见对第(2)点意见的评述，对比文件1即使执行清洁工艺，其也没有公开执行工艺时遮蔽框133和RF遮板162的相对位置，即对比文件1的清洁工艺中的等离子体流动路径与本申请不一定相同。因此本领域技术人员没有动机调整对比文件1的RF遮板162以解决清洁角落的技术问题。（4）对比文件1短清洁时间的含义是基于在遮覆框的角落监测蚀刻终点的基础上的，即角落为清洗的瓶颈，当角落达到清洁标准时即可视为整个腔室达到清洁标准。并且由本申请的说明书第[0044]段的表格可以看出，其相比于多件式遮蔽框支撑件(即本申请图3所示，类似于对比文件1图3B或5B)而言，实施例(即本申请图4所示)的遮蔽框支撑件可以实现更短的清洗时间。亦即权利要求1,6和12要求保护的技术方案，相比于复审请求人所述的“等离子体直接从遮蔽框与基板支撑件/遮蔽框支撑件的间隙或多个RF遮板610之间的间距流入”清洁更快。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年4月16日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
